信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法和信息記錄介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】載具(500)具有：配置在中心位置附近的一個第1貫穿保持孔(520C)；和圍繞第1貫穿保持孔(520C)呈環(huán)狀地配置的多個第2貫穿保持孔(520P)，在將玻璃基板(1)的直徑設(shè)為Dmm、并將從載具(500)的中心位置(C1)至第1貫穿保持孔(520C)的中心位置(C2)的距離設(shè)為rmm的情況下，載具(500)的第1貫穿保持孔(520C)的中心位置(C2)被設(shè)置在滿足[(D/4)≤r≤(D/2)]的關(guān)系式的位置處。
【專利說明】信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法和信息記錄介質(zhì)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法和信息記錄介質(zhì)，特別是涉及在信息記錄介質(zhì)的制造中使用的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法、和具備該信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的信息記錄介質(zhì)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁盤等信息記錄介質(zhì)作為硬盤被搭載于計算機等。信息記錄介質(zhì)是在基板的表面上形成包含記錄層的磁薄膜層來制造的，所述記錄層利用了磁、光、或者光磁等的性質(zhì)。記錄層通過磁頭被磁化，由此將規(guī)定的信息記錄于信息記錄介質(zhì)中。
[0003]信息記錄介質(zhì)逐年在不斷提高記錄密度。與此相伴，對于信息記錄介質(zhì)所使用的基板的質(zhì)量，也要求高質(zhì)量。作為信息記錄介質(zhì)用的基板，一直以來使用鋁基板，但是，隨著記錄密度的提高，正在逐漸替換為基板表面的平滑性和強度比鋁基板優(yōu)異的玻璃基板。
[0004]在信息記錄介質(zhì)用的玻璃基板的制造方法中，具有用于確保較高的表面形狀精度的磨削工序/研磨工序。為了實現(xiàn)玻璃基板的高精度的形狀品質(zhì)，采用了將加工處理能力不同的漿料以及磨削/研磨墊有效地組合起來的、2個階段以上的磨削/研磨工序。例如在日本特開2007-015105號公報(專利文獻(xiàn)I)中公開有以往的與玻璃基板的制造相關(guān)的技術(shù)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-015105號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]對于作為信息記錄介質(zhì)使用的玻璃基板，一般將多個玻璃基板保持于載具(carrier)上設(shè)置的貫穿保持孔，進(jìn)行玻璃基板的磨削/研磨。近年來，為了削減成本，存在這樣的趨勢:增加在磨削/研磨中使用的每一個載具上的玻璃基板數(shù)。
[0010]另外，為了提高每一個玻璃基板的記錄密度，甚至將玻璃基板的至外周側(cè)的端面附近的區(qū)域都用作信息記錄區(qū)域，因此，玻璃基板的外周側(cè)端面的形狀精加工精度也要求較高的精度。
[0011]如果針對載具以最密的方式設(shè)置貫穿保持孔，則在載具的中心位置附近也放置有玻璃基板。如果將玻璃基板配置于載具的中心，則在磨削工序中驅(qū)動雙面磨削裝置時，配置在中心的玻璃基板集中通過處于磨削墊的平臺內(nèi)周附近和平臺外周附近中間的區(qū)域(以下，稱作中間帶區(qū)域。)的相同位置。
[0012]玻璃基板集中通過磨削墊的相同位置這一情況使得在磨削工序中，在磨削墊上的、玻璃基板通過的部分產(chǎn)生磨削墊(固定磨粒)的不均勻磨損，從而在磨削墊的中間帶區(qū)域產(chǎn)生截面為凹形的臺階(壓痕)。
[0013]如果在磨削墊上產(chǎn)生臺階，則容易在玻璃基板的表面產(chǎn)生由該臺階引起的磨削損傷(劃痕)。另外，為了消除該磨削損傷，在此后的研磨工序中需要長時間的加工(較大的去除量)。可是，在后面的研磨工序、特別是最終研磨工序(精密研磨)中大多使用低硬度的研磨墊，如果最終研磨工序的時間變長，則玻璃基板的端面形狀惡化。
[0014]本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，提供一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法和信息記錄介質(zhì)，在使用了雙面磨削裝置的磨削工序中，能夠抑制在磨削墊上產(chǎn)生臺階。
[0015]用于解決問題的手段
