濺射裝置以及用其形成薄膜的方法
【專利摘要】提供了一種濺射裝置。該濺射裝置包括：殼體；可旋轉地布置在殼體上的旋轉支架；布置在旋轉支架上的目標單元；布置在目標單元內的磁體單元，該磁體單元能夠相對于旋轉支架進行相對移動；以及布置在旋轉支架與磁體單元之間和/或殼體與磁體單元之間以沿著磁體單元的長度方向驅使磁體單元的施力單元。
【專利說明】濺射裝置以及用其形成薄膜的方法
[0001]相關申請
[0002]本申請要求2013年7月25日提交到韓國知識產權局的第10-2013-0088079號韓國專利申請的權益，該申請公開的全文通過引用并入本文。

【技術領域】
[0003]本發(fā)明的一個或多個實施方式涉及濺射裝置以及使用該濺射裝置形成薄膜的方法。

【背景技術】
[0004]半導體器件、顯示裝置和其他電子器件包括多個薄膜。多個薄膜可以使用多種方法形成。沉積方法是其中之一。
[0005]例如，沉積方法包括濺射方法、化學氣相沉積((^0)方法、原子層沉積(八10)方法和多種其他沉積方法。
[0006]顯示裝置的有機發(fā)光顯示裝置具有寬視角、高對比度和快響應速度。因此，有機發(fā)光顯示裝置作為次世代顯示裝置而備受矚目。
[0007]有機發(fā)光顯示裝置包括中間層，該中間層包括位于彼此相對的第一電極與第二電極之間的有機發(fā)光層以及至少一個薄膜。此處，濺射工藝可以用于形成有機發(fā)光顯示裝置的薄膜。
[0008]在執(zhí)行濺射工藝時，在目標與基板之間可能發(fā)生等離子體放電。因此，將很難確保等離子體放電特性的均勻性。
[0009]隨著對具有大尺寸和高分辨率的有機發(fā)光顯示裝置的需求增加，需要有機發(fā)光顯示裝置的薄膜中的均勻特性。然而，在使用濺射工藝形成薄膜時，因為很難保持等離子體放電特性，形成具有所需特征的薄膜受到限制。


【發(fā)明內容】

[0010]本發(fā)明的一個或多個實施方式包括能夠在操作期間固定磁體單元的位置并且形成均勻膜的濺射裝置以及通過使用該裝置形成薄膜的方法。
[0011]其他方面將被部分地記載于下面的描述中，部分將從描述而顯現(xiàn)或者通過提出的實施方式的實踐而學到。
[0012]根據本發(fā)明的一個或多個實施方式，濺射裝置包括:殼體；旋轉支架，可旋轉地布置在殼體上；目標單元，布置在旋轉支架上；磁體單元，布置在目標單元內，該磁體單元能夠相對于旋轉支架進行相對移動；以及施力單元，布置在旋轉支架與磁體單元之間和/或殼體與磁體單元之間以沿著磁體單元的長度方向驅使磁體單元。
[0013]殼體可以包括第一殼體；以及第二殼體，布置成與第一殼體相對。
[0014]磁體單元可以具有相對于第一旋轉支架可進行相對轉動的一個端部和固定到第二殼體的另一個端部。
[0015]第二殼體可以包括:第一板，磁體單兀被插入并固定到該第一板，該第一板被插入到第二旋轉支架中；第二板，連接到第一板以圍繞第二旋轉支架；以及第三板，布置成圍繞第二板。
[0016]濺射裝置還可以包括:第一密封部件，布置在第一板與第二旋轉支架之間。
[0017]濺射裝置還可以包括:第二密封部件，布置在第二旋轉支架與第二板之間。
[0018]濺射裝置還可以包括:背管，以固定目標單元和旋轉支架。
[0019]施力單元可以包括:接觸部分，與磁體單元接觸；以及彈性部分，布置在旋轉支架內以驅使接觸部分。
[0020]施力單元可以包括:第一施力單元，與磁體單元接觸以沿著第一方向施加第一力到磁體單元；以及第二施力單元，布置成與第一施力單元相對以沿著不同于第一方向的第二方向施加不同于第一力的第二力到磁體單元。
[0021]第一力可以大于第二力。
[0022]第一方向與第二方向可以彼此相反。
[0023]濺射裝置還可以包括:減摩單元，布置在磁體單元與旋轉支架之間。
[0024]減摩單元可以在磁體單元與旋轉支架相對于彼此進行相對移動時減少磁體單元與旋轉支架之間的摩擦力。
[0025]至少一個減摩單元可以被布置在磁體單元的底表面上。
