有機(jī)層沉積設(shè)備和用其制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】有機(jī)層沉積設(shè)備和使用該設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。具體地，更易于制造且適用于在襯底上實(shí)現(xiàn)高清晰度圖案時大量生產(chǎn)大型襯底的有機(jī)層沉積設(shè)備，以及使用這種設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
【專利說明】有機(jī)層沉積設(shè)備和用其制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
[0001]相關(guān)領(lǐng)域的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年5月16日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0056039號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該專利申請的公開通過引用整體并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的多個方面主要涉及有機(jī)發(fā)光顯示器。更具體地，本發(fā)明的多個方面涉及有機(jī)層沉積設(shè)備和使用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]與許多其他顯示設(shè)備相比，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有更寬的視角、更好的對比度特性、以及更快的響應(yīng)速度，因此作為下一代顯示設(shè)備而倍受關(guān)注。
[0005]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的中間層(包括發(fā)光層)。這些電極和中間層可以使用各種方法形成，其中之一是獨(dú)立沉積方法。當(dāng)使用這種沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時，具有與待形成的有機(jī)層的圖案相同的圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)被設(shè)置為緊貼在上面形成有機(jī)層等的襯底，并且有機(jī)層材料被沉積在FMM上以形成具有期望圖案的有機(jī)層。
[0006]然而，使用這種FMM的沉積方法在制造使用較大母玻璃的較大有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時存在困難。例如，當(dāng)使用這種大掩模時，該掩?？赡茉谄渥陨碇亓肯聫澢?，從而使所產(chǎn)生的圖案扭曲。
[0007]此外，對準(zhǔn)襯底和FMM以使它們彼此緊貼、在上面進(jìn)行沉積、以及使FMM從襯底分離的過程是耗時的，從而導(dǎo)致較長的制造時間和較低的生產(chǎn)效率。
[0008]【背景技術(shù)】部分所公開的信息是本發(fā)明的發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之前已知的或在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中所獲得的技術(shù)信息。因此，其可能包含現(xiàn)有技術(shù)中沒有的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的方面針對更易于制造且適用于在襯底上實(shí)現(xiàn)高清晰度圖案時大量生產(chǎn)大型襯底的有機(jī)層沉積設(shè)備。使用這種設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法也是可以預(yù)期的。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備，包括:輸送系統(tǒng)，包括移動單元、第一輸送單元以及第二輸送單元，移動單元被配置為聯(lián)接有襯底并與襯底一起移動，第一輸送單元用于在襯底被聯(lián)接至移動單元時使移動單元在第一方向上移動，第二輸送單元用于在沉積完成之后在襯底與移動單元分離時使移動單元在與第一方向相反的第二方向上移動；以及沉積單元，包括至少一個有機(jī)層沉積組件，至少一個有機(jī)層沉積組件用于在襯底被聯(lián)接至移動單元時在襯底上沉積有機(jī)層，其中至少一個有機(jī)層沉積組件中的每一個均包括:至少一個沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在至少一個沉積源的一側(cè)，其中沉積源噴嘴單元中形成有至少一個沉積源噴嘴；構(gòu)圖狹縫片，被設(shè)置為面對沉積源噴嘴單元并包括沿著預(yù)定方向延伸的多個構(gòu)圖狹縫；遮蔽構(gòu)件，設(shè)置在襯底與至少一個沉積源之間并被配置為阻擋從至少一個沉積源蒸發(fā)的沉積材料；以及絲網(wǎng)構(gòu)件，設(shè)置在遮蔽構(gòu)件的一側(cè)并被配置為防止沉積材料從遮蔽構(gòu)件滴落，其中移動單元被配置為在第一輸送單元與第二輸送單元之間循環(huán)移動，以及其中，當(dāng)聯(lián)接至移動單元時，襯底在被第一輸送單元轉(zhuǎn)移的同時與有機(jī)層沉積組件間隔預(yù)定距離。
[0011]遮蔽構(gòu)件能夠可操作地移動以防止沉積材料沉積在襯底上。
[0012]遮蔽構(gòu)件可被配置為在至少一個沉積源與構(gòu)圖狹縫片之間移動。
[0013]絲網(wǎng)構(gòu)件可聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件以與遮蔽構(gòu)件一起移動。
[0014]遮蔽構(gòu)件可設(shè)置在沉積源的一側(cè)并被定位和成形為朝著襯底引導(dǎo)從至少一個沉積源蒸發(fā)的沉積材料。
[0015]遮蔽構(gòu)件可被成形為至少部分地圍繞沉積源。
[0016]絲網(wǎng)構(gòu)件可聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件并且絲網(wǎng)構(gòu)件和遮蔽構(gòu)件被定位為靠近沉積源的一側(cè)。
[0017]至少一個有機(jī)層沉積組件中的每一個均可包括:多個沉積源；以及多個遮蔽構(gòu)件，可移動地定位在多個沉積源中的相應(yīng)沉積源與構(gòu)圖狹縫片之間。
[0018]多個遮蔽構(gòu)件能夠被定位為防止沉積材料沉積在襯底上。
[0019]遮蔽構(gòu)件可被成形和定位為覆蓋襯底的邊界區(qū)域。
[0020]遮蔽構(gòu)件可被配置為在覆蓋襯底的邊界區(qū)域時與襯底一起移動。
[0021]構(gòu)圖狹縫片的狹縫可被成形和定位以使從至少一個沉積源排放的沉積材料以預(yù)定圖案沉積在襯底上。
[0022]構(gòu)圖狹縫片可在所述第一方向和與所述第一方向不同的第三方向中的至少一個上具有比襯底更小的尺寸。
[0023]第一輸送單元和第二輸送單元可被配置為經(jīng)過沉積單元。
[0024]第一輸送單元可被設(shè)置為平行于第二輸送單元。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括:將移動單元輸送至室內(nèi)，移動單元聯(lián)接有襯底，該輸送通過被安裝為進(jìn)入室的第一輸送單元執(zhí)行；通過在使襯底相對于有機(jī)層沉積組件移動時將來自有機(jī)層沉積組件的沉積材料沉積在襯底上從而在襯底上形成有機(jī)層，有機(jī)層沉積組件定位在室內(nèi)并與襯底間隔預(yù)定距離；以及在襯底與移動單元分離之后，通過被安裝為經(jīng)過室的第二輸送單元輸送移動單元，其中形成有機(jī)層的步驟還包括阻止從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料沉積在襯底上，該阻止步驟通過聯(lián)接有絲網(wǎng)構(gòu)件的遮蔽構(gòu)件執(zhí)行。
