磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括成直線式排列的進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、濺射鍍膜室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室，濺射鍍膜腔室包括依次連接的第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室和第四直流濺射室，第一直流濺射室與第一過渡室連接，第四直流濺射室與第二過渡室連接，第一直流濺射室中設(shè)置有兩個第一陰極靶，第二直流濺射室中設(shè)置有兩個第二陰極靶，第三直流濺射室中設(shè)置有兩個第三陰極靶，第四直流濺射室中設(shè)置有兩個第四陰極靶。使用該磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行鍍膜，能夠有效降低破片率并有利于鍍制方阻較低的薄膜，滿足on-cell鍍膜工藝要求，提高生產(chǎn)良率。
【專利說明】磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁控濺射鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射鍍膜是目前常采用的一種鍍膜方法。磁控濺射需要在一定的高溫和一定的真空度下進(jìn)行，使得使用目前的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行磁控濺射鍍膜存在破片率高的問題；并且，所制備得到的膜層的方阻較大，難以滿足On-cell觸摸屏的使用需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要提供一種能夠提高生產(chǎn)良率、制備方阻較低的薄膜的磁控濺射鍍月吳系統(tǒng)。
[0004]一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括成直線式排列的進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、濺射鍍膜室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室，所述濺射鍍膜腔室包括依次連接的第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室和第四直流濺射室，所述第一直流濺射室與所述第一過渡室連接，所述第四直流濺射室與所述第二過渡室連接，所述第一直流濺射室中設(shè)置有兩個第一陰極靶，所述第二直流濺射室中設(shè)置有兩個第二陰極靶，所述第三直流濺射室中設(shè)置有兩個第三陰極靶，所述第四直流濺射室中設(shè)置有兩個第四陰極靶。
[0005]在其中一個實(shí)施例中，還包括十個加熱裝置，所述十個加熱裝置分別設(shè)置于進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二緩沖室、第二過渡室和出片室內(nèi)部。
[0006]在其中一個實(shí)施例`中，每個所述加熱裝置包括三段式加熱器及熱反射板，所述三段式加熱器包括第一加熱段、第二加熱段和第三加熱段，所述第一加熱段、第二加熱段和第三加熱段均設(shè)置于所述熱反射板上，且所述熱反射板豎直設(shè)置，所述第一加熱段、第二加熱段和第三加熱段依次自上而下排列。
[0007]在其中一個實(shí)施例中，還包括設(shè)置于所述第二直流濺射室和第三直流濺射室之間的隔尚室。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述第一直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第一通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第一通孔的兩個第一室門，所述兩個第一陰極祀分別設(shè)置于所述兩個第一室門的內(nèi)壁上；所述第二直流派射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第二通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第二通孔的兩個第二室門，所述兩個第二陰極靶分別設(shè)置于所述兩個第二室門的內(nèi)壁上；所述第三直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第三通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第三通孔的兩個第三室門，所述兩個第三陰極靶分別設(shè)置于所述兩個第三室門的內(nèi)壁上；所述第四直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第四通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第四通孔的兩個第四室門，所述兩個第四陰極靶分別設(shè)置于所述兩個第四室門的內(nèi)壁上。