[0026]根據本發(fā)明的一個或多個實施方式，濺射裝置包括:殼體；旋轉支架，可旋轉地布置在殼體上；目標單元，布置在旋轉支架上；磁體單元，布置在目標單元內，該磁體單元能夠相對于旋轉支架進行相對移動；以及減摩單元，布置在旋轉支架與磁體單元之間。
[0027]減摩單元可以在磁體單元與旋轉支架相對于彼此進行相對移動時減少磁體單元與旋轉支架之間的摩擦力。
[0028]至少一個減摩單元可以被布置在磁體單元的底表面上。
[0029]根據本發(fā)明的一個或多個實施方式，用于形成薄膜的方法包括:將基板裝載到腔室中；以及在目標單元被布置在腔室內以與基板相對并且目標單元內的磁體單元被固定時，在轉動目標單元的同時將沉積材料沉積在基板上，其中在施力單元從磁體單元的至少一個單元沿著目標單元的長度方向驅使磁體單元時，執(zhí)行沉積材料在基板上的沉積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]通過結合附圖的以下實施方式的描述，這些和/或其他方面將變得明確并且更加易于理解，在附圖中:
[0031]圖1為根據本發(fā)明實施方式的濺射裝置的示意性透視圖；
[0032]圖2為圖1沿著11-11線截取的剖視圖；
[0033]圖3為圖1沿著111-111線截取的剖視圖；
[0034]圖4為圖1沿著17-17線截取的剖視圖；
[0035]圖5為使用圖1的濺射裝置制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；以及
[0036]圖6為圖5的區(qū)域？的放大視圖。

【具體實施方式】
[0037]現(xiàn)在將對在附圖中示出的實施方式、示例進行詳細說明。然而，本發(fā)明可以以不同方式實施，并且不應當被解釋為限制于本文中所闡述的實施方式。相反，提供了這些實施方式以便本公開將是徹底和完整的，并且將會把本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領域的普通技術人員。此外，本發(fā)明僅僅是由權利要求書的范圍所限定。在下面的描述中，術語僅僅被用于說明具體的示例性實施方式同時并不限制本發(fā)明。除非另有相反表述，則單數(shù)形式的用語可以包括復數(shù)形式。本文中所用的用語“包含”、“包括”、“包含有”和“包括有”具體指定部件、工藝、操作和/或元件而不是排除其他部件、工藝、操作和/或元件。將理解雖然用語“第一”和“第二”被用于本文中以描述多種元件，但是這些元件不應當受到這些用語的限制。這些用語僅僅是用于區(qū)分一個部件與其他部件。如本文所用，用語“和/或”包括一個或多個相關所列項目的任意和所有組合。當如“至少一個”的表述在一列元件之前時，是修飾整列的元件而不是修飾列中的單個元件。
[0038]圖1為根據本發(fā)明實施方式的濺射裝置100的示意性透視圖，圖2為圖1沿著11-11線截取的剖視圖，圖3為圖1沿著111-111線截取的剖視圖，以及圖4為圖1沿著1乂-^線截取的剖視圖。
[0039]參照圖1至圖4，濺射裝置100可以包括:具有沉積空間的腔室110，基板3被布置在該空間中以在基板3上執(zhí)行沉積工藝；牢固地布置在腔室110上的殼體120 ；可旋轉地布置在殼體120上的旋轉支架130 ；以及布置在旋轉支架130上的目標單元140。并且，濺射裝置100可以包括:磁體單元150，布置在目標單元140的內軸上并且可相對于旋轉支架130進行相對移動；施力單元160，布置在旋轉支架130與磁體單元150之間，或者布置在殼體120與磁體單元150之間，或者布置在旋轉支架130與磁體單元150之間以及殼體120與磁體單元150之間，以沿著磁體單元150的長度方向驅使磁體單元150。濺射裝置100可以包括:用于固定目標單元140和旋轉支架130的背管170 ；以及布置在磁體單元150與旋轉支架130之間的減摩單元180。
[0040]腔室110可以被連接到泵(未示出)以在沉積工藝中控制壓力環(huán)境。并且，腔室110可以容納或保護基板3和目標單元140。并且，腔室110可以包括至少一個入口，基板3通過該入口裝載或卸載。雖然圖1中僅僅示出腔室110的底表面，但是腔室110可以具有類似于盒的形狀。