[0026]有機(jī)層沉積組件可包括:沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；以及構(gòu)圖狹縫片，面對沉積源噴嘴單元并包括多個構(gòu)圖狹縫，其中多個構(gòu)圖狹縫被成形和布置為使從沉積源排放的沉積材料穿過構(gòu)圖狹縫片從而以預(yù)定圖案沉積在襯底上。
[0027]遮蔽構(gòu)件可被配置為設(shè)置在襯底與沉積源之間以防止從沉積源蒸發(fā)的沉積材料沉積在襯底上，其中絲網(wǎng)構(gòu)件設(shè)置在遮蔽構(gòu)件的一側(cè)以防止沉積材料從遮蔽構(gòu)件滴落。
[0028]遮蔽構(gòu)件能夠可操作地移動以防止移動以防止沉積材料沉積在襯底上。
[0029]遮蔽構(gòu)件可被配置為在沉積源與構(gòu)圖狹縫片之間移動。
[0030]絲網(wǎng)構(gòu)件可聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件以與遮蔽構(gòu)件一起移動。
[0031]遮蔽構(gòu)件可設(shè)置在沉積源的一側(cè)并被定位和成形為朝著襯底引導(dǎo)從沉積源蒸發(fā)的沉積材料。
[0032]遮蔽構(gòu)件可被成形為至少部分地圍繞沉積源。
[0033]絲網(wǎng)構(gòu)件可聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件并且絲網(wǎng)構(gòu)件和遮蔽構(gòu)件被定位為靠近沉積源的一側(cè)。
[0034]有機(jī)層沉積組件可包括:多個沉積源；以及多個遮蔽構(gòu)件，能夠可移動地定位在多個沉積源中的相應(yīng)沉積源與構(gòu)圖狹縫片之間。
[0035]多個遮蔽構(gòu)件能夠被定位為防止沉積材料沉積在襯底上。
[0036]遮蔽構(gòu)件可被成形和定位為覆蓋襯底的邊界區(qū)域。
[0037]遮蔽構(gòu)件可被配置為在覆蓋襯底的邊界區(qū)域時與襯底一起移動。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，在附圖中:
[0039]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0040]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0041]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性立體圖；
[0042]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖3的沉積單元的示意性截面圖；
[0043]圖5和圖6示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的源、防護(hù)構(gòu)件、以及絲網(wǎng)構(gòu)件；
[0044]圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖6的防護(hù)構(gòu)件和絲網(wǎng)構(gòu)件的詳細(xì)視圖；
[0045]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的圖3的防護(hù)構(gòu)件和絲網(wǎng)構(gòu)件；
[0046]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的圖3的防護(hù)構(gòu)件和絲網(wǎng)構(gòu)件；
[0047]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的圖3的防護(hù)構(gòu)件和絲網(wǎng)構(gòu)件；
[0048]圖11示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)層沉積組件；以及
[0049]圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的使用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0050]現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施方式，這些實(shí)施方式的示例在附圖中示出，附圖不需要按尺寸繪制，在全文中，相同的參考標(biāo)號指代相同的元件。這些實(shí)施方式在下面被示出以通過參照圖示說明本發(fā)明的方面。表述諸如“至少一個”在作為一系列元件的前序時，修飾整個系列的元件并且不修飾該系列元件中的單個元件。
[0051]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備I的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性側(cè)視圖。
[0052]參照圖1和2，有機(jī)層沉積設(shè)備I包括沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300和輸送單元400。
[0053]裝載單元200可包括第一機(jī)架212、傳送室214、第一反轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0054]上面還未被施加沉積材料的多個襯底2疊置在第一機(jī)架212上。包含在傳送室214中的傳送機(jī)器人從第一機(jī)架212拾取一個襯底2,將其放置在由第二輸送單兀420轉(zhuǎn)移的移動單元430上，并將放置有襯底2的移動單元430移進(jìn)第一反轉(zhuǎn)室218中。
[0055]第一反轉(zhuǎn)室218設(shè)置于傳送室214附近。第一反轉(zhuǎn)室218包括第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人，第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人將移動單元430反轉(zhuǎn)，然后將移動單元430裝載到沉積單元100的第一輸送單元410上。
[0056]參見圖1，傳送室214的傳送機(jī)器人將襯底2之一放置在移動單元430的頂面上，放置有襯底2的移動單元430然后被轉(zhuǎn)移到第一反轉(zhuǎn)室218中。第一反轉(zhuǎn)室218的第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人將第一反轉(zhuǎn)室218反轉(zhuǎn)，以使襯底2在沉積單元100中倒置。
[0057]卸載單元300被配置為以與上述方式相反的方式操作裝載單元200。具體地，當(dāng)移動單元430上在上面放置有襯底2的情況下經(jīng)過沉積單元100之后，第二反轉(zhuǎn)室328中的第二反轉(zhuǎn)機(jī)器人將移動單元430反轉(zhuǎn)，然后將移動單元430連同其襯底2移動至排出室324中。然后，排出機(jī)器人將移動單元430及其襯底2移出排出室324，將襯底2與移動單元430分離，然后將襯底2裝載到第二機(jī)架322上。與襯底2分離的移動單元430通過第二輸送單元420被送回到裝載單元200。
[0058]然而，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例的配置。例如，當(dāng)將襯底2放置在移動單元430上時，襯底2可被固定在移動單元430的底面，然后被移到沉積單元100中。例如在該實(shí)施方式中，第一反轉(zhuǎn)室218的第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二反轉(zhuǎn)室328的第二反轉(zhuǎn)機(jī)器人可省略。
[0059]沉積單元100可包括至少一個用于沉積的室101。在一個實(shí)施方式中，如圖1和2所示，沉積單元100包括室101，在室101中，可設(shè)置有機(jī)層沉積組件100-1至100-n。參見圖1，在室101中設(shè)置有11個有機(jī)層沉積組件，即，有機(jī)層沉積組件100-1、有機(jī)層沉積組件100-2、…、有機(jī)層沉積組件100-11。然而，但是有機(jī)層沉積組件的數(shù)量可根據(jù)各種因素諸如所需的沉積材料和沉積條件而改變。在沉積過程中，室101被保持在真空中。
