濺射鍍膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種濺射鍍膜的方法。該濺射鍍膜的方法包括提供基板，將所述基板放置于定位托盤中；將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中；以及在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟。上述濺射鍍膜方法將基板放置于定位托盤中，然后將定位托盤傳送入臥式濺射室中進行鍍膜，這種臥式工藝中，基板直接放置于定位托盤中不會掉落，無需采用夾具固定基板，避免了邊緣效應和產(chǎn)品破裂的風險，產(chǎn)品良率高。
【專利說明】濺射鍍膜的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及鍍膜【技術領域】，特別是涉及一種濺射鍍膜的方法。
【背景技術】
[0002]目前工藝上常采用的鍍膜方法一般為濺射鍍膜。濺射鍍膜的方法中，立式濺射鍍膜工藝采用立式鍍膜設備進行鍍膜。立式鍍膜設備的發(fā)展較為迅速，立式鍍膜工藝成熟，性能穩(wěn)定，性價比高。
[0003]然而，立式鍍膜需要用夾具固定基板，使得產(chǎn)品的邊緣效應明顯，且產(chǎn)品破裂的風險較聞。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]基于此，有必要提供一種能夠避免邊緣效應和產(chǎn)品破裂風險的濺射鍍膜的方法。
[0005]一種濺射鍍膜的方法，包括如下步驟:
[0006]提供基板，將所述基板放置于定位托盤中；
[0007]將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中；以及
[0008]在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜。
[0009]在其中一個實施例中，所述將所述基板放置于定位托盤中的步驟之前還包括對所述基板進行清洗和干燥的步驟，所述清洗和干燥的步驟為:將所述基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥。
[0010]在其中一個實施例中，所述將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中的步驟是采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中。
[0011]在其中一個實施例中，所述將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中的步驟之前，還包括依次將放置有基板的所述定位托盤依次傳送入第一過渡室和第一緩沖室的步驟。
[0012]在其中一個實施例中，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟后，還包括依次將放置有基板的所述定位托盤從所述臥式濺射室中傳送出來，并依次傳送入第二緩沖室和第二過渡室的步驟。
[0013]在其中一個實施例中，所述臥式濺射室包括第一濺射腔室和第二濺射腔室，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，依次在所述第一濺射腔室和第二濺射腔室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜。
[0014]在其中一個實施例中，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，所述基板的溫度為80°C~100°C。
[0015]在其中一個實施例中，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，真空度為2.5*10_1Pa~3.50*l(T3Pa。
[0016]在其中一個實施例中，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，所述基板的運行速度為1.0m/min~1.4m/min。[0017]在其中一個實施例中，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，濺射電壓為300V~380V。
[0018]上述濺射鍍膜的方法將基板放置于定位托盤中，然后將定位托盤傳送入臥式濺射鍍膜系統(tǒng)中進行鍍膜，這種臥式工藝中，基板直接放置于定位托盤中不會掉落，無需采用夾具固定基板，避免了邊緣效應和產(chǎn)品破裂的風險，產(chǎn)品良率高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為一實施方式的濺射鍍膜的方法的流程圖；
[0020]圖2為圖1所示的濺射鍍膜的方法的示意圖；
