保護膜形成用濺射靶及層疊配線膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種保護膜形成用濺射靶及層疊配線膜。所述保護膜形成用濺射靶，其在Cu配線膜（11）的單面或雙面形成保護膜（12）時使用，其中，包括：5.0質(zhì)量%以上15.0質(zhì)量%以下的Ni；2.0質(zhì)量%以上10.0質(zhì)量%以下的Mn；30.0質(zhì)量%以上50.0質(zhì)量%以下的Zn；0.5質(zhì)量%以上7.0質(zhì)量%以下的Al；余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)。并且，所述層疊配線膜（10），其具備Cu配線膜（11）及形成于該Cu配線膜（11）的單面或雙面的保護膜（12），其中，保護膜（12）利用上述保護膜形成用濺射靶形成。
【專利說明】保護膜形成用濺射靶及層疊配線膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種在形成保護由銅或銅合金構(gòu)成的Cu配線膜的保護膜時使用的保 護膜形成用濺射靶及具備通過該保護膜形成用濺射靶形成的保護膜的層疊配線膜。
[0002] 本申請根據(jù)于2013年4月22日在日本申請的專利申請2013-089721號主張優(yōu)先 權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。

【背景技術(shù)】
[0003] 以往，作為液晶和有機EL面板等平板顯示器或觸控面板等的配線膜，普遍使用 A1。近來，實現(xiàn)配線膜的微細化(窄幅化）及薄膜化，要求比電阻比以往更低的配線膜。
[0004] 隨著上述配線膜的微細化及薄膜化，提供有使用比電阻比A1更低的材料即銅或 銅合金的配線膜。
[0005] 但是，由比電阻較低的銅或銅合金構(gòu)成的Cu配線膜存在在具有濕度的氣氛中易 變色等問題。另外，為了提高耐候性而使用含有較多添加元素的銅合金時，比電阻會上升。
[0006] 因此，例如專利文獻1中提出有在Cu配線膜上形成由Ni-Cu- (Cr，Ti)合金構(gòu)成 的保護膜的層疊膜及用于形成該保護膜的濺射靶。該保護膜的耐候性比銅更高，因此即使 在大氣中保管也能夠抑制表面變色。
[0007] 專利文獻1 :日本專利公開2012-193444號公報
[0008] 然而，將由銅或銅合金構(gòu)成的Cu配線膜通過蝕刻進行圖案化時，使用包含氯化鐵 的蝕刻液。以包含氯化鐵的蝕刻液蝕刻上述具有由Ni-Cu- (Cr，Ti)合金構(gòu)成的保護膜的 層疊膜時，有時保護膜的一部分未溶解而殘留為殘渣。由于該殘渣，配線之間有可能短路， 因此難以用作配線膜。
[0009] 而且，在蝕刻后的配線端面上產(chǎn)生微細毛刺時，由于該毛刺在Cu配線膜的緣部產(chǎn) 生稱作空隙的缺陷，在重復(fù)層疊期間引發(fā)斷線，有可能導(dǎo)致成品率及質(zhì)量的下降。
[0010] 并且，含有Cr時，蝕刻后的廢液中含有Cr，存在廢液處理上耗費成本的問題。
[0011] 而且，以35質(zhì)量％以上84. 5質(zhì)量％以下含有較多價格比較高的Ni，因此存在濺射 靶及層疊配線膜的制造成本增加的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明是鑒于前述情況而完成的，其目的在于提供一種可形成耐候性優(yōu)異而能夠 抑制表面變色且具有良好的蝕刻性，并且能夠抑制未溶解殘渣的產(chǎn)生和毛刺的產(chǎn)生的保護 膜的保護膜形成用濺射靶，以及具備通過該保護膜形成用濺射靶形成的保護膜的層疊配線 膜。
[0013] 為了解決上述課題，（1)本發(fā)明的一方式中的保護膜形成用濺射靶為在Cu配線膜 的單面或雙面形成保護膜時使用的保護膜形成用濺射靶，其中，包括：5. 0質(zhì)量％以上15. 0 質(zhì)量％以下的Ni ;2. 0質(zhì)量％以上10. 0質(zhì)量％以下的Μη ;30. 0質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以 下的Ζη ;0. 5質(zhì)量％以上7. 0質(zhì)量％以下的Α1 ;余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)。
