一種化學(xué)氣相沉積裝置及基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種化學(xué)氣相沉積裝置，通過在旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部頂表面或外周面設(shè)置凹陷部，在其上方放置的基片托盤的下表面設(shè)置凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置與凹陷部相卡接的凸起部，保證基片托盤與旋轉(zhuǎn)軸同步運(yùn)動。通過對處理腔室外轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行監(jiān)控，可以獲知當(dāng)前托盤的旋轉(zhuǎn)位置，從而對托盤上的特殊位置進(jìn)行定位并采集信息。
【專利說明】一種化學(xué)氣相沉積裝置及基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及制造半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種在諸如基片等襯底上生長外延層或進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的裝置及基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)氣相沉積（CVD)反應(yīng)器，特別是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD)反應(yīng)器是生產(chǎn)光學(xué)器件如發(fā)光二極管（LED)外延芯片的主要設(shè)備。典型的化學(xué)氣相沉積（CVD)和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD)反應(yīng)器都需要在沉積時(shí)轉(zhuǎn)動放置有加工基片的托盤或基座，從而為基片提供均一的沉積效果。如圖I所示是一種典型的MOCVD反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，該反應(yīng)器內(nèi)包括處理腔室100，處理腔室內(nèi)包括旋轉(zhuǎn)軸110，安放有若干基片105的基片托盤120安裝在轉(zhuǎn)軸110的頂端，加熱裝置103位于基片托盤120的下方并圍繞轉(zhuǎn)軸110而設(shè)置。處理腔室頂部包括氣體噴淋頭101，用于將來自第一反應(yīng)氣源41的氣體通過管道43以及來自第二反應(yīng)氣源42的氣體通過管道44均勻地分布到處理腔室內(nèi)的基片托盤120上方。氣體噴淋頭101還包括一個(gè)冷卻裝置將來自冷卻液源50的冷卻液通過管道51送入噴淋頭,進(jìn)行冷卻循環(huán)以對氣體噴淋頭的溫度進(jìn)行控制。處理腔室下方還包括一個(gè)抽氣裝置106以控制處理腔室內(nèi)部氣壓并抽走反應(yīng)過程中產(chǎn)生的廢氣。
[0003]在MOCVD反應(yīng)過程中，不僅氣體種類和氣流對沉積效果影響很大，而且溫度分布也是影響晶體結(jié)構(gòu)形成的重要因素。因而，在旋轉(zhuǎn)過程中，需要對基片托盤上方不同位置的溫度和沉積層厚度進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控。要分析溫度或沉積層的厚度，就必須基于基片托盤的精確的旋轉(zhuǎn)位置信息，否則就無法判斷所探測到的溫度是對應(yīng)的高速旋轉(zhuǎn)中的基片托盤上的哪個(gè)部位。要獲得精確的旋轉(zhuǎn)位置的信息，最簡單的方法是計(jì)算旋轉(zhuǎn)軸110位于處理腔室外部大氣中的旋轉(zhuǎn)周數(shù)和角度，然后就可以獲得處理腔室內(nèi)基片托盤的旋轉(zhuǎn)角度和位置。使用基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸固定連接可以實(shí)現(xiàn)精確的旋轉(zhuǎn)位置信息采集，但是這種固定連接會帶來其它的問題，比如基片托盤與轉(zhuǎn)軸中任何一個(gè)位置調(diào)校不準(zhǔn)或者安裝時(shí)的偏差都會造成最終托盤不在水平平面上旋轉(zhuǎn)，從而對機(jī)械的穩(wěn)定性和加工的效果造成影響。
[0004]基于上述不足，現(xiàn)有技術(shù)中又有人提出利用摩擦力提供基片轉(zhuǎn)動的方案，如美國專利US6506252所提供的無基座式MOCVD反應(yīng)器。在該現(xiàn)有技術(shù)中，轉(zhuǎn)軸與基片托盤之間存在一個(gè)帶狀的摩擦接觸面，在轉(zhuǎn)動過程中如果初始狀態(tài)的基片托盤不是水平的，由于重力的作用在高速旋轉(zhuǎn)中整個(gè)基片托盤會自發(fā)地調(diào)整成水平狀態(tài)。但是，這種帶摩擦接觸驅(qū)動結(jié)構(gòu)也有問題，在旋轉(zhuǎn)加速和減速過程中一旦加速度過大會發(fā)生基片托盤和轉(zhuǎn)軸之間的相對位移。一旦發(fā)生位移，探測到的轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)角度就與處理腔室內(nèi)部基片托盤的旋轉(zhuǎn)位置發(fā)生偏離，就無法繼續(xù)精確判斷內(nèi)部托盤的旋轉(zhuǎn)位置。具體而言，基片托盤在MOCVD反應(yīng)室內(nèi)受轉(zhuǎn)軸支撐并被驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)軸由真空旋轉(zhuǎn)密封機(jī)構(gòu)進(jìn)入真空反應(yīng)室，所以對處理腔室外轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行監(jiān)控，可以獲得當(dāng)前托盤的旋轉(zhuǎn)位置，從而對托盤上的特殊位置進(jìn)行定位并采集信息。當(dāng)轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)時(shí)，轉(zhuǎn)軸與基片托盤接觸處的摩擦力驅(qū)動托盤旋轉(zhuǎn)。由于轉(zhuǎn)軸與基片托盤之間為圓結(jié)構(gòu)接觸，旋轉(zhuǎn)方向無自由度限制，因此轉(zhuǎn)軸與基片托盤之間可相對轉(zhuǎn)動，在運(yùn)行過程中，尤其是加速、減速時(shí)，托盤與轉(zhuǎn)軸之間易發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)，且此旋轉(zhuǎn)相對位置具有隨機(jī)性，此時(shí)轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)位置并不能反應(yīng)當(dāng)前托盤的旋轉(zhuǎn)位置，因此無法對托盤上的特殊位置進(jìn)行定位并采集信息。