[0021]圖3為圖2所示的臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0023]請參閱圖1，一實施方式的濺射鍍膜的方法，包括如下步驟S110、步驟S120和步驟S130。
[0024]步驟SllO:提供基板 ，將基板放置于定位托盤中。
[0025]根據(jù)實際需求選擇基板?；蹇梢詾門FT (Thin-Film Transistor)基板、透明玻璃基板或柔性基板等。
[0026]將基板放置于的定位托盤中的步驟之前，還包括對基板進行清洗和干燥的步驟。清洗和干燥的步驟為:將基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥。
[0027]采用上述清洗步驟能夠徹底基板表面的臟污和灰塵，避免臟污和灰塵對膜層產(chǎn)生不利影響。
[0028]其中，堿液為堿性洗滌劑，如洗衣粉溶液、洗潔精溶液等。
[0029]高壓噴淋是指高壓噴淋超純水，壓力優(yōu)選為lkg/cm2~2kg/cm2,以充分除去基板上的臟污和灰塵，但又不損傷基板，尤其是能夠較好地保護較為脆弱的基板，如TFT基板，避免損傷TFT基板液晶。
[0030]將基板清洗干凈后，依次經(jīng)過冷風和熱風干燥，然后檢查基板表面清潔質(zhì)量，合格，備用。依次用冷風和熱風干燥，有利于減少基板破裂風險，保護基板。
[0031]請同時參閱圖2和圖3，為了實現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)，使用傳送帶100傳送定位托盤200。傳送帶100將定位托盤200傳送至臥式鍍膜系統(tǒng)300的進片室301中。將基板(圖未示)在清洗機400中進行清洗和干燥后，將潔凈、干燥的基板放置于定位托盤200上。優(yōu)選用機械臂(圖未示)將潔凈、干燥的基板放置于進片室301中的定位托盤200上，實現(xiàn)自動化作業(yè)，提聞生廣效率。
[0032]定位托盤200具有放置基板的是支撐平面，基板直接放置于定位托盤200上，在傳送過程中不會掉落，無需使用夾具進行固定。[0033]步驟S120:將放置有基板的定位托盤水平傳送入臥式濺射室中。
[0034]請再次參閱圖3，臥式鍍膜系統(tǒng)300包括進片室301、第一過渡室302、第一緩沖室303、臥式濺射室304、第二緩沖室305、第二過渡室306和出片室307。進片室301、第一過渡室302、第一緩沖室303、臥式濺射室304、第二緩沖室305、第二過渡室306和出片室307均在同一水平面上，方便水平傳輸放置有基板的定位托盤200。
[0035]定位托盤200由傳送帶100傳送至進片室301，潔凈、干燥的基板由機械臂(圖未示)從清洗機400中取出并放置于進片室301中的定位托盤200中后，采用光電感應傳送系統(tǒng)，在傳動軸500的作用下，將放置有基板的定位托盤200依次水平傳送入第一過渡室302、第一緩沖室303及臥式濺射室304中。
[0036]該光電感應傳送系統(tǒng)通過紅外線感應，不受外界環(huán)境影響，它的靈敏度高、對實物的判斷準確性高，提高生產(chǎn)的穩(wěn)定性。
[0037]進片室301中的氣壓為大氣壓。第一過渡室302的真空度為2*10_中&~3*10_2。第一緩沖室303的真空度為2*l(T2Pa~3*l(T3Pa。
[0038]步驟S130:在臥式濺射室中，采用磁控濺射在基板上鍍膜。
[0039]優(yōu)選地，臥式濺射室304包括第一濺射腔室3042和第二濺射腔室3044。放置有基板的定位托盤200由第一緩 沖室303被傳送入第一濺射腔室3042中進行磁控濺射鍍膜后，再由第一濺射腔室3042被傳送入第二濺射腔室3044進行磁控濺射鍍膜。
[0040]依次在第一濺射腔室3042和第二濺射腔室3044中進行磁控濺射鍍膜，有利于提高膜層的均勻性。
[0041]并且，由于在同一個濺射腔室的濺射沉積的時間過長時，會在一定程度上導致基板溫度的升高，不利于保護溫度耐受性不好的基板。例如，TFT基板的高溫耐受性較一般的玻璃基板的高溫耐受性較差，長時間鍍膜可能會損壞TFT基板的液晶。因此，依次在第一濺射腔室3042和第二濺射腔室3044中進行磁控濺射鍍膜，有利于保護基板，提高產(chǎn)品良率。
[0042]進一步優(yōu)選地，第一濺射腔室3042中有3個濺射靶位(圖未示)，依次用3個靶位進行磁控濺射在基板上連續(xù)性鍍膜。第二濺射腔室3044中有3個濺射靶位(圖未示)，依次用用3個靶位進行磁控濺射在基板上連續(xù)性鍍膜。第一濺射腔室3042中設置3個濺射靶位和第二濺射腔室3044中設置3個濺射靶位，進一步有利于提高膜層的均勻性，有利于提高膜層的性能。
[0043]在濺射鍍膜過程中，當基板的溫度過低，所形成的薄膜的晶粒較小，會導致晶界散射嚴重而引起薄膜電阻率下降。當基板的溫度過高，一方便會對基板產(chǎn)生不良影響，另一方面，基板溫度過高時會導致膜層缺陷較大，且電阻率升高。
[0044]因此，優(yōu)選地，采用磁控濺射在基板上鍍膜的步驟中，基板的溫度為80°C~IOO0C。在該基板溫度下進行鍍膜，避免高溫對基板產(chǎn)生不良影響，且有利于避免缺陷，獲得合適的電阻率。