[0060]就此而言，11個有機(jī)層沉積組件中的一些可以用于沉積以形成公共層，11個有機(jī)沉積組件中的另一些可以用于沉積以形成圖案層。在該實(shí)施方式中，用于沉積以形成公共層的有機(jī)層沉積組件可以不包括構(gòu)圖狹縫片130 (參照圖3)。根據(jù)一個實(shí)施方式，該11個有機(jī)層沉積組件可以被配置為使得:有機(jī)層沉積組件100-1進(jìn)行沉積以形成空穴注入層(HIL)作為公共層，有機(jī)層沉積組件100-2進(jìn)行沉積以形成注入層(IL)作為公共層，有機(jī)層沉積組件100-3和有機(jī)層沉積組件100-4進(jìn)行沉積以形成空穴傳輸層(HTL)作為公共層，有機(jī)層沉積組件100-5進(jìn)行沉積以在HTL中形成例如R’材料和/或G’材料作為公共層，有機(jī)層沉積組件100-6進(jìn)行沉積以在HTL中形成R’ ’材料作為公共層，有機(jī)層沉積組件100-7進(jìn)行沉積以形成紅色發(fā)光層(R EML)作為圖案層，有機(jī)層沉積組件100-8進(jìn)行沉積以形成綠色發(fā)光層(G EML)作為圖案層，有機(jī)層沉積組件100-9進(jìn)行沉積以形成藍(lán)色發(fā)光層(B EML)作為圖案層，有機(jī)層沉積組件100-10進(jìn)行沉積以形成電子傳輸層(ETL)作為公共層，以及有機(jī)層沉積組件100-11進(jìn)行沉積以形成電子注入層(EIL)作為公共層。上述有機(jī)層沉積組件還可被布置為各種形式和配置以用于與上述工藝不同的各種工藝。
[0061]在圖1所示的實(shí)施方式中，可以通過第一輸送單元410將移動單元430與固定其上的襯底2至少移動至沉積單元100或相繼地移動至裝載單元200、沉積單元100、以及卸載單元300，并且可以通過第二輸送單元420使已經(jīng)在卸載單元300中與襯底2分離的移動單元430返回裝載單元200。
[0062]第一輸送單元410在經(jīng)過沉積單元100時經(jīng)過室101，第二輸送單元420在移動單兀430與襯底2分尚后將移動單兀430輸送回去。
[0063]在本實(shí)施方式中，有機(jī)層沉積設(shè)備I被配置為使第一輸送單元410位于第二輸送單元420之上。因此，在移動單元430在卸載單元300中與襯底2分離之后，移動單元430移動單元430通過形成于第一輸送單元410下方的第二輸送單元420返回裝載單元200，使得有機(jī)層沉積設(shè)備I可具有改進(jìn)的空間利用效率。
[0064]在一個實(shí)施方式中，圖1的沉積單元100還可包括沉積源更換單元190，沉積源更換單元190被設(shè)置在每個有機(jī)層沉積組件的一側(cè)。雖然在附圖中沒有具體地示出，但是沉積源更換單元190可形成為可以可移除地貼附至每個有機(jī)層沉積組件的外側(cè)的盒型單元。因此,可容易地更換有機(jī)層沉積組件100-1的沉積源110 (參見圖3)。
[0065]在圖1中，有機(jī)層沉積設(shè)備I具有并排設(shè)置的兩組結(jié)構(gòu)，每組結(jié)構(gòu)包括裝載單元200、沉積單元100、卸載單元300以及輸送單元400。即，可以看到，兩個有機(jī)層沉積設(shè)備I并排設(shè)置(在圖1的上方和下方)。在該實(shí)施方式中，在兩個有機(jī)層沉積設(shè)備I之間可設(shè)置構(gòu)圖狹縫片更換單元500。S卩，由于結(jié)構(gòu)的這種配置，兩個有機(jī)層沉積設(shè)備I共用構(gòu)圖狹縫片更換單元500，從而與每個有機(jī)層沉積設(shè)備I都包括其本身的構(gòu)圖狹縫片更換單元500的情況相比，空間利用效率得到改進(jìn)。
[0066]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性立體圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的圖3的沉積單元100的示意性截面圖。
[0067]下文中將描述沉積單元100的整體結(jié)構(gòu)。
[0068]室101可形成為中空箱體型室并可容納至少一個有機(jī)層沉積組件100-1和移動單元430。以其它描述方式，底部102被形成為使沉積單元100固定在地面上，下部殼體103設(shè)置在底部102上，上部殼體104設(shè)置在下部殼體103上。室101容納下部殼體103和上部殼體104。就這一點(diǎn)而言，下部殼體103和室101的連接部分被密封以使室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下部殼體103和上部殼體104均設(shè)置在固定于地面上的底部102上的結(jié)構(gòu)，所以當(dāng)室101反復(fù)收縮和擴(kuò)展時，下部殼體103和上部殼體104也可保持在固定位置。因此，下部殼體103和上部殼體104可用作沉積單元100內(nèi)的參考坐標(biāo)系。
[0069]上部殼體104包括有機(jī)層沉積組件100-1和輸送單元400的第一輸送單元410，下部殼體103包括輸送單元400的第二輸送單元420。在移動單元430在第一輸送單元410與第二輸送單元420之間周期性移動的同時，沉積過程連續(xù)地進(jìn)行。
[0070]在下文中，進(jìn)一步詳細(xì)描述有機(jī)層沉積組件100-1的組成部分。
[0071]有機(jī)層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、構(gòu)圖狹縫片130、遮蔽構(gòu)件141、絲網(wǎng)構(gòu)件142、第一臺150、以及第二臺160。就這一點(diǎn)而言，圖3和圖4中示出的全部部件可設(shè)置在將保持于適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)下的室101中。需要該結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)沉積材料的線性性。
[0072]上面將被沉積沉積材料115的襯底2布置在室101中。襯底2可以為用于平板顯示裝置的襯底。例如，用于制造多個平板顯示器的具有40英寸或更大尺寸的大襯底(諸如母體玻璃)可用作襯底2。
[0073]根據(jù)一個實(shí)施方式，可通過襯底2相對于有機(jī)層沉積組件100-1的移動來執(zhí)行沉積方法。
[0074]在使用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸需要與襯底的尺寸相同。因此，當(dāng)襯底的尺寸增加時，F(xiàn)MM也需要增加的尺寸。由于這些問題，所以難以制造FMM并通過拉長FMM來在精確圖案中對準(zhǔn)FMM。
[0075]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)層沉積組件100-1中，可在有機(jī)層沉積組件100-1和襯底2相對于彼此移動的同時進(jìn)行沉積。換言之，在面對有機(jī)層沉積組件100-1的襯底2沿圖3中所示的Y軸方向移動時可連續(xù)地進(jìn)行沉積。即，當(dāng)襯底2沿如圖3所示的箭頭A的方向移動時，以掃描的方式進(jìn)行沉積。雖然在圖3中襯底2被示出為當(dāng)進(jìn)行沉積時在室101中沿Y軸方向移動，但是本發(fā)明不限于此。例如，可在有機(jī)層沉積組件100-1沿Y軸方向移動且襯底2被保持在固定位置的情況下進(jìn)行沉積。
[0076]因此，在有機(jī)層沉積組件100-1中，構(gòu)圖狹縫片130可遠(yuǎn)小于在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM。換言之，在有機(jī)層沉積組件100-1中，在襯底2沿Y軸方向移動時連續(xù)地進(jìn)行沉積，即，以掃描的方式進(jìn)行沉積。因此，構(gòu)圖狹縫片130在X軸方向和Y軸方向的長度中的至少一個可遠(yuǎn)小于襯底2的長度。由于構(gòu)圖狹縫片130可被形成為遠(yuǎn)小于在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM，所以更易于制造構(gòu)圖狹縫片130。即，在包括蝕刻、隨后的精確延長、焊接、轉(zhuǎn)移和洗滌過程的制造中，較小的構(gòu)圖狹縫片130比傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM更有利。而且，這種矩形的、帶狀FMM對于制造較大顯示裝置更加有利。