[0016]在基于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，所述信息記錄介質(zhì)在圓盤形狀的玻璃基板的主表面上形成有磁薄膜層，在所述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，具有表面磨削工序，在該表面磨削工序中，利用具備行星齒輪機構(gòu)的雙面磨削裝置，一邊供給水、磨削液或潤滑液一邊磨削上述玻璃基板的主表面。
[0017]上述雙面磨削裝置具備:上平臺，其位于上述玻璃基板的上側(cè)，且在該上平臺的上述玻璃基板側(cè)具有上側(cè)磨削墊；下平臺，其位于上述玻璃基板的下側(cè)，且在該下平臺的上述玻璃基板側(cè)具有下側(cè)磨削墊；以及圓盤狀的載具，其設(shè)有多個保持上述玻璃基板的貫穿保持孔，上述載具被上述上側(cè)磨削墊和上述下側(cè)磨削墊夾著，并且通過上述行星齒輪機構(gòu)進(jìn)行規(guī)定的旋轉(zhuǎn)運動。
[0018]上述貫穿保持孔具有:被配置在上述載具的中心位置附近的一個第I貫穿保持孔；和圍繞上述第I貫穿保持孔呈環(huán)狀地配置的多個第2貫穿保持孔。
[0019]在將上述玻璃基板的直徑設(shè)為Dmm、并將從上述載具的中心位置至上述第I貫穿保持孔的中心位置的距離設(shè)為rmm的情況下，上述第I貫穿保持孔的中心位置被設(shè)置在滿足[(D/4) ^ (D/2)]的關(guān)系式的位置處。
[0020]在另一方式中，在上述載具的、比圍繞上述第I貫穿保持孔呈環(huán)狀地配置的上述第2貫穿保持孔靠上述載具的半徑方向內(nèi)側(cè)的位置處，還具有直徑比上述貫穿保持孔小的輔助貫穿孔。
[0021]在基于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中具備:玻璃基板，其是通過上述任意一個方式所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法得到的；和磁薄膜層，其形成在上述玻璃基板的主表面上。
[0022]發(fā)明效果
[0023]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法和信息記錄介質(zhì)，在使用了雙面磨削裝置的磨削工序中，能夠抑制在磨削墊上產(chǎn)生臺階。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1是示出通過實施方式中的玻璃基板的制造方法所得到的玻璃基板的立體圖。
[0025]圖2是示出具備通過實施方式中的玻璃基板的制造方法所得到的玻璃基板的磁盤的立體圖。
[0026]圖3是示出實施方式中的玻璃基板的制造方法的流程圖。
[0027]圖4是在磨削工序中使用的雙面磨削裝置的局部立體圖。
[0028]圖5是示出實施方式中的載具的俯視圖。
[0029]圖6是示出實施方式中的載具的尺寸關(guān)系的俯視圖。
[0030]圖7是玻璃基板的俯視圖。
[0031]圖8是示出參考技術(shù)中的載具的俯視圖。
[0032]圖9是參考技術(shù)中的下側(cè)磨削墊的俯視圖。
[0033]圖10是示出另一實施方式中的載具的俯視圖。
[0034]圖11是示出實施例1-2、比較例1-2中的端面形狀的評價結(jié)果的圖。
【具體實施方式】
[0035]下面，參照附圖，對基于本發(fā)明的實施方式和實施例進(jìn)行說明。在實施方式和實施例的說明中，在提及個數(shù)、量等的情況下，除了有特別記載的情況外，本發(fā)明的范圍并不一定限定于該個數(shù)、量等。在實施方式和實施例的說明中，存在這樣的情況:對于同一部件和相應(yīng)的部件，標(biāo)注相同的參考標(biāo)號，且不反復(fù)進(jìn)行重復(fù)的說明。
[0036][玻璃基板/磁盤10]
[0037]參照圖1和圖2，首先，對通過基于本實施方式的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法所得到的玻璃基板1、和具備玻璃基板I的磁盤10進(jìn)行說明。圖1是示出在磁盤10(參照圖2)中使用的玻璃基板I的立體圖。圖2是示出作為信息記錄介質(zhì)的、具備玻璃基板I的磁盤10的立體圖。
[0038]如圖1所示，在磁盤10中使用的玻璃基板I (信息記錄介質(zhì)用玻璃基板)呈在中心形成有孔IH的環(huán)狀的圓板形狀。圓盤形狀的玻璃基板I具有正面主表面1A、背面主表面1B、內(nèi)周端面IC和外周端面1D。
[0039]玻璃基板I的大小沒有特別限制，例如，外徑是0.8英寸、1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸或者3.5英寸等。從防止破損的觀點出發(fā)，玻璃基板I的厚度例如為0.30_?2.2_。本實施方式中的玻璃基板I的大小是:外徑為大約65mm,內(nèi)徑為大約20mm,厚度為大約0.8_。玻璃基板I的厚度是通過在玻璃基板I上的點對稱的任意多個點處測量的值的平均而計算出的值。