[0045]優(yōu)選地，將基板從室溫加熱至80°C~100°C的時間為1400S，采用合適的加熱速率，避免基板劇烈受熱，有利于保護基板，有效防止基板破裂。特別是有效保護TFT基板。
[0046]優(yōu)選地，第一濺射腔室3042和第二濺射腔室3044的真空度均為2.5*10^Pa~
3.50*10_3Pa。
[0047]優(yōu)選地，采用磁控濺射在基板上鍍膜的步驟中，基板的運行速度為1.0m/min~1.4m/min，更優(yōu)選為1.2m/min。在該運行速度下，保證一定的制備效率和保證鍍膜均勻性。
[0048]優(yōu)選地，磁控濺射的電壓為300V~380V。濺射功率為3000W~3600W。采用合適的電壓和濺射功率，避免電壓和濺射功率過低，保證濺射離子獲得合適的能量，提高膜層與基板的粘附力和提高膜層的致密性，同時也避免電壓和濺射功率過高而導致靶材開裂的現(xiàn)象。
[0049]濺射過程中，氬氣的流量過低時，濺射的原子較少，晶化率過低，膜層質(zhì)量差，且膜層薄，為濺射得到所需的厚度的膜層所需的濺射時間較長，制備效率低。氬氣的流量過高時，氬離子較多，離子碰撞較多，也會導致晶化率過高而影響膜層質(zhì)量。因此，優(yōu)選地，氬氣的流量為1185sccm~1215sccm。更優(yōu)選地,IS氣的流量為1200sccm。
[0050]優(yōu)選地，靶間距為80mm，以保證粒子的運動距離適中，避免加速不夠而導致動能過小而導致晶化率低的問題，同時避免部分粒子不能濺射到基板上及因轟擊過大而導致膜層的致密性下降的問題。
[0051]優(yōu)選地，在臥式濺射室中，采用磁控濺射在基板上鍍膜后，還包括依次將放置有基板的定位托盤200從臥式濺射室304中傳送出來，并依次水平傳送入第二緩沖室305和第二過渡室306的步驟。
[0052]優(yōu)選地，第二緩沖室305的真空度為4*10_2Pa~2.5*10_3Pa。第二過渡室306的4*10_1Pa ~6*10_2Pa。
[0053]臥式濺射室304需要在一定的真空度下進行濺射，所以先將放置有基板的定位托盤200依次傳送至第一過渡室302和第一緩沖室303中進行過渡和緩沖后再傳送入臥式濺射室304進行磁控濺射，依次在第一濺射腔室3042和第二濺射腔室3044中在基板上磁控濺射鍍膜后，再將放置有基板的定位托盤200依次傳送至第二緩沖室305和第二過渡室306中進行緩沖和過渡，避免基板所 處環(huán)境的壓力驟變，而導致基板破裂。
[0054]第一過渡室302的真空度為^lO-1Pa~3*10_2Pa。第一緩沖室303的真空度為2*l(T2Pa~3*l(T3Pa，第二緩沖室305的真空度為4*l(T2Pa~2.5*l(T3Pa，第二過渡室306的真空度為4*10_%~6*10_2Pa，能夠較好地緩沖和過渡，有限避免產(chǎn)品破裂，提高產(chǎn)品良率。
[0055]放置有基板的定位托盤200從第二過渡室306中被傳送至出片室307中，用機械臂將鍍好膜的基板取出并送入成品室600中。定位托盤200從出片室307中出來進入傳送帶100，由傳送帶100傳送至進片室301，開設下一個批次鍍膜，實現(xiàn)連續(xù)性生產(chǎn)。
[0056]請再次參閱圖3，可以理解，定位托盤200為多個，有的定位托盤200帶動基板進入臥式濺射室304中進行鍍膜，有的定位托盤200帶動另一個基板在第一緩沖室303中等候，用多個定位托盤200實現(xiàn)多個基板在不同的工位上同時作業(yè)，使得多個基板的連續(xù)性鍍膜，批量生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。
[0057]上述濺射鍍膜方法將基板放置于定位托盤200中，然后將定位托盤200傳送入臥式濺射室304中進行鍍膜，這種臥式工藝中，定位托盤200與基板的相對位置不會改變，基板直接放置于定位托盤200中，在傳送過程中不會掉落，因而無需采用夾具固定基板，避免了邊緣效應和廣品破裂的風險，廣品良率聞。
[0058]并且，采用上述濺射鍍膜方法所制備得到的ITO薄膜具有能夠防止ESD、透光性能好、致密性好等優(yōu)點。[0059]以下通過具體實施例對上述濺射鍍膜的方法進一步闡述。
[0060]實施例1
[0061]1、提供TFT基板，用清洗機將TFT基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥，備用；其中，高壓噴淋的壓力為1.2kg/cm2;
[0062]2、用傳送帶將定位托盤水平至臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的進片室中，用機械臂將潔凈、干燥的TFT基板放置于進片室的定位托盤中，采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤依次水平傳送入臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的第一過渡室和第一緩沖室中；其中，進片室的壓力為大氣壓，第一過渡室的真空度為NlO-1Pa第一緩沖室的真空度為1.8*10_2Pa;