[0009]在其中一個實(shí)施例中，還包括導(dǎo)向裝置，所述導(dǎo)向裝置包括導(dǎo)向件、第一磁鐵、第二磁鐵和摩擦導(dǎo)輪組，所述導(dǎo)向件上開設(shè)有條形槽，所述第一磁鐵和第二磁鐵分別設(shè)置于所述條形槽的相對的兩個槽壁上，所述導(dǎo)向件、第一磁鐵和第二磁鐵貫穿所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室，所述摩擦導(dǎo)輪組包括多個摩擦導(dǎo)輪，所述多個摩擦導(dǎo)輪與所述導(dǎo)向件相對、間隔設(shè)置。
[0010]在其中一個實(shí)施例中，所述導(dǎo)向裝置還包括多個同步輪，每個所述同步輪與每個所述摩擦導(dǎo)輪連接并帶動所述摩擦導(dǎo)輪轉(zhuǎn)動。
[0011]在其中一個實(shí)施例中，還包括抽真空裝置、第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道，所述抽真空裝置包括機(jī)械泵、羅茨泵和分子泵，所述第一抽氣管道連通所述機(jī)械泵、進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室；所述第二抽氣管道連通所述羅茨泵、進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室；所述第三抽氣管道連通所述分子泵、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室和第四直流濺射室。
[0012]在其中一個實(shí)施例中，所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室及所述第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道的材質(zhì)均為不銹鋼，所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室及所述第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道的內(nèi)表面均經(jīng)過拋光處理，外表面均經(jīng)過噴丸處理，且所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室及所述第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道內(nèi)部均采用連續(xù)氬弧無縫焊接。
[0013]在其中一個實(shí)施例中，所述出片室中設(shè)置有延時慢放氣裝置。
[0014]上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，基片經(jīng)過進(jìn)片室、第一緩沖室和第一過渡室的溫度和真空度的多級緩沖和過渡后，再進(jìn)入溫度和真空度與常溫和常壓下差別較大的濺射鍍膜室中進(jìn)行直流濺射；鍍好膜的基片依次經(jīng)過第二過渡室、第二緩沖室和出片室的多級溫度和真空度的緩沖和過渡后，再進(jìn)入常溫和常壓的環(huán)境，能夠有效避免基片經(jīng)歷溫度和氣壓驟變而導(dǎo)致破片的問題，降低破片率、提高生產(chǎn)良率。
[0015]并且，采用兩個第一陰極靶、兩個第二陰極靶、兩個第三陰極靶和兩個第四陰極靶依次進(jìn)行直流濺射，有利于鍍制方阻較低的薄膜，滿足on-cell鍍膜工藝要求，進(jìn)一步提高生產(chǎn)良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為一實(shí)施方式的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的立體示意圖；
[0017]圖2為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4為圖3所示的加熱裝置的第一加熱段的立體結(jié)構(gòu)示意圖；[0020]圖5為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的固定柱的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖6為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的第四直流濺射腔室內(nèi)部的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖7為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的導(dǎo)向件、第一磁鐵和第二磁鐵的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0024]請參閱圖1，一實(shí)施方式的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200，包括成直線式排列的進(jìn)片室