[0077]為了如上所述地在有機(jī)層沉積組件100-1和襯底2相對于彼此移動時進(jìn)行沉積，有機(jī)層沉積組件100-1和襯底2彼此可間隔開一定距離。下面對此詳細(xì)地描述。
[0078]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在與襯底的一側(cè)相反(相對)的一側(cè)上。當(dāng)包含在沉積源I1中的沉積材料115被蒸發(fā)時，在襯底2上進(jìn)行沉積。
[0079]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111、以及加熱坩堝111以朝著沉積源噴嘴單元120蒸發(fā)沉積材料115的加熱器112。
[0080]在一個實(shí)施方式中，沉積源110被設(shè)置為面對襯底2。就這一點(diǎn)而言，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)層沉積組件在執(zhí)行沉積以形成公共層和圖案層時可分別包括不同的沉積源噴嘴。
[0081]在一個實(shí)施方式中，在沉積源110與襯底2之間可設(shè)置構(gòu)圖狹縫片130。構(gòu)圖狹縫片130可進(jìn)一步包括形狀類似于窗框的框架135。
[0082]構(gòu)圖狹縫片130包括沿X軸方向設(shè)置的多個構(gòu)圖狹縫131。在沉積源110中已被蒸發(fā)的沉積材料115經(jīng)過沉積源噴嘴單元120的噴嘴121和構(gòu)圖狹縫片130的狹縫131，然后被沉積在襯底2。就這一點(diǎn)而言,構(gòu)圖狹縫片130可使用與用于形成FMM的方法相同的方法來形成，具體地，使用條型掩模例如進(jìn)行蝕刻。就這一點(diǎn)而言，構(gòu)圖狹縫131的總數(shù)可大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0083]在一個實(shí)施方式中，沉積源110 (以及沉積源噴嘴單元120)和構(gòu)圖狹縫片130可彼此間隔一定距離。
[0084]如上所述，沉積在有機(jī)層沉積組件100-1相對于襯底2移動的同時進(jìn)行。為了有機(jī)層沉積組件100-1能夠相對于襯底2移動，構(gòu)圖狹縫片130被設(shè)置為與襯底2間隔一定距離。
[0085]在使用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，沉積在FMM與襯底緊密接觸的情況下進(jìn)行，以防止在襯底上形成陰影。然而，當(dāng)FMM與襯底接觸時，由于襯底與FMM之間的接觸而導(dǎo)致的缺陷將會產(chǎn)生。此外，由于難以使掩模相對于襯底移動，掩模和襯底優(yōu)選地被形成為具有至少大致相同的尺寸。因此，掩模的尺寸將隨著顯示設(shè)備的增大而增加。然而，隨著掩模尺寸的增大，這變得越來越難。
[0086]為了解決上述問題，在根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)層沉積組件100-1中，構(gòu)圖狹縫片130與上面待沉積沉積材料的襯底2間隔一定距離。
[0087]根據(jù)本實(shí)施方式，沉積可以在被形成為小于襯底的掩模相對于襯底移動時進(jìn)行。這種更小的掩模更易于制造。此外，由于襯底與掩模之間的接觸而導(dǎo)致的缺陷可以避免。此夕卜，由于在沉積過程中不需要使襯底與掩模緊密接觸，故制造速度得到了改善。
[0088]此后，將描述上部殼體104的各個元件的具體沉積。
[0089]沉積源110和沉積源噴嘴單元120設(shè)置在上部殼體104的底部。容納部分104_1分別形成在沉積源I1和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)以具有突起形狀(即，朝著狹縫片130突起以及朝著沉積源110向內(nèi)突起)。第一臺150、第二臺150和構(gòu)圖狹縫片130依次形成在容納部分104-1上。
[0090]就這一點(diǎn)而言，第一臺150被形成為在X軸和Y軸方向上移動,使得第一臺150沿X軸和Y軸方向上與構(gòu)圖狹縫片130對準(zhǔn)。也就是說，第一臺150包括多個致動器，使得第一臺150能夠相對于上部殼體104在X軸和Y軸方向上移動。
[0091]第二臺160被形成為在Z軸方向上移動以在Z軸方向上對準(zhǔn)構(gòu)圖狹縫片130。即，第二臺160包括多個致動器并且被形成為在Z軸方向上相對于第一臺150移動。
[0092]在第二臺160上設(shè)置構(gòu)圖狹縫片130。構(gòu)圖狹縫片130設(shè)置在第一臺150和第二臺160上以便在X軸方向、Y軸方向和Z軸方向上移動，以使襯底2與構(gòu)圖狹縫片130正確對準(zhǔn)。
[0093]而且，上部殼體104、第一臺150和第二臺160可引導(dǎo)沉積材料115的流動路徑，使得通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115沒有過寬地散布。即，沉積材料115的流動路徑由上部殼體104、第一臺150和第二臺160密封，因而沉積材料115在X軸和Y軸方向上的移動可由此并行地或同時被引導(dǎo)。
[0094]可在構(gòu)圖狹縫片130與沉積源110之間設(shè)置遮蔽構(gòu)件141和絲網(wǎng)構(gòu)件142。遮蔽構(gòu)件141可用于阻擋從沉積源110發(fā)射的一些沉積材料115。此外，絲網(wǎng)構(gòu)件142可設(shè)置在遮蔽構(gòu)件141的一側(cè)以防止沉積在遮蔽構(gòu)件141上的沉積材料115滴落。下面將參照圖5
進(jìn)一步描述。
[0095]隨后將詳細(xì)描述輸送上面將沉積沉積材料115的襯底2的輸送單元400。參照圖3和4，輸送單元400包括第一輸送單元410、第二輸送單元420、以及移動單元430。
[0096]第一輸送單元410以成直線(in-line)的方式輸送承載件431、包括附接至承載件431的靜電夾盤(chuck) 432的移動單元430以及附接至移動單元430的襯底2，以便可通過有機(jī)層沉積組件100-1在襯底2上形成有機(jī)層。
[0097]當(dāng)完成一次沉積循環(huán)后，第二輸送單元420將在卸載單元300中與襯底2分離的移動單元430返回至裝載單元200。第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)器422和裝料通道423。
[0098]移動單元430包括承載件431和靜電夾盤432，承載件431沿第一輸送單元410和第二輸送單元420被輸送，靜電夾盤432被聯(lián)接至承載件431的表面上并且襯底2附接至靜電夾盤432。
[0099]在下文中將詳細(xì)地描述輸送單元400的每個部件。
[0100]現(xiàn)將詳細(xì)地描述移動單元430的承載件431。
[0101]承載件431包括主體部431a、磁軌431b、無接觸電源(CPS)模塊431c、電源單元431d以及引導(dǎo)凹槽(未示出)。
[0102]主體部431a構(gòu)成承載件431的基座部分并且可由諸如鐵或鋼的磁性材料形成。就這一點(diǎn)而言，由于主體部431a和相應(yīng)的上部和側(cè)部磁懸浮支承件(未示出)(在下面描述)之間的磁力，所以承載件431可保持與引導(dǎo)構(gòu)件412間隔開某一距離。
[0103]可在主體部431a的兩側(cè)分別形成設(shè)定的或預(yù)定的引導(dǎo)凹槽(未示出)，每個引導(dǎo)凹槽可容納引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突出部(未示出)。
[0104]可沿主體部43Ia的中心線在主體部43Ia前行的方向上形成磁軌43Ib (B卩，沿著主體部431a的沿著移動單元430的移動方向延伸的中線)。磁軌431b和線圈411 (在下面詳細(xì)描述)可一同構(gòu)成線性馬達(dá)，可通過線性馬達(dá)以箭頭A的方向輸送承載件431。