[0063]3、采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤從第一緩沖室中水平傳送出來，并傳送進入第一濺射腔室中，在第一濺射腔室中依次用三個ITO靶位在TFT基板上進行鍍膜，然后將放置有TFT基板的定位托盤從第一濺射腔室傳送進入第二濺射腔室中，在第二濺射腔室中依次用三個ITO靶位在TFT基板上進行鍍膜；第一濺射腔室和第二濺射腔室的濺射工藝條件相同，真空度為2.5*10_2Pa，TFT基板溫度為100°C，將TFT基板由室溫加熱至100°C的時間為1400S，電壓為300V，濺射功率為3000W，氬氣的流量為1200sCCm，氧氣流量為200SCCm， 靶間距為80mm，第一濺射腔室的鍍膜時間為25s，第二濺射腔室的鍍膜時間為25s ；
[0064]4、在TFT基板上鍍上ITO薄膜后，采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤從第二濺射腔室依次水平傳送至第二緩沖室、第二過渡室和出片室中，并在出片室中，用機械臂將鍍上ITO薄膜的TFT基板從定位托盤上取出并放入成品室中，定位托盤從出片室中傳送入傳送帶上，傳送至進片室，開設下一個批次鍍膜工序。其中，第二緩沖室的真空度為3.7*10_2Pa，第二過渡室的真空度為3*10_中&，出片室的壓力為大氣壓。
[0065]測試在TFT基板上鍍的ITO薄膜的厚度為210nm，電阻為520 Ω / □，透光率為95.8%,膜層色差 L=39.3，a=-1.7，b=_5，Δ E ^ 0.5，合格。
[0066]實施例2
[0067]1、提供TFT基板，用清洗機將TFT基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥，備用；其中，高壓噴淋的壓力為1.3kg/cm2;
[0068]2、用傳送帶將定位托盤水平至臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的進片室中，用機械臂將潔凈、干燥的TFT基板放置于進片室的定位托盤中，采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤依次水平傳送入臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的第一過渡室和第一緩沖室中；其中，進片室的壓力為大氣壓，第一過渡室的真空度為3.5*10_2Pa，第一緩沖室的真空度為3.8*10_3Pa;
[0069]3、采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤從第一緩沖室中水平傳送出來，并傳送進入第一濺射腔室中，在第一濺射腔室中依次用三個ITO靶位在TFT基板上進行鍍膜，然后將放置有TFT基板的定位托盤從第一濺射腔室傳送進入第二濺射腔室中，在第二濺射腔室中依次用三個ITO靶位在TFT基板上進行鍍膜；第一濺射腔室和第二濺射腔室的濺射工藝條件相同，真空度為3.5*10_3Pa，TFT基板溫度為80°C，將TFT基板由室溫加熱至80°C的時間為1400S，電壓為380V，濺射功率為4000W，氬氣的流量為1185sCCm，氧氣流量為200SCCm，靶間距為80mm，第一濺射腔室的鍍膜時間為20s，第二濺射腔室的鍍膜時間為20s ；
[0070]4、在TFT基板上鍍上ITO薄膜后，采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤從第二濺射腔室依次水平傳送至第二緩沖室、第二過渡室和出片室中，并在出片室中，用機械臂將鍍上ITO薄膜的TFT基板從定位托盤上取出并放入成品室中，定位托盤從出片室中傳送入傳送帶上，傳送至進片室，開設下一個批次鍍膜工序。其中，第二緩沖室的真空度為3.8*10_3Pa，第二過渡室的真空度為8.6*10_2，出片室的壓力為大氣壓。
[0071]測試在TFT基板上鍍的ITO薄膜的厚度為230nm，電阻為465Ω/ □，透光率為
96.2%,膜層色差 L=39.4，a=-1.6，b=_4.9,Δ E ^ 0.5，合格。
[0072]實施例3
[0073]1、提供TFT基板，用清洗機將TFT基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥，備用；其中，高壓噴淋的壓力為
1.7kg/cm2;
[0074]2、用傳送帶將定位托盤水平至臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的進片室中，用機械臂將潔凈、干燥的TFT基板放置于進片室的定位托盤中，采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤依次水平傳送入臥式濺射鍍膜系統(tǒng)的第一過渡室和第一緩沖室中；其中，進片室的壓力為大氣壓，第一過渡室的真空度為6.8*10_2Pa，第一緩沖室的真空度為1.5*10_2Pa;