[0005]所以業(yè)內(nèi)需要一種改良的化學(xué)氣相沉積裝置，其包括一種保持旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤同步轉(zhuǎn)動的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保證旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤的同步旋轉(zhuǎn)，通過對轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)位置的監(jiān)控，得知托盤的旋轉(zhuǎn)位置，從而對托盤上的特殊位置進(jìn)行監(jiān)測。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括一處理腔室，所述處理腔室內(nèi)包括：一旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于所述旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述旋轉(zhuǎn)主軸包括一主軸側(cè)面，所述頂表面或所述外周面或所述主軸側(cè)面設(shè)有凹陷部；一基片托盤，所述基片托盤包括一上表面和一下表面，所述基片托盤的下表面上設(shè)置有向所述基片托盤內(nèi)部凹陷延伸的凹槽，所述凹槽包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁，所述凹槽內(nèi)還設(shè)有凸起部；所述基片托盤可分離地放置在所述連接頭支撐部上，在此位置下，所述旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部插接于所述基片托盤的凹槽內(nèi)，并且所述連接頭支撐部的外周面與所述凹槽的內(nèi)周壁至少部分地接觸以支撐所述基片托盤，所述凹槽內(nèi)的凸起部與所述凹陷部相互卡接或抵靠，以產(chǎn)生一力量以帶動或推動所述旋轉(zhuǎn)軸和所述基片托盤共同旋轉(zhuǎn)。
[0007]優(yōu)選的，所述凹陷部設(shè)置在所述頂表面上并自所述頂表面向所述旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部延伸至一定距離。
[0008]優(yōu)選的，所述凹槽內(nèi)包括一與所述內(nèi)周壁相連接的凹槽面，所述凸起部自所述凹槽面向所述下表面方向突起并延伸一長度，所述凸起部的形狀和大小設(shè)置為可至少部分地容納于所述旋轉(zhuǎn)軸的凹陷部內(nèi)。
[0009]優(yōu)選的，所述凸起部為圓柱形或方柱形或橢圓柱形或三棱柱形或其它規(guī)則或不規(guī)則柱體形。
[0010]優(yōu)選的，所述頂表面為一圓形，所述凹陷部位于所述頂表面圓心位置或偏離圓心的位置。
[0011]優(yōu)選的，所述頂表面上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上所述凹陷部，所述凹槽內(nèi)設(shè)置對應(yīng)個(gè)數(shù)的相互匹配的所述凸起部。
[0012]優(yōu)選的，所述頂表面上設(shè)置一個(gè)凹陷部，所述凹槽內(nèi)設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上的凸起部，所述凹陷部與若干個(gè)所述凸起部相匹配卡接。
[0013]優(yōu)選的，所述頂表面上的兩個(gè)或兩個(gè)以上的凹陷部形狀和大小為相同或不相同。
[0014]優(yōu)選的，所述凹陷部設(shè)置在所述連接頭支撐部的頂表面和外周面上，所述凹槽內(nèi)設(shè)置與所述凹陷部相匹配的凸起部，所述凹陷部和所述凹槽內(nèi)與之匹配的凸起部數(shù)量大于等于I。
[0015]優(yōu)選的，所述凹陷部設(shè)置在所述連接頭支撐部的外周面和所述主軸側(cè)面上，所述凹槽內(nèi)設(shè)置與所述凹陷部匹配的凸起部，所述凹陷部和所述凹槽內(nèi)與之匹配的凸起部數(shù)量大于等于I。
[0016]優(yōu)選的，所述設(shè)置在所述主軸側(cè)面上的凹陷部的數(shù)量大于等于1，所述凹槽內(nèi)設(shè)置與所述凹陷部對應(yīng)匹配的凸起部。
[0017]優(yōu)選的，所述凸起部的凸起側(cè)面和所述凹陷部的凹陷側(cè)面之間設(shè)置有間隙，所述間隙不小于O. 01mm。
[0018]進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還公開了一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括一處理腔室，所述處理腔室內(nèi)包括：一旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于所述旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和一與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述連接頭支撐部下方設(shè)置有沿所述旋轉(zhuǎn)主軸外圍向外延伸開來的延展部，所述延展部包括一延展面；所述延展面上設(shè)有凹陷部；一基片托盤，所述基片托盤包括一上表面和一下表面，所述基片托盤的下表面設(shè)置有向所述基片托盤內(nèi)部凹陷延伸的凹槽，所述凹槽包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁，所述下表面上還設(shè)有凸起部；所述基片托盤可分離地放置在所述連接頭支撐部上，在此位置下，所述旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部插接于所述基片托盤的凹槽內(nèi)，并且所述連接頭支撐部的外周面與所述凹槽的內(nèi)周壁至少部分地接觸以支撐所述基片托盤，所述凸起部與所述凹陷部相互卡接或抵靠，以產(chǎn)生一力量以帶動或推動所述旋轉(zhuǎn)軸和所述基片托盤共同旋轉(zhuǎn)。
[0019]優(yōu)選的，所述凸起部設(shè)置于所述基片托盤的凹槽的外周圍，并且從所述基片托盤的下表面往外突起并延伸一長度。
[0020]進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還公開了一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的旋轉(zhuǎn)軸，包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于所述旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述旋轉(zhuǎn)主軸包括一主軸側(cè)面，所述頂表面或所述外周面或所述主軸側(cè)面設(shè)有向所述旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部延伸至一定距離的凹陷部。
[0021]進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還公開一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的基片托盤，包括一上表面和一下表面，所述下表面上設(shè)置有向所述基片托盤內(nèi)部凹陷延伸的凹槽，所述凹槽包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁以及一與所述內(nèi)周壁相連接的凹槽面，所述凹槽內(nèi)還設(shè)有至少一個(gè)凸起部，所述凸起部自所述凹槽面向所述下表面方向突起并延伸一長度。
