雙體雙面真空鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及真空鍍膜設(shè)備，具體是一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備。包括鍍膜室、真空系統(tǒng)、控制真空系統(tǒng)的電控系統(tǒng)，鍍膜室為兩個(gè)，鍍膜室均包括外筒體與置于外筒體內(nèi)部的內(nèi)筒體，內(nèi)筒體與外筒體之間的密閉空間為鍍膜區(qū)，內(nèi)筒體、外筒體相對(duì)的側(cè)面上均設(shè)有離子發(fā)射裝置。本設(shè)備兩個(gè)獨(dú)立的鍍膜室可對(duì)待鍍工件同時(shí)實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜，大大提高生產(chǎn)效率；采用內(nèi)外筒體結(jié)構(gòu)的鍍膜室有效減小鍍膜室的空閑容積，降低真空泵的功耗；用一套共用電源和控制系統(tǒng)，可降低生產(chǎn)成本；低真空系統(tǒng)和高真空系統(tǒng)通過(guò)轉(zhuǎn)換閥門交替為兩個(gè)鍍膜室抽真空，大大提高了真空系統(tǒng)的利用率。本設(shè)備不僅適用于多弧離子鍍，也適用于磁控濺射鍍、蒸發(fā)鍍膜。
【專利說(shuō)明】雙體雙面真空鍍膜設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及真空鍍膜設(shè)備，具體是一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]鍍膜機(jī)鍍膜室和真空系統(tǒng)及電控系統(tǒng)設(shè)計(jì)直接關(guān)系到鍍膜機(jī)的生產(chǎn)效率、能耗和成本。目前的真空離子鍍膜機(jī)由一個(gè)單筒體鍍膜室、一套真空系統(tǒng)和一套電控系統(tǒng)組成，采用單筒體鍍膜室，受真空鍍膜離子發(fā)射距離的限制，由一部分鍍膜室空間不能得到有效利用，同時(shí)增大了鍍膜室的抽氣容積，導(dǎo)致增大了抽氣時(shí)間和真空系統(tǒng)的能耗和設(shè)備磨損，一套真空系統(tǒng)，在鍍膜機(jī)裝卸工件時(shí)，真空系統(tǒng)中的擴(kuò)散泵、維持泵不能停機(jī)，導(dǎo)致利用率低下和不必要的能耗；電源和控制系統(tǒng)停機(jī)時(shí)處于閑置狀態(tài)，電控系統(tǒng)不能充分利用，致使降低生產(chǎn)效率，增大能耗，設(shè)備價(jià)格高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在解決【背景技術(shù)】所述問(wèn)題，而提供一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，該設(shè)備能最大限度地降低對(duì)能源的消耗，提高設(shè)備的利用率，提高生產(chǎn)的效率。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，包括鍍膜室、真空系統(tǒng)、控制真空系統(tǒng)的電控系統(tǒng)，鍍膜室為兩個(gè)，鍍膜室均包括外筒體與置于外筒體內(nèi)部的內(nèi)筒體，內(nèi)筒體與外筒體之間的密閉空間為鍍膜區(qū)，內(nèi)筒體、外筒體相對(duì)的側(cè)面上均設(shè)有離子發(fā)射裝置。
[0005]作為對(duì)本技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，真空系統(tǒng)包括低真空系統(tǒng)、高真空系統(tǒng)，任一鍍膜室分別通過(guò)低真空轉(zhuǎn)換閥門、高真空轉(zhuǎn)換閥門與低真空系統(tǒng)、高真空系統(tǒng)相連通。
[0006]作為對(duì)本技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，電控系統(tǒng)包括，電源、轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)、控制系統(tǒng)，轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)控制電源，控制系統(tǒng)控制低真空轉(zhuǎn)換閥門、高真空轉(zhuǎn)換閥門順次為不同的鍍膜室抽真空。
[0007]作為對(duì)本技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，內(nèi)筒體與外筒體為組合體，內(nèi)筒體可拆卸。
[0008]本發(fā)明采用的技術(shù)方案的核心點(diǎn)在于:一套真空鍍膜設(shè)備，由兩個(gè)獨(dú)立的鍍膜室，A室和B室，每個(gè)鍍膜室分為內(nèi)外筒體，內(nèi)外筒體上均設(shè)有離子發(fā)射裝置，實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜，同時(shí)，兩個(gè)鍍膜室共用一套電源和控制系統(tǒng)、低真空系統(tǒng)和高真空系統(tǒng)，兩個(gè)鍍膜室交替鍍膜工作，共用電源采用轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)供電；低真空系統(tǒng)和高真空系統(tǒng)分別用轉(zhuǎn)換閥門控制的新型雙體雙面真空鍍膜設(shè)備。采用本發(fā)明雙體雙面真空鍍膜設(shè)備能降低制造成本40-50%，提高用電效率30-40%，提高生產(chǎn)效率50%以上。
