專利名稱：一種靶材底柱與底柱接頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及表面防護(hù)涂層制備領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭。
背景技術(shù)：
表面防護(hù)涂層技術(shù)是提高工模具及機(jī)械部件質(zhì)量和使用壽命的重要途徑，作為材料表面防護(hù)技術(shù)之一的PVD技術(shù)，以其廣泛的功能性、良好的環(huán)保性以及巨大的增效性等優(yōu)勢(shì)，可以提高工模具及機(jī)械零件表面的耐磨性、耐蝕性、耐熱性及抗疲勞強(qiáng)度等力學(xué)性能，極大的提高產(chǎn)品附加值，以保證現(xiàn)代機(jī)械部件及工模具在高速、高溫、高壓、重載以及強(qiáng)腐蝕介質(zhì)工況下可靠而持續(xù)地運(yùn)行。PVD主要分為真空蒸鍍、磁控濺射和離子鍍?nèi)齻€(gè)類型。在實(shí)際應(yīng)用中，高質(zhì)量的防護(hù)涂層必須具有致密的組織結(jié)構(gòu)、無(wú)穿透性針孔、高硬度、與基體結(jié)合牢固等特點(diǎn)。真空蒸鍍和磁控濺射由于粒子能量和離化率低，導(dǎo)致膜層疏松多孔、力學(xué)性能差、難以獲得良好的涂層與基體之間的結(jié)合力，嚴(yán)重限制了該類技術(shù)在防護(hù)涂層制備領(lǐng)域的應(yīng)用。而離子鍍涂層技術(shù)由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、離化率高、入射粒子能量高，可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復(fù)合涂層，應(yīng)用在工具、模具上面，可以使壽命成倍提高，較好地實(shí)現(xiàn)了低成本、高收益的效果；此外，離子鍍涂層技術(shù)具有低溫、高能兩個(gè)特點(diǎn)，幾乎可以在任何基材上成膜，應(yīng)用范圍十分廣闊。電弧離子鍍所用的弧源結(jié)構(gòu)是冷陰極弧源，電弧的行為被陰極表面許多快速游動(dòng)，高度明亮的陰極斑點(diǎn)所控制，陰極斑點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)對(duì)電弧等離子體的物理特性以及隨后的鍍膜特性有很大的影響。而離子鍍弧源是電弧等離子體放電的源頭，是離子鍍技術(shù)的核心部件。為了更好的提高沉積薄膜的質(zhì)量和有效的利用靶材，提高放電穩(wěn)定性，必須對(duì)弧斑的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行合理的控制。而弧斑的有效控制必須有合理的機(jī)械結(jié)構(gòu)與磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)配合，就目前工業(yè)常用的小尺寸弧源結(jié)構(gòu)，常用的靶材結(jié)構(gòu)有圓盤形、圓柱形、圓錐形、圓臺(tái)形；常用的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)有軸向發(fā)散磁場(chǎng)、軸向聚焦磁場(chǎng)、旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)等；而不同的靶材與磁場(chǎng)位形配合的弧源結(jié)構(gòu)都不一樣，而且設(shè)計(jì)復(fù)雜，適應(yīng)性差，功能單一，如果需要變換靶材與磁場(chǎng)方式，就得全套更換整個(gè)弧源，造成了極大地浪費(fèi)。對(duì)于工業(yè)鍍膜生產(chǎn)，產(chǎn)品的穩(wěn)定性、大面積均勻性、高效性都是必須考慮的。