[0040]如圖2所示，在磁盤10中，在上述的玻璃基板I的正面主表面IA上形成有磁性膜，從而形成包含磁記錄層的磁薄膜層2。在圖2中，僅在正面主表面IA上形成有磁薄膜層2，但也可以在背面主表面IB上形成有磁薄膜層2。
[0041]磁薄膜層2是通過將分散有磁性粒子的熱硬化性樹脂旋涂于玻璃基板I的正面主表面IA上而形成的(旋涂法)。磁薄膜層2也可以通過濺射法、或化學(xué)鍍法等形成于玻璃基板I的正面主表面IA。
[0042]關(guān)于在玻璃基板I的正面主表面IA上形成的磁薄膜層2的膜厚，在旋涂法的情況下為大約0.3 μ m?大約1.2 μ m,在派射法的情況下為大約0.04 μ m?大約0.08 μ m,在化學(xué)鍍法的情況下為大約0.05 μ m?大約0.1 μ m。從薄膜化和高密度化的觀點出發(fā)，優(yōu)選通過濺射法或化學(xué)鍍法來形成磁薄膜層2。
[0043]作為用于磁薄膜層2的磁性材料，沒有特別限定，可以使用以往公知的磁性材料，但是，為了得到高保持力，以晶態(tài)各向異性性較高的Co為基礎(chǔ)、并以調(diào)整殘留磁通密度為目的而加入了 Ni或Cr的Co類合金等比較合適。另外，作為適用于熱輔助記錄的磁性層材料，可以采用FePt類的材料。
[0044]此外，為了提高磁記錄頭的光滑度，可以在磁薄膜層2的表面薄薄地涂覆潤滑劑。作為潤滑劑，例如可舉出用氟利昂類等的溶劑稀釋作為液體潤滑劑的全氟聚醚(PFPE)而得到的潤滑劑。
[0045]而且，也可以根據(jù)需要設(shè)置基底層或保護(hù)層。磁盤10中的基底層根據(jù)磁性膜來選擇。作為基底層的材料，例如可舉出從Cr、Mo、Ta、T1、W、V、B、Al或Ni等非磁性金屬中選出的至少一種以上的材料。
[0046]另外，基底層不限于單層，也可以設(shè)為層疊相同種類或不同種類的層而成的多層結(jié)構(gòu)。例如，可以設(shè)為 Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo 或 NiAl/CrV 等多層基底層。
[0047]作為防止磁薄膜層2的磨損和腐蝕的保護(hù)層，例如可舉出Cr層、Cr合金層、碳層、氫化碳層、氧化鋯層或二氧化硅層等。這些保護(hù)層能夠與基底層、磁性膜等一起，利用直列式濺射裝置來連續(xù)地形成。另外，這些保護(hù)層可以設(shè)為單層，或者設(shè)為由相同種類或不同種類的層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
[0048]可以在上述保護(hù)層上形成其它保護(hù)層，或者替代上述保護(hù)層而形成其它保護(hù)層。例如，可以替代上述保護(hù)層，而在Cr層上，用酒精類的溶劑稀釋四烷氧基硅烷的過程中，分散地涂覆膠體二氧化硅微粒并進(jìn)行燒結(jié)，形成氧化硅(S12)層。
[0049][玻璃基板的制造方法]
[0050]接下來，利用圖3所示的流程圖，對本實施方式中的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板(以下，簡單稱作玻璃基板。)的制造方法進(jìn)行說明。圖3是示出實施方式中的玻璃基板I的制造方法的流程圖。
[0051]本實施方式中的玻璃基板的制造方法具備玻璃坯料準(zhǔn)備工序(步驟S10)、玻璃基板形成工序(步驟S20)、磨削/研磨工序(步驟S30)、化學(xué)強化工序(步驟S40)、和清洗工序(步驟S50)?？梢詫?jīng)過化學(xué)強化處理工序(步驟S40)得到的玻璃基板(相當(dāng)于圖1中的玻璃基板I)實施磁薄膜形成工序(步驟S60)。通過磁薄膜形成工序(步驟S60)，可以得到作為信息記錄介質(zhì)的磁盤10。
[0052]以下，在對這各個步驟SlO?S60的詳細(xì)情況依次進(jìn)行說明的下述內(nèi)容中，未記載在各步驟SlO?S60之間適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行的簡易清洗。
[0053](玻璃坯料準(zhǔn)備工序)
[0054]在玻璃坯料準(zhǔn)備工序(步驟S10)中，使得待構(gòu)成玻璃基板的玻璃材料熔融(步驟Sll)。玻璃材料例如采用通常的鋁硅酸鹽玻璃。鋁硅酸鹽玻璃含有58%質(zhì)量百分比?75%質(zhì)量百分比的Si02、5 %質(zhì)量百分比?23 %質(zhì)量百分比的A1203、3 %質(zhì)量百分比?10 %質(zhì)量百分比的Li20、4%質(zhì)量百分比?13%質(zhì)量百分比的Na2O作為主要成分。熔融的玻璃材料在流入下模上后，通過上模和下模進(jìn)行沖壓成型(步驟S12)。通過沖壓成型形成了圓盤狀的玻璃坯料(玻璃母材)。
[0055]玻璃坯料可以利用磨削磨具切出通過下拉(down draw)法或浮法形成的片狀玻璃(板狀玻璃)而形成。另外，玻璃材料不限于鋁硅酸鹽玻璃，可以是任意的材料。