[0014] 設(shè)為這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的保護膜形成用濺射靶中，設(shè)為如下組成的Cu基合金，所 述組成包括：5. 0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％以下的Ni ;2. 0質(zhì)量％以上10. 0質(zhì)量％以下的 Μη ;30. 0質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以下的Zn ;0. 5質(zhì)量％以上7. 0質(zhì)量％以下的A1 ;余量為 Cu及不可避免的雜質(zhì)，由此即使以包含氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻時，也能夠與Cu配線膜同 等地被蝕刻，能夠抑制未溶解殘渣的產(chǎn)生。
[0015] 并且，以0. 5質(zhì)量％以上7. 0質(zhì)量％以下的范圍含有A1，因此能夠抑制在蝕刻后的 層疊配線膜的端面中產(chǎn)生微細毛刺，并能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0016] 而且，Ni的含量比較少，為5.0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％以下，因此能夠大幅削減 該濺射靶及保護膜的制造成本。
[0017] (2)本發(fā)明的另一方式中的保護膜形成用濺射靶為（1)中記載的保護膜形成用濺 射革巴，其中，包括：7. 0質(zhì)量％以上11. 0質(zhì)量％以下的Ni ;4. 0質(zhì)量％以上8. 0質(zhì)量％以下 的Μη ;35. 0質(zhì)量％以上45. 0質(zhì)量％以下的Zn ;2. 0質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的A1 ;余量 為Cu及不可避免的雜質(zhì)。
[0018] 這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的保護膜形成用濺射靶中，設(shè)為具有上述組成的Cu基合金，因 此即使在以包含氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻時，也會與Cu配線膜同等地被蝕刻，能夠進一步 抑制未溶解殘渣的產(chǎn)生。
[0019] 并且，以2. 0質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的范圍含有A1，因此能夠進一步抑制在蝕 刻后的層疊配線膜的端面中產(chǎn)生微細毛刺，并能夠進一步抑制空隙的產(chǎn)生。
[0020] 而且，Ni的含量比較少，為7.0質(zhì)量％以上11.0質(zhì)量％以下，因此能夠進一步大 幅削減該濺射靶及保護膜的制造成本。
[0021] (3)本發(fā)明的另一方式中的層疊配線膜為具備Cu配線膜及形成于該Cu配線膜的 單面或雙面的保護膜的層疊配線膜，其中，所述保護膜通過（1)或（2)中記載的保護膜形成 用濺射靶形成。
[0022] 這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的層疊配線膜中，具有通過設(shè)為上述組成的保護膜形成用濺射 靶形成的保護膜，因此耐候性提高，即使在大氣中保管時，也能夠抑制變色。
[0023] 并且，保護膜由Cu基合金構(gòu)成，因此即使在以包含氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻時， 也能夠抑制未溶解殘渣的產(chǎn)生。而且，含有A1，因此能夠抑制蝕刻后的層疊配線膜的端面中 的微細毛刺的產(chǎn)生，并能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0024] 并且，由于不具有Cr，因此能夠以低成本進行蝕刻后的廢液處理。而且，由于Ni的 含量比較少，因此能夠大幅削減層疊配線膜的制造成本。
[0025] (4)本發(fā)明的另一方式中的層疊配線膜為（3)中記載的層疊配線膜，其中，所述Cu 配線膜由銅或銅合金構(gòu)成，所述Cu配線膜的比電阻在溫度25°C的條件下為4. 0 μ Ω cm以 下。