[0009]本發(fā)明所述雙體雙面真空鍍膜設(shè)備的關(guān)鍵組成部分為:組合型內(nèi)外筒體鍍膜室A，組合型內(nèi)外筒體鍍膜室B，共用低真空系統(tǒng)，共用高真空系統(tǒng)，共用電控系統(tǒng)，電控轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，低真空轉(zhuǎn)換閥門，高真空轉(zhuǎn)換閥門組成。
[0010]本技術(shù)方案的一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備工作過(guò)程如下:
將被鍍工件裝入A鍍膜室上蓋的掛架上，將上蓋蓋在A室上，使A室內(nèi)部形成密閉的鍍膜區(qū)。
[0011]將電控系統(tǒng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換到A室，關(guān)閉B室高真空系統(tǒng)閥門和低真空系統(tǒng)閥門。開(kāi)啟低真空系統(tǒng)和高真空系統(tǒng)，打開(kāi)A室低真空系統(tǒng)閥門，對(duì)A室進(jìn)行低真空抽氣，當(dāng)A室達(dá)到低真空狀態(tài)后，關(guān)閉A室低真空閥門，打開(kāi)A室高真空閥門，對(duì)A室進(jìn)行高真空抽氣，當(dāng)A室達(dá)到鍍膜工藝要求的真空度時(shí)，開(kāi)啟蒸發(fā)源電源，鍍膜室內(nèi)外筒上的離化源同時(shí)對(duì)工件進(jìn)行鍍膜作業(yè)，實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜，當(dāng)完成鍍膜作業(yè)后，關(guān)閉高真空系統(tǒng)閥門，開(kāi)啟A室放氣閥門，吊起A室上蓋，卸下鍍好的工件，完成鍍膜作業(yè)，再次安裝被鍍工件，等待下一次鍍膜。
[0012]在A室鍍膜作業(yè)的同時(shí)，將工件裝在B室上蓋的掛架上，之后，將上蓋蓋在B室上，使B室內(nèi)部形成密閉的鍍膜區(qū)，當(dāng)A室完成鍍膜作業(yè)后，立即將電控系統(tǒng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換到B室，開(kāi)啟B室低真空系統(tǒng)閥門，對(duì)B室進(jìn)行低真空抽氣，當(dāng)B室達(dá)到低真空狀態(tài)后，關(guān)閉B室低真空閥門，打開(kāi)B室高真空閥門，對(duì)B室進(jìn)行高真空抽氣，當(dāng)B室達(dá)到鍍膜工藝要求的真空度時(shí)，開(kāi)啟蒸發(fā)源電源，鍍膜室內(nèi)外筒上的離化源同時(shí)對(duì)工件進(jìn)行鍍膜作業(yè)，當(dāng)完成鍍膜工作后，關(guān)閉高真空系統(tǒng)閥門，開(kāi)啟B室放氣閥門，將轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到A室，A室進(jìn)行鍍膜作業(yè)。
[0013]采用轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)控制共用供電電源，用轉(zhuǎn)換閥門控制共用低真空系統(tǒng)和高真空系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)鍍膜室交替鍍膜工作。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案的技術(shù)效果體現(xiàn)在:
(1)本實(shí)用雙體雙面真空鍍膜設(shè)備具有兩個(gè)獨(dú)立工作的鍍膜室，每個(gè)鍍膜室分為內(nèi)外筒體，內(nèi)外筒體上均設(shè) 有離子發(fā)射裝置，可對(duì)待鍍工件同時(shí)實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜，大大提高生產(chǎn)效率；
(2)同時(shí)由于采用內(nèi)外筒體的結(jié)構(gòu)，能有效減小鍍膜室的空閑的容積，減少工作時(shí)抽真空時(shí)間，降低了真空泵的功耗，還可以延長(zhǎng)真空泵和真空閥門的使用壽命；
(3)用一套共用電源和控制系統(tǒng)，可降低生產(chǎn)成本，提高電源盒控制系統(tǒng)使用效率；共用低真空系統(tǒng)和高真空系統(tǒng)可用一套真空系統(tǒng)通過(guò)轉(zhuǎn)換閥門交替為兩個(gè)鍍膜室抽真空，大大提聞了真空系統(tǒng)的利用率；
(4)新型雙體雙面真空鍍膜設(shè)備不僅適用于多弧離子鍍，也適用于磁控濺射鍍、蒸發(fā)鍍
膜；
(5)內(nèi)外筒體為組合筒體，內(nèi)筒體可拆卸，當(dāng)拆除內(nèi)筒體后，可實(shí)現(xiàn)超大工件的鍍膜。達(dá)到降低制造成本、降低能耗、提高生產(chǎn)效率等目的，完全滿足鍍膜工藝要求，具有廣闊的市場(chǎng)空間。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是圖1的俯視圖。