[0056](玻璃基板形成工序)
[0057]接下來，在玻璃基板形成工序(步驟S20)中，以提高尺寸精度和形狀精度為目的，對沖壓成型而成的玻璃坯料的兩方的主表面實施第I摩擦工序(步驟S21)。玻璃坯料的兩方的主表面是指經(jīng)過后述的各處理而成為圖1中的正面主表面IA的主表面、和成為背面主表面IB的主表面(以下，稱作兩個主表面)。例如，通過使用粒度#400的氧化鋁磨粒(粒徑大約40?60 μ m)，精加工成表面粗糙度Rmax為6 μ m左右。
[0058]在第I摩擦工序后，使用圓筒狀的金剛石鉆頭等，對玻璃坯料的中心部實施取芯(內(nèi)周切除)處理(步驟S22)。通過取芯處理，可以得到在中心部開設(shè)有孔的圓環(huán)狀的玻璃基板。也可以對中心部的孔實施規(guī)定的倒角加工。
[0059]另外，利用刷子將玻璃基板的外周端面和內(nèi)周端面研磨成鏡面狀(步驟S22)。作為研磨磨粒，可以采用含有氧化鈰磨粒的漿料。
[0060](磨削/研磨工序)
[0061]接下來，在磨削/研磨工序(步驟S30)中，對玻璃基板的兩個主表面實施第2摩擦工序(步驟S31)。第2摩擦工序(步驟S31)使用雙面磨削裝置來進(jìn)行，該雙面磨削裝置利用了行星齒輪機構(gòu)。具體來說，從上下將平臺按壓至玻璃坯料的兩個主表面，將水、磨削液或潤滑液供給至兩個主表面上，使玻璃坯料和摩擦平臺相對移動，來進(jìn)行第2摩擦工序。
[0062]通過第2摩擦工序(步驟S31)，對玻璃基板的大致的平行度、平坦度、以及厚度等進(jìn)行預(yù)調(diào)整，從而得到具有大致平坦的主表面的玻璃母材。在第2摩擦工序中，為了減少產(chǎn)生的磨痕，使用比所述第I摩擦工序微細(xì)的磨粒。例如，通過在平臺上安裝金剛石磨削墊等固定磨粒，將玻璃基板的兩個面上精加工至表面粗糙度Rmax為2μπι左右。
[0063]在此，參照圖4，對雙面磨削裝置1000的概要結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖4是在第2摩擦工序中使用的雙面磨削裝置1000的局部立體圖。
[0064]雙面磨削裝置1000具備:上平臺(上側(cè)磨具保持平臺)300 ;下平臺(下側(cè)磨具保持平臺)400 ;上側(cè)磨削墊310，其被安裝于上平臺300的與下平臺400相對的一側(cè)(玻璃基板側(cè))的下表面上；以及下側(cè)磨削墊410，其被安裝于下平臺400的與上平臺300相對的一側(cè)(玻璃基板側(cè))的上表面上。
[0065]上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410是用于對玻璃基板I的兩個主表面進(jìn)行磨削加工的加工工具。上平臺300和下平臺400相對于載具500的公轉(zhuǎn)方向相互朝相反方向旋轉(zhuǎn)。在形成于上平臺300和下平臺400之間的間隙中配置有載具500。多個盤狀的玻璃基板I被保持在該載具500上。另外，之后會對載具500的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。
[0066]可以在第2摩擦工序(步驟S31)中進(jìn)行上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410的表面清洗。上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊的表面清洗可以在第2摩擦工序(步驟S31)中的任意工序中進(jìn)行，也可以在磨削/研磨工序(步驟S30)中的任意工序之間進(jìn)行，或者，還可以在磨削/研磨工序(步驟S30)結(jié)束后進(jìn)行。
[0067]在對玻璃基板I的兩個主表面進(jìn)行一次或多次磨削加工后，在雙面磨削裝置1000中進(jìn)行上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410的表面清洗。上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410的表面可以在每進(jìn)行一次或多次磨削時定期被清洗，或者，也可以不定期地被清洗。
[0068]接下來，作為第I拋光工序(粗研磨)，去除在第2摩擦工序(步驟S31)中殘留在玻璃基板的兩個主表面上的劃痕，同時對玻璃基板的翹曲進(jìn)行矯正(步驟S33)。在第I拋光工序中，使用利用了行星齒輪機構(gòu)的雙面研磨裝置。例如，使用硬質(zhì)絲絨、聚氨酯發(fā)泡件、或浙青浸潰絨面革等研磨墊進(jìn)行研磨。作為研磨劑，采用了以通常的氧化鈰磨粒為主要成分的漿料。
[0069]在第2拋光工序(精密研磨)中，對玻璃基板再次實施研磨加工，以消除殘留在玻璃基板的兩個主表面上的微小缺陷等(步驟S34)。玻璃基板的兩個主表面通過被精加工成鏡面狀，形成為所希望的平坦度，玻璃基板的翹曲也被消除。在第2拋光工序中，使用利用了行星齒輪機構(gòu)的雙面研磨裝置。例如，使用以絨面革或絲絨為材料的作為軟質(zhì)拋光器的研磨墊，進(jìn)行研磨。作為研磨劑，使用了以比在第I拋光工序中使用的氧化鈰微細(xì)的通常的膠體二氧化硅為主要成分的漿料。