[0041]基板3可以布置在基板支承單元105上。當在基板3上執(zhí)行沉積工藝時，基板支承單元105可以防止基板3移動或晃動。為此，基板支承單元105可以包括夾具(未示出并且，基板支承單元105可以包括至少一個吸附孔(未示出)以吸附基板3。并且，基板支承單元105可以由具有高耐熱性和耐久性的材料形成以在沉積工藝過程中防止基板支承單元105受熱變形或損壞。
[0042]目標單元140可以被布置成與基板3相對。此處，目標單元140可以具有圓柱形狀。并且，目標單元140可以被轉動以在沉積工藝過程中在基板3上提供沉積材料，由此在基板3上形成沉積膜。為此，目標單元140可以具有大于或等于基板3沿著一個方向的寬度的長度。
[0043]目標單元140可以由背板1403支承。背板1403可以具有與具有空心圓柱形狀的目標單元140的形狀相似的形狀。背板1403可以被布置在目標單元140內以支承目標單元140。并且，背板1403可以在沉積工藝過程中均勻保持目標單元140的溫度。并且，電力可以通過電源(未示出)施加到背板1403。例如，即或IX:電源的電力可以被施加到背板1408.此處，背板1403可以用作陰極。由此，連接到背板1403的目標單元140可以用作陰極?？蛇x地，可以在不提供背板1403情況下使用目標單元140。在這種情況下，電力可以被施加到目標單元140。在下文中，為了描述的便利，下文中將詳細描述背板1403布置在目標單元140內的結構。
[0044]磁體單元150可以布置在目標單元140內。此處，磁體單元150可以包括沿著目標單元140的長度方向布置在目標單元內的磁鐵支承部分153。并且，磁體單元150可以包括布置在磁鐵支承部分153上的磁體部件151。
[0045]磁體部件151可以沿著目標單元140的長度方向縱向延伸以平行于目標單元140。此處，在目標單元140被轉動以執(zhí)行沉積工藝期間，磁體部件151和磁鐵支承部分153不會被轉動。也就是說，磁體部件151和磁鐵支承部分153并未連接到目標單元140和背板140^0
[0046]磁體部件151生成磁場以控制等離子體放電。例如，磁體部件151可以包括第一磁體部件15匕以及布置在第一磁體部件15匕兩側的一對第二磁體部件151匕此處，第一磁體部件15匕和一對第二磁體部件15化可以被布置成第一磁體部件15匕與一對第二磁體部件1516具有彼此相反的極性。由此，由磁體部件151生成的磁場可以被集中到目標單元140的一部分中。其結果為，等離子體放電也可以被集中到目標單元140的一部分中。除了上述結構以外，還可以以多種結構設置磁體部件151。例如，可以設置兩個或四個磁體部件151。此處，磁體部件151可以如上所述被布置成彼此平行或者被布置成預定角度。然而，為了描述的便利，將詳細描述磁體部件151包括第一磁體部件1513和第二磁體部件1516的如上所述結構。
[0047]磁體單元150可以被連接到旋轉支架130和殼體120。旋轉支架130可以包括第一旋轉支架131和第二旋轉支架133。并且，殼體120可以包括第一殼體121和第二殼體123。此處，第一旋轉支架131可以被可旋轉地布置在第一殼體121上，而第二旋轉支架133可以被可旋轉地布置在第二殼體123上。第一殼體121和第二殼體123可以被布置成彼此相對。并且，第一旋轉支架131和第二旋轉支架133可以被布置成彼此相對。
[0048]此處，磁體單元150可以對于第一旋轉支架131和第二殼體123進行相對移動。詳細地，磁鐵支承部分153的一個端部可以被插入到第一旋轉支架131中。此處，在第一旋轉支架131被轉動時，磁鐵支承部分153可以不被轉動。并且，磁鐵支承部分153的另一端部可以被插入并固定到第二殼體123。
[0049]此處，第二殼體123可以包括插入到第二旋轉支架133中的第一板1233，磁體單元150被插入并支承于該第一板1233。第一板1233可以具有彈簧形狀以吸收磁體單元150的振動。并且，第二殼體123可以包括連接到第一板1233以圍繞第二旋轉支架133的第二板123匕第二殼體123可以包括圍繞第二板1236的第三板1230。此處，第一板123&至第三板123^可以被連接到腔室110以支承第二旋轉支架133。