[0022]進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還公開了一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的旋轉(zhuǎn)軸，包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和一與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述連接頭支撐部下方設(shè)置有沿所述旋轉(zhuǎn)主軸外圍向外延伸開來的延展部，所述延展部包括一延展面，所述延展面上設(shè)有至少一個(gè)凹陷部。
[0023]進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還公開了一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的基片托盤，包括一上表面和一下表面，所述基片托盤的下表面設(shè)置一凹槽，所述凹槽包括具有一定斜度的內(nèi)周壁，所述下表面上還設(shè)有凸起部，所述凸起部設(shè)置在所述基片托盤的凹槽的外周圍，并且從所述基片托盤的下表面往外突起并延伸一長度。
[0024]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：通過在旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部頂表面或外周面或主軸側(cè)面上設(shè)置凹陷部，在所述基片托盤的下表面設(shè)置凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置凸起部與所述凹陷部相匹配卡接，保證基片托盤與旋轉(zhuǎn)軸同步運(yùn)動。通過對處理腔室外轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行監(jiān)控，可以獲知當(dāng)前托盤的旋轉(zhuǎn)位置，從而對托盤上的特殊位置進(jìn)行定位并采集信息。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯：
[0026]如下附圖構(gòu)成了本說明書的一部分，和說明書一起列舉了不同的實(shí)施例，以解釋和闡明本實(shí)用新型的宗旨。以下附圖并沒有描繪出具體實(shí)施例的所有技術(shù)特征，也沒有描繪出部件的實(shí)際大小和真實(shí)比例。
[0027]圖I不出一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0028]圖2a_2c示出第一種實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3a_3g示出第二種實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4a_4i示出第三種實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5a_5g示出第四種實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6a_6d示出第五種實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖7a_7c示出第六種實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]本實(shí)用新型公開了一種化學(xué)氣相沉積裝置，為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0035]本實(shí)用新型提供的化學(xué)氣相沉積裝置，包括一處理腔室，處理腔室內(nèi)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤，基片托盤可分離地放置在旋轉(zhuǎn)軸上并受其支撐，旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤上設(shè)置有一種保持二者同步轉(zhuǎn)動的構(gòu)造，能夠相互匹配卡接從而保證旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤的同步旋轉(zhuǎn)，可以實(shí)現(xiàn)通過對旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)位置的監(jiān)控，得知基片托盤在處理腔室內(nèi)的旋轉(zhuǎn)位置，從而對基片托盤上的某些位置或位于其上方的基片進(jìn)行位置測量或數(shù)據(jù)監(jiān)測。本實(shí)用新型所提供的化學(xué)氣相沉積裝置，既能實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)中對基片托盤的自平衡，也能保持旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤同步轉(zhuǎn)動，防止二者相對滑動。
[0036]以下結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。應(yīng)當(dāng)說明，以下圖2a至圖7c所示意的旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤均是對圖I中所示的化學(xué)氣相沉積裝置的處理腔室100內(nèi)的旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤的改良，因而，為簡潔起見，在圖2a至圖7c中不再示意化學(xué)氣相沉積裝置的處理腔室100，僅示出其中被改良的旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤。應(yīng)當(dāng)說明，以下所述各實(shí)施例中的處理腔室內(nèi)均包括至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸，旋轉(zhuǎn)軸上可分離地放置有基片托盤，在此位置下，旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部插接于基片托盤的凹槽內(nèi)，并且連接頭支撐部的外周面與凹槽的內(nèi)周壁至少部分地接觸以支撐基片托盤，設(shè)置在凹槽內(nèi)或設(shè)置在凹槽內(nèi)周圍的凸起部與凹陷部相互卡接或抵靠，以產(chǎn)生一力量以帶動或推動旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤共同旋轉(zhuǎn)。凸起部的形狀和大小設(shè)置為可至少部分地容納于旋轉(zhuǎn)軸的凹陷部內(nèi)。該基片托盤至少部分地受連接頭支撐部外周面支撐并通過外周面與基片托盤凹槽內(nèi)的內(nèi)周壁二者之間的摩擦力使基片托盤在旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動下圍繞旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線轉(zhuǎn)動。這些實(shí)施例中均提供了上述可以保持基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸同步轉(zhuǎn)動的結(jié)構(gòu)。