[0105]雖然本發(fā)明的實(shí)施方式預(yù)期各個部分的任何合適的位置，但在主體部431a中的磁軌431b的兩側(cè)上可分別形成CPS模塊431c和電源單元431d。電源單元431d包括電池(例如，可充電電池)，電池提供電力以使靜電夾盤432可夾持襯底2并保持操作。CPS模塊431c是對電源單元431d充電的無線充電模塊。具體地，形成在第二輸送單元420中的裝料通道423 (在下面描述)連接至逆變器(未示出)，因而，當(dāng)承載件431被轉(zhuǎn)移到第二輸送單元420時，在裝料通道423與CPS模塊431c之間形成磁場以便向CPS模塊431c供電。被供給至CPS模塊431c的電力用于對電源單元43Id充電。
[0106]靜電夾盤432可包括電極，該電極嵌入由陶瓷形成的主體中，其中該電極被供給電力。當(dāng)向電極施加高電壓時，襯底2被附接至靜電夾盤432的主體的表面上。
[0107]在下文中詳細(xì)描述移動單元430的操作。
[0108]主體部431a的磁軌431b和線圈411可彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。就這一點(diǎn)而言，操作單元可以為線性馬達(dá)。與傳統(tǒng)的滑動導(dǎo)軌系統(tǒng)相比較，線性馬達(dá)具有較小的摩擦系數(shù)、較小的位置誤差和非常高的位置確定程度。如上所述，線性馬達(dá)可包括線圈411和磁軌431b。磁軌431b線性地設(shè)置在承載件431上，多個線圈411可設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)并且與磁軌431b相隔一定距離同時面對磁軌431b。由于磁軌431b設(shè)置在承載件431上而非設(shè)置在線圈411上，所以承載件431可在無需被供給電力的情況下可操作。
[0109]就這一點(diǎn)而言，線圈411可形成在處于空氣下的在大氣(ATM)箱中，附接有磁軌431b的承載件431可以在室101保持真空的同時在室101中移動。
[0110]根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可包括用于對準(zhǔn)處理的相機(jī)170。具體地，相機(jī)170可與形成在構(gòu)圖狹縫片130上的標(biāo)記和形成于襯底2上的標(biāo)記實(shí)時對準(zhǔn)。就這一點(diǎn)而言，相機(jī)170被設(shè)置為在室101中精確操作，同時室101在沉積過程中保持真空。對此，相機(jī)170可安裝在處于大氣狀態(tài)下(即保持一個大氣壓)且保持透明的相機(jī)容納單元171中。
[0111]在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備I的遮蔽構(gòu)件141和絲網(wǎng)構(gòu)件142。
[0112]圖5和圖6示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的沉積源110、遮蔽構(gòu)件141、以及絲網(wǎng)構(gòu)件142。圖7是圖8的遮蔽構(gòu)件141和絲網(wǎng)構(gòu)件142的詳細(xì)視圖。
[0113]參照圖5、6和7，遮蔽構(gòu)件141和絲網(wǎng)構(gòu)件142可以(但不是必須)被包含在構(gòu)圖狹縫片130和沉積源110之間。遮蔽構(gòu)件141可用于阻擋從沉積源110發(fā)射的沉積材料115。此外，絲網(wǎng)構(gòu)件142可設(shè)置在遮蔽構(gòu)件141的一側(cè)以防止沉積在遮蔽構(gòu)件141上的過量沉積材料115滴落。
[0114]也就是說，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，遮蔽構(gòu)件141設(shè)置在沉積源110和構(gòu)圖狹縫片130之間以在沉積待命模式期間用作防止沉積材料沉積在構(gòu)圖狹縫片130上的主掩體。
[0115]更具體地，在有機(jī)層沉積設(shè)備100中，應(yīng)避免頻繁地向沉積源110供電以保持恒定溫度，直至在開始操作之后所有沉積材料115都被使用，從而防止沉積材料115 (可能是有機(jī)材料)的變形。在這種情況下，在有機(jī)層沉積設(shè)備100已經(jīng)在襯底2上沉積了足夠的材料之后，必須防止沉積材料115通過構(gòu)圖狹縫片130進(jìn)一步排放至室101中(諸如當(dāng)在其它襯底上進(jìn)行沉積之前的沉積待命模式下)。此時，如果不存在遮蔽構(gòu)件141，則沉積材料115將聚集在構(gòu)圖狹縫片130上。
[0116]為此，在室101中，遮蔽構(gòu)件141包含在沉積源110和構(gòu)圖狹縫片130之間，以阻擋從沉積源I1發(fā)射的沉積材料115。因此，當(dāng)遮蔽構(gòu)件141設(shè)置在沉積源110和構(gòu)圖狹縫片130之間時，從沉積源110排放的沉積材料115向室101中的非目標(biāo)部分(包括構(gòu)圖狹縫片130)的附著可以被最小化。從沉積源110排放的沉積材料115沉積在遮蔽構(gòu)件141上而不是某些其它不期望的目標(biāo)或位置。
[0117]如圖6所示，當(dāng)襯底2不經(jīng)過有機(jī)層沉積組件100-1時，遮蔽構(gòu)件141可覆蓋沉積源110，使得從沉積源110排放的沉積材料115不被涂覆至構(gòu)圖狹縫片130上。
[0118]如圖5所示，當(dāng)襯底2開始進(jìn)入有機(jī)層沉積組件100-1時，覆蓋沉積源110的遮蔽構(gòu)件141移動以開放沉積材料115的移動路徑，并且從沉積源110排放的沉積材料115穿過構(gòu)圖狹縫片130從而被沉積在襯底2上。
[0119]絲網(wǎng)構(gòu)件142可進(jìn)一步形成在遮蔽構(gòu)件141的一側(cè)，具體形成在面對沉積源110的一側(cè)。絲網(wǎng)構(gòu)件142用于防止沉積在遮蔽構(gòu)件141上的沉積材料115滴落。
[0120]更具體地，在沉積操作期間，大量沉積材料可沉積在遮蔽構(gòu)件141上。當(dāng)十分大量的沉積材料被沉積時，這些沉積材料可能形成微滴，這些微滴可以由于它們的重力而滴落。滴落的沉積材料在室101中形成顆粒物(即，雜質(zhì))，并且如果沉積材料的微滴朝著沉積源110滴落時，其還影響層形成流量FLUX并且可能使產(chǎn)品質(zhì)量劣化。此外，如果大量沉積材料可沉積在遮蔽構(gòu)件141上甚至沉積材料滴落，設(shè)備可能不再受驅(qū)動，因此降低設(shè)備工作率和產(chǎn)能。
[0121]為了解決上述問題，在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備I中的遮蔽構(gòu)件141的一側(cè)形成絲網(wǎng)構(gòu)件142，以防止沉積在遮蔽構(gòu)件141上的沉積材料115滴落。當(dāng)絲網(wǎng)構(gòu)件142聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件141的一側(cè)時，沉積材料沉積在絲網(wǎng)構(gòu)件142的間隙中，絲網(wǎng)構(gòu)件142具有形成精細(xì)篩網(wǎng)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而絲網(wǎng)構(gòu)件142輕易地捕捉附著的沉積材料，因此能夠避免沉積材料滴落。
[0122]經(jīng)驗(yàn)表明，如果沒有絲網(wǎng)構(gòu)件，有機(jī)沉積材料會在處理時間的約60至70小時之后開始滴落。然而，在使用絲網(wǎng)構(gòu)件時，即使在處理時間的250小時之后，也沒有有機(jī)材料滴落。
[0123]根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，當(dāng)沉積在遮蔽構(gòu)件141的沉積材料的滴落被阻止時，產(chǎn)品質(zhì)量可以得到改善，并且設(shè)備工作率和產(chǎn)率可以增加。
[0124]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的絲網(wǎng)構(gòu)件144的遮蔽構(gòu)件143。