[0050]濺射裝置100可以包括布置在第一板1233與第二旋轉支架133之間的第一密封部件191。此處，第一密封部件191可以被布置在第一板1233的外表面與第二旋轉支架133的內表面之間。詳細地，第一密封部件191可以為環(huán)形。更詳細地，第一密封部件191可以具有水環(huán)形狀以阻擋濕氣。
[0051]濺射裝置100可以包括布置在第二旋轉支架133與第二板1236之間的第二密封部件193。此處，第二密封部件193可以被布置在第二旋轉支架133的外表面與第二板1236的內表面之間。詳細地，第二密封部件193可以為環(huán)形。更詳細地，第二密封部件193可以具有真空環(huán)形以阻擋空氣。
[0052]背板1403和目標單元140可以由第二旋轉支架133轉動。更詳細地，第二旋轉支架133可以被連接到驅動單元(未示出),如傳動帶101以接收驅動力，由此轉動背板1403和目標單元140。此處，上述電源(未示出)可以被連接到第二旋轉支架133以通過第二旋轉支架133施加電力到背板1403。
[0053]如上所述，第一旋轉支架131和第二旋轉支架133分別從背板1403的兩端部縱向延伸。然后，第一旋轉支架131和第二旋轉支架133分別可以由第一殼體121和第二殼體123容納。并且，背板1403和第一旋轉支架131或者背板1403和第二旋轉支架133可以通過背管170彼此連接和固定。
[0054]背管170可以包括第一背管171和第二背管173。第一背管171將背板1403連接到第一旋轉支架131，而第二背管173將背板1403連接到第二旋轉支架133。詳細地，如上所述，第一背管171和第二背管173可以將目標單元140連接到第一旋轉支架131或者將目標單元140連接到第二旋轉支架133。然而，本發(fā)明并不限于此。例如，在不提供背管170的情況下，背板140^第一旋轉支架131和第二旋轉支架133可以彼此成為一體。在下文中，為了描述的便利，將描述第一背管171將背板1403連接到第一旋轉支架131，而第二背管173將背板1403連接到第二旋轉支架133的結構。
[0055]冷卻水流入管(未示出)和冷卻水排出管(未示出)形成在第二殼體123中。冷卻水流入管和冷卻水排出管可以被連接到目標單元140內以循環(huán)冷卻水。由此，可以通過背板1403吸收在濺射工藝過程中從目標單元140生成的熱量以均勻保持目標單元140的溫度。由此，濺射工藝可以在效率方面得到改善。在下文中，為了描述的便利，將詳細描述未設置冷卻水流入管和冷卻水排出管的結構。
[0056]與基板3相對的目標單元140的區(qū)域可以被暴露。此處，暴露的區(qū)域可以為濺射區(qū)域。此處，根據多種實施方式，目標單元140的一部分或者整體可以被暴露。詳細地，在只有目標單元140的一部分被暴露時，屏蔽單元(未示出)才可以被布置在目標單元140周圍。并且，如果整個目標單元140被暴露時，可以不設置屏蔽單元。
[0057]如果屏蔽單元被設置，則屏蔽單元可以是固定的，而不與具有圓柱形狀的目標單元140 —起轉動。由此，目標單元140的濺射區(qū)域可以被持續(xù)地替換為新的區(qū)域。由此，目標單元140可以在使用效率上得到改善并且在工作周期上得到提升。
[0058]目標單元140與屏蔽單元之間的距離可以小于離子鞘的厚度。離子鞘可以表示生成在電子周圍的離子的空間電荷層。在目標單元140與屏蔽單元之間的距離小于離子鞘的厚度時，屏蔽單元與目標單元140之間不產生放電。由此，可以防止通過發(fā)生在除了濺射區(qū)域以外的區(qū)域上的異常放電而產生的電弧。
[0059]如上所述，屏蔽單元可以由導電性材料形成以用作陽極。也就是說，當用于生成等離子體的電壓被施加到目標單元140和屏蔽單元時，基板3和腔室110可以被保持在浮動狀態(tài)。