[0037]圖2a_2c是本實(shí)用新型所提供的第一種實(shí)施例化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，旋轉(zhuǎn)軸110包括一旋轉(zhuǎn)主軸111和一連接頭支撐部113 ;圖2b不出一基片托盤的下表面結(jié)構(gòu)不意圖,基片托盤120包括一上表面121 (見圖2c)和一下表面122，下表面122內(nèi)設(shè)置凹槽123，用于容納連接頭支撐部113。連接頭支撐部113位于旋轉(zhuǎn)主軸111的上端，包括一頂表面116和一具有一定斜度的外周面118，所述外周面118與所述旋轉(zhuǎn)主軸頂端呈一銳角角度，即所述連接頭支撐部113自旋轉(zhuǎn)主軸111起直徑逐漸減小。作為與連接頭支撐部113配合連接的凹槽123，其內(nèi)徑自下表面至上表面逐漸減小，形成一個(gè)大致呈圓錐形的內(nèi)周壁128，連接頭支撐部113的外周面118和凹槽的內(nèi)周壁128至少部分地接觸，圖中示例地示為在接觸面130處接觸，連接頭支撐部113通過該接觸面130支撐基片托盤120，并通過該接觸面130產(chǎn)生摩擦力，帶動基片托盤120旋轉(zhuǎn)。由于在化學(xué)氣相沉積處理裝置中需要對處理腔室外旋轉(zhuǎn)軸110旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行監(jiān)控，從而對基片托盤120上的特殊位置進(jìn)行定位并采集信息。當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸110旋轉(zhuǎn)時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸110的外周面118與基片托盤內(nèi)周壁128接觸處的摩擦力驅(qū)動基片托盤旋轉(zhuǎn)。由于旋轉(zhuǎn)軸110與基片托盤120之間為圓結(jié)構(gòu)接觸，旋轉(zhuǎn)方向無自由度限制，因此旋轉(zhuǎn)軸110與基片托盤120之間可相對轉(zhuǎn)動，在運(yùn)行過程中，尤其是加速、減速時(shí)，基片托盤120與旋轉(zhuǎn)軸110之間易發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)，且此旋轉(zhuǎn)相對位置具有隨機(jī)性，此時(shí)旋轉(zhuǎn)軸110的旋轉(zhuǎn)位置并不能反映當(dāng)前托盤的旋轉(zhuǎn)位置，因此無法對托盤上的特殊位置進(jìn)行定位并采集信息。
[0038]在圖2a_c描述的實(shí)施例中，連接頭支撐部113自頂表面116向下有一凹陷部114。作為一種可選的實(shí)施方式，所述凹陷部114的垂直剖面形狀為梯形，垂直地將連接頭支撐部113剖為兩部分，凹陷部114可以位于連接頭支撐部113的中間位置，將連接頭支撐部113平均分為兩側(cè)，也可以位于連接頭支撐部113較偏的位置，使分開的連接頭支撐部113兩側(cè)大小不均。凹陷部114的凹陷面115可以位于連接頭支撐部113與旋轉(zhuǎn)主軸111連接面上方、齊平或者下方。對應(yīng)地，基片托盤120的凹槽內(nèi)包括一凹槽面126，凹槽面126大致為一與下表面122相平行的平面，凹槽內(nèi)還設(shè)有一凸起部124，凸起部124從凹槽面126上向下表面122方向突起并延伸一定長度。凸起部124形狀和凹陷部114的形狀相同或類似，可以為圓柱形或方柱形或橢圓柱形或三棱柱形或其它規(guī)則或不規(guī)則柱體形，只要保證凸起部124可以至少部分地嵌入或容納于凹陷部114內(nèi)，并帶動其進(jìn)行同步轉(zhuǎn)動即可。圖2c示出本實(shí)施例所述連接頭支撐部113與基片托盤120組裝狀態(tài)下的剖面示意圖，如圖所示，基片托盤120的凹槽123包括一面向連接頭支撐部113的內(nèi)周壁128，與之相對，旋轉(zhuǎn)軸110的連接頭支撐部113包括一外周面118。優(yōu)選地，旋轉(zhuǎn)軸連接頭支撐部113的外周面118與凹槽123的內(nèi)周壁128具有不同的傾斜度，其中凹槽123的開口略大于連接頭支撐部113的外周面118開口，使得連接頭支撐部113與凹槽123在某些適當(dāng)位置處具有相互接觸和摩擦的區(qū)域或接觸面130，該區(qū)域或接觸面可以為某些點(diǎn)或某些線或某些環(huán)狀區(qū)域或非環(huán)狀區(qū)域，該區(qū)域非常窄，在某些情況下可以視作線接觸，在某些情況下，二者相互接觸和摩擦的區(qū)域也可以是呈多個(gè)點(diǎn)狀或者不連續(xù)的線狀摩擦區(qū)的混合，即，基片托盤120的凹槽123的內(nèi)周壁128和連接頭支撐部113的外周面118必然具有一相互接觸和摩擦的區(qū)域130，并且基片托盤120因?yàn)樵撃Σ炼a(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而被旋轉(zhuǎn)軸110帶動旋轉(zhuǎn)。在出現(xiàn)基片托盤120安裝不夠水平時(shí)，或在旋轉(zhuǎn)軸初始旋轉(zhuǎn)時(shí)，或在旋轉(zhuǎn)軸加速或減速旋轉(zhuǎn)時(shí)，基片托盤120會因?yàn)樵撃Σ亮ψ饔眉白陨響T性及重力的作用能夠逐漸自動達(dá)到水平位置，以實(shí)現(xiàn)自平衡。凹槽123的形狀和旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部113的形狀不限于如圖所示的梯形截面，也可以是多個(gè)臺階狀的截面或其他設(shè)置，只要能實(shí)現(xiàn)連接頭支撐部113和基片托盤120接觸區(qū)下方存在足夠的間隙以適應(yīng)基片托盤初始安裝角度的偏差，這些其它的實(shí)施例均可以適應(yīng)于本實(shí)用新型。[0039]凹槽123內(nèi)設(shè)置的凸起部124是可分離地伸入和插接于凹陷部114內(nèi)的，其中凹陷部114的橫截面尺寸比凸起部124的橫截面尺寸略大，使得兩者之間存在一個(gè)間隙。該間隙允許存在于凸起部124和凹陷部114的豎直方向和/或水平方向，其中垂直方向的間隙即為凸起部124的凸起面125和凹陷部的凹陷面115之間的間隙，以及凹槽123的凹槽面126和連接頭支撐部113的頂表面116之間的間隙，設(shè)置垂直方向的間隙優(yōu)點(diǎn)在于可以減小凸起部124和凹陷部114間的摩擦或擠壓，只通過連接頭支撐部113的外周面118支撐基片托盤120。其中水平方向的間隙即為凸起部124的凸起側(cè)面127與凹陷部114的凹陷側(cè)面117之間的間隙。間隙的大小根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)需要可以調(diào)整，如果間隙設(shè)計(jì)得太小，則會使在低溫時(shí)放入的基片托盤在高溫反應(yīng)時(shí)由于熱脹冷縮導(dǎo)致無法將基片托盤取出，典型的兩者間隙可以選擇不小于O. 01mm。在工藝處理中，當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸110開始旋轉(zhuǎn)時(shí)或在旋轉(zhuǎn)過程中加速或者減速旋轉(zhuǎn)時(shí)，基片托盤120與旋轉(zhuǎn)軸110之間會發(fā)生相對的旋轉(zhuǎn)位移，會使凹陷部114在前述間隙內(nèi)移動，直至凹陷部114的凹陷側(cè)面117與凸起部124的凸起側(cè)面127相互接觸或二者相互抵靠住，從而可以阻止凹陷部114進(jìn)一步移動，同時(shí)也就實(shí)現(xiàn)了基片托盤120與旋轉(zhuǎn)軸110 二者不再相對移動，而是實(shí)現(xiàn)同步旋轉(zhuǎn)。從前面的描述可知，間隙的數(shù)值與基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸之間滑動程度相關(guān)。只要該間隙大小在限定范圍內(nèi)，仍然能保持對處理腔室內(nèi)基片托盤的位置探測精度，同時(shí)保證基片托盤和旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部113之間能夠自由取放和實(shí)現(xiàn)自平衡功能。本實(shí)用新型的間隙可以大于等于O. 01mm、小于5mm,優(yōu)選的該間隙不小于O. 05mm、不大于O. 5mm。優(yōu)選地,本實(shí)用新型中凹槽123的深度選擇為：使得旋轉(zhuǎn)軸110的連接頭支撐部113和基片托盤120相互接觸和摩擦的區(qū)域130位于基片托盤120的重心上方，這樣可以提聞基片托盤120旋轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性。