[0070](化學(xué)強化工序)
[0071]在清洗玻璃基板后，使玻璃基板浸潰于化學(xué)強化處理液中，由此在玻璃基板的兩個主表面形成化學(xué)強化層(步驟S40)。在清洗玻璃基板I后，將玻璃基板I浸潰于被加熱至300°C的硝酸鉀(70% )和硝酸鈉(30% )的混合用液等化學(xué)強化處理液中30分鐘左右，由此進(jìn)行化學(xué)強化。
[0072]玻璃基板I中含有的鋰離子、鈉離子等堿金屬離子被離子半徑比這些離子大的鉀離子等堿金屬離子置換(離子交換法)。
[0073]由于因離子半徑不同而產(chǎn)生的變形，在進(jìn)行了離子交換后的區(qū)域中產(chǎn)生壓縮應(yīng)力，從而將玻璃基板I的兩個主表面強化。例如，在玻璃基板I的兩個主表面上，可以在從玻璃基板I的表面起大約5 μ m的范圍內(nèi)形成化學(xué)強化層，從而提高玻璃基板I的剛性。如上所述那樣，可以得到相當(dāng)于圖1所示的玻璃基板I的玻璃基板。
[0074]也可以對玻璃基板I進(jìn)一步實施兩個主表面上的去除量為0.1 μ m以上且0.5 μ m以下的拋光處理。通過將經(jīng)過了化學(xué)強化工序后殘留在玻璃基板I的主表面上的附著物去除，可以減少在使用玻璃基板I制造出的磁盤上產(chǎn)生磁頭碰撞的情況。另外，通過將拋光處理的兩個主表面上的去除量設(shè)定為0.1 μ m以上且0.5 μ m以下，不會在表面上出現(xiàn)因化學(xué)強化處理而產(chǎn)生的應(yīng)力不均勻性。本實施方式中的玻璃基板的制造方法如以上那樣構(gòu)成。
[0075]另外，也可以在第I拋光工序(粗研磨)與第2拋光工序(精密研磨)之間實施化學(xué)強化工序。
[0076](清洗工序)
[0077]接下來，對玻璃基板進(jìn)行清洗(步驟S50)。利用洗滌劑、純水、臭氧、IPA(異丙醇)、或UV (ultrav1let:紫外線)臭氧等對玻璃基板的兩個主表面進(jìn)行清洗，由此，附著在玻璃基板的兩個主表面上的附著物被去除。
[0078]然后，利用光學(xué)式缺陷檢查裝置等檢查玻璃基板I的表面上的附著物數(shù)量。
[0079](磁薄膜形成工序)
[0080]在完成化學(xué)強化處理后的玻璃基板(相當(dāng)于圖1所示的玻璃基板I)的兩個主表面(或任意一個主表面)上形成磁性膜，由此形成磁薄膜層2。磁薄膜層是通過使以下各層依次成膜而形成的:由Cr合金構(gòu)成的緊密貼合層、由CoFeZr合金構(gòu)成的軟磁性層、由Ru構(gòu)成的取向控制基底層、由CoCrPt合金構(gòu)成的垂直磁記錄層、由C類構(gòu)成的保護(hù)層和由F類構(gòu)成的潤滑層。通過形成磁薄膜層，能夠得到相當(dāng)于圖2所示的磁盤10的垂直磁記錄盤。
[0081]本實施方式中的磁盤是由磁薄膜層構(gòu)成的垂直磁盤的一個例子。磁盤也可以由磁性層等構(gòu)成為所謂的面內(nèi)磁盤。
[0082](載具500)
[0083]接下來，參照圖5至圖7，對在上述磨削/磨削工序中的第2摩擦工序中使用的雙面磨削裝置1000所采用的載具500的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖5是示出本實施方式中的載具500的俯視圖，圖6是示出本實施方式中的載具的尺寸關(guān)系的俯視圖，圖7是玻璃基板I的俯視圖。
[0084]參照圖5，本實施方式中的載具500具有圓盤形狀的主體510，其厚度為大約
0.30mm?2.2mm，選擇比要保持的玻璃基板I的厚度薄的厚度。載具500的直徑為大約430mm。主體510可以采用芳綸纖維、FRP (玻璃環(huán)氧樹脂)、PC (聚碳酸酯)等。
[0085]在載具500上設(shè)置有23處保持玻璃基板I的貫穿保持孔520。在本實施方式中，貫穿保持孔520具有:一個第I貫穿保持孔520C，其被配置在載具500的中心位置Cl的附近；和22個第2貫穿保持孔520P,它們圍繞該第I貫穿保持孔520C呈環(huán)狀地配置。在本實施方式中，第2貫穿保持孔520P被排列成為雙重環(huán)狀，在內(nèi)環(huán)狀線rl上，以等間隔排列有8個貫穿保持孔520P，在外環(huán)狀線r2上，以等間隔排列有14個貫穿保持孔520P。貫穿保持孔520的直徑為大約66.5mm。
[0086]在此，參照圖6，在將玻璃基板I的直徑設(shè)為Dmm、并將從載具500的中心位置Cl至第I貫穿保持孔520C的中心位置C2的距離設(shè)為的情況下，第I貫穿保持孔520C的中心位置C2被設(shè)置在滿足[(D/4) ^ (D/2)]的關(guān)系式的位置(圖中以S表示的陰影區(qū)域)處。