[0060]如果基板3和腔室110被保持在浮動狀態(tài)，則在由等離子體的出現(xiàn)而生成的負離子和電子被引向陽極時，基板3可以從負離子與電子的移動路徑移動開。由此，可以防止由負離子和電子導致基板3受損和電弧的發(fā)生。并且，由于基板3保持在浮動狀態(tài)，即使基板8與目標單元140之間的距離被減少，也可以防止基板3受損。由此，沉積率可以被提升以改善沉積工藝的效率。
[0061]然而，為了描述的便利，下文中將詳細描述未設置屏蔽單元的結構。
[0062]施力單元160包括第一施力單元161和第二施力單元163。第一施力單元161可以被包括在第一旋轉支架131內，而第二施力單元163可以被包括在第一板1233內。此處，第一施力單元161和第二施力單元163可以被布置成彼此相對以沿著磁體單元150的長度方向驅使磁體單元150。也就是說，第一施力單元161和第二施力單元163分別可以布置在磁體單元150的兩端以沿著磁體單元150的中心方向向磁體單元150的兩端施加力。
[0063]并且，第一施力單元161和第二施力單元163可以施加彼此不同的力到磁體單元150。詳細地,第一施力單兀161可以沿著第一方向向磁體單兀150施加第一力。并且，第二施力單元163可以沿著第二方向向磁體單元150施加第二力。此處，第一方向與第二方向可以為如上所述的彼此相反的方向。并且，第一力與第二力可以彼此不同。詳細地，第一力可以大于第二力。
[0064]第一施力單元161和第二施力單元163可以彼此相似。例如，第一施力單元161可以包括第一接觸部分16匕和第一彈性部分16化，而第二施力單元163可以包括第二接觸部分1633和第二彈性部分163匕此處，第一接觸部分16匕和第二接觸部分163&分別可以與磁體單元150的一個端部和另一個端部接觸。并且，第一接觸部分161可以被布置在第一旋轉支架131內，而第二接觸部分1633可以被布置在第一板1233內。第一彈性部分1616和第二彈性部分1636分別可以被插入到第一旋轉支架131和第一板1233中。詳細地，第一彈性部分1616可以與第一旋轉支架131的內表面和第一接觸部分16匕接觸，而第二彈性部分1636可以與第一板1233的內表面和第二接觸部分1633接觸。
[0065]第一彈性部分16化和第二彈性部分1636中的每個可以由多種材料形成。例如，第一彈性部分16化和第二彈性部分1636中的每個可以由彈性材料(例如橡膠或硅)形成。并且，第一彈性部分16化和第二彈性部分1636中的每個可以包括彈簧。詳細地，第一彈性部分1616和第二彈性部分1636中的每個可以包括壓縮彈簧。然而，為了描述的便利，下文中將詳細描述具有壓縮彈簧形狀的第一彈性部分1616和第二彈性部分163匕
[0066]如上所述，減摩單元180可以被布置在磁體單元150與第一旋轉支架131之間。詳細地，減摩單元180可以在磁體單元150與第一旋轉支架131相對于彼此進行相對移動時減少磁體單元150與第一旋轉支架131之間的摩擦力。此處，減摩單元180和磁體單元150中的每個可以具有多種形狀。例如，減摩單元180可以具有齒輪形狀。此處，第一旋轉支架131的內側可以具有內螺紋形狀以在第一旋轉支架131被轉動時轉動減摩單元180。并且，減摩單元180除了齒輪形狀以外還可以具有輥形狀。詳細地，減摩單元180可以與第一旋轉支架131的內表面接觸以在第一旋轉支架131被轉動時與第一旋轉支架131 —同轉動。此處，本發(fā)明并不限于上述減摩單元180。例如，在第一旋轉支架131被轉動時能夠減少第一旋轉支架131與磁體單元150之間的摩擦力的多種結構和裝置可以被用作減摩單元180。然而，為了描述的便利，下文中將詳細描述具有輥形狀的減摩單元180。
[0067]至少一個減摩單元180可以被布置在磁體單元150的底表面上。詳細地，減摩單元180可以包括第一減摩單元181和相對于第一減摩單元181以預定角度傾斜的第二減摩單元183。此處，第一減摩單元181和第二減摩單元183可以在第一旋轉支架131被轉動時防止磁體單元150與第一旋轉支架131 —同轉動或者減少由于磁體單元150與第一旋轉支架131之間的接觸而導致的摩擦力。