[0017]附圖標(biāo)記說(shuō)明:1 一聞?wù)婵障到y(tǒng)；2—聞?wù)婵辙D(zhuǎn)換閥門A ;3 —外筒體A ; 4—內(nèi)筒體A ；5 一上蓋；6 —低真空轉(zhuǎn)換閥門A ;7 —低真空系統(tǒng)；8 —低真空轉(zhuǎn)換閥門B ;9 —外筒體B ；10 —內(nèi)筒體B ；11 —蒸發(fā)源；12 —電控系統(tǒng)；13 —轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)；14 —聞?wù)婵辙D(zhuǎn)換閥門B。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，目的僅在于更好的理解本
【發(fā)明內(nèi)容】
。因此，所舉之例并非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0019]結(jié)合圖1、圖2可知，本實(shí)施例給出的一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，其鍍膜室由A、B兩個(gè)獨(dú)立的鍍膜室組成，鍍膜室A由外筒體A3、設(shè)置在外筒體A3中的內(nèi)筒體A4構(gòu)成，外筒體A3與內(nèi)筒體A4之間的密閉空間為鍍膜區(qū)，外筒體A3與內(nèi)筒體A4相對(duì)的側(cè)面上均設(shè)有作為離子發(fā)射裝置的蒸發(fā)源11 ;鍍膜室B由外筒體B9、設(shè)置在外筒體B9中的內(nèi)筒體BlO構(gòu)成，外筒體B9與內(nèi)筒體BlO之間的密閉空間為鍍膜區(qū)，外筒體B9與內(nèi)筒體BlO相對(duì)的側(cè)面上均設(shè)有作為離子發(fā)射裝置的蒸發(fā)源U。
[0020]上述內(nèi)筒體A4、內(nèi)筒體BlO分別與外筒體A3、外筒體B9為組合體結(jié)構(gòu)，內(nèi)筒體A4和內(nèi)筒體BIO分別可從外筒體A3和外筒體B9中拆卸，將內(nèi)筒體A4和內(nèi)筒體BIO從外筒體A3和外筒體B9拆卸后，即可以用外筒體A3和外筒體B9作為兩個(gè)大空間鍍膜室對(duì)超大工件進(jìn)行鍍膜。
[0021]真空系統(tǒng)包括高真空系統(tǒng)I和低真空系統(tǒng)7，鍍膜室A分別通過(guò)高真空轉(zhuǎn)換閥門A2和低真空轉(zhuǎn)換閥門A6與高真空系統(tǒng)I和低真空系統(tǒng)7相連通；鍍膜室B分別通過(guò)高真空轉(zhuǎn)換閥門B14和低真空轉(zhuǎn)換閥門B8與高真空系統(tǒng)I和低真空系統(tǒng)7相連通。
[0022]電控系統(tǒng)12包括:電源、轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)13、控制系統(tǒng)，轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)13控制電源，控制系統(tǒng)控制高真空轉(zhuǎn)換閥門A2、高真空轉(zhuǎn)換閥門B14和低真空轉(zhuǎn)換閥門A6、低真空轉(zhuǎn)換閥門B8順次為不同的鍍膜室抽真空。[0023]上述A、B兩個(gè)鍍膜室的頂部均設(shè)有密封作用的上蓋5和驅(qū)動(dòng)被鍍膜工件旋轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)的傳動(dòng)系統(tǒng)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，包括鍍膜室、真空系統(tǒng)、控制真空系統(tǒng)的電控系統(tǒng)，其特征在于，所述的鍍膜室為兩個(gè)，所述的鍍膜室均包括外筒體與置于外筒體內(nèi)部的內(nèi)筒體，所述的內(nèi)筒體與外筒體之間的密閉空間為鍍膜區(qū)，所述的內(nèi)筒體、外筒體相對(duì)的側(cè)面上均設(shè)有離子發(fā)射裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述的真空系統(tǒng)包括低真空系統(tǒng)、高真空系統(tǒng)，所述的任一鍍膜室分別通過(guò)低真空轉(zhuǎn)換閥門、高真空轉(zhuǎn)換閥門與所述的低真空系統(tǒng)、高真空系統(tǒng)相連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述的電控系統(tǒng)包括，電源、轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)、控制系統(tǒng)，所述的轉(zhuǎn)換 開(kāi)關(guān)控制電源，所述的控制系統(tǒng)控制低真空轉(zhuǎn)換閥門、高真空轉(zhuǎn)換閥門順次為不同的鍍膜室抽真空。
4.根據(jù)權(quán)利要求1一 3任一權(quán)利要求所述的雙體雙面真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述的內(nèi)筒體與外筒體為組合體，所述的內(nèi)筒體可拆卸。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK103741098SQ201410022033
【公開(kāi)日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月19日
【發(fā)明者】李飛, 李蘭民 申請(qǐng)人:遵化市超越鈦金設(shè)備有限公司