[0026] (5)本發(fā)明的另一方式中的層疊配線膜為（4)中記載的層疊配線膜，其中，所述Cu 配線膜由純度為99. 99質(zhì)量％以上的無氧銅構(gòu)成，所述Cu配線膜的比電阻在溫度25°C的條 件下為3. 5 μ Ω cm以下。
[0027] (6)本發(fā)明的另一方式中的層疊配線膜為（3)中記載的層疊配線膜，其中，所述Cu 配線膜的厚度A為50nm < A < 800nm。
[0028] Cu配線膜由比電阻為4. 0 μ Ω cm以下(溫度25°C )的銅或銅合金構(gòu)成，Cu配線膜 的厚度A設(shè)為50nm < A < 800nm的范圍內(nèi)，因此能夠通過該Cu配線膜良好地進行通電。
[0029] (7)本發(fā)明的另一方式中的層疊配線膜為（3)中記載的層疊配線膜，其中，所述保 護膜的厚度B為5nm彡B彡100nm。
[0030] (8)本發(fā)明的另一方式中的層疊配線膜為（3)中記載的層疊配線膜，其中，所述Cu 配線膜的厚度A與所述保護膜的厚度B之比B/A為0. 02 < B/A < 1. 0。
[0031] 保護膜的厚度B設(shè)為5nm彡B彡100nm的范圍內(nèi)，Cu配線膜的厚度A與保護膜的 厚度B之比B/A設(shè)為0. 02 < B/A < 1的范圍內(nèi)，因此能夠可靠地抑制Cu配線膜的變色。
[0032] 如以上，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可形成耐候性優(yōu)異而能夠抑制表面變色且具 有良好的蝕刻性，并能夠抑制未溶解殘渣的產(chǎn)生和毛刺的產(chǎn)生的保護膜的保護膜形成用濺 射靶，以及具備通過該保護膜形成用濺射靶形成的保護膜的層疊配線膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033] 圖1是作為本發(fā)明的一實施方式的層疊配線膜的剖面說明圖。
[0034] 圖2是表示現(xiàn)有例101的層疊配線膜中的蝕刻后的剖面觀察結(jié)果的照片。
[0035] 圖3是表示比較例107的層疊配線膜中的蝕刻后的剖面觀察結(jié)果的照片。
[0036] 圖4是表示本發(fā)明例101的層疊配線膜中的蝕刻后的剖面觀察結(jié)果的照片。
[0037][符號說明]
[0038] 1-基板，10-層疊配線膜，11-Cu配線膜，12-保護膜。

【具體實施方式】
[0039] 以下，對作為本發(fā)明的一實施方式的保護膜形成用濺射靶以及層疊配線膜進行說 明。
[0040] 作為本實施方式的保護膜形成用濺射靶在由銅或銅合金構(gòu)成的Cu配線膜上形成 保護膜時使用。
[0041] 該保護膜形成用濺射靶具有如下組成，所述組成包括：5. 0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％ 以下的Ni ;2. 0質(zhì)量％以上10. 0質(zhì)量％以下的Μη ;30. 0質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以下的Zn ; 〇. 5質(zhì)量％以上7. 0質(zhì)量％以下的A1 ;余量為Cu及不可避免雜質(zhì)。
[0042] 另外，該保護膜形成用濺射靶經(jīng)鑄造、熱軋、冷軋、熱處理、機械加工等工序而制 造。
[0043] 以下，對如上述那樣規(guī)定作為本實施方式的保護膜形成用濺射靶的組成的理由進 行說明。
[0044] (Ni :5· 0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％以下）
[0045] Ni是具有改善Cu的耐候性的作用效果的元素。通過含有Ni，能夠抑制變色。
[0046] 在此，Ni的含量低于5. 0質(zhì)量％時，耐候性不會充分提高，有可能無法充分抑制Cu 配線膜11的變色。另一方面，Ni的含量超過15. 0質(zhì)量％時，蝕刻性劣化，在以包含氯化鐵 的蝕刻液進行蝕刻時有可能生成未溶解殘渣。并且，熱加工性、切削性也降低。