[0075]3、采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤從第一緩沖室中水平傳送出來，并傳 送進入第一濺射腔室中，在第一濺射腔室中依次用三個ITO靶位在TFT基板上進行鍍膜，然后將放置有TFT基板的定位托盤從第一濺射腔室傳送進入第二濺射腔室中，在第二濺射腔室中依次用三個ITO靶位在TFT基板上進行鍍膜；第一濺射腔室和第二濺射腔室的濺射工藝條件相同，真空度為3.0*10_3Pa，TFT基板溫度為90°C，將TFT基板由室溫加熱至90°C的時間為1400S，電壓為350V，濺射功率為3500W，氬氣的流量為1215sCCm，氧氣流量為200SCCm，靶間距為80mm，第一濺射腔室的鍍膜時間為22s，第二濺射腔室的鍍膜時間為22s ；
[0076]4、在TFT基板上鍍上ITO薄膜后，采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有TFT基板的定位托盤從第二濺射腔室依次水平傳送至第二緩沖室、第二過渡室和出片室中，并在出片室中，用機械臂將鍍上ITO薄膜的TFT基板從定位托盤上取出并放入成品室中，定位托盤從出片室中傳送入傳送帶上，傳送至進片室，開設下一個批次鍍膜工序。其中，第二緩沖室的真空度為2.4*10_2Pa，第二過渡室的真空度為7.2*10_2Pa，出片室的壓力為大氣壓。
[0077]測試在TFT基板上鍍的ITO薄膜的厚度為195nm，電阻為650Ω/ □透光率為
97.1%，膜層色差 L=39.5，a=-1.8，b=_4.7, ΔΕ ^ 0.5，合格。
[0078]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種濺射鍍膜的方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供基板，將所述基板放置于定位托盤中； 將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中；以及 在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述將所述基板放置于定位托盤中的步驟之前還包括對所述基板進行清洗和干燥的步驟，所述清洗和干燥的步驟為:將所述基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥。
3.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中的步驟是采用光電感應傳送系統(tǒng)將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中。
4.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中的步驟之前，還包括依次將放置有基板的所述定位托盤依次傳送入第一過渡室和第一緩沖室的步驟。
5.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟后，還包括依次將放置有基板的所述定位托盤從所述臥式濺射室中傳送出來，并依次傳送入第二緩沖室和第二過渡室的步驟。
6.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述臥式濺射室包括第一濺射腔室和第二濺射腔室，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，依次在所述第一濺射腔室和第二濺射腔室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜。
7.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，所述基板的溫度為80°C~100°C。
8.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，真空度為2.5*10^Pa~3.50*10_3Pa。
9.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控派射在所述基板上鍍膜的步驟中，所述基板的運行速度為1.0m/min~1.4m/min。
10.根據(jù)權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，濺射電壓為300V~380V。
【文檔編號】C23C14/35GK103774107SQ201410036067
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月25日 優(yōu)先權日:2014年1月25日
【發(fā)明者】張迅, 張伯倫, 李景艷, 易偉華 申請人:江西沃格光電股份有限公司