而由于弧源是點(diǎn)狀源，弧源前段等離子體的分布都是不均勻的，傳統(tǒng)的弧源機(jī)械結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靶材在真空室的位置固定，一般不會(huì)超過(guò)爐壁，對(duì)于一些特殊生產(chǎn)需求難以滿足；部分弧源結(jié)構(gòu)體積過(guò)大，窗口直徑太小，等離子體交叉區(qū)域不明顯，很難實(shí)現(xiàn)工業(yè)化均勻鍍膜生產(chǎn)，產(chǎn)品合格率和均勻性大大降低，這也是磁過(guò)濾不能產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的原因之一，磁過(guò)濾裝置體積龐大，很難在一個(gè)爐體實(shí)現(xiàn)密集的分布，因此等離子體傳輸窗口窄，窗口之間難以交叉，容易形成等離子體密度低的空缺區(qū)，對(duì)鍍膜生產(chǎn)不利。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭，用以改善傳統(tǒng)電弧離子鍍弧源結(jié)構(gòu)復(fù)雜、適應(yīng)性差等缺點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種靶材底柱與底柱接頭，包括:冷卻水通道底座、靶材底柱、靶材底柱絕緣套、冷卻水進(jìn)水管道、永磁體或?qū)Т怒h(huán)、出水口、進(jìn)水口，具體結(jié)構(gòu)如下:靶材底柱的外側(cè)設(shè)置靶材底柱絕緣套，靶材底柱的內(nèi)側(cè)設(shè)置永磁體或?qū)Т怒h(huán)和冷卻水進(jìn)水管道，永磁體或?qū)Т怒h(huán)設(shè)置于冷卻水進(jìn)水管道的外側(cè)；靶材底柱的一端與冷卻水通道底座連接，冷卻水進(jìn)水管道伸至冷卻水通道底座中，與冷卻水通道底座的進(jìn)水口相通，冷卻水通道底座與靶材底柱之間的通道與出水口相通；靶材底柱的另一端與靶材底柱連接
管的一端連接。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱連接管的另一端設(shè)置靶材屏蔽罩，靶材屏蔽罩內(nèi)側(cè)設(shè)置圓盤形靶材。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱絕緣套上設(shè)有絕緣套盤。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱絕緣套的外側(cè)設(shè)置離子鍍槍底盤絕緣盤、尚子鍍槍底盤、尚子鍍槍底盤緊固板。所述的靶材底柱與底柱接頭，冷卻水通道底座由上部的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體組成，不銹鋼圓筒頂部設(shè)有冷卻水通道底座柱環(huán)套，冷卻水通道底座柱環(huán)套長(zhǎng)度與靶材底柱下部外螺紋:靶材底柱下螺紋長(zhǎng)度一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底柱外徑一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套外徑與不銹鋼圓筒外徑一致，不銹鋼圓筒內(nèi)徑與靶材底柱內(nèi)徑一致，形成冷卻水通道底座上部臺(tái)階，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)壁設(shè)有螺紋，通過(guò)柱環(huán)套內(nèi)螺紋與靶材底柱連接，冷卻水通道底座上部臺(tái)階設(shè)有冷卻水通道底座環(huán)形密封槽，靶材底柱底部緊壓密封槽內(nèi)的密封圈，形成與冷卻水通道底座的密封；上部不銹鋼圓筒側(cè)壁開有一臺(tái)階形雙孔，外孔內(nèi)徑大于內(nèi)孔內(nèi)徑，該臺(tái)階形雙孔作為出水管的安裝孔，出水管和外孔形成緊密結(jié)合，出水管外徑和外孔內(nèi)徑一致，出水管內(nèi)徑和內(nèi)孔內(nèi)徑一致，出水管底部與雙孔臺(tái)階出水管支撐臺(tái)接觸，雙孔離下部的圓柱體上部有一段距離；下部的圓柱體中心開有一臺(tái)階形三孔，上孔內(nèi)徑與冷卻水進(jìn)水管道外徑一致，中孔內(nèi)徑與冷卻水進(jìn)水管道內(nèi)徑一致，上孔與中孔形成一臺(tái)階冷卻水進(jìn)水管道支撐臺(tái)，冷卻水進(jìn)水管道底部與該臺(tái)階接觸連接；下孔內(nèi)徑大于中孔內(nèi)徑，下孔與中孔形成臺(tái)階形孔，該臺(tái)階形孔作為進(jìn)水管安裝孔，進(jìn)水管和下孔形成緊密結(jié)合，進(jìn)水管外徑和下孔內(nèi)徑一致，進(jìn)水管內(nèi)徑和中孔內(nèi)徑一致或大于中孔，進(jìn)水管底部與下孔、中孔之間的臺(tái)階進(jìn)水管支撐臺(tái)接觸連接；冷卻水通道底座、靶材底柱與冷卻水進(jìn)水管道之間形成冷卻水通道底部?jī)?chǔ)水腔。