10、第一緩沖室20、第一過渡室30、濺射鍍膜室40、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70。
[0025]進(jìn)片室10和第一緩沖室20之間設(shè)置有第一門閥(圖未示)。通過第一門閥控制進(jìn)片室10和第一緩沖室20連通或不連通。
[0026]第一緩沖室20和第一過渡室30之間設(shè)置有第二門閥(圖未示)。通過第二門閥控制第一緩沖室20和第一過渡室30連通或不連通。
[0027]濺射鍍膜室40包 括依次連接的第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403和第四直流濺射室404。第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403和第四直流濺射室404成直線式排列。
[0028]第一直流濺射室401中設(shè)置有兩個第一陰極靶(圖未示)，第二直流濺射室402中設(shè)置有兩個第二陰極靶(圖未示)，第三直流濺射室403中設(shè)置有兩個第三陰極靶(圖未示)，第四直流濺射室404中設(shè)置有兩個第四陰極靶(圖未示)。兩個第一陰極靶、兩個第二陰極靶、兩個第三陰極靶和兩個第四陰極靶成直線式排列。
[0029]第一直流濺射室401與第一過渡室30連接。第一過渡室30和第一直流濺射室401之間設(shè)置有第三門閥(圖未示)。通過第三門閥控制第一過渡室30和第一直流濺射室401連通或不連通。
[0030]第一直流濺射室401和第二直流濺射室402之間設(shè)置有第四門閥(圖未示)。通過第四門閥控制第一直流濺射室401和第二直流濺射室402連通或不連通。
[0031]第二直流濺射室402和第三直流濺射室403之間設(shè)置有第五門閥(圖未示)。通過第五門閥控制第二直流濺射室402和第三直流濺射室403連通或不連通。
[0032]第三直流濺射室403和第四直流濺射室404之間設(shè)置有第六門閥(圖未示)。通過第六門閥控制第三直流濺射室403和第四直流濺射室404連通或不連通。
[0033]第四直流濺射室404與第二過渡室50連接。第四直流濺射室404與第二過渡室50之間設(shè)置有第七門閥(圖未示)。通過第七門閥控制第四直流濺射室404和第二過渡室50連通或不連通。
[0034]第二過渡室50和第二緩沖室60之間設(shè)置有第八門閥(圖未示)。通過第八門閥控制第二過渡室50和第二緩沖室60連通或不連通。
[0035]第二緩沖室60和出片室70之間設(shè)置有第九門閥(圖未示)。通過第九門閥控制第二緩沖室60和出片室70連通或不連通。
[0036]使用上述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200進(jìn)行鍍膜時，基片(圖未示)進(jìn)入進(jìn)片室10中，并依次經(jīng)過第一緩沖室20和第一過渡室30進(jìn)入派射鍍膜室40中，基片在派射鍍膜室40中運(yùn)行，依次用兩個第一陰極靶、兩個第二陰極靶、兩個第三陰極靶和兩個第四陰極靶在基片上進(jìn)行直流濺射鍍膜，鍍好膜的基片從第四直流濺射室404出來并依次經(jīng)過第二過渡室50、第二緩沖室60后進(jìn)入出片室70，最后再從出片室70中出來。
[0037]在濺射鍍膜室40的前方設(shè)置進(jìn)片室10、第一緩沖室20和第二過渡室30，使得基片經(jīng)過溫度和真空度的多級緩沖和過渡后，再進(jìn)入溫度和真空度與常溫和常壓下差別較大的濺射鍍膜室40中進(jìn)行直流濺射。在濺射鍍膜室40的后方設(shè)置第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70，使得鍍好膜的基片依次經(jīng)過多級溫度和真空度的緩沖和過渡后，再進(jìn)入常溫和常壓的環(huán)境，能夠有效避免基片經(jīng)歷溫度和氣壓驟變而導(dǎo)致破片的問題，提高生產(chǎn)良率。
[0038]并且，采用兩個第一陰極靶、兩個第二陰極靶、兩個第三陰極靶和兩個第四陰極靶依次進(jìn)行直流濺射，有利于鍍制方阻較低的的薄膜，滿足on-cell鍍膜工藝要求，進(jìn)一步提高制備良率。