[0068]在下文中，將簡單描述濺射裝置100的操作和效果。
[0069]基板3被裝載到濺射裝置100的腔室110中。然后，目標單元140被布置成與基板3相對以提供用于在基板3上形成沉積膜的材料。并且，通過注入到腔室110中的等離子化氣體激發(fā)的微?？梢耘c目標單元140碰撞，然后，與目標單元140分離的微?？梢缘竭_基板3以形成沉積膜。
[0070]詳細地，如上述所，在被激發(fā)微粒與目標單元140碰撞時，可以操作驅動單元以轉動目標單元140。此處，如上所述，驅動單元的驅動力可以通過傳動帶101傳輸?shù)降诙D支架133。根據驅動單元的操作，可以轉動第二旋轉支架133，并且，也可以轉動背板140^此處，也可以轉動連接到背板1403的第一旋轉支架131。
[0071]此處，因為在轉動目標單元140的同時執(zhí)行沉積工藝，所以可以通過均勻地利用目標單元140的整個表面來執(zhí)行沉積工藝。由此，目標單元140可以在使用效率方面得到改善以增加目標單元140的工作周期。因此，可以有效地執(zhí)行使用濺射裝置100的沉積工藝。并且，磁體部件151可以布置在目標單元140內以改善基板3上的沉積效率。
[0072]如上所述，在轉動第一旋轉支架131和第二旋轉支架133的同時，第一施力單元161和第二施力單元163可以施加第一力和第二力到磁體單元150。詳細地，第一施力單元161可以沿著中心方向從磁鐵支承部分153的一端部施加第一力，而第二施力單元163可以沿著中心方向從磁鐵支承部分153的另一端部施加第二力。
[0073]此處，第一彈性部分16化可以具有小于第二彈性部分1636的長度。詳細地，儲存在第一彈性部分1616的恢復力可以大于儲存在第二彈性部分1636中的恢復力。在如上所述第一力和第二力被施加時，磁鐵支承部分153無法通過外力改變位置。
[0074]詳細地，在第一旋轉支架131、目標單元140和第二旋轉支架133轉動時，由于目標單元140和第二旋轉支架133的轉動和外部環(huán)境，目標單元140可以改變位置。并且，布置在目標單元140內的磁體單元150可以改變位置。詳細地，在磁體單元150的情況下，插入到第一旋轉支架131中的磁鐵支承部分153的端部可以從當前位置移動以沿著圖3的2方向進行移動。在這種情況下，通過磁體部件151生成的磁場可以變化以改變被激發(fā)微粒的路徑。
[0075]此處，如上所述，第一施力單元161和第二施力單元163可以驅使磁鐵支承部分153的兩端以防止磁鐵支承部分153移動。由此，磁鐵支承部分153可以被保持在其初始狀態(tài)。通過磁體部件151生成的磁場可以沿著磁鐵單元150的長度方向均勻地形成。
[0076]并且，如上所述，在目標單元140被轉動時，磁鐵支承部分153與第一旋轉支架131可以彼此接觸。詳細地，通過第一旋轉支架131的轉動和磁鐵支承部分153的裝載，磁鐵支承部分153可以與第一旋轉支架131接觸。
[0077]如上所述，在磁鐵支承部分153隨著第一旋轉支架131轉動而與第一旋轉支架131接觸時，磁鐵支承部分153的一部分可以由第一旋轉支架131與磁鐵支承部分153之間的摩擦力而磨損。詳細地，在磁鐵支承部分153的一部分被磨損時，磁鐵支承部分153可以被傾斜地布置。此處，由于磁鐵支承部分153的傾斜，通過磁體部件151生成的磁場可以改變位置。
[0078]此處，減摩單元180可以防止磁鐵支承部分153受到由磁鐵支承部分153與第一旋轉支架131之間的接觸而導致的磨損。詳細地，如上所述，減摩單元180可以可旋轉地布置在磁鐵支承部分153上。由此，在第一旋轉支架131轉動時，減摩單元180也可以轉動。磁鐵支承部分153可以在第一旋轉支架131與磁鐵支承部分153相對于彼此進行相對移動時防止第一旋轉支架131與磁鐵支承部分153的直接接觸以及減少摩擦力。
[0079]由此，在目標單元140被轉動時，濺射裝置100可以使布置在目標單元140內的磁體單元150的位置保持固定，由此減少由于磁體單元150的位置變化而導致的磁場變化。此夕卜，濺射裝置100可以在膜被形成時通過形成均勻磁場而減少生成的電弧以增加產能利用率。