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱底部安裝冷卻水通道底座，冷卻水通道底座與冷卻水管相連接。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱為不銹鋼圓筒，圓筒外壁設(shè)有靶材底柱環(huán)形密封槽，通過(guò)靶材底柱環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈與靶材底柱絕緣套之間形成密封；靶材底柱上部設(shè)有柱環(huán)套，柱環(huán)套長(zhǎng)度與靶材底座的靶材底柱連接管長(zhǎng)度一致，柱環(huán)套外徑與靶材底柱外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑大于靶材底柱內(nèi)徑，形成底柱上部臺(tái)階，靶材底柱的內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管內(nèi)徑一致，柱環(huán)套內(nèi)壁設(shè)有螺紋，通過(guò)上部?jī)?nèi)螺紋與靶材底座的靶材底柱連接管連接，底柱上部臺(tái)階設(shè)有環(huán)形密封槽，靶材底座的靶材底柱連接管底部緊壓環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈，形成與靶材底柱的密封；靶材底柱與冷卻水進(jìn)水管道之間形成冷卻水通道；靶材底柱下部外壁設(shè)有一段螺紋:靶材底柱下螺紋，通過(guò)靶材底柱下螺紋與冷卻水通道底座連接。所述的靶材底柱與底柱接頭，冷卻水進(jìn)水管道為不銹鋼管，冷卻水進(jìn)水管道上部有一環(huán)形圓臺(tái)，作為永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺(tái)，環(huán)形圓臺(tái)與祀材底柱有一段間隔，形成冷卻水出水通道。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)及有益效果是:1、本實(shí)用新型可適用于多種靶材結(jié)構(gòu)，多種靶材尺寸，靶材后電磁線圈產(chǎn)生的軸向磁場(chǎng)可對(duì)多種靶材結(jié)構(gòu)的弧斑運(yùn)動(dòng)進(jìn)行有效的控制，可以利用靶材頂部表面放電，對(duì)真空室內(nèi)器件進(jìn)行鍍膜，也可以利用靶材側(cè)面放電，實(shí)現(xiàn)多種特殊鍍膜需求、如柱弧鍍膜，內(nèi)
壁鍍膜，多元復(fù)合鍍膜等。2、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易緊湊有效，可自由設(shè)置冷卻水套的長(zhǎng)度，自由調(diào)節(jié)靶材在真空室內(nèi)的位置，操作簡(jiǎn)便、位置可調(diào)性好、便于整機(jī)設(shè)計(jì)及滿足工業(yè)生產(chǎn)對(duì)真空室內(nèi)等離子體分布的各種需求。3、本實(shí)用新型中各個(gè)部件可以獨(dú)立制作安裝，裝卸容易，可單獨(dú)更換，調(diào)節(jié)范圍大，成本低，易于推廣。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型離子鍍槍裝置的冷卻水通道底座結(jié)構(gòu)示意圖。圖3 (a)_圖3 (b)是本實(shí)用新型離子鍍槍裝置的靶材底柱結(jié)構(gòu)示意圖；其中，圖3 (a)是首I]視圖；圖3 (b)是主視圖。圖4是本實(shí)用新型離子鍍槍裝置的冷卻水進(jìn)水管結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，I冷卻水通道底座；2靶材底柱；3靶材底柱絕緣套；4冷卻水進(jìn)水管道；5永磁體或?qū)Т怒h(huán)；6出水口 ；7進(jìn)水口 ；8冷卻水通道底座柱環(huán)套；9冷卻水通道底座環(huán)形密封槽；10出水管支撐臺(tái)；11冷卻水進(jìn)水管道支撐臺(tái)；12進(jìn)水管支撐臺(tái)；13柱環(huán)套；14環(huán)形密封槽；15靶材底柱環(huán)形密封槽；16靶材底柱下螺紋；17永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺(tái)；18絕緣套盤。