[0039]優(yōu)選地，出片室70中設(shè)置有延時慢放氣裝置(圖未示)。使得出片室70能夠緩慢地放氣，使出片室70的壓力緩慢地過渡到大氣壓，防止了基片在受內(nèi)外壓力差的影響而破片。
[0040]具體地,延時慢放氣裝置包括電磁閥和與電磁閥連接的延時開關(guān),通過延時開關(guān)使電磁閥緩慢開啟，實(shí)現(xiàn)緩慢放氣。
[0041]優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括設(shè)置于第二直流濺射室402和第三直流濺射室403之間的隔離室80。`第二直流濺射室402和隔離室80之間設(shè)置有第十門閥(圖未示)。通過第十門閥控制第二直流濺射室402和隔離室80連通或不連通。第三直流濺射室403和隔離室80之間設(shè)置有第十一門閥(圖未示)。通過第十一門閥控制第三直流濺射室
403和隔離室80連通或不連通。
[0042]通過設(shè)置隔離室80，當(dāng)?shù)诙绷鳛R射室402和第三直流濺射室403的濺射工藝不同時，例如，真空度不同時，可以在隔離室80中進(jìn)行短暫地過渡，避免不同工藝之間的驟然替換對膜層和基片產(chǎn)生不良影響，提高產(chǎn)品良率。
[0043]并且，隔離室80可以作為等候工位。在進(jìn)行連續(xù)性生產(chǎn)時，當(dāng)后一個基片在第二直流濺射室402中濺射完成后，前一個基片在第三直流濺射腔室403尚未完成，則后一個基片在隔離室80進(jìn)行等候，提高連續(xù)生產(chǎn)的有序性。
[0044]請同時參閱圖2，優(yōu)選地，第一直流濺射室401位于基片輸送方向(如圖2的箭頭所指方向)的右側(cè)的室壁上開設(shè)了兩個第一通孔(圖未示)，并設(shè)置有兩個第一室門4012，兩個第一室門4012可拆卸設(shè)置，并分別密封兩個第一通孔。兩個第一陰極靶分別設(shè)置于兩個第一室門4012的內(nèi)壁上。
[0045]第二直流濺射室402位于基片輸送方向的右側(cè)的室壁上開設(shè)了兩個第二通孔(圖未示)，并設(shè)置有兩個第二室門4022，兩個第二室門4022可拆卸設(shè)置，并分別密封兩個第二通孔。兩個第二陰極靶分別設(shè)置于兩個第二室門4022的內(nèi)壁上。
[0046]第三直流濺射室403位于基片輸送方向的右側(cè)的室壁上開設(shè)了兩個第三通孔(圖未示)，并設(shè)置有兩個第三室門4032，兩個第三室門4032可拆卸設(shè)置,并分別密封兩個第三通孔。兩個第三陰極靶分別設(shè)置于兩個第三室門4032的內(nèi)壁上。
[0047]第四直流濺射室404位于基片輸送方向的右側(cè)的室壁上開設(shè)了兩個第四通孔(圖未示)，并設(shè)置有兩個第四室門4042，兩個第四室門4042可拆卸設(shè)置，并分別密封兩個第四通孔。兩個第四陰極靶分別設(shè)置于兩個第四室門4042的內(nèi)壁上。
[0048]通過開設(shè)第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，并設(shè)置第一室門4012、第二室門4022、第三室門4032和第四室門4042，方便第一陰極靶、第二陰極靶、第三陰極靶和第四陰極靶的安裝和更換，操作方便。
[0049]上述基片輸送方向是指鍍膜時，基片在磁控派射鍍膜系統(tǒng)200內(nèi)部的輸送方向?？梢岳斫猓谄渌麑?shí)施方式中，第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔及相應(yīng)的第一室門4012、第二室門4022、第三室門4032和第四室門4042也可以開設(shè)和設(shè)置于位于基片輸送方向的左側(cè)的室壁上。
[0050]請同時參閱圖3，優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括十個加熱裝置90。十個加熱裝置90分別設(shè)置于進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403、第四直流濺射室404、第二緩沖室50、第二過渡室60和出片室70內(nèi)部，用于對各個室進(jìn)行加熱，能夠獨(dú)立地控制各個室的溫度，保證工藝的穩(wěn)定性。
[0051]更優(yōu)選地，隔離室80中也設(shè)置有一個加熱裝置90。
[0052]每個加熱裝置90包括三段式加熱器和熱反射板94。三段式加熱器包括第一加熱段922、第二加熱段924和第三加熱段926。
[0053]第一加熱段922`包括多個平行設(shè)置的第一加熱管9222。優(yōu)選地，多個第一加熱管9222等間距設(shè)置，以確保受熱均勻。