[0040]應(yīng)當(dāng)說明，本實(shí)用新型所提供的各種化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸與基片托盤是一種非固定連接，即，在處理腔室位于工藝處理的過程中，基片托盤120可分離地放置在旋轉(zhuǎn)軸110上，旋轉(zhuǎn)軸110的連接頭支撐部113可分離地插接于該凹槽123內(nèi)，基片托盤120至少部分地受連接頭支撐部113支撐并通過二者之間的摩擦力使基片托盤120圍繞該旋轉(zhuǎn)軸110的中心軸線轉(zhuǎn)動，同時(shí)，基片托盤的凹槽123與連接頭支撐部113相互配合并保持所述基片托盤和所述旋轉(zhuǎn)軸同步轉(zhuǎn)動。而在工藝處理結(jié)束后，基片托盤120可以直接從旋轉(zhuǎn)軸110上被分離開，再被移出處理腔室。
[0041]圖3a_3g是本實(shí)用新型所提供的第二種實(shí)施例化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸210與基片托盤220的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖3a顯示的是旋轉(zhuǎn)軸210的結(jié)構(gòu)示意圖，旋轉(zhuǎn)軸210包括旋轉(zhuǎn)主軸211和連接頭支撐部213，連接頭支撐部213的形狀優(yōu)選為直徑逐漸減小的圓錐狀，連接頭支撐部213的頂表面216上設(shè)有一向內(nèi)凹陷的凹陷部214，凹陷部214的水平截面示意為正方形，應(yīng)當(dāng)理解，該水平截面示意圖也可為各種適合的形狀或結(jié)構(gòu)，例如：長方形，在另外的實(shí)施例中，正方形或者長方形的拐角處可以為弧形倒角。圖3b示出第二種實(shí)施例的基片托盤220示意圖，基片托盤220包括一上表面221 (圖3c)和一下表面222，所述下表面222靠近旋轉(zhuǎn)軸210，在其圓心區(qū)域設(shè)置一凹槽223，所述凹槽223的形狀大致與連接頭支撐部213的形狀類似或匹配，優(yōu)選地，旋轉(zhuǎn)軸連接頭支撐部213的外周面218與凹槽223的內(nèi)周壁228具有不同的傾斜度，其中凹槽223的開口略大于連接頭支撐部213的外周面218開口，使得連接頭支撐部213與凹槽223在某些適當(dāng)位置處具有相互接觸和摩擦的區(qū)域230，凹槽223內(nèi)設(shè)置一凸起部224，凸起部224與凹陷部214的形狀大致相同。[0042]圖3c示出本實(shí)施例所述旋轉(zhuǎn)軸210與基片托盤220組裝狀態(tài)下的剖面示意圖，如圖所示，凹槽223內(nèi)設(shè)置的凸起部224是可分離地伸入和插接于凹陷部214內(nèi)的，其中凹陷部214的橫截面尺寸比凸起部224的橫截面尺寸略大,使得兩者之間存在一個(gè)間隙。該間隙允許存在于凸起部224和凹陷部214的豎直方向和/或水平方向，其中垂直方向的間隙即為凸起部224的凸起面225和凹陷部的凹陷面215之間的間隙，以及凹槽223的凹槽面226和連接頭支撐部213的頂表面216之間的間隙。其中水平方向的間隙即為凸起部224的外表面227與凹陷部214的內(nèi)表面217之間的間隙，間隙的大小根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)需要可以調(diào)整，如果間隙設(shè)計(jì)得太小，則會使在低溫時(shí)放入的基片托盤在高溫反應(yīng)時(shí)由于熱脹冷縮導(dǎo)致無法將基片托盤取出，典型的兩者間隙可以選擇不小于O. 01mm。旋轉(zhuǎn)軸210帶動基片托盤220進(jìn)行同步轉(zhuǎn)動的原理與第一實(shí)施例中的描述一致，在此不再贅述。
[0043]圖3d和圖3e公開了本實(shí)施例的一種類似構(gòu)造，唯一區(qū)別點(diǎn)在于凹陷部和凹槽內(nèi)的凸起部形狀為橢圓形，同樣地位置或者部件與本實(shí)施例的標(biāo)號一致，只在其標(biāo)號后增加“a”以示區(qū)別。容易想到的，所述橢圓形也可以為其他不十分規(guī)則的類橢圓形。在此不再贅述。
[0044]圖3f和圖3g公開了本實(shí)施例的另一種類似構(gòu)造，唯一區(qū)別點(diǎn)在于凹陷部和凹槽內(nèi)的凸起部形狀為三角形，同樣地位置或者部件與本實(shí)施例的標(biāo)號一致，只在其標(biāo)號后增加“b”以示區(qū)別。容易想到的，所述三角形也可以為其他不十分規(guī)則的類三角形。在此不再贅述。
[0045]圖4a_4i是本實(shí)用新型所提供的第三種實(shí)施例化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸310與基片托盤320的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖4a顯示的是旋轉(zhuǎn)軸310的結(jié)構(gòu)示意圖，旋轉(zhuǎn)軸310包括旋轉(zhuǎn)主軸311和連接頭支撐部313，連接頭支撐部313的形狀優(yōu)選為直徑逐漸減小的圓錐狀，連接頭支撐部313的頂表面316上設(shè)有一凹陷部314，凹陷部314的水平截面示意圖為圓形，圖4b示出本實(shí)施例的基片托盤320示意圖，基片托盤320包括一上表面321 (圖4c)和一下表面322，所述下表面322靠近旋轉(zhuǎn)軸310，根據(jù)上文的描述，基片托盤320的凹槽323的內(nèi)周壁328和連接頭支撐部313的外周面318具有一相互接觸和摩擦的區(qū)域或接觸面330，并且基片托盤320因?yàn)樵撃Σ炼a(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而被旋轉(zhuǎn)軸310帶動旋轉(zhuǎn)。通過設(shè)置凹陷部和與之匹配的凸起部324，使得旋轉(zhuǎn)軸在帶動基片托盤轉(zhuǎn)動時(shí)，凹陷部的凹陷側(cè)面與凸起部的凸起側(cè)面相互接觸并使二者相互抵靠住，實(shí)現(xiàn)基片托盤與旋轉(zhuǎn)軸二者不再相對移動，實(shí)現(xiàn)同步旋轉(zhuǎn)。在本實(shí)施例中，頂表面316為一圓形，凹陷部314可以位于頂表面316的圓心位置或偏離圓心的位置。作為一種實(shí)施方式，由于凸起部324形狀為圓柱形，凹陷部314為與之相適應(yīng)配合的結(jié)構(gòu)，為了使得凹陷部314和與之匹配的凸起部324依然能保證基片托盤與旋轉(zhuǎn)軸二者的同步旋轉(zhuǎn)，故將凹陷部314設(shè)置在偏離連接頭支撐部313頂表面316圓心的位置，相匹配地，凸起部324也設(shè)置在凹槽324偏離其圓心的區(qū)域。此時(shí)，當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動時(shí)，凹陷部314依然產(chǎn)生一個(gè)推動或抵靠力，保證凸起部324與其位置相對不變，實(shí)現(xiàn)基片托盤320與旋轉(zhuǎn)軸310的同步旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施例優(yōu)選地，旋轉(zhuǎn)軸連接頭支撐部313的外周面318與凹槽323的內(nèi)周壁328具有不同的傾斜度，其中凹槽323的開口略大于連接頭支撐部313的外周面318，使得連接頭支撐部313與凹槽323在某些適當(dāng)位置處具有相互接觸和摩擦的區(qū)域330。
