一種微型精確鍍膜系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微型精確鍍膜系統(tǒng)，所述微型精確鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)腔系統(tǒng)、反應(yīng)源系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)，上部分為反應(yīng)腔系統(tǒng)，下部分為反應(yīng)源系統(tǒng)，反應(yīng)腔系統(tǒng)與反應(yīng)源系統(tǒng)密封連接，抽氣系統(tǒng)與反應(yīng)腔系統(tǒng)密封連接。本發(fā)明首次提出一種微型精確鍍膜系統(tǒng)的一體化設(shè)計(jì)，專門適用于研究性領(lǐng)域工具化使用，本裝置的優(yōu)點(diǎn)是體積小不占空間，外觀尺寸只有350*350*400mm，可直接放于桌面上；反應(yīng)腔體實(shí)際空間小，且采用烘烤式加熱方式，溫場(chǎng)均勻，節(jié)約反應(yīng)源用量；操作簡(jiǎn)單，只需輸入沉積薄膜厚度，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)匹配參數(shù)運(yùn)行；相對(duì)于市面在售鍍膜系統(tǒng)，設(shè)備使用以及維護(hù)成本低。
【專利說(shuō)明】一種微型精確鍍膜系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種原子層沉積技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]苯原子層沉積是通過將氣相反應(yīng)源脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基底上化學(xué)吸附反應(yīng)并形成沉積膜的一種鍍膜技術(shù)。氣相反應(yīng)源脈沖交替進(jìn)入反應(yīng)器、氣相反應(yīng)源在基底上發(fā)生自限制化學(xué)吸附是原子層沉積技術(shù)的重要特征。兩種或多種反應(yīng)源交替進(jìn)入反應(yīng)器是實(shí)現(xiàn)大面積薄膜均勻性的保證，實(shí)現(xiàn)此技術(shù)的關(guān)鍵是在于每一種反應(yīng)源進(jìn)入腔體飽和并發(fā)生吸附后，需要利用惰性氣體清除多余反應(yīng)源和副產(chǎn)物，避免與后進(jìn)入的反應(yīng)源發(fā)生CVD效應(yīng)。每一種反應(yīng)源進(jìn)入反應(yīng)器后，在基底上發(fā)生自限制性的化學(xué)吸附反應(yīng)，不斷重復(fù)的自限制反應(yīng)就形成厚度精確、均勻性好并具有優(yōu)秀的表面覆蓋率的薄膜。原子層沉積技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多種材料的沉積，比如氧化物、氮化物、金屬和各類半導(dǎo)體材料和超導(dǎo)材料等，在半導(dǎo)體及納米電子學(xué)、光電材料及器件、MEMS微機(jī)電系統(tǒng)、納米材料等方面具有廣泛的應(yīng)用。
[0003]目前國(guó)內(nèi)外關(guān)于精確鍍膜系統(tǒng)的研制及發(fā)明方向有三個(gè):一是針對(duì)科研應(yīng)用，該類型鍍膜系統(tǒng)創(chuàng)新性和靈活性較高，含多種反應(yīng)源系統(tǒng)，適合沉積多種薄膜物質(zhì)，增加各種功能的配件，適合各種領(lǐng)域的探索；二是針對(duì)工業(yè)應(yīng)用，該類型鍍膜系統(tǒng)主要考慮沉積速度和大面積沉積；三是針對(duì)某一專項(xiàng)應(yīng)用，該類型鍍膜系統(tǒng)主要集中某一方面的應(yīng)用，針對(duì)性強(qiáng)，特別應(yīng)用于納米材料、多孔材料和粉末沉積方面，未來(lái)鍍膜系統(tǒng)的發(fā)展有三種趨勢(shì)，一是多功能化，更好的適應(yīng)科學(xué)研究，解決更多的科學(xué)難題，為工業(yè)化的推進(jìn)做好基礎(chǔ)研究；二是大型化，主要應(yīng)用于工業(yè)化生長(zhǎng)，解決速度和成本問題。三是小型化，鍍膜系統(tǒng)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，在一些研究性領(lǐng)域，只是將鍍膜系統(tǒng)作為一種工具，并不要求其多功能化。于是便捷靈活一體化的鍍膜系統(tǒng)便成為需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有的缺陷，提供了一種體積小、沉積薄膜質(zhì)量好、操作簡(jiǎn)單、一體化設(shè)計(jì)的微型精確鍍膜系統(tǒng)；
本發(fā)明的另一目的是提供一種上述微型精確鍍膜系統(tǒng)所應(yīng)用的原子層沉積裝置； 本發(fā)明的另一目的是提供一種利用上述微型精確鍍膜系統(tǒng)沉積氧化鋁薄膜的方法。