[0125]根據(jù)本發(fā)明的這個實(shí)施方式，遮蔽構(gòu)件143設(shè)置在沉積源110和構(gòu)圖狹縫片130之間，具體地，遮蔽構(gòu)件143單獨(dú)地位于構(gòu)圖狹縫片130與有機(jī)層沉積組件100-1 (見圖1)的三個沉積源IlOaUlOb和IlOc中的每一個之間，以用作源掩體以便單獨(dú)控制這三個沉積源IlOaUlOb和IlOc中的每一個的沉積。也就是說，三個遮蔽構(gòu)件143a、143b和143c分別形成于沉積源IlOaUlOb和IlOc的前方,從而可以阻擋來自沉積源IlOaUlOb和IlOc中的每個單獨(dú)沉積源的沉積材料，即使沉積源IlOaUlOb和IlOc之一出現(xiàn)故障，也可以使用其他沉積源進(jìn)行沉積而不需要中斷沉積過程。
[0126]這里，然而，具有源掩體形式的遮蔽構(gòu)件143被設(shè)置為距離沉積源110較近，因此大量沉積材料被沉積，并且這些沉積材料可能易于滴落。當(dāng)沉積材料從遮蔽構(gòu)件143滴落時，沉積材料可能落入沉積源噴嘴單元120中并阻塞沉積源噴嘴單元120，從而使產(chǎn)品特性劣化。
[0127]為了解決上述問題，絲網(wǎng)構(gòu)件144被形成在遮蔽構(gòu)件143的一側(cè)以防止沉積在遮蔽構(gòu)件143上的沉積材料115滴落。也就是說，三個絲網(wǎng)構(gòu)件144a、144b和144c分別聯(lián)接至三個遮蔽構(gòu)件143a、143b和143c的一側(cè)。當(dāng)絲網(wǎng)構(gòu)件144聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件143的一側(cè)時，沉積材料沉積在絲網(wǎng)構(gòu)件144的篩網(wǎng)上，并且絲網(wǎng)構(gòu)件144輕易地捕捉附著的沉積材料。因此，可以防止沉積材料的滴落。
[0128]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的遮蔽構(gòu)件147和絲網(wǎng)構(gòu)件148。
[0129]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，遮蔽構(gòu)件147設(shè)置在沉積源110和襯底2之間，同時被側(cè)向地放置在構(gòu)圖狹縫片130的外側(cè)以用作遮擋件以防止有機(jī)材料沉積在襯底2的非層形成區(qū)域(即，襯底2的不沉積有機(jī)材料的區(qū)域)上。也就是說，在襯底2移動期間，遮蔽構(gòu)件147被形成為在其覆蓋襯底2的非層形成區(qū)域的同時與襯底2 —起移動(S卩，邊界部分)，使得襯底2的非層形成區(qū)域被覆蓋。因此，有機(jī)材料在襯底2的非層形成區(qū)域上的沉積可以被輕易阻止，而不需要任何附加結(jié)構(gòu)。
[0130]此外，在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備I中，絲網(wǎng)構(gòu)件148還以源掩體的形式形成在遮蔽構(gòu)件147的一側(cè)，具體地，形成在遮蔽構(gòu)件147的面對沉積源110的一側(cè)，從而防止沉積在遮蔽構(gòu)件147上的沉積材料115滴落。當(dāng)絲網(wǎng)構(gòu)件148聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件147的一側(cè)時，沉積材料沉積在絲網(wǎng)構(gòu)件148的具有精細(xì)篩網(wǎng)形式的間隙中，使得絲網(wǎng)構(gòu)件148輕易地捕捉附著的沉積材料。因此，可以防止沉積材料朝著沉積源110滴落回去。
[0131]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的遮蔽構(gòu)件145和絲網(wǎng)構(gòu)件146。
[0132]根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施方式，遮蔽構(gòu)件145形成在沉積源110的一側(cè)以環(huán)繞沉積源110并具有調(diào)節(jié)沉積材料排放角度的角度限制板的形式，從而引導(dǎo)從沉積源110蒸發(fā)的沉積材料的路徑。也就是說，遮蔽構(gòu)件145垂直于襯底2的表面和/或平行于從沉積源110的噴射角度定向，使得遮蔽構(gòu)件145創(chuàng)建排放路徑，因此引導(dǎo)或輸送從沉積源110蒸發(fā)的沉積材料，從而改善沉積材料的方向性。從沉積源110蒸發(fā)的沉積材料的幾乎沿垂直方向前進(jìn)的部分不與遮蔽構(gòu)件145碰撞而是前進(jìn)至襯底2。另一方面，從沉積源110蒸發(fā)的沉積材料的以預(yù)定或更小角度傾斜地前進(jìn)的另一部分與遮蔽構(gòu)件碰撞并沉積在遮蔽構(gòu)件145上。沉積材料的方向性通過遮蔽構(gòu)件145改善，因此可顯著減小陰影。
[0133]然而，由于遮蔽構(gòu)件145相對接近沉積源110 (B卩，位于沉積源110近側(cè))，因此其上沉積有大量沉積材料，并且這些沉積材料可輕易地形成微滴。當(dāng)沉積材料從具有角度限制板形式的遮蔽構(gòu)件145滴落時，沉積材料可堵塞或阻塞沉積源噴嘴單元120，或?qū)Τ练e材料的升華角度造成干擾，并且可能改變升華通量并影響沉積層的均勻度，從而時產(chǎn)品性質(zhì)劣化。
[0134]為了防止上述問題，在遮蔽構(gòu)件145的兩側(cè)還形成有絲網(wǎng)構(gòu)件146，以防止沉積在遮蔽構(gòu)件145上的沉積材料115滴落。當(dāng)絲網(wǎng)構(gòu)件146聯(lián)接至遮蔽構(gòu)件145的兩側(cè)時，沉積材料沉積在絲網(wǎng)構(gòu)件146上，因此絲網(wǎng)構(gòu)件146捕捉附著的沉積材料，從而防止沉積材料滴落。
[0135]圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)層沉積組件900的示意性立體圖。
[0136]參照圖11，有機(jī)層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920、以及構(gòu)圖狹縫片950。此外，有機(jī)層沉積組件900還包括遮蔽構(gòu)件941和絲網(wǎng)構(gòu)件942。
[0137]沉積源910包括填充有沉積材料915的坩堝911以及加熱器912，加熱器912加熱坩堝911以便朝向沉積源噴嘴單元920蒸發(fā)包含在坩堝911中的沉積材料915。沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的一側(cè)，多個沉積源噴嘴921沿Y軸方向形成在沉積源噴嘴單元920上。構(gòu)圖狹縫片950和框架955還包含在沉積源910和襯底2之間，并且片950具有多個構(gòu)圖狹縫951。此外，沉積源910、沉積源噴嘴單元920以及構(gòu)圖狹縫片950經(jīng)由連接構(gòu)件935彼此聯(lián)接。
[0138]包含在沉積源噴嘴單元920中的沉積源噴嘴921的布置與本發(fā)明的前述實(shí)施方式中的布置不同，因此將在下面詳細(xì)描述。
[0139]沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的一側(cè)，具體地，沉積源910的面對襯底2的一側(cè)。此外，沉積源噴嘴921形成在沉積源噴嘴單元920中。沉積源910中蒸發(fā)的沉積材料915通過沉積源噴嘴920前進(jìn)至作為沉積對象或目標(biāo)的襯底2。在這種情況下，如果多個沉積源噴嘴921布置在X軸方向上，則沉積源噴嘴921與各自的構(gòu)圖狹縫951之間的距離是可變的，并且由于從距離構(gòu)圖狹縫951較遠(yuǎn)的沉積源921排放的沉積材料而形成陰影。因此，通過僅在X軸方向上設(shè)置一個沉積源噴嘴921，可顯著減少陰影的產(chǎn)生。
[0140]圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的使用有機(jī)層沉積設(shè)備I制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。