[0046]圖4c示出本實(shí)施例所述連接頭支撐部313與基片托盤320組裝狀態(tài)下的剖面示意圖，如圖所示，凹槽323內(nèi)設(shè)置的凸起部324是可分離地伸入和插接于凹陷部314內(nèi)的，其中凹陷部314的橫截面尺寸比凸起部324的橫截面尺寸略大,使得兩者之間存在一個(gè)間隙，以避免凸起部在溫度較低時(shí)插入凹陷部，加工完成后溫度較高，受熱脹冷縮的影響難以取下。該間隙允許存在于凸起部324和凹陷部314的豎直方向和/或水平方向，其中垂直方向的間隙即為凸起部324的凸起面325和凹陷部的凹陷面215之間的間隙，以及凹槽323的凹槽面326和連接頭支撐部313的頂表面216之間的間隙，設(shè)置垂直方向的間隙目的在于減小基片托盤320和連接頭支撐部313之間過多的摩擦，減小對器件的損耗。其中水平方向的間隙即為凸起部324的外表面327與凹陷部314的內(nèi)表面317之間的間隙，間隙的大小根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)需要可以調(diào)整，如果間隙設(shè)計(jì)得太小，則會使在低溫時(shí)放入的基片托盤在高溫反應(yīng)時(shí)由于熱脹冷縮導(dǎo)致無法將基片托盤取出，典型的兩者間隙可以選擇不小于O. 01_。
[0047]圖4d和圖4e公開了根據(jù)本實(shí)施例的一種變形結(jié)構(gòu)，其區(qū)別點(diǎn)在于在連接頭支撐部313a的頂表面316a設(shè)置兩個(gè)凹陷部，此處兩個(gè)凹陷部的形狀和大小可以相同也可以為不同，除了圓形結(jié)構(gòu)，還可以有方形，橢圓形，條形、三角形及其他不規(guī)則形狀，在此不再一一例舉。圖4e示出基片托盤及其凹槽323a的結(jié)構(gòu)示意圖，其凹槽內(nèi)的凸起部324a與凹陷部314a的位置和形狀相匹配。
[0048]圖4f示出另一種變形結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)軸結(jié)構(gòu)示意圖，該旋轉(zhuǎn)軸的凹陷部314a’為一個(gè)長條橢圓形，其可以與圖4e示出的凸起部324a相匹配，同樣能實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)軸帶動基片托盤的同步轉(zhuǎn)動。容易想到的，所述凹陷部314a’的形狀也可以為長方形。
[0049]圖4g_4h公開了根據(jù)本實(shí)施例的另一種變形結(jié)構(gòu)，其區(qū)別點(diǎn)在于在連接頭支撐部313b的頂表面316b設(shè)置三個(gè)凹陷部314b，此處三個(gè)凹陷部的形狀和大小可以相同也可以為不同，除了圓形結(jié)構(gòu)，還可以有方形，橢圓形，條形、三角形及其他不規(guī)則形狀，在此不再一一例舉。圖4h示出基片托盤及其凹槽323b的結(jié)構(gòu)示意圖，其凹槽內(nèi)的同樣設(shè)置3個(gè)凸起部324b，凸起部324b與凹陷部314a的位置和形狀相匹配。
[0050]圖4i示出另一種變形結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)軸結(jié)構(gòu)示意圖，該旋轉(zhuǎn)軸的凹陷部314b’為一三角形，所述三角形的三個(gè)角與可以與圖4h示出的凸起部324b相匹配，同樣能實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)軸帶動基片托盤的同步轉(zhuǎn)動。
[0051]圖5a_5h是本實(shí)用新型所提供的第四種實(shí)施例化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸410與基片托盤420的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖5a顯示的是旋轉(zhuǎn)軸410的結(jié)構(gòu)示意圖，旋轉(zhuǎn)軸410包括旋轉(zhuǎn)主軸411和連接頭支撐部413，連接頭支撐部413的形狀優(yōu)選為直徑逐漸減小的圓錐狀，包括頂表面416和外周面418，連接頭支撐部413的外周面418設(shè)置凹陷部414，凹陷部414向旋轉(zhuǎn)軸軸心方向凹陷，并在頂表面416外圈形成齒狀凹陷，所述凹陷部414可以為一個(gè)，也可以為兩個(gè)或更多個(gè)，本實(shí)施例為兩個(gè)，凹陷部414在旋轉(zhuǎn)軸上形成下凹陷面415，下凹陷面415在水平方向上可以高于、低于或持平于連接頭支持部413與旋轉(zhuǎn)主軸411的連接面。圖5b示出本實(shí)施例的基片托盤420示意圖，基片托盤420包括一上表面421 (圖5c)和一下表面422,所述下表面422靠近旋轉(zhuǎn)軸410,在基片托盤420下表面設(shè)置凹槽423,凹槽423自凹槽內(nèi)周壁428向圓心方向凹陷，形成與凹陷部414匹配的齒狀凸起部424。根據(jù)上文的描述，基片托盤420的凹槽423的內(nèi)周壁428和連接頭支撐部413的外周面418具有一相互接觸和摩擦的區(qū)域，并且基片托盤420因?yàn)樵撃Σ炼a(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而被旋轉(zhuǎn)軸410帶動旋轉(zhuǎn)。通過設(shè)置凹陷部414和與之匹配的的凸起部424，使得旋轉(zhuǎn)軸在帶動基片托盤轉(zhuǎn)動時(shí)，凹陷部414和凸起部424卡接或抵靠，確?；斜P與旋轉(zhuǎn)軸的相對固定，實(shí)現(xiàn)同步旋轉(zhuǎn)。
[0052]圖5c示出本實(shí)施例所述連接頭支撐部413與基片托盤420組裝狀態(tài)下的剖面示意圖，如圖所示，凹槽423內(nèi)設(shè)置的凸起部424與連接頭支撐部413的凹陷部414是可分離地連接的，其中凹槽423內(nèi)設(shè)置的凸起部424尺寸略小于連接頭支撐部413的凹陷部414的尺寸，以便使得兩者之間存在一個(gè)間隙。以避免凸起部在溫度較低時(shí)插入凹陷部，加工完成后溫度較高，受熱脹冷縮的影響難以取下。典型的間隙可以選擇不小于O. 01_。