[0047] 根據(jù)這種理由，將Ni的含量設(shè)定為5.0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。更 優(yōu)選將Ni的含量設(shè)定為7. 0質(zhì)量％以上11. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。
[0048] (Μη :2· 0質(zhì)量％以上10. 0質(zhì)量％以下）
[0049] 與Ni同樣，Μη是具有提高Cu的耐候性的作用效果的元素。并且，還具有提高熔 融金屬的流動性、熱加工性、切削性的作用效果。而且，是比Ni廉價的元素，因此能夠通過 代替Ni添加來削減成本。
[0050] 在此，Μη的含量低于2. 0質(zhì)量％時，耐候性不會充分提高，有可能無法充分抑制變 色。另一方面，Μη的含量超過10. 0質(zhì)量％時，蝕刻性劣化，在以包含氯化鐵的蝕刻液進行 蝕刻時有可能生成未溶解殘渣。并且，看不到如前所述的效果的進一步提高，反而令熱加工 性、冷加工性劣化。
[0051] 根據(jù)這種理由，將Μη的含量設(shè)定為2. 0質(zhì)量％至10. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。更 優(yōu)選將Μη的含量設(shè)定為4. 0質(zhì)量％至8. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。
[0052] (Zn :30· 0質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以下）
[0053] Zn是具有提高力學(xué)特性并且改善加工性的作用效果的元素。通過含有Ζη，能夠良 好地進行保護膜形成用濺射靶的制造。
[0054] 在此，Zn的含量低于30. 0質(zhì)量％時，熱加工性不會充分提高，有可能在熱軋時產(chǎn)生 裂紋。另一方面，Zn的含量超過50. 0質(zhì)量％時，冷加工性劣化，有可能在冷軋時產(chǎn)生裂紋。
[0055] 根據(jù)這種理由，將Zn的含量設(shè)定為30. 0質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。 更優(yōu)選將Zn的含量設(shè)定為35. 0質(zhì)量％以上45. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。
[0056] (A1 :0· 5質(zhì)量％以上7. 0質(zhì)量％以下）
[0057] A1具有在由Cu-Ni-Mn-Zn合金構(gòu)成的保護膜及由Cu配線膜構(gòu)成的層疊配線膜中 抑制蝕刻后的層疊配線膜的端面中產(chǎn)生毛刺的作用效果。即，通過向Cu-Ni-Mn-Zn合金添 加 A1，能夠去除蝕刻后的層疊配線膜的端面的微細毛刺而使其平滑，并能夠降低空隙等缺 陷的產(chǎn)生。
[0058] 在此，A1的含量低于0. 5質(zhì)量％時，使配線端面的形狀平滑的作用效果不會充分 提高，有可能產(chǎn)生微細毛刺。另一方面，A1的含量超過7.0質(zhì)量％時，制造靶時的熱加工性 劣化，有可能產(chǎn)生裂紋。
[0059] 根據(jù)這種理由，將A1的含量設(shè)定為0.5質(zhì)量％以上7.0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。更 優(yōu)選將A1的含量設(shè)定為2. 0質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。
[0060] 接著，對作為本實施方式的層疊配線膜10進行說明。
[0061] 如圖1所示，作為本實施方式的層疊配線膜10具備有形成于基板1上的Cu配線 膜11及形成于Cu配線膜11上的保護膜12。
[0062] 其中，基板1并未特別限定，在平板顯示器或觸控面板等中，可使用由可透光的玻 璃、樹脂膜等構(gòu)成的基板。
[0063] Cu配線膜11由銅或銅合金構(gòu)成，優(yōu)選將其比電阻設(shè)為4.0μ Qcm以下(溫度 25°C)。本實施方式中，Cu配線膜11由純度為99. 99質(zhì)量％以上的無氧銅構(gòu)成，比電阻設(shè) 為3. 5 μ Ω cm以下(溫度25°C )。另外，該Cu配線膜11使用由純度為99. 99質(zhì)量％以上的 無氧銅構(gòu)成的濺射靶形成。