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖1-4所示，本實(shí)用新型用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭，主要包括:冷卻水通道底座1、靶材底柱2、靶材底柱絕緣套3、冷卻水進(jìn)水管道4、永磁體或?qū)Т怒h(huán)5、出水口
6、進(jìn)水口 7、冷卻水通道底座柱環(huán)套8、冷卻水通道底座環(huán)形密封槽9、出水管支撐臺(tái)10、冷卻水進(jìn)水管道支撐臺(tái)11、進(jìn)水管支撐臺(tái)12、柱環(huán)套13、環(huán)形密封槽14、靶材底柱環(huán)形密封槽15、靶材底柱下螺紋16、永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺(tái)17、絕緣套盤18等，具體結(jié)構(gòu)如下:如圖1所示，靶材底柱2的外側(cè)設(shè)置靶材底柱絕緣套3，靶材底柱絕緣套3上設(shè)有絕緣套盤18。其中，靶材底柱絕緣套的外側(cè)可以設(shè)置離子鍍槍底盤絕緣盤、離子鍍槍底盤、尚子鍍槍底盤緊固板，尚子鍍槍底盤的一側(cè)設(shè)置尚子鍍槍底盤緊固板，尚子鍍槍底盤緊固板通過(guò)靶材底柱絕緣套上的絕緣套盤與離子鍍槍底盤隔開，離子鍍槍底盤與離子鍍槍底盤緊固板之間，通過(guò)在離子鍍槍底盤緊固板密封槽中設(shè)置密封圈形成密封，離子鍍槍底盤的另一側(cè)設(shè)置離子鍍槍底盤絕緣盤。祀材底柱2的內(nèi)側(cè)設(shè)置永磁體或?qū)Т怒h(huán)5和冷卻水進(jìn)水管道4,永磁體或?qū)Т怒h(huán)5設(shè)置于冷卻水進(jìn)水管道4的外側(cè)。靶材底柱2的一端與冷卻水通道底座I連接，冷卻水進(jìn)水管道4伸至冷卻水通道底座I中，與冷卻水通道底座I的進(jìn)水口 7相通，冷卻水通道底座I與靶材底柱2之間的通道與出水口 6相通。靶材底柱2的另一端與靶材底柱連接管的一端連接，靶材底柱連接管的另一端設(shè)置靶材屏蔽罩，靶材屏蔽罩內(nèi)側(cè)設(shè)置圓盤形靶材。如圖2所示，冷卻水通道底座I主要包括:冷卻水通道底座柱環(huán)套8、冷卻水通道底座環(huán)形密封槽9、出水管支撐臺(tái)10、冷卻水進(jìn)水管道支撐臺(tái)11、進(jìn)水管支撐臺(tái)12等，具體結(jié)構(gòu)如下:冷卻水通道底座I由上部較厚的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體組成，不銹鋼圓筒頂部設(shè)有冷卻水通道底座柱環(huán)套8，冷卻水通道底座柱環(huán)套8長(zhǎng)度與靶材底柱2下部外螺紋:靶材底柱下螺紋16長(zhǎng)度一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套8內(nèi)徑與靶材底柱2外徑一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套8外徑與不銹鋼圓筒外徑一致，不銹鋼圓筒內(nèi)徑與靶材底柱2內(nèi)徑一致，形成冷卻水通道底座上部臺(tái)階，冷卻水通道底座柱環(huán)套8內(nèi)壁設(shè)有螺紋，通過(guò)柱環(huán)套內(nèi)螺紋與靶材底柱2連接，冷卻水通道底座I上部臺(tái)階設(shè)有冷卻水通道底座環(huán)形密封槽9，靶材底柱2底部緊壓密封槽9內(nèi)的密封圈，形成與冷卻水通道底座I的有效密封；上部不銹鋼圓筒側(cè)壁開有一臺(tái)階形雙孔，外孔內(nèi)徑略大于內(nèi)孔內(nèi)徑，該臺(tái)階形雙孔作為出水管的安裝孔，出水管和外孔形成緊密結(jié)合，出水管外徑和外孔內(nèi)徑一致，出水管內(nèi)徑和內(nèi)孔內(nèi)徑一致，出水管底部與雙孔臺(tái)階(出水管支撐臺(tái)10)接觸，雙孔離