[0053]圖5d和圖5e公開了根據(jù)本實(shí)施例的一種變形結(jié)構(gòu)，其區(qū)別點(diǎn)在于在連接頭支撐部413a的外周面418a上設(shè)置三個(gè)凹陷部414a，此處三個(gè)凹陷部的形狀和大小可以相同也可以為不同，除了齒狀結(jié)構(gòu)，還可以有弧面凹陷及其他不規(guī)則形狀，在此不再一一例舉。圖5e示出基片托盤及其凹槽423a的結(jié)構(gòu)示意圖，其凹槽內(nèi)設(shè)置有三個(gè)凸起部424a。凸起部424a與凹陷部414a的位置和形狀相匹配。
[0054]圖5f和圖5g公開了根據(jù)本實(shí)施例的另一種變形結(jié)構(gòu)，其區(qū)別點(diǎn)在于在連接頭支撐部413b的外周面418b上設(shè)置四個(gè)凹陷部414b，此處四個(gè)凹陷部的形狀和大小可以相同也可以為不同，除了齒狀結(jié)構(gòu)，還可以有弧面凹陷及其他不規(guī)則形狀，在此不再一一例舉。圖5g示出基片托盤及其凹槽423b的結(jié)構(gòu)示意圖，其凹槽內(nèi)設(shè)置有四個(gè)凸起部424b。凸起部424b與凹陷部414b的位置和形狀相匹配。
[0055]圖6a_6d是本實(shí)用新型所提供的第五種實(shí)施例化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸510與基片托盤520的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖6a顯示的是旋轉(zhuǎn)軸510的結(jié)構(gòu)示意圖，旋轉(zhuǎn)軸510包括旋轉(zhuǎn)主軸511和連接頭支撐部513，連接頭支撐部513的形狀優(yōu)選為直徑逐漸減小的圓錐狀，包括頂表面516和外周面518，旋轉(zhuǎn)主軸511包括主軸側(cè)面5115，連接頭支撐部513的外周面518和主軸側(cè)面5115上設(shè)置凹陷部514，凹陷部514向旋轉(zhuǎn)軸軸心方向凹陷一定深度，所述凸起部可以為一個(gè)，也可以為兩個(gè)，本實(shí)施例為三個(gè)，凹陷部514在旋轉(zhuǎn)軸上形成下凹陷面515，下凹陷面515在水平方向低于或持平于連接頭支持部513與旋轉(zhuǎn)主軸511的連接面。圖6b示出本實(shí)施例所述基片托盤520示意圖，基片托盤520包括一上表面521和一下表面522,所述下表面522靠近旋轉(zhuǎn)軸510,在基片托盤520下表面設(shè)置凹槽523,凹槽523自凹槽內(nèi)周壁528向圓心方向凹陷，形成與凹陷部514匹配的凸起部524。根據(jù)上文的描述，基片托盤520的凹槽523的內(nèi)周壁528和連接頭支撐部513的外周面518具有一相互接觸和摩擦的區(qū)域，并且基片托盤520因?yàn)樵撃Σ炼a(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而被旋轉(zhuǎn)軸510帶動旋轉(zhuǎn)。通過設(shè)置凹陷部514和與之吻合的的凸起部524，使得旋轉(zhuǎn)軸在帶動基片托盤轉(zhuǎn)動時(shí)，凹陷部514和凸起部524卡接吻合，確?；斜P與旋轉(zhuǎn)軸的相對固定，實(shí)現(xiàn)同步旋轉(zhuǎn)。
[0056]圖6c和圖6d公開了根據(jù)本實(shí)施例的另一種變形結(jié)構(gòu)，其區(qū)別點(diǎn)在于在連接頭支撐部513a的外周面518a上設(shè)置四個(gè)凹陷部514a，此處四個(gè)凹陷部的形狀和大小可以相同也可以為不同，除了齒狀結(jié)構(gòu)，還可以有弧面凹陷及其他不規(guī)則形狀，在此不再一一例舉。圖6c示出基片托盤及其凹槽523a的結(jié)構(gòu)示意圖，其凹槽內(nèi)設(shè)置有四個(gè)凸起部524a。凸起部524a與凹陷部514a的位置和形狀相匹配。
[0057]圖7a到圖7c公開了本發(fā)明的第六種實(shí)施例化學(xué)氣相沉積裝置中的旋轉(zhuǎn)軸610與基片托盤620的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖7a示出的旋轉(zhuǎn)軸中，旋轉(zhuǎn)軸610包括旋轉(zhuǎn)主軸611和位于旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部613，連接頭支撐部包括一頂表面616和一具有一定斜度的外周面618，連接頭支撐部613還包括一沿旋轉(zhuǎn)主軸611外圍向外延伸開來的延展部619，延展部619包括一延展面6191 ;所述延展面6191上設(shè)有一個(gè)或多個(gè)凹陷部614。圖7b和圖7c不出一基片托盤620,基片托盤包括一上表面621和一下表面622,所述基片托盤的下表面622設(shè)置一凹槽623,凹槽623包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁628,優(yōu)選的，內(nèi)周壁628的斜度大于外周面618的斜度。下表面622上還設(shè)有數(shù)量與凹陷部614相對應(yīng)的若干個(gè)凸起部624。作為一種優(yōu)選實(shí)施例，凸起部624設(shè)置于基片托盤的凹槽623的外周圍，并且從所述基片托盤的下表面622往外突起并延伸一長度。
[0058]圖7c公開了本實(shí)施例所述連接頭支撐部613與基片托盤620組裝狀態(tài)下的剖面示意圖，如圖所示，基片托盤620可分離地放置在連接頭支撐部613上，連接頭支撐部的外周面618與所述凹槽的內(nèi)周壁628至少部分地接觸以支撐所述基片托盤，連接頭支撐部613通過接觸面630支撐基片托盤620，并通過該接觸面630產(chǎn)生摩擦力，凸起部624與延展面6191上設(shè)置的凹陷部匹配或卡接或抵靠，當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動，連接頭支撐部613靠與外周面618內(nèi)周壁628的接觸面630產(chǎn)生摩擦力，帶動基片托盤轉(zhuǎn)動，凸起部624和凹陷部614互相抵靠或卡接，保持旋轉(zhuǎn)軸和基片托盤同步轉(zhuǎn)動。優(yōu)選的，為了保證旋轉(zhuǎn)過程中連接頭支撐部和基片托盤的穩(wěn)定連接，凸起部624的突起高度大于等于凹陷部614的凹陷深度。
[0059]本實(shí)用新型雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括一處理腔室，其特征在于：所述處理腔室內(nèi)包括： 一旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于所述旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述旋轉(zhuǎn)主軸包括一主軸側(cè)面，所述頂表面或所述外周面或所述主軸側(cè)面設(shè)有凹陷部； 一基片托盤，所述基片托盤包括一上表面和一下表面，所述基片托盤的下表面上設(shè)置有向所述基片托盤內(nèi)部凹陷延伸的凹槽，所述凹槽包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁，所述凹槽內(nèi)還設(shè)有凸起部； 