[0087]在本實施方式中，玻璃基板I的直徑D是65mm，因此第I貫穿保持孔520C的中心位置C2被設(shè)置在滿足16.25mm ^ r ^ 32.5mm的位置處。
[0088]本實施方式中的雙面磨削裝置1000將5個載具500呈環(huán)狀地配置在上平臺300與下平臺400之間。在載具500的外周面設(shè)置有齒輪，但是省略了齒輪的圖示。另外，載具500的半徑是指在齒輪的齒頂圓處測量的情況下的尺寸。
[0089]在此，參照圖8和圖9，對下述情況下的雙面磨削裝置1000進(jìn)行說明:載具500的中心位置Cl和第I貫穿保持孔520C的中心位置C2重合，即，將第I貫穿保持孔520C設(shè)置于載具500的中心。圖8示出了將第I貫穿保持孔520C設(shè)置于載具500的中心的情況下的載具500。
[0090]在使用該圖8所示的載具500并利用雙面磨削裝置1000進(jìn)行了玻璃基板I的雙面磨削的情況下，如圖9所示，在驅(qū)動雙面磨削裝置1000時，配置在中心的玻璃基板I集中通過下側(cè)磨削墊410的相同位置、即中間帶區(qū)域BL1。
[0091]玻璃基板I集中通過下側(cè)磨削墊410的相同位置即中間帶區(qū)域BLl這一情況使得在磨削工序中，在作為固定磨粒的下側(cè)磨削墊410上的、玻璃基板I通過的部分，產(chǎn)生下側(cè)磨削墊410的不均勻磨損，從而在下側(cè)磨削墊410的中間帶區(qū)域BLl產(chǎn)生截面為凹形的臺階(壓痕)。
[0092]如果在下側(cè)磨削墊410上產(chǎn)生臺階，則容易在玻璃基板I的表面產(chǎn)生由該臺階而引起的磨削損傷(劃痕)。另外，為了消除該磨削損傷，在此后的研磨工序中需要長時間的加工(較大的去除量)?？墒?，在后面的研磨工序、特別是最終研磨工序(精密研磨)中大多使用低硬度的研磨墊，如果最終研磨工序的時間變長，則玻璃基板的端面形狀惡化。這并不限于下側(cè)磨削墊410，在上側(cè)磨削墊410上也會產(chǎn)生相同的現(xiàn)象。
[0093]另一方面，圖5所示的本實施方式中的載具500被設(shè)置成，第I貫穿保持孔520C的中心位置C2處于從載具500的中心位置Cl偏離的、滿足[(D/4) ^ (D/2)]的關(guān)系式的位置(圖中由S表示的區(qū)域)處。
[0094]由此，即使在通過雙面磨削裝置1000進(jìn)行玻璃基板I的雙面磨削的情況下，也可以抑制被第I貫穿保持孔520C保持的玻璃基板I通過上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410的相同位置的情況。
[0095]其結(jié)果是，抑制了上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410的不均勻磨損的產(chǎn)生，減少了在上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410上產(chǎn)生截面為凹形的臺階(壓痕)的情況，從而能夠抑制由該臺階引起的磨削損傷(劃痕)出現(xiàn)在玻璃基板I的表面上。
[0096](實施例)
[0097]下面，對上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法的各實施例和各比較例進(jìn)行說明。在以下所示的各實施例和各比較例中，到圖3所示的S20的“玻璃基板成形工序”為止，如上述的說明那樣來實施。玻璃基板的個數(shù)對每一個條件來說都是總計115個。
[0098](第2摩擦工序)
[0099]接著之前的工序?qū)嵤┝说?摩擦工序。在上側(cè)磨削墊和下側(cè)磨削墊中使用了作為固定磨粒的、磨粒直徑9μπι的金剛石磨削墊。在實施例1和實施例2中，使用了從載具500的中心位置Cl至第I貫穿保持孔520C的中心位置C2的距離r為20mm的載具。另一方面，在比較例I中，使用了將第I貫穿保持孔520C的中心位置C2設(shè)置于載具500的中心位置Cl的載具,在比較例2中，使用了 r為16.25mm以下即15mm的載具。
[0100]另外，在實施例2中，如圖10所示，使用了這樣的玻璃基板1:在比圍繞第I貫穿保持孔520C呈環(huán)狀地配置的第2貫穿保持孔520p更靠載具500的半徑方向內(nèi)側(cè)的位置處，具有直徑比貫穿保持孔520小的輔助貫穿孔520M。在該玻璃基板上設(shè)有4個輔助貫穿孔520M。輔助貫穿孔520M的直徑為26mm，從載具500的中心位置Cl至輔助貫穿孔520M的中心位置的距離為50_。
[0101]關(guān)于該輔助貫穿孔520M，在僅將I個第I貫穿保持孔520C設(shè)置于從載具500的中心位置Cl偏離的位置的情況下，載具500的重心位置偏離，從而在磨削過程中載具可能產(chǎn)生變形，可能對上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410造成損傷。因此，可以將輔助貫穿孔520M設(shè)置在使得載具500的重心位置成為載具500的中心位置的位置處。由此，能夠抑制因載具500變形而造成的上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410中的損傷產(chǎn)生。