[0080]圖5為使用圖1的濺射裝置100制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。圖6為圖5的區(qū)域？的放大視圖。
[0081]參照圖5和圖6，有機發(fā)光顯示裝置被布置在基板30上?；?0可以由玻璃材料、塑料材料或金屬材料形成。
[0082]含有絕緣材料的緩沖層31可以布置在基板30上以在基板30上提供平坦化層并且防止?jié)駳夂屯鈦砦镔|滲透到基板30中。
[0083]薄膜晶體管(1^1) 40、電容器50和有機發(fā)光裝置60可以布置在緩沖層31上。丁?丁40可以包括有源層41、柵電極42、源電極433和漏電極43匕有機發(fā)光裝置60可以包括第一電極61、第二電極62和中間層63。電容器50可以包括第一電容電極51和第二電容電極52。
[0084]詳細地，具有預定圖案的有源層41可以布置在緩沖層31上。有源層41可以包含如硅的無機半導體材料、有機半導體材料或者氧化物半導體材料，并且？型摻雜或!1型摻雜可以被選擇性地注入到有源層41中。
[0085]柵極絕緣層32可以布置在有源層41上。柵電極42可以布置在柵極絕緣層32上以與有源層41對應。第一電容電極51可以布置在柵極絕緣層32上。第一電容電極51可以由與柵電極42相同的材料形成。
[0086]層間絕緣層33可以被布置以覆蓋柵電極42。源電極433和漏電極436可以布置在層間絕緣層33上以與有源層41的預定區(qū)域接觸。第二電容電極52可以布置在層間絕緣層33上。第二電容電極52可以由與源電極433和漏電極436相同的材料形成。
[0087]鈍化層34可以布置以覆蓋源電極433和漏電極436。用于平坦化1？140的單獨的絕緣層可以進一步布置在鈍化層34上。
[0088]第一電極61可以布置在鈍化層34上。第一電極61可以電連接到源電極433和漏電極436之一。并且，像素限定層35可以布置在第一電極61上。預定的開口 64可以形成在像素限定層35中。然后，包括有機發(fā)光層的中間層63布置在由開口 64限定的區(qū)域內。第二電極62可以布置在中間層63上。
[0089]封裝層70可以布置在第二電極62上。封裝層70可以包含有機或無機材料?？蛇x地，封裝層70可以具有有機和無機材料彼此交替層疊的結構。
[0090]詳細地，可以使用上述濺射裝置100形成封裝層70。也就是說，在包括第二電極62的基板30被裝載到腔室110中之后，可以使用濺射裝置100形成所需層。
[0091]詳細地，封裝層70可以包括無機層71和有機層72。無機層71可以包括多個層713、7訃和7化，而有機層72可以包括多個層72^726和72(3。此處，可以使用濺射裝置100形成無機層71的多個層7匕、7113和7化。
[0092]然而，本發(fā)明并不限于此。也就是說，可以使用上述濺射裝置100形成如柵電極42、源電極433、漏電極436、第一電極61和第二電極62的電極。
[0093]并且，可以使用上述濺射裝置100形成緩沖層31、柵極絕緣層32、層間絕緣層33、鈍化層34、像素限定層35和其他絕緣層。
[0094]如上所述，根據本發(fā)明的上述實施方式中的一個或多個，磁體單元的移動可以被防止，從而形成均勻磁場，由此改善沉積均勻性。并且根據本發(fā)明的實施方式，由于磁體單元的移動而出現(xiàn)的電弧可以被減少，從而改善產能利用率。
[0095]應當理解，本文中描述的示例性實施方式應在僅僅被視為描述性含義而不是以限制的目的。每個實施方式中的特征或者方面的描述通常應在被視為可用于其他實施方式中的其他詳細特征或方面。
[0096]雖然參照附圖描述了本發(fā)明的一個或多個實施方式，但是本領域普通技術人員應當理解，在不脫離由所附權利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以在形式和細節(jié)上對本發(fā)明進行多種改變。