[0005]本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來(lái)具體實(shí)現(xiàn):
一種微型精確鍍膜系統(tǒng)，所述微型精確鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)腔系統(tǒng)、反應(yīng)源系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)，上部分為反應(yīng)腔系統(tǒng)，下部分為反應(yīng)源系統(tǒng)，反應(yīng)腔系統(tǒng)與反應(yīng)源系統(tǒng)密封連接，抽氣系統(tǒng)與反應(yīng)腔系統(tǒng)密封連接，其中，
所述反應(yīng)腔系統(tǒng)包括真空腔室、反應(yīng)源入口、抽氣出口、樣品入口和腔室加熱裝置，反應(yīng)源入口、抽氣出口、樣品入口與真空腔室密封連通，反應(yīng)源從反應(yīng)源系統(tǒng)流出后通過反應(yīng)源入口進(jìn)入真空腔室，殘留的反應(yīng)源以及副產(chǎn)物由抽氣出口排出反應(yīng)腔系統(tǒng)，樣品通過樣品入口進(jìn)入真空腔室；
所述反應(yīng)源系統(tǒng)包括反應(yīng)源容器和反應(yīng)源出口，反應(yīng)源容器和反應(yīng)源出口之間設(shè)有閥門，控制反應(yīng)源的流出，所述反應(yīng)源出口與反應(yīng)腔系統(tǒng)的反應(yīng)源入口相連；
所述抽氣系統(tǒng)與反應(yīng)腔系統(tǒng)的抽氣出口相連。
[0006]其中，抽氣系統(tǒng)即腔體實(shí)現(xiàn)真空的部分，設(shè)有壓力監(jiān)控部分以及截止閥和真空泵，為鍍膜設(shè)備常用技術(shù)。
[0007]優(yōu)選的，所述真空腔室上下兩面各設(shè)有腔室加熱裝置，所述腔室加熱裝置加熱片和加熱線出口真空電極組成，加熱線出口真空電極與電源相連，其中，位于真空腔室下面的加熱片的表面同時(shí)作為真空腔室的樣品沉積基底。樣品直接放入下面的加熱片上，熱量傳遞直接，熱場(chǎng)均勻。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述加熱片采用鑄鋁材質(zhì)，經(jīng)表面拋光和陽(yáng)極氧化處理，真空腔室上面的加熱片厚度為10 mm，真空腔室上面的加熱片厚度為15 mm，加熱器的直徑和真空腔室的直徑一致，之間無(wú)縫隙。
[0009]優(yōu)選的，所述真空腔室由上面的腔體上蓋與下面的腔體底座通過無(wú)氧銅墊片密封構(gòu)成，所述真空腔室的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)于腔體底座中，其中，所述上下加熱裝置分別鑲嵌在腔體上蓋和腔體底座中，當(dāng)腔體上蓋蓋合于腔體底座時(shí)，形成可上下加熱的密封的真空腔室。
[0010]腔體底座與腔體上蓋之間能過密封墊密封連接，而非直接焊接，更方便加熱片的安裝以及更換。
[0011]優(yōu)選的，所述的真空腔室的腔體結(jié)構(gòu)由里向外依次為真空腔室、不銹鋼腔體環(huán)壁、保溫層、水冷層。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述樣品入口從空腔室的腔體環(huán)壁前方延伸出腔體，較真空腔室高30 Cm，樣品入口處深度為8 mm，寬度為60 mm，該樣品入口最大可放置直徑2英寸，高度
5_的樣品。這樣，更有利于腔體內(nèi)氣體更好的流通。樣品入品的設(shè)置，通過樣品入口放入和取出樣品，可有效緩解腔體上蓋的打開次數(shù)，從而避免了實(shí)際使用中頻繁操作所帶來(lái)的對(duì)真空腔室的密封性能的不良影響。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述反應(yīng)源入口與抽氣出口對(duì)稱分布于真空腔室的腔體環(huán)壁兩偵牝位于上下兩塊加熱器之間。
[0014]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述反應(yīng)源系統(tǒng)包含兩個(gè)反應(yīng)源容器，所述兩個(gè)反應(yīng)源容器分別通過密封閥、控制閥與反應(yīng)源出口相連。所述反應(yīng)源容器的容積優(yōu)選為25mL。
[0015]進(jìn)一步優(yōu)選的，還包括中控系統(tǒng)，所述反應(yīng)腔體系統(tǒng)和反應(yīng)源系統(tǒng)均與中控系統(tǒng)電連接，所述中控系統(tǒng)以PLC作為核心控制，在PLC控制器的基礎(chǔ)上增加溫控模塊、模擬量模塊，PLC與溫控模塊、模擬量模塊之間以RS485方式通信。
[0016]一種氧化鋁薄膜的沉積方法，利用上述設(shè)備，其操作步驟如下:
1)樣品預(yù)處理，將處理過的樣品放入真空腔室內(nèi)；
2)啟動(dòng)控制系統(tǒng)；
3)開始運(yùn)行后，使沉積氧化鋁的厚度為20nm，真空腔室的上下溫度為150 °C，沉積循環(huán)次數(shù)為167次，沉積時(shí)間為28 min ；