[0102]另外，在各實施例和各比較例中，利用在第2摩擦工序中使用的雙面磨削裝置預(yù)先進(jìn)行了事先加工，將上下磨削墊表現(xiàn)出固有趨勢的條件統(tǒng)一后實施了第2摩擦工序，其中，在該事先加工中使用了在本試驗中使用的玻璃基板之外的玻璃基板。具體來說，在進(jìn)行本試驗之前，使用在各實施例和各比較例中采用的載具，并利用在本試驗中使用的雙面磨削裝置，以累計加工時間分別為大致共計40小時的方式，進(jìn)行了事先的玻璃基板加工。在事先加工中，使用了與按照到上述S22工序為止的過程制成的玻璃基板相同的玻璃基板。通過事先加工，可以觀察該實施例/比較例的載具所固有的、對磨削墊的磨損。
[0103](表面粗糙度測量)
[0104]在第2摩擦工序(S31)結(jié)束后，對通過各實施例和各比較例得到的玻璃基板進(jìn)行了表面粗糙度的測量。在表面粗糙度的測量中使用了株式會社KEYENCE公司制的、形狀測量激光顯微鏡VK9700。
[0105]針對測量玻璃基板的表面Imm2所得到的結(jié)果，都進(jìn)行了評價。在實施例1和實施例2中，與比較例I和比較例2相比，表面的粗糙度較低，可確認(rèn)到的較深損傷的數(shù)量較少。
[0106](第I拋光工序(粗研磨))
[0107]實施了第I拋光工序(粗研磨)，直至達(dá)到認(rèn)為在表面上觀察到的研磨痕消失的加工量為止。在實施例1和實施例2中，與比較例I和比較例2相比較，能夠縮短所需加工時間。
[0108]接下來，實施了第2拋光工序(精密研磨)。在各實施例和各比較例中，使加工條件相同。在此，在各實施例和各比較例中，主要通過第I拋光工序來實現(xiàn)研磨痕的去除，雖然在第2拋光工序中使加工條件相同，但主要利用第2拋光工序調(diào)整加工量，即使在要除去研磨痕的情況下，也能夠通過同樣的方法來縮短加工時間。特別是在第2拋光工序中使用的研磨墊的硬度比在第I拋光工序中使用的研磨墊低的情況下，在第2拋光工序中，容易在玻璃基板上產(chǎn)生面塌角，但是，通過與本實施例相同的方法，能夠期待縮短加工時間并防止面塌角這樣的效果。
[0109](玻璃基板的端面測量)
[0110]圖11示出實施例1、實施例2和比較例1、比較例2的評價結(jié)果。針對通過實施例1、實施例2和比較例1、比較例2所得到的玻璃基板，使用觸針式表面測量儀，從玻璃基板的中心朝向半徑方向測量Rl (22.25mm)這一點、R2 (27.25mm)這一點、以及R3 (31.25mm)這一點處的玻璃基板的高度，作為玻璃基板的端面部分的形狀，將連接Rl和R2處的高度的線作為基準(zhǔn)線，分析出了 R3位置處的高度的相對位移量。將該分析結(jié)果為±0.18 μ m以內(nèi)的產(chǎn)品判定為合格品。
[0111]另外，在實施例1、2和比較例1、2中，分別對50個玻璃基板進(jìn)行端面測量，調(diào)查合格品的比例，將86%以上的玻璃基板在±0.18 μ m以內(nèi)的情況設(shè)定為評價“A”，并認(rèn)為合格，在不足86%的情況下，設(shè)定為評價“C”，并認(rèn)為不合格。
[0112]如圖11所示，對于端面測量的結(jié)果，在實施例1和實施例2中得到了評價“A”。在比較例I和比較例2中為評價“C”。
[0113]這樣，關(guān)于端面測量的結(jié)果，在比較例I和比較例2中，端面形狀較差，而在實施例1和實施例2中，端面形狀良好。在比較例I和比較例2中，第I拋光工序(粗研磨)的加工時間相比實施例1和實施例2增加，因此，可以想到，隨著該加工時間的增加，玻璃基板的端面形狀惡化。
[0114]對于在實施例1和實施例2中使用的磨削平臺，在正式加工后測量了上下的磨削墊的平均厚度。關(guān)于對上側(cè)磨削墊和下側(cè)磨削墊的厚度測量，對內(nèi)周附近、中間帶區(qū)域、夕卜周附近分別各測量2處共計6處，進(jìn)而求出了上側(cè)磨削墊和下側(cè)磨削墊的平均值。
[0115]如圖11所示，與實施例1相比較，在實施例2中，上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410的磨損的平均值較小，為20 μ m左右。這是因為，在實施例2的情況下，通過設(shè)置輔助貫穿孔520M，將載具500的重心位置校正為載具500的中心位置Cl，由此，與實施例1的載具500相比，載具500所產(chǎn)生的鉛直方向的變形減小，從而抑制了上側(cè)磨削墊310和下側(cè)磨削墊410中的損傷產(chǎn)生。
[0116]進(jìn)而，對通過上述實施例1-2和比較例1-2得到的玻璃基板實施了圖3所示的化學(xué)強化工序(S40)、清洗工序(S50)和磁薄膜形成工序(S60)，得到了信息記錄介質(zhì)。