下部的圓柱體上部有一定的距離；下部的圓柱體中心開有一臺(tái)階形三孔，上孔內(nèi)徑與冷卻水進(jìn)水管道外徑一致，中孔內(nèi)徑與冷卻水進(jìn)水管道內(nèi)徑一致，上孔與中孔形成一臺(tái)階(冷卻水進(jìn)水管道支撐臺(tái)11)，冷卻水進(jìn)水管道4底部與該臺(tái)階接觸連接；下孔內(nèi)徑略大于中孔內(nèi)徑，下孔與中孔形成臺(tái)階形孔，該臺(tái)階形孔作為進(jìn)水管安裝孔，進(jìn)水管和下孔形成緊密結(jié)合，進(jìn)水管外徑和下孔內(nèi)徑一致，進(jìn)水管內(nèi)徑和中孔內(nèi)徑一致或略大于中孔，進(jìn)水管底部與下孔、中孔之間的臺(tái)階(進(jìn)水管支撐臺(tái)12)接觸連接；上部較厚的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體的長(zhǎng)度根據(jù)實(shí)際需要調(diào)節(jié)，冷卻水通道底座1、靶材底柱2與冷卻水進(jìn)水管道4之間形成冷卻水通道底部?jī)?chǔ)水腔，整個(gè)離子鍍槍的冷卻水從冷卻水通道底座I底部進(jìn)水管流入，從冷卻水通道底座I側(cè)壁出水管流出，形成對(duì)離子鍍槍的有效冷卻。靶材底柱2底部安裝冷卻水通道底座I，冷卻水通道底座I與冷卻水管相連接；電源接頭端子安裝在靶材底柱2上；離子鍍槍底盤通過(guò)靶材底柱絕緣套3與靶材底柱2安裝，離子鍍槍裝置通過(guò)離子鍍槍底盤的安裝孔與真空室連接安裝。如圖3 (a)_圖3 (b)所示，靶材底柱2主要包括:柱環(huán)套13、環(huán)形密封槽14、靶材底柱環(huán)形密封槽15、靶材底柱下螺紋16等，具體結(jié)構(gòu)如下:靶材底柱2為一較厚的不銹鋼圓筒(粗不銹鋼厚壁管，壁厚為5mm)，圓筒外壁設(shè)有若干環(huán)形密封槽:靶材底柱環(huán)形密封槽15，通過(guò)槽內(nèi)的密封圈與靶材底柱絕緣套3之間形成有效的密封；靶材底柱上部設(shè)有柱環(huán)套13，柱環(huán)套13長(zhǎng)度與靶材底座的靶材底柱連接管長(zhǎng)度一致，柱環(huán)套13外徑與靶材底柱2外徑一致，柱環(huán)套13內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管外徑一致，柱環(huán)套13內(nèi)徑大于靶材底柱2內(nèi)徑，形成底柱上部臺(tái)階，靶材底柱2的內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管內(nèi)徑一致，柱環(huán)套13內(nèi)壁設(shè)有螺紋,通過(guò)上部?jī)?nèi)螺紋與靶材底座的靶材底柱連接管連接，底柱上部臺(tái)階設(shè)有環(huán)形密封槽14，靶材底座的靶材底柱連接管底部緊壓環(huán)形密封槽14內(nèi)的密封圈，形成與靶材底柱2的有效密封；靶材底柱2與冷卻水進(jìn)水管道4之間形成冷卻水通道；靶材底柱下部外壁設(shè)有一定長(zhǎng)度的螺紋:靶材底柱下螺紋16，通過(guò)靶材底柱下螺紋16與冷卻水通道底座I連接。靶材底柱2、靶材底座的靶材底柱連接管和冷卻水通道底座I外徑設(shè)置為靶材尺寸IOOmm的1/4左右，即25_30mm，采用細(xì)長(zhǎng)型緊湊結(jié)構(gòu)，真空室內(nèi)離子鍍槍的長(zhǎng)度為200mm，真空室外離子鍍槍的長(zhǎng)度為180mm，方便整機(jī)設(shè)計(jì)及磁場(chǎng)布置。如圖4所示，冷卻水進(jìn)水管道4為一薄壁不銹鋼細(xì)長(zhǎng)管，有一定的耐壓強(qiáng)度，冷卻水進(jìn)水管道4通過(guò)靶材底座冷卻水進(jìn)水管外壁的密封槽內(nèi)的密封圈與靶材底座冷卻水進(jìn)水管緊密連接，形成冷卻水進(jìn)水通道；冷卻水進(jìn)水管道4上部有一環(huán)形圓臺(tái)，作為永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺(tái)17,環(huán)形圓臺(tái)與祀材底柱2有一定的間隔,形成冷卻水出水通道,從祀材底座盤間隔冷卻出水口流出的冷卻水通過(guò)該冷卻水出水通道流出，流入靶材底柱2冷卻水通道中，形成冷卻水的有效流通。