【權利要求】
1.一種濺射裝置，包括: 殼體； 旋轉支架，可旋轉地布置在所述殼體上； 目標單元，布置在所述旋轉支架上； 磁體單元，布置在所述目標單元內，所述磁體單元能夠相對于所述旋轉支架進行相對移動；以及 施力單元,布置在所述旋轉支架與所述磁體單元之間和/或所述殼體與所述磁體單元之間以沿著所述磁體單元的長度方向驅使所述磁體單元。
2.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述殼體包括: 第一殼體；以及 第二殼體，布置成與所述第一殼體相對。
3.如權利要求2所述的濺射裝置，其中，所述旋轉支架包括: 第一旋轉支架，可旋轉地布置在所述第一殼體內；以及 第二旋轉支架，可旋轉地布置在所述第二殼體內。
4.如權利要求3所述的濺射裝置，其中， 所述磁體單元具有能夠相對于所述第一旋轉支架進行相對轉動的一個端部和固定到所述第二殼體的另一個端部。
5.如權利要求3所述的濺射裝置，其中，所述第二殼體包括: 第一板，所述磁體單元被插入并固定到所述第一板，所述第一板被插入到所述第二旋轉支架中； 第二板，連接到所述第一板以圍繞所述第二旋轉支架；以及 第三板，布置成圍繞所述第二板。
6.如權利要求5所述的濺射裝置，還包括: 第一密封部件，布置在所述第一板與所述第二旋轉支架之間。
7.如權利要求5所述的濺射裝置，還包括: 第二密封部件，布置在所述第二旋轉支架與所述第二板之間。
8.如權利要求1所述的濺射裝置，還包括: 背管，用于固定所述目標單元和所述旋轉支架。
9.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述施力單元包括: 接觸部分，與所述磁體單元接觸；以及 彈性部分，布置在所述旋轉支架內以驅使所述接觸部分。
10.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述施力單元包括: 第一施力單元，與所述磁體單元接觸以沿著第一方向向所述磁體單元施加第一力；以及 第二施力單兀，布置成與述第一施力單兀相對以沿著不同于所述第一方向的第二方向向所述磁體單元施加不同于所述第一力的第二力。
11.如權利要求10所述的濺射裝置，其中， 所述第一力大于所述第二力。
12.如權利要求10所述的濺射裝置，其中， 所述第一方向與所述第二方向彼此相反。
13.如權利要求1所述的濺射裝置，還包括: 減摩單元，布置在所述磁體單元與所述旋轉支架之間。
14.如權利要求13所述的濺射裝置，其中 所述減摩單元在所述磁體單元與所述旋轉支架相對于彼此進行相對移動時減少所述磁體單元與所述旋轉支架之間的摩擦力。
15.如權利要求13所述的濺射裝置，其中， 至少一個減摩單元被布置在所述磁體單元的底表面上。
16.一種濺射裝置，包括: 殼體； 旋轉支架，可旋轉地布置在所述殼體上； 目標單元，布置在所述旋轉支架上； 磁體單元，布置在所述目標單元內，所述磁體單元能夠相對于所述旋轉支架進行相對移動；以及 減摩單元，布置在所述旋轉支架與所述磁體單元之間。
17.如權利要求16所述的濺射裝置，其中， 所述減摩單元在所述磁體單元與所述旋轉支架相對于彼此進行相對移動時減少所述磁體單元與所述旋轉支架之間的摩擦力。
18.如權利要求16所述的濺射裝置，其中， 至少一個減摩單元被布置在所述磁體單元的底表面上。
19.一種形成薄膜的方法，所述方法包括: 將基板裝載到腔室中；以及 在目標單元被布置在所述腔室內以與所述基板相對并且所述目標單元內的磁體單元被固定時，在轉動所述目標單元的同時將沉積材料沉積在所述基板上， 其中，在施力單元從所述磁體單元的至少一個端部沿著所述目標單元的長度方向驅使所述磁體單元時，執(zhí)行所述沉積材料在所述基板上的沉積。
【文檔編號】C23C14/35GK104342623SQ201410077974
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年3月5日 優(yōu)先權日:2013年7月25日
【發(fā)明者】崔丞鎬, 劉泰鍾 申請人:三星顯示有限公司