[0054]優(yōu)選地，多個第一加熱管9222由一根較長的加熱管彎折而成，使得多個第一加熱管9222相連、平行地設(shè)置，且多個第一加熱管9222具有一個第一引入端(圖未標(biāo))和一個第一引出端(圖未標(biāo))，分別用導(dǎo)線與第一引入端和第一引出端連接，對第一加熱段922進(jìn)行電加熱。
[0055]第二加熱段924包括多個平行設(shè)置的第二加熱管9242。優(yōu)選地，多個第二加熱管9242等間距設(shè)置，以確保受熱均勻。
[0056]優(yōu)選地，多個第二加熱管9242由一根較長的加熱管彎折而成，使得多個第二加熱管9242相連、平行地設(shè)置，且多個第二加熱管9242具有一個第二引入端(圖未標(biāo))和一個第二引出端(圖未標(biāo))，分別用導(dǎo)線與第二引入端和第二引出端連接，對第二加熱段924進(jìn)行電加熱。
[0057]第三加熱段926包括多個平行設(shè)置的第三加熱管9262。優(yōu)選地，多個第三加熱管9262等間距設(shè)置，以確保受熱均勻。
[0058]優(yōu)選地，多個第三加熱管9262由一根較長的加熱管彎折而成，使得多個第三加熱管9262相連、平行地設(shè)置，且多個第三加熱管9262具有一個第三引入端(圖未標(biāo))和一個第三引出端(圖未標(biāo))，分別用導(dǎo)線與第三引入端和第三引出端連接，對第三加熱段926進(jìn)行電加熱。
[0059]三段式加熱器與熱反射板94連接。優(yōu)選地，熱反射板94為不銹鋼板。本實(shí)施方式中，三段式加熱器通過緊固件與熱反射板94連接。在其他實(shí)施方式中，也可以通過焊接的方式連接。
[0060]優(yōu)選地，本實(shí)施方式中，熱反射板94包括第一熱反射片942、第二熱反射片944和第三熱反射片946。第一加熱段922設(shè)置于第一熱反射片942上,第二加熱段924設(shè)置于第二熱反射片944上，第三加熱段926設(shè)置于第三熱反射片946上。
[0061]具體地,第一熱反射片942、第二熱反射片944和第三熱反射片945上均開設(shè)有安裝孔，用緊固件如螺栓100連接三段式加熱器和熱反射板94并鎖緊而使三段式加熱器設(shè)置于熱反射板94上。
[0062]請同時參閱圖4，用螺栓100的螺柱穿過相鄰的兩個第一加熱管9222和第一熱反射片942，并使螺帽均與相鄰的兩個第一加熱管9222的抵接，鎖緊螺栓穿過第一熱反射片942的一端,從而將第一加熱段922設(shè)置在第一熱反射片942上?？梢岳斫?可以根據(jù)第一加熱管9222的長度和數(shù)量合理設(shè)置螺栓100的數(shù)量。第二加熱段924的第二加熱管9242與第二熱反射片944的安裝方式及第三加熱段926的第三加熱管9262與第三熱反射片946的安裝方式與上述安裝方式相同。[0063]熱反射板94包括第一熱反射片942、第二熱反射片944和第三熱反射片946，并按上述方式進(jìn)行安裝形成三段式的加熱裝置90，便于分段維修，當(dāng)某一加熱段發(fā)生故障或損壞時，針對性維修或替換即可，而無需整體替換。
[0064]可以理解，在其他實(shí)施方式中，熱反射板94也可以為一體式結(jié)構(gòu)。
[0065]本實(shí)施方式中，第一熱反射片942、第二熱反射片944和第三熱反射片946均為長方形板。加熱裝置90設(shè)置于各個室中，熱反射板94豎直設(shè)置,第一加熱段922和第二加熱段924和第三加熱段926依次自上而下排列。當(dāng)基片運(yùn)行進(jìn)入各個室中時，三段式加熱器遠(yuǎn)離基片，熱反射板94靠近基片。熱反射板94隔開了三段式加熱器和基板，并通過熱反射板94的反射隔熱，使得腔體受熱較為均勻，溫度分布較為均勻和穩(wěn)定。
[0066]使用上述加熱裝置90，有利于避免因各個室內(nèi)溫度分布不均勻而產(chǎn)生的破片現(xiàn)象，減小破片率，提高生產(chǎn)良率。
[0067]進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403、隔離室80、第四直流濺射室404、第二過渡室50和進(jìn)片室70中分別設(shè)置有如圖5所示的固定柱180。通過將熱反射板94與固定柱180可拆卸固定連接而將十個加熱裝置90分別設(shè)置于十個室中。
[0068]請參閱圖6，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200中設(shè)置有導(dǎo)向裝置110。請一并參閱圖7，導(dǎo)向裝置110包括導(dǎo)向件111、第一磁鐵112、第二磁鐵113和摩擦導(dǎo)輪組。
[0069]導(dǎo)向件111為條形。導(dǎo)向件111上開設(shè)有條形槽1112。條形槽1112為沿導(dǎo)向件111的長度方向延伸的凹槽。第一磁鐵112和第二磁鐵113均為條形磁鐵，且第一磁鐵112和第二磁鐵113分別設(shè)置于條形槽1112的相對的兩個槽壁上。第一磁鐵112和第二磁鐵113相對。其中，第一磁鐵112的S極與第二磁鐵113的N極相對。