[0141]參照圖12，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置形成在襯底2上。襯底2可由透明材料(例如，玻璃、塑料或金屬)形成。絕緣層51 (諸如緩沖層)形成在襯底2的整個表面上。
[0142]薄膜晶體管(TFT)、電容器(未示出)、以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)設(shè)置在絕緣層51上人,如圖12所示。
[0143]半導(dǎo)體有源層52以一組或預(yù)定圖案形成在絕緣層51的上表面上。柵極絕緣層53被形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層52。半導(dǎo)體有源層52可包括P型或η型半導(dǎo)體材料。
[0144]TFT的柵電極54形成在柵極絕緣層53的與半導(dǎo)體有源層53相對應(yīng)的區(qū)域上。層間絕緣層55被形成為覆蓋柵電極54。層間絕緣層55和柵極絕緣層53例如通過干法蝕刻進(jìn)行蝕刻以形成暴露半導(dǎo)體有源層52的部分的接觸孔。
[0145]源/漏電極56、57形成在層間絕緣層55上以通過接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層52。鈍化層58被形成為覆蓋源/漏電極56、57，并且被蝕刻為暴露源/漏電極56、57之一的一部分。絕緣層(未示出)可以進(jìn)一步地形成在鈍化層58上以使鈍化層58平坦化。
[0146]此外，OLED通過發(fā)出紅色、綠色或藍(lán)色光來顯示設(shè)定或預(yù)訂圖像信息。OLED包括設(shè)置在鈍化層58上的第一電極61。第一電極61電連接至TFT的漏電極57。
[0147]像素限定層60被形成為覆蓋第一電極61。開口形成在像素限定層60中，并且包括發(fā)光層(EML)的有機(jī)層61形成在由該開口限定的區(qū)域中。第二電極63形成在有機(jī)層62上。
[0148]限定單個像素的像素限定層60由有機(jī)材料形成。像素限定層60還使襯底30的形成有第一電極61的區(qū)域的表面，尤其是絕緣層59的表面平坦化。
[0149]第一電極61與第二電極63彼此絕緣，并且分別向有源層62施加具有相反極性的電壓以引起發(fā)光。
[0150]包括EML的有機(jī)層62可由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時，有機(jī)層62可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，該單層或多層結(jié)構(gòu)包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)?？捎糜袡C(jī)材料的非限制性示例可包括酞菁銅(CuPc)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、以及三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0151]包括EML有機(jī)層62可使用圖1所示的有機(jī)層沉積設(shè)備I形成。也就是說，有機(jī)層沉積設(shè)備包括沉積源、沉積源噴嘴單元以及構(gòu)圖狹縫片，其中沉積源排放沉積材料，沉積源噴嘴單元設(shè)置在沉積源一側(cè)并包括形成于沉積源噴嘴單元中的多個沉積源噴嘴，構(gòu)圖狹縫片面對沉積源噴嘴單元。構(gòu)圖狹縫片包括形成于其中的多個構(gòu)圖狹縫，其中這些狹縫被設(shè)置為與待沉積沉積材料的襯底間隔設(shè)定或預(yù)定距離。此外，在有機(jī)層沉積設(shè)備I和襯底2相對于彼此移動的同時，從有機(jī)層沉積設(shè)備I (參照圖1)排放的沉積材料被沉積在襯底2(參照圖1)上。
[0152]在有機(jī)層62形成之后，可通過與用于形成有機(jī)層62相同的沉積方法形成第二電極63。
[0153]第一電極61可用作陽極、第二電極63可用作陰極?？蛇x地，第一電極61可用作陰極、第二電極63可用作陽極。第一電極61可被圖案化為與單獨(dú)的像素區(qū)域相對應(yīng)，第二電極63可被形成為覆蓋所有像素。
[0154]第一電極61可被形成為透明電極或反射電極。這種透明電極可由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。這種反射電極可通過如下方式形成:從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的化合物形成反射層，隨后在反射層上形成ITO、IZO、ZnO或Ιη203。第一電極61可通過如下方式形成:通過例如濺射形成層，隨后通過例如光刻法對該層進(jìn)行圖案化。
[0155]第二電極63也可被形成為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O63被形成為透明電極時，第二電極63用作陰極。為此，這種透明電極可通過如下方式形成:在有機(jī)層62的表面上沉積具有低功函數(shù)的金屬，諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(1^/^1)、鋁(41)、銀(八8)、鎂(1%)或它們的化合物，并且在其上從ITO、IZO, ZnO, In2O3等形成輔助電極層或總線電極線。當(dāng)?shù)诙姌O63被形成為反射電極時，反射層可通過在有機(jī)層62的整個表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的化合物而形成。第二電極63可使用與用于形成上述有機(jī)層62相同的沉積方法形成。
[0156]上述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)層沉積設(shè)備可應(yīng)用于形成有機(jī)層或有機(jī)TFT的無機(jī)層，并用于形成由各種材料形成層。
[0157]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個或更多實(shí)施方式提供有機(jī)層沉積設(shè)備，其適用于大型襯底的大批量生產(chǎn)并使高清晰度圖案成為可能。本發(fā)明的實(shí)施方式還包括使用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，以及使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0158]雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以在形式和細(xì)節(jié)中作出各種變化而不偏離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明的精神和范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同來限定。
【權(quán)利要求】