所述基片托盤可分離地放置在所述連接頭支撐部上，在此位置下，所述旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部插接于所述基片托盤的凹槽內(nèi)，并且所述連接頭支撐部的外周面與所述凹槽的內(nèi)周壁至少部分地接觸以支撐所述基片托盤，所述凹槽內(nèi)的凸起部與所述凹陷部相互卡接或抵靠，以產(chǎn)生一力量以帶動或推動所述旋轉(zhuǎn)軸和所述基片托盤共同旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凹陷部設(shè)置在所述頂表面上并自所述頂表面向所述旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部延伸至一定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凹槽內(nèi)包括一與所述內(nèi)周壁相連接的凹槽面，所述凸起部自所述凹槽面向所述下表面方向突起并延伸一長度，所述凸起部的形狀和大小設(shè)置為可至少部分地容納于所述旋轉(zhuǎn)軸的凹陷部內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凸起部為圓柱形或方柱形或橢圓柱形或三棱柱形或其它規(guī)則或不規(guī)則柱體形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述頂表面為一圓形，所述凹陷部位于所述頂表面圓心位置或偏離圓心的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述頂表面上設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上所述凹陷部，所述凹槽內(nèi)設(shè)置對應(yīng)個(gè)數(shù)的相互匹配的所述凸起部。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述頂表面上設(shè)置一個(gè)凹陷部，所述凹槽內(nèi)設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上的凸起部，所述凹陷部與若干個(gè)所述凸起部相匹配卡接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述頂表面上的兩個(gè)或兩個(gè)以上的凹陷部形狀和大小為相同或不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凹陷部設(shè)置在所述連接頭支撐部的頂表面和外周面上，所述凹槽內(nèi)設(shè)置與所述凹陷部相匹配的凸起部，所述凹陷部和所述凹槽內(nèi)與之匹配的凸起部數(shù)量大于等于I。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凹陷部設(shè)置在所述連接頭支撐部的外周面和所述主軸側(cè)面上，所述凹槽內(nèi)設(shè)置與所述凹陷部匹配的凸起部，所述凹陷部和所述凹槽內(nèi)與之匹配的凸起部數(shù)量大于等于I。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述設(shè)置在所述主軸側(cè)面上的凹陷部的數(shù)量大于等于1，所述凹槽內(nèi)設(shè)置與所述凹陷部對應(yīng)匹配的凸起部。
12.根據(jù)權(quán)利要求ι-ll中的任何一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凸起部的凸起側(cè)面和所述凹陷部的凹陷側(cè)面之間設(shè)置有間隙，所述間隙不小于0.01mm。
13.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括一處理腔室，其特征在于：所述處理腔室內(nèi)包括： 一旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于所述旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和一與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述連接頭支撐部下方設(shè)置有沿所述旋轉(zhuǎn)主軸外圍向外延伸開來的延展部，所述延展部包括一延展面；所述延展面上設(shè)有凹陷部； 一基片托盤，所述基片托盤包括一上表面和一下表面，所述基片托盤的下表面設(shè)置有向所述基片托盤內(nèi)部凹陷延伸的凹槽，所述凹槽包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁，所述下表面上還設(shè)有凸起部； 所述基片托盤可分離地放置在所述連接頭支撐部上，在此位置下，所述旋轉(zhuǎn)軸的連接頭支撐部插接于所述基片托盤的凹槽內(nèi)，并且所述連接頭支撐部的外周面與所述凹槽的內(nèi)周壁至少部分地接觸以支撐所述基片托盤，所述凸起部與所述凹陷部相互卡接或抵靠，以產(chǎn)生一力量以帶動或推動所述旋轉(zhuǎn)軸和所述基片托盤共同旋轉(zhuǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述凸起部設(shè)置于所述基片托盤的凹槽的外周圍，并且從所述基片托盤的下表面往外突起并延伸一長度。
15.一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的旋轉(zhuǎn)軸，其特征在于：包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于所述旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述旋轉(zhuǎn)主軸包括一主軸側(cè)面，所述頂表面或所述外周面或所述主軸側(cè)面設(shè)有向所述旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部延伸至一定距離的凹陷部。
16.一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的基片托盤，其特征在于：包括一上表面和一下表面，所述下表面上設(shè)置有向所述基片托盤內(nèi)部凹陷延伸的凹槽，所述凹槽包括一具有一定斜度的內(nèi)周壁以及一與所述內(nèi)周壁相連接的凹槽面，所述凹槽內(nèi)還設(shè)有至少一個(gè)凸起部，所述凸起部自所述凹槽面向所述下表面方向突起并延伸一長度。
17.一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的旋轉(zhuǎn)軸，其特征在于：包括旋轉(zhuǎn)主軸和位于旋轉(zhuǎn)主軸上方的連接頭支撐部，所述連接頭支撐部包括一頂表面和一與所述頂表面呈一定斜度的外周面，所述連接頭支撐部下方設(shè)置有沿所述旋轉(zhuǎn)主軸外圍向外延伸開來的延展部，所述延展部包括一延展面，所述延展面上設(shè)有至少一個(gè)凹陷部。
18.一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的基片托盤，其特征在于：包括一上表面和一下表面，所述基片托盤的下表面設(shè)置一凹槽，所述凹槽包括具有一定斜度的內(nèi)周壁，所述下表面上還設(shè)有凸起部，所述凸起部設(shè)置在所述基片托盤的凹槽的外周圍，并且從所述基片托盤的下表面往外突起并延伸一長度。
【文檔編號】C23C16/458GK203569185SQ201320750080
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月25日
【發(fā)明者】姜勇, 姜銀鑫, 杜志游, 何乃明 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司