[0070]摩擦導(dǎo)輪組包括多個摩擦導(dǎo)輪114。
[0071]導(dǎo)向件111、第一磁鐵112和第二磁鐵113貫通進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、隔離室80、第三直流濺射室403、第四直流濺射室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70的頂部，裝載有基片的基片架沿著導(dǎo)向裝置110運(yùn)行。
[0072]多個摩擦導(dǎo)輪114與導(dǎo)向件111相對、間隔設(shè)置，且多個摩擦導(dǎo)輪114正對條形槽1112的開口端。
[0073]可以理解，每個室的摩擦導(dǎo)輪114的數(shù)量可以根據(jù)每個室的長度及基片架的長度
合理設(shè)置。
[0074]基片架(圖未標(biāo))的一端設(shè)置有磁鐵，裝載有基片的基片架在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200中運(yùn)行時，設(shè)置有磁鐵的一端伸入條形槽1112中，與條形槽1112的槽底不接觸，并平行于條形槽1112的槽壁。而且，基片架端部的磁鐵的S極與第一磁鐵112的S極相對，基片架端部的磁鐵的N極與第二磁鐵113的N極相對?；艿呐c磁鐵相對的另一端設(shè)置于摩擦導(dǎo)輪114上，在摩擦導(dǎo)輪114的帶動下運(yùn)行。由于同性相斥，使得基片架能夠保持直線運(yùn)行。
[0075]通過摩擦導(dǎo)輪114進(jìn)行傳動，并采用導(dǎo)向件111進(jìn)行導(dǎo)向，通過第一磁鐵112和第二磁鐵113保持位置，有利于減小傳動震動，穩(wěn)定性高，有利于防止了因晃動而導(dǎo)致破片，減小破片幾率，有效地保護(hù)了基片，提高生產(chǎn)良率。
[0076]優(yōu)選地，導(dǎo)向裝置110還包括多個同步輪115，每個同步輪115與每個摩擦導(dǎo)輪114連接。同步輪115與電機(jī)連接，在電機(jī)的驅(qū)動下同步輪115轉(zhuǎn)動并帶動摩擦導(dǎo)輪114轉(zhuǎn)動，摩擦導(dǎo)輪114的轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝載有基片的基片架的沿導(dǎo)向件111移動。
[0077]通過設(shè)置多個同步輪115，進(jìn)一步減小傳動震動和減緩晃動，從而減小破片幾率，
進(jìn)一步提聞生廣良率。
`[0078]請?jiān)俅螀㈤唸D1，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括抽真空裝置、第一抽氣管道122、第二抽氣管道124和第三抽氣管道126。
[0079]抽真空裝置包括機(jī)械泵132、羅茨泵134和分子泵136。第一抽氣管道122連通機(jī)械泵132、進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、隔離室80、第三直流濺射室403、第四直流濺射室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70。第二抽氣管道124連通羅茨泵134、進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、隔離室80、第三直流濺射室403、第四直流濺射室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70。第三抽氣管道126連通分子泵136、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、隔離室80、第三直流濺射室403和第四直流濺射室 404。
[0080]通過設(shè)置機(jī)械泵132、羅茨泵134和分子泵136，能夠快速進(jìn)行抽真空，提高生產(chǎn)效率。尤其是分子泵136具有抽速塊的優(yōu)點(diǎn)，抽速達(dá)2200L/S。同時，還具有無油的優(yōu)點(diǎn)，保證了腔體的真空度和潔凈度。
[0081]優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括五個PEG100電離規(guī)(圖未示)和四個⑶G045薄膜計(jì)(圖未示)。五個PEG100分別設(shè)置于第一緩沖室20、第一過渡室30、隔離室80、第二過渡室50和第二緩沖室160中，四個⑶G045薄膜計(jì)分別設(shè)置于第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403和第四直流濺射室404中。