離子鍍槍工作時(shí)，電磁線圈圍套在靶材底座后端的靶材底柱絕緣套3周圍，與離子鍍槍底盤之間通過(guò)一絕緣環(huán)(離子鍍槍底盤絕緣盤)接觸，電磁線圈通直流電，通過(guò)電壓磁場(chǎng)的強(qiáng)度。電磁線圈產(chǎn)生軸向磁力線形成的磁場(chǎng)為軸對(duì)稱發(fā)散磁場(chǎng)，與圓盤形靶材形成指向靶材邊緣的銳角，在此磁場(chǎng)作用下，弧斑做不斷收縮和擴(kuò)展的菊花狀運(yùn)動(dòng)，較強(qiáng)的磁場(chǎng)可以將弧斑推向靶材的邊緣。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易緊湊有效，可自由設(shè)置冷卻水套的長(zhǎng)度，自由調(diào)節(jié)靶材在真空室內(nèi)的位置，操作簡(jiǎn)便、靶材更換容易、位置可調(diào)性好、便于整機(jī)設(shè)計(jì)及滿足工業(yè)生產(chǎn)對(duì)真空室內(nèi)等離子體分布的各種需求。
權(quán)利要求1.一種靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，包括:冷卻水通道底座、靶材底柱、靶材底柱絕緣套、冷卻水進(jìn)水管道、永磁體或?qū)Т怒h(huán)、出水口、進(jìn)水口，具體結(jié)構(gòu)如下: 靶材底柱的外側(cè)設(shè)置靶材底柱絕緣套，靶材底柱的內(nèi)側(cè)設(shè)置永磁體或?qū)Т怒h(huán)和冷卻水進(jìn)水管道，永磁體或?qū)Т怒h(huán)設(shè)置于冷卻水進(jìn)水管道的外側(cè)；靶材底柱的一端與冷卻水通道底座連接，冷卻水進(jìn)水管道伸至冷卻水通道底座中，與冷卻水通道底座的進(jìn)水口相通，冷卻水通道底座與靶材底柱之間的通道與出水口相通；靶材底柱的另一端與靶材底柱連接管的一端連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱連接管的另一端設(shè)置靶材屏蔽罩，靶材屏蔽罩內(nèi)側(cè)設(shè)置圓盤形靶材。
3.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱絕緣套上設(shè)有絕緣套盤。
4.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱絕緣套的外側(cè)設(shè)置尚子鍍槍底盤絕緣盤、尚子鍍槍底盤、尚子鍍槍底盤緊固板。
5.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，冷卻水通道底座由上部的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體組成，不銹鋼圓筒頂部設(shè)有冷卻水通道底座柱環(huán)套，冷卻水通道底座柱環(huán)套長(zhǎng)度與靶材底柱下部外螺紋:靶材底柱下螺紋長(zhǎng)度一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底柱外徑一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套外徑與不銹鋼圓筒外徑一致，不銹鋼圓筒內(nèi)徑與靶材底柱內(nèi)徑一致，形成冷卻水通道底座上部臺(tái)階，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)壁設(shè)有螺紋，通過(guò)柱環(huán)套內(nèi)螺紋與靶材底柱連接，冷卻水通道底座上部臺(tái)階設(shè)有冷卻水通道底座環(huán)形密封槽，靶材底柱底部緊壓密封槽內(nèi)的密封圈，形成與冷卻水通道底座的密封；上部不銹鋼圓筒側(cè)壁開有一臺(tái)階形雙孔，外孔內(nèi)徑大于內(nèi)孔內(nèi)徑，該臺(tái)階形雙孔作為出水管的安裝孔，出水管和外孔形成緊密結(jié)合，出水管外徑和外孔內(nèi)徑一致，出水管內(nèi)徑和內(nèi)孔內(nèi)徑一致，出水管 