[0064] 并且，優(yōu)選將該Cu配線膜11的厚度A設(shè)為50nm彡A彡800nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選 設(shè)為l〇〇nm彡A彡300nm的范圍內(nèi)。
[0065] 保護膜12為使用作為本實施方式的保護膜形成用濺射靶形成的保護膜，具有與 上述的保護膜形成用濺射靶相同的組成。
[0066] 優(yōu)選將該保護膜12的厚度B設(shè)為5nm彡B彡lOOnm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選設(shè)為 10nm < B < 50nm的范圍內(nèi)。
[0067] 并且，優(yōu)選Cu配線膜11的厚度A與保護膜12的厚度B之比B/A在0. 02 < B/A < 1.0的范圍內(nèi)，更優(yōu)選設(shè)為0.1 <B/A< 0.3的范圍內(nèi)。
[0068] 在如以上的結(jié)構(gòu)的作為本實施方式的保護膜形成用濺射靶及層疊配線膜10中， 如上述，具有如下組成，所述組成包括：5. 0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％以下的Ni ;2. 0質(zhì)量％ 以上10. 0質(zhì)量％以下的Μη ;30. 0質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以下的Zn ;0. 5質(zhì)量％以上7. 0 質(zhì)量％以下的A1 ;余量為Cu及不可避免雜質(zhì)，并且設(shè)為Cu基合金，因此即使在以包含氯化 鐵的蝕刻液進行蝕刻時，也能夠良好地進行蝕刻，能夠抑制未溶解殘渣的產(chǎn)生。
[0069] 尤其，保護膜形成用濺射靶及保護膜12以上述范圍含有A1，因此能夠抑制蝕刻后 的層疊配線膜10的端面中產(chǎn)生微細毛刺，并能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0070] 并且，保護膜形成用濺射靶及保護膜12以上述范圍含有Ni，因此耐候性提高，能 夠可靠地抑制層疊配線膜10的表面變色。
[0071] 而且，保護膜形成用濺射靶及保護膜12以上述范圍含有Mn，因此耐候性提高，能 夠可靠地抑制層疊配線膜10的表面變色。
[0072] 而且，保護膜形成用濺射靶及保護膜12不具有Cr，因此能夠以低成本進行蝕刻后 的廢液處理。
[0073] 并且，Ni的含量比較少，為5質(zhì)量％以上15質(zhì)量％以下，因此能夠大幅削減保護 膜形成用濺射靶及層疊配線膜10的制造成本。
[0074] 而且，熱加工性、冷加工性、切削性優(yōu)異，因此能夠良好地制造作為本實施方式的 保護膜形成用濺射靶。
[0075] 并且，本實施方式中，Cu配線膜11由比電阻為3. 5 μ Ω cm以下(溫度25°C )的無 氧銅構(gòu)成，且Cu配線膜11的厚度A設(shè)為50nm彡A彡800nm的范圍內(nèi)，因此能夠通過該Cu 配線膜11良好地進行通電。
[0076] 而且，本實施方式中，保護膜12的厚度B設(shè)為5nm彡B彡lOOnm的范圍內(nèi)，且Cu 配線膜11的厚度A與保護膜12的厚度B之比B/A設(shè)為0. 02 < B/A < 1. 0的范圍內(nèi)，因此 能夠可靠地抑制Cu配線膜11的變色。
[0077] 以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限于此，在不脫離該發(fā)明的 技術(shù)思想的范圍內(nèi)，能夠進行適當(dāng)變更。
[0078] 例如，本實施方式中，以在基板上形成層疊配線膜的結(jié)構(gòu)為例進行了說明，但并不 限于此，可在基板上形成IT0膜、AZ0膜等透明導(dǎo)電膜，并在其上形成層疊配線膜。
[0079] 并且，將Cu配線膜設(shè)為由純度為99. 99質(zhì)量％以上的無氧銅構(gòu)成的配線膜來進行 了說明，但并不限于此，例如也可以是由韌銅等純銅或含有少量添加元素的銅合金構(gòu)成的 配線膜。
[0080] 而且，Cu配線膜的厚度A、保護膜的厚度B、厚度比B/A并不限于本實施方式中記 載的內(nèi)容，也可以設(shè)為其他構(gòu)成。