[0117]將該信息記錄介質(zhì)裝入硬盤驅(qū)動器，進(jìn)行了讀寫試驗。使用了通過比較例1-2得到的玻璃基板的信息記錄介質(zhì)在信息記錄介質(zhì)的外周附近產(chǎn)生了無法記錄的區(qū)。另一方面，使用了通過實施例1-2得到的玻璃基板的信息記錄介質(zhì)即使在信息記錄介質(zhì)的外周附近也能夠?qū)崿F(xiàn)良好的記錄。
[0118]如以上那樣對本發(fā)明的實施方式和實施例進(jìn)行了說明，應(yīng)該認(rèn)為此次公開的實施方式和實施例在所有方面都是例示而不受限制。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書、而不由上述說明來表示，旨在包含與權(quán)利要求同等的意思和范圍內(nèi)的所有變更。
[0119]標(biāo)號說明
[0120]IA:正面主表面；1B:背面主表面；1C:內(nèi)周端面；1D:外周端面；1H:孔；2:磁薄膜層；10:磁盤；300:上平臺；310:上側(cè)磨削墊;310g、410g:槽；400:下平臺；410:下側(cè)磨削墊；500:載具；510:主體；520:貫穿保持孔；520C:第I貫穿保持孔；520P:第2貫穿保持孔；520M:輔助貫穿孔；1000:雙面磨削裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，所述信息記錄介質(zhì)在圓盤形狀的玻璃基板的主表面上形成有磁薄膜層，在所述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中， 具有表面磨削工序，在該表面磨削工序中，利用具備行星齒輪機構(gòu)的雙面磨削裝置，一邊供給水、磨削液或潤滑液一邊磨削所述玻璃基板的主表面， 所述雙面磨削裝置具備: 上平臺，其位于所述玻璃基板的上側(cè)，且在該上平臺的所述玻璃基板側(cè)具有上側(cè)磨削墊； 下平臺，其位于所述玻璃基板的下側(cè)，且在該下平臺的所述玻璃基板側(cè)具有下側(cè)磨削墊；以及 圓盤狀的載具，其設(shè)有多個保持所述玻璃基板的貫穿保持孔，所述載具被所述上側(cè)磨削墊和所述下側(cè)磨削墊夾著，并且通過所述行星齒輪機構(gòu)進(jìn)行規(guī)定的旋轉(zhuǎn)運動， 所述貫穿保持孔具有:被配置在所述載具的中心位置附近的一個第I貫穿保持孔；和圍繞所述第I貫穿保持孔呈環(huán)狀地配置的多個第2貫穿保持孔， 在將所述玻璃基板的直徑設(shè)為Dmm、并將從所述載具的中心位置至所述第I貫穿保持孔的中心位置的距離設(shè)為r_的情況下，所述第I貫穿保持孔的中心位置被設(shè)置在滿足[(D/4) ^ (D/2)]的關(guān)系式的位置處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中， 在所述載具的、比圍繞所述第I貫穿保持孔呈環(huán)狀地配置的所述第2貫穿保持孔靠所述載具的半徑方向內(nèi)側(cè)的位置處，還具有直徑比所述貫穿保持孔小的輔助貫穿孔。
3.一種信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)具備: 玻璃基板，其是通過信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法得到的；和 磁薄膜層，其形成在所述玻璃基板的主表面上， 所述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法具有表面磨削工序，在該表面磨削工序中，利用具備行星齒輪機構(gòu)的雙面磨削裝置，一邊供給水、磨削液或潤滑液一邊磨削所述玻璃基板的主表面， 所述雙面磨削裝置具備: 上平臺，其位于所述玻璃基板的上側(cè)，且在該上平臺的所述玻璃基板側(cè)具有上側(cè)磨削墊； 下平臺，其位于所述玻璃基板的下側(cè)，且在該下平臺的所述玻璃基板側(cè)具有下側(cè)磨削墊；以及 圓盤狀的載具，其設(shè)有多個保持所述玻璃基板的貫穿保持孔，所述載具被所述上側(cè)磨削墊和所述下側(cè)磨削墊夾著，并且通過所述行星齒輪機構(gòu)進(jìn)行規(guī)定的旋轉(zhuǎn)運動， 所述貫穿保持孔具有:被配置在所述載具的中心位置附近的一個第I貫穿保持孔；和圍繞所述第I貫穿保持孔呈環(huán)狀地配置的多個第2貫穿保持孔， 在將所述玻璃基板的直徑設(shè)為Dmm、并將從所述載具的中心位置至所述第I貫穿保持孔的中心位置的距離設(shè)為r_的情況下，所述第I貫穿保持孔的中心位置被設(shè)置在滿足[(D/4)(D/2)]的關(guān)系式的位置處。
【文檔編號】B24B37/08GK104170013SQ201380011847
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】小松隆史 申請人:Hoya株式會社