1.有機(jī)層沉積設(shè)備，包括: 輸送系統(tǒng)，包括移動單元、第一輸送單元以及第二輸送單元，所述移動單元被配置為聯(lián)接有襯底并與所述襯底一起移動，第一輸送單元用于在所述襯底被聯(lián)接至所述移動單元時使所述移動單元在第一方向上移動，所述第二輸送單元用于在沉積完成之后在所述襯底與所述移動單元分離時使所述移動單元在與所述第一方向相反的第二方向上移動；以及沉積單元，包括至少一個有機(jī)層沉積組件，所述至少一個有機(jī)層沉積組件用于在所述襯底被聯(lián)接至所述移動單元時在所述襯底上沉積有機(jī)層， 其中所述至少一個有機(jī)層沉積組件中的每一個均包括: 至少一個沉積源，用于排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，設(shè)置在所述至少一個沉積源的一側(cè)，其中所述沉積源噴嘴單元中形成有至少一個沉積源噴嘴； 構(gòu)圖狹縫片，被設(shè)置為面對所述沉積源噴嘴單元并包括沿著預(yù)定方向延伸的多個構(gòu)圖狹縫； 遮蔽構(gòu)件，設(shè)置在所述襯底與所述至少一個沉積源之間并被配置為阻擋從所述至少一個沉積源蒸發(fā)的所述沉積材料；以及 絲網(wǎng)構(gòu)件，設(shè)置在所述遮蔽構(gòu)件的一側(cè)并被配置為防止所述沉積材料從所述遮蔽構(gòu)件滴落， 其中所述移動單元被配置為在所述第一輸送單元與所述第二輸送單元之間循環(huán)移動，以及 其中，當(dāng)聯(lián)接至所述移動單元時，所述襯底在被所述第一輸送單元轉(zhuǎn)移時與所述有機(jī)層沉積組件間隔預(yù)定距離。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述遮蔽構(gòu)件能夠可操作地移動以防止所述沉積材料沉積在所述襯底上。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述遮蔽構(gòu)件被配置為在所述至少一個沉積源與所述構(gòu)圖狹縫片之間移動。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述絲網(wǎng)構(gòu)件聯(lián)接至所述遮蔽構(gòu)件以與所述遮蔽構(gòu)件一起移動。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述遮蔽構(gòu)件設(shè)置在所述沉積源的一側(cè)并被定位和成形為朝著所述襯底引導(dǎo)從所述至少一個沉積源蒸發(fā)的所述沉積材料。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述遮蔽構(gòu)件被成形為至少部分地圍繞所述沉積源。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述絲網(wǎng)構(gòu)件聯(lián)接至所述遮蔽構(gòu)件并且所述絲網(wǎng)構(gòu)件和所述遮蔽構(gòu)件被定位為靠近所述沉積源的一側(cè)。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述至少一個有機(jī)層沉積組件中的每一個均包括: 多個沉積源；以及 多個遮蔽構(gòu)件，可移動地定位在所述多個沉積源中的相應(yīng)沉積源與所述構(gòu)圖狹縫片之間。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述多個遮蔽構(gòu)件能夠被定位為防止所述沉積材料沉積在所述襯底上。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述遮蔽構(gòu)件被成形和定位為覆蓋所述襯底的邊界區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述遮蔽構(gòu)件被配置為在覆蓋所述襯底的所述邊界區(qū)域時與所述襯底一起移動。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述構(gòu)圖狹縫片的狹縫被成形和定位以使從所述至少一個沉積源排放的所述沉積材料以預(yù)定圖案沉積在所述襯底上。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述構(gòu)圖狹縫片在所述第一方向和與所述第一方向不同的第三方向中的至少一個上具有比所述襯底更小的尺寸。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述第一輸送單元和所述第二輸送單元被配置為經(jīng)過所述沉積單元。
15.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中所述第一輸送單元被設(shè)置為平行于所述第二輸送單元。
16.制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 將移動單元輸送至室內(nèi)，所述移動單元聯(lián)接有襯底，該輸送通過被安裝為進(jìn)入所述室的第一輸送單兀執(zhí)行； 通過在使襯底相對于有機(jī)層沉積組件移動時將來自有機(jī)層沉積組件的沉積材料沉積在所述襯底上從而在所述襯底上形成有機(jī)層，所述有機(jī)層沉積組件定位在所述室內(nèi)并與所述襯底間隔預(yù)定距離；以及 在所述襯底與所述移動單元分離之后，通過被安裝為經(jīng)過所述室的第二輸送單元輸送所述移動單元， 其中形成有機(jī)層的步驟還包括阻止從所述有機(jī)層沉積組件排放的所述沉積材料沉積在所述襯底上，該阻止步驟通過聯(lián)接有絲網(wǎng)構(gòu)件的遮蔽構(gòu)件執(zhí)行。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述有機(jī)層沉積組件包括: 沉積源，用于排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，設(shè)置在所述沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；以及 構(gòu)圖狹縫片，面對所述沉積源噴嘴單元并包括多個構(gòu)圖狹縫， 其中所述多個構(gòu)圖狹縫被成形和布置為使從所述沉積源排放的所述沉積材料穿過所述構(gòu)圖狹縫片從而以預(yù)定圖案沉積在所述襯底上。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件被配置為設(shè)置在所述襯底與所述沉積源之間以防止從所述沉積源蒸發(fā)的所述沉積材料沉積在所述襯底上， 其中所述絲網(wǎng)構(gòu)件設(shè)置在所述遮蔽構(gòu)件的一側(cè)以防止所述沉積材料從所述遮蔽構(gòu)件滴落。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件能夠可操作地移動以防止移動以防止所述沉積材料沉積在所述襯底上。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件被配置為在所述沉積源與所述構(gòu)圖狹縫片之間移動。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述絲網(wǎng)構(gòu)件聯(lián)接至所述遮蔽構(gòu)件以與所述遮蔽構(gòu)件一起移動。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件設(shè)置在所述沉積源的一側(cè)并被定位和成形為朝著所述襯底引導(dǎo)從所述沉積源蒸發(fā)的所述沉積材料。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件被成形為至少部分地圍繞所述沉積源。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述絲網(wǎng)構(gòu)件聯(lián)接至所述遮蔽構(gòu)件并且所述絲網(wǎng)構(gòu)件和所述遮蔽構(gòu)件被定位為靠近所述沉積源的一側(cè)。
25.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述有機(jī)層沉積組件包括: 多個沉積源；以及 多個遮蔽構(gòu)件，能夠可移動地定位在所述多個沉積源中的相應(yīng)沉積源與所述構(gòu)圖狹縫片之間。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述多個遮蔽構(gòu)件能夠被定位為防止所述沉積材料沉積在所述襯底上。
27.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件被成形和定位為覆蓋所述襯底的邊界區(qū)域。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述遮蔽構(gòu)件被配置為在覆蓋所述襯底的所述邊界區(qū)域時與所述襯底一起移動。
【文檔編號】C23C14/24GK104167511SQ201410074527
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年3月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月16日
【發(fā)明者】李秀奐, 成沄澈, 金茂顯, 李東規(guī) 申請人:三星顯示有限公司