[0081] 實施例
[0082] 以下，對針對本發(fā)明所涉及的保護膜形成用濺射靶及層疊配線膜的作用效果進行 評價的評價試驗的結(jié)果進行說明。
[0083] 〈Cu配線膜形成用純銅靶〉
[0084] 準(zhǔn)備純度為99. 99質(zhì)量％的無氧銅的鑄塊，對該鑄塊以800°C進行熱軋、消除應(yīng)力 退火及機械加工，從而制作具有外徑：l〇〇mmX厚度：5mm的尺寸的Cu配線膜形成用純銅 靶。
[0085] 接著，準(zhǔn)備無氧銅制墊板，在該無氧銅制墊板上重疊前述的Cu配線膜形成用純銅 靶，以200°C的溫度進行銦焊接，由此制作帶墊板靶。
[0086]〈保護膜形成用濺射靶〉
[0087] 作為熔解原料準(zhǔn)備無氧銅(純度為99. 99質(zhì)量％)、低碳鎳(純度為99. 9質(zhì)量％)、電 解金屬錳(純度為99. 9質(zhì)量％)、電解鋅(純度為99. 99質(zhì)量％)、鋁(純度為99. 99質(zhì)量％)，在 高純度石墨坩堝內(nèi)高頻熔解這些熔解原料，將成分調(diào)整為具有表1所示的組成的熔融金屬 之后，在已冷卻的碳模中進行鑄造，得到50 X 50 X 30mm厚度大小的鑄塊。
[0088] 接著，以約10%的軋制率對鑄塊以800°C進行熱軋至10mm厚度，通過平面切削去除 表面的氧化物和瑕疵之后，以約10%的軋制率冷軋至6_厚度，并進行消除應(yīng)力退火。機械 加工所得到的壓延板的表面，制作具有外徑 ：l〇〇mm、厚度：5mm的尺寸的本發(fā)明例1?31及 比較例1?8的保護膜形成用濺射靶。
[0089] 而且，作為現(xiàn)有例1，準(zhǔn)備如下組成的鑄塊，所述組成包括：Ni :64.0質(zhì)量％ ;Ti : 4. 0質(zhì)量％ ;余量為Cu及不可避免雜質(zhì)，與上述的本發(fā)明例1?31及比較例1?8相同地， 進行熱軋、冷軋、消除應(yīng)力退火、機械加工，從而準(zhǔn)備具有外徑 ：l〇〇mm、厚度：5mm的尺寸的 濺射靶。
[0090] 接著，準(zhǔn)備無氧銅制墊板，在該無氧銅制墊板上重疊所得到的保護膜形成用濺射 靶，以200°C的溫度進行銦焊接，由此制作帶墊板靶。
[0091] 在此，本發(fā)明例1?31、比較例1?8以及現(xiàn)有例1的保護膜形成用濺射靶中，確 認在熱軋及冷軋時有無裂紋。將結(jié)果一并示于表1。
[0092] 〈層疊配線膜〉
[0093] 以與玻璃基板(具有縱：20_、橫：20_、厚度：0. 7_的尺寸的康寧公司制1737的 玻璃基板）的距離成為70mm的方式將Cu配線膜形成用純銅靶設(shè)置在濺射裝置內(nèi)，并以如 下條件實施濺射，從而在玻璃基板的表面形成具有150nm的厚度的Cu配線膜，所述條件為， 電源：直流方式，濺射功率：150W，極限真空度：5Xl(T 5Pa，氣氛氣體組成：純Ar，濺射氣體壓 力：0· 67Pa，基板加熱：無。
[0094] 接著，以相同條件，利用表1中記載的保護膜形成用濺射靶實施濺射，在Cu配線膜 上形成30nm厚度的保護膜。由此，形成表2所示的本發(fā)明例101?131及比較例101? 104、107的層疊配線膜。
[0095] 另外，作為現(xiàn)有例101，利用上述的現(xiàn)有例1的濺射靶，制作在Cu配線膜上形成保 護膜的層疊配線膜。
[0096] 〈粘附性〉
[0097] 根據(jù)JIS-K5400如下進行格子粘附測試，即以1mm間隔在層疊配線膜上以格子狀 切入裂縫之后，用3M公司制透明膠帶（Scotch Tape)剝下，在玻璃基板中央部的10mm見方 內(nèi)測定粘附在玻璃基板上的層疊配線膜的面積％。將所粘附的層疊配線膜的面積為99%以 上的情況評價為無膜剝落，將低于99%的情況評價為有膜剝落。將各個評價結(jié)果以"有"及 "無"來示于表2。
[0098] 〈耐候性〉
[0099] 進行恒溫恒濕試驗（以60°C且90%的相對濕度暴露250小時)，肉眼確認層疊配線 膜表面有無變化。出現(xiàn)變色時評價為"有"，未確認到變色時評價為"無"。將評價結(jié)果示于 表2。
[0100]〈蝕刻殘渣及毛刺〉
