專利名稱：一種用于磁控濺射制備薄膜的金屬拼接靶的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于薄膜制備技術領域，具體為一種用于磁控濺射制備薄膜的金屬拼接靶。
背景技術：
磁控濺射真空鍍膜技術是利用磁場控制工作氣體輝光放電產生的等離子體轟擊靶材，在基底上沉積薄膜的方法，在薄膜制備技術領域較為常見。采用濺射法制備薄膜，靶材的選取尤為重要，通常直流磁控濺射大都采用導電性好的金屬靶進行鍍膜，可以在基底上沉積金屬薄膜，也可以通入反應氣體如氧氣制備氧化物薄膜。制備多成分的薄膜相對較難，共濺射不僅設備龐大，而且制備薄膜的成分比難以控制，制備摻雜氧化物薄膜時，熔煉合金靶過程較為復雜，且易引入雜質，通常都是購買由專業(yè)制作靶材的公司訂制，而將兩種及兩種以上的金屬靶進行拼接是一個簡單有效的辦法。
發(fā)明內容本實用 新型的目的在于提出一種簡單實用的用于磁控濺射制備薄膜的金屬拼接靶。本實用新型提出的一種金屬拼接靶，由至少兩塊厚度一致、直徑一致的扇形金屬圓盤拼接而成，所有扇形金屬圓盤的內角之和為360°。改變扇形金屬盤的內角可制備不同元素比、不同成分比的薄膜。濺射時放電環(huán)面積大小發(fā)生變化，所得薄膜成分也隨之變化。本實用新型的有益效果:一種金屬拼接靶，可用來制備合金薄膜、氧化物摻雜薄膜以及氧化物復合薄膜，簡單方便、經濟適用。

圖1本實用新型的一種金屬拼接靶結構示意圖。
具體實施方式
下面通過具體實施例進一步描述本實用新型:實施例1，如圖1為一種金屬拼接靶結構示意圖，由A和B兩種金屬組成，如A和B兩種金屬分別可以是Sn和In或Al和Zn或Ti和Zn或Ga和Zn等,采用反應直流磁控派射制備薄膜，忽略各金屬濺射產額等因素的影響，可粗略計算所濺射薄膜的元素百分比。設放電環(huán)的外徑為R，內徑為r，扇形金屬圓A的內角為S，金屬A和B的密度、元素原子量和摩爾數分別為P A、P B，MA、Mb和nA、nB圓盤的厚度為d,位于放電環(huán)內的金屬A和B的面積分別為SJPSb,則
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權利要求1.一種用于磁控濺射制備薄膜的金屬拼接靶，其特征是:該靶用于磁控濺射制備薄膜，由至少兩塊厚度一致、直徑一致的扇形金屬圓盤拼接而成，所有扇形金屬圓盤的內角之和為360°。
2.根據權利要求1所述的金屬拼接靶，其特征是:改變扇形金屬盤的內角可制備不同元素比、不同成分比的薄膜。
3.根據權利要求1所述的金屬拼接靶，其特征是:濺射時放電環(huán)面積大小發(fā)生變化，所得薄 膜成分也隨之變化。
專利摘要本實用新型涉及一種用于磁控濺射制備薄膜的金屬拼接靶。現(xiàn)有的技術在制備多成分的薄膜時比較難，共濺射不僅設備龐大，而且制備薄膜的成分比難以控制。本實用新型由至少兩塊厚度一致、直徑一致的扇形金屬圓盤拼接而成，所有扇形金屬圓盤的內角之和為360o。改變扇形金屬盤的內角可制備不同元素比、不同成分比的薄膜。濺射時放電環(huán)面積大小發(fā)生變化，所得薄膜成分也隨之變化。本實用新型可用來制備合金薄膜、氧化物摻雜薄膜以及氧化物復合薄膜，簡單方便。
文檔編號C23C14/35GK203112922SQ20132011594
公開日2013年8月7日 申請日期2013年3月14日 優(yōu)先權日2013年3月14日
發(fā)明者黃延偉 申請人:杭州電子科技大學