底部與雙孔臺(tái)階出水管支撐臺(tái)接觸，雙孔離下部的圓柱體上部有一段距離；下部的圓柱體中心開有一臺(tái)階形三孔，上孔內(nèi)徑與冷卻水進(jìn)水管道外徑一致，中孔內(nèi)徑與冷卻水進(jìn)水管道內(nèi)徑一致，上孔與中孔形成一臺(tái)階冷卻水進(jìn)水管道支撐臺(tái)，冷卻水進(jìn)水管道底部與該臺(tái)階接觸連接；下孔內(nèi)徑大于中孔內(nèi)徑，下孔與中孔形成臺(tái)階形孔，該臺(tái)階形孔作為進(jìn)水管安裝孔，進(jìn)水管和下孔形成緊密結(jié)合，進(jìn)水管外徑和下孔內(nèi)徑一致，進(jìn)水管內(nèi)徑和中孔內(nèi)徑一致或大于中孔，進(jìn)水管底部與下孔、中孔之間的臺(tái)階進(jìn)水管支撐臺(tái)接觸連接；冷卻水通道底座、靶材底柱與冷卻水進(jìn)水管道之間形成冷卻水通道底部?jī)?chǔ)水腔。
6.按照權(quán)利要求1或5所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱底部安裝冷卻水通道底座，冷卻水通道底座與冷卻水管相連接。
7.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱為不銹鋼圓筒，圓筒外壁設(shè)有靶材底柱環(huán)形密封槽,通過(guò)靶材底柱環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈與靶材底柱絕緣套之間形成密封；靶材底柱上部設(shè)有柱環(huán)套，柱環(huán)套長(zhǎng)度與靶材底座的靶材底柱連接管長(zhǎng)度一致，柱環(huán)套外徑與靶材底柱外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑大于靶材底柱內(nèi)徑，形成底柱上部臺(tái)階，靶材底柱的內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管內(nèi)徑一致，柱環(huán)套內(nèi)壁設(shè)有螺紋，通過(guò)上部?jī)?nèi)螺紋與靶材底座的靶材底柱連接管連接，底柱上部臺(tái)階設(shè)有環(huán)形密封槽，靶材底座的靶材底柱連接管底部緊壓環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈，形成與靶材底柱的密封；靶材底柱與冷卻水進(jìn)水管道之間形成冷卻水通道；靶材底柱下部外壁設(shè)有一段螺紋:靶材底柱下螺紋，通過(guò)靶材底柱下螺紋與冷卻水通道底座連接。
8.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，冷卻水進(jìn)水管道為不銹鋼管，冷卻水進(jìn)水管道上部有一環(huán)形圓臺(tái)，作為永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺(tái)，環(huán)形圓臺(tái)與靶材底柱有一段間隔，形成冷卻水出水通道。
專利摘要本實(shí)用新型涉及表面防護(hù)涂層制備領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭。靶材底柱的外側(cè)設(shè)置靶材底柱絕緣套，靶材底柱的內(nèi)側(cè)設(shè)置永磁體或?qū)Т怒h(huán)和冷卻水進(jìn)水管道，永磁體或?qū)Т怒h(huán)設(shè)置于冷卻水進(jìn)水管道的外側(cè)；靶材底柱的一端與冷卻水通道底座連接，冷卻水進(jìn)水管道伸至冷卻水通道底座中，與冷卻水通道底座的進(jìn)水口相通，冷卻水通道底座與靶材底柱之間的通道與出水口相通；靶材底柱的另一端與靶材底柱連接管連接。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易緊湊有效，可自由設(shè)置冷卻水套的長(zhǎng)度，自由調(diào)節(jié)靶材在真空室內(nèi)的位置，操作簡(jiǎn)便、靶材更換容易、位置可調(diào)性好、便于整機(jī)設(shè)計(jì)及滿足工業(yè)生產(chǎn)對(duì)真空室內(nèi)等離子體分布的各種需求。
文檔編號(hào)C23C14/34GK203065567SQ20132009093
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月28日
發(fā)明者郎文昌 申請(qǐng)人:溫州職業(yè)技術(shù)學(xué)院