[0101] 對形成于玻璃基板上的層疊配線膜涂布光致抗蝕液(東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制： 0FPR-8600LB)并進行感光、顯影，從而以30 μ m的線和空間（Line-and-space)形成抗蝕膜， 并浸漬于保持為液溫30°C ± 1 °C的4%FeCl3水溶液中來蝕刻層疊配線膜，從而形成配線。
[0102] 利用Ar離子束，相對于從屏蔽板暴露的試料垂直照射射束而對該配線的剖面進 行離子蝕刻，用二次電子顯微鏡觀察所得到的剖面，調(diào)查蝕刻殘渣的有無及配線端面的毛 刺。將現(xiàn)有例101的層疊配線膜中的蝕刻后的剖面觀察結(jié)果示于圖2,將比較例107的層疊 配線膜中的蝕刻后的剖面觀察結(jié)果示于圖3,將本發(fā)明例101的層疊配線膜中的蝕刻后的 剖面觀察結(jié)果示于圖4。
[0103] 關(guān)于蝕刻殘渣，如圖2所示，殘渣的長度L為300nm以上時評價為"有"，如圖3所 示，殘渣的長度L小于300nm時評價為"無"。將評價結(jié)果示于表2。
[0104] 關(guān)于層疊配線膜的端面的毛刺，根據(jù)蝕刻的層疊配線膜的剖面形狀，如圖3所示 具有毛刺時評價為"有"，如圖4所示沒有毛刺時評價為"無"。將評價結(jié)果示于表2。
[0105] 〈蝕刻速度〉
[0106] 利用保護膜形成用濺射靶以與前述相同的條件實施濺射，在前述玻璃基板上形成 厚度為150nm的保護膜。將僅形成該單層保護膜的玻璃基板浸漬于保持為液溫30°C ±1°C 的4%FeClyK溶液中來蝕刻保護膜，通過肉眼觀察測定直到保護膜消失為止的時間，從而求 出蝕刻速度。將評價結(jié)果示于表2。
[0107] [表 1]
[0108]

【權(quán)利要求】
1. 一種保護膜形成用濺射靶，其在Cu配線膜的單面或雙面形成保護膜時使用，其特征 在于，包括： 5. 0質(zhì)量％以上15. 0質(zhì)量％以下的Ni ;2. 0質(zhì)量％以上10. 0質(zhì)量％以下的Μη ;30. 0 質(zhì)量％以上50. 0質(zhì)量％以下的Ζη ;0. 5質(zhì)量％以上7. 0質(zhì)量％以下的Α1 ;余量為Cu及不 可避免的雜質(zhì)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護膜形成用濺射靶，其中，包括： 7.0質(zhì)量％以上11.0質(zhì)量％以下的Ni ;4.0質(zhì)量％以上8.0質(zhì)量％以下的Μη ;35.0質(zhì) 量％以上45. 0質(zhì)量％以下的Ζη ;2. 0質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Α1 ;余量為Cu及不可 避免的雜質(zhì)。
3. -種層疊配線膜，其具備Cu配線膜及形成于該Cu配線膜的單面或雙面的保護膜，其 特征在于， 所述保護膜通過權(quán)利要求1或2中記載的保護膜形成用濺射靶形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊配線膜，其中， 所述Cu配線膜由銅或銅合金構(gòu)成，所述Cu配線膜的比電阻在溫度25°C的條件下為 4. 0 μ Ω cm 以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊配線膜，其中， 所述Cu配線膜由純度為99. 99質(zhì)量％以上的無氧銅構(gòu)成，所述Cu配線膜的比電阻在 溫度25°C的條件下為3. 5μ Qcm以下。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊配線膜，其中， 所述Cu配線膜的厚度A為50nm < A < 800nm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊配線膜，其中， 所述保護膜的厚度B為5nm彡B彡100nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊配線膜，其中， 所述Cu配線膜的厚度A與所述保護膜的厚度B之比B/A為0. 02 < B/A < 1. 0。
【文檔編號】C22C21/18GK104109837SQ201410151582
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月22日
【發(fā)明者】森曉, 野中莊平 申請人:三菱綜合材料株式會社