[0082]設(shè)置五個PEG100電離規(guī)和四個⑶G045薄膜計(jì)以保證真空度的穩(wěn)定性。
[0083]進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403、隔離室80、第四直流濺射室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70及第一抽氣管道122、第二抽氣管道124和第三抽氣管126道的材質(zhì)均為不銹鋼，優(yōu)選為SUS304不銹鋼。
[0084]并且，進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、隔離室80、第三直流濺射室403、第四直流濺射室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70及第一抽氣管道122、第二抽氣管道124和第三抽氣管道126的內(nèi)表面均經(jīng)過拋光處理，外表面均經(jīng)過噴丸處理。同時，進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射室402、第三直流濺射室403、第四直流濺射室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70及第一抽氣管道122、第二抽氣管道124和第三抽氣管道126內(nèi)部均采用連續(xù)氬弧無縫焊接，保證氣密性，從而能保證工藝要求的真空度，提高膜層質(zhì)量。
[0085]進(jìn)片室10、第一緩沖室20、第一過渡室30、第一直流濺射室401、第二直流濺射腔室402、隔離室80、第三直流濺射腔室403、第四直流濺射腔室404、第二過渡室50、第二緩沖室60和出片室70及第一抽氣管道122、第二抽氣管道124和第三抽氣管道126的外部斷續(xù)電弧焊接，保證強(qiáng)度。焊接后還進(jìn)行退火處理，消除焊接應(yīng)力，防止變形，使得磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200的可靠性較好，使用壽命較長。
[0086]請?jiān)俅螀㈤唸D1，進(jìn)一步優(yōu)選地，磁控濺射鍍膜系統(tǒng)200還包括上片平移架140、上片過渡架150、卸片過渡架160和卸片平移架170。上片過渡架150設(shè)置于進(jìn)片室10之前，上片平移架140設(shè)置于上片過渡架150之前。卸片過渡架160設(shè)置于出片室70之后，卸片平移架170設(shè)置于卸片過渡架160之后。
[0087]基片架裝載好基片后，通過上片平移架140傳送至上片過渡架150上，然后從上片過渡架150進(jìn)入進(jìn)片室10。裝載有基片的基片架從出片室70出來后，送入卸片過渡架160，在卸片過渡架160上卸片后 ，基片架送入卸片平移架170上等候，然后送入上片平移架150上，裝片，開始新的鍍膜工序。
[0088]設(shè)置上片平移架140、上片過渡架150、卸片過渡架160和卸片平移架170，形成足夠的等候工位，保證連續(xù)生產(chǎn)的連續(xù)性、有序性和穩(wěn)定性。
[0089]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，包括成直線式排列的進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、濺射鍍膜室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室，所述濺射鍍膜腔室包括依次連接的第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室和第四直流濺射室，所述第一直流濺射室與所述第一過渡室連接，所述第四直流濺射室與所述第二過渡室連接，所述第一直流濺射室中設(shè)置有兩個第一陰極靶，所述第二直流濺射室中設(shè)置有兩個第二陰極靶，所述第三直流濺射室中設(shè)置有兩個第三陰極靶，所述第四直流濺射室中設(shè)置有兩個第四陰極靶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括十個加熱裝置，所述十個加熱裝置分別設(shè)置于進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二緩沖室、第二過渡室和出片室內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，每個所述加熱裝置包括三段式加熱器及熱反射板，所述三段式加熱器包括第一加熱段、第二加熱段和第三加熱段，所述第一加熱段、第二加熱段和第三加熱段均設(shè)置于所述熱反射板上，且所述熱反射板豎直設(shè)置，所述第一加熱段、第二加熱段和第三加熱段依次自上而下排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括設(shè)置于所述第二直流濺射室和第三直流濺射室之間的隔離室。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述第一直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第一通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第一通孔的兩個第一室門，所述兩個第一陰極靶分別設(shè)置于所述兩個第一室門的內(nèi)壁上；所述第二直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第二通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第二通孔的兩個第二室門，所述兩個第二陰極靶分別設(shè)置于所述兩個第二室門的內(nèi)壁上；所述第三直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第三通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第三通孔的兩個第三室門，所述兩個第三陰極靶分別設(shè)置于所述兩個第三室門的內(nèi)壁上；所述第四直流濺射室位于基片輸送方向的左側(cè)或右側(cè)的室壁上開設(shè)有兩個第四通孔，并設(shè)置有密封所述兩個第四通孔的兩個第四室門，所述兩個第四陰極靶分別設(shè)置于所述 兩個第四室門的內(nèi)壁上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括導(dǎo)向裝置，所述導(dǎo)向裝置包括導(dǎo)向件、第一磁鐵、第二磁鐵和摩擦導(dǎo)輪組，所述導(dǎo)向件上開設(shè)有條形槽，所述第一磁鐵和第二磁鐵分別設(shè)置于所述條形槽的相對的兩個槽壁上，所述導(dǎo)向件、第一磁鐵和第二磁鐵貫穿所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室，所述摩擦導(dǎo)輪組包括多個摩擦導(dǎo)輪，所述多個摩擦導(dǎo)輪與所述導(dǎo)向件相對、間隔設(shè)置，且所述摩擦導(dǎo)輪正對所述條形槽的開口端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)向裝置還包括多個同步輪，每個所述同步輪與每個所述摩擦導(dǎo)輪連接并帶動所述摩擦導(dǎo)輪轉(zhuǎn)動。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括抽真空裝置、第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道，所述抽真空裝置包括機(jī)械泵、羅茨泵和分子泵，所述第一抽氣管道連通所述機(jī)械泵、進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室；所述第二抽氣管道連通所述羅茨泵、進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室；所述第三抽氣管道連通所述分子泵、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室和第四直流濺射室。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室及所述第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道的材質(zhì)均為不銹鋼，所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室及所述第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道的內(nèi)表面均經(jīng)過拋光處理，外表面均經(jīng)過噴丸處理，且所述進(jìn)片室、第一緩沖室、第一過渡室、第一直流濺射室、第二直流濺射室、第三直流濺射室、第四直流濺射室、第二過渡室、第二緩沖室和出片室及所述第一抽氣管道、第二抽氣管道和第三抽氣管道內(nèi)部均采用連續(xù)氬弧無縫焊接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述出片室中設(shè)置有延時慢放氣裝置。
【文檔編號】C23C14/35GK103820762SQ201410057887
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月20日
【發(fā)明者】張迅, 陽威, 歐陽小園, 易偉華 申請人:江西沃格光電股份有限公司