4 )沉積結(jié)束，腔體自動(dòng)進(jìn)氣，取出樣品，即可。
[0017]本發(fā)明原理:本發(fā)明采用小體積腔體，采用小體積反應(yīng)源容器，反應(yīng)源損耗少。反應(yīng)源容器的上端設(shè)有密封閥門，密封閥門在裝入反應(yīng)源后起到密封作用。本發(fā)明采用一體化設(shè)計(jì)精確控制沉積薄膜厚度。
[0018]在工藝過程中，打開密封閥門，再通過密封閥的上端設(shè)置的控制閥，控制進(jìn)入真空反應(yīng)室的反應(yīng)源的量。反應(yīng)源氣體通過經(jīng)過反應(yīng)源系統(tǒng)的反應(yīng)源出口與反應(yīng)腔系統(tǒng)的反應(yīng)源入口，進(jìn)入真空反應(yīng)室，反應(yīng)源氣體在樣品上進(jìn)行化學(xué)沉積。
[0019]本發(fā)明的有益效果:
1)本發(fā)明原子層沉積裝置中的加熱片采用鑄鋁加熱器直接鑲嵌于腔體內(nèi)的方式，此方式熱量傳遞直接，無(wú)溫差，整個(gè)腔體內(nèi)壁無(wú)溫差。該加熱器采用鑄鋁的形式，且鋁型材成型后表面拋光且陽(yáng)極氧化處理，反應(yīng)腔體底座以及上蓋均鑲嵌鑄鋁加熱器，加熱無(wú)死角。
[0020]2)本發(fā)明首次提出一種微型精確鍍膜系統(tǒng)的一體化設(shè)計(jì)，專門適用于研究性領(lǐng)域工具化使用，本裝置的優(yōu)點(diǎn)是體積小不占空間，外觀尺寸只有350*350*400 mm，可直接放于桌面上；反應(yīng)腔體實(shí)際空間小，且采用烘烤式加熱方式，溫場(chǎng)均勻，節(jié)約反應(yīng)源用量；操作簡(jiǎn)單，只需輸入沉積薄膜厚度，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)匹配參數(shù)運(yùn)行；相對(duì)于市面在售鍍膜系統(tǒng)，設(shè)備使用以及維護(hù)成本低。
[0021]3)本發(fā)明設(shè)備通過一體化設(shè)計(jì)，控制系統(tǒng)為人機(jī)界面采用觸摸屏界面控制，在操作界面中只要輸入沉積薄膜厚度，控制系統(tǒng)會(huì)自行計(jì)算所需沉積循環(huán)數(shù)、該薄膜厚度所需時(shí)間等相關(guān)參數(shù)，并運(yùn)行相關(guān)參數(shù)，結(jié)束后自動(dòng)停止實(shí)驗(yàn)，每個(gè)步驟進(jìn)行到下一步都會(huì)有提示，并整個(gè)過程記錄和保存所有參數(shù)。本發(fā)明通過精確控制每個(gè)循環(huán)的薄膜厚度來(lái)精確控制薄膜沉積厚度，實(shí)現(xiàn)了鍍膜工藝的精確控制。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1是本發(fā)明微型精確鍍膜系統(tǒng)俯視示意圖；
圖2是本發(fā)明微型精確鍍膜系統(tǒng)仰視示意圖；
圖3是本發(fā)明微型精確鍍膜系統(tǒng)左視示意圖；
圖4是本發(fā)明微型精確鍍膜系統(tǒng)反應(yīng)腔系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是本發(fā)明的控制流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0024]如圖1至4所示，一種微型精確鍍膜系統(tǒng)，采用一體化設(shè)計(jì)，包含反應(yīng)腔系統(tǒng)100、反應(yīng)源進(jìn)氣系統(tǒng)200、抽氣系統(tǒng)300和控制系統(tǒng)400。
[0025]反應(yīng)腔系統(tǒng)100包括真空腔室101、反應(yīng)源入口 109、抽氣出口 110、樣品入口 111和腔室加熱裝置，反應(yīng)源入口 109、抽氣出口 110、樣品入口 111與真空腔室101密封連通，反應(yīng)源從反應(yīng)源系統(tǒng)200流出后通過反應(yīng)源入口 109進(jìn)入真空腔室101，殘留的反應(yīng)源以及副產(chǎn)物由抽氣出口 Iio排出反應(yīng)腔系統(tǒng)，樣品通過樣品入口 111進(jìn)入真空腔室101。[0026]所述反應(yīng)源系統(tǒng)200包括反應(yīng)源容器202 (體積為25mL)和反應(yīng)源出口 201，反應(yīng)源容器202和反應(yīng)源出口 201之間設(shè)有閥門，控制反應(yīng)源的流出，所述反應(yīng)源出口 201與反應(yīng)腔系統(tǒng)的反應(yīng)源入口 109相連。
[0027]所述抽氣系統(tǒng)300與反應(yīng)腔系統(tǒng)的抽氣出口 110相連。
[0028]所述控制系統(tǒng)400分別與反應(yīng)腔系統(tǒng)100、反應(yīng)源系統(tǒng)200、抽氣系統(tǒng)300之間電連接。
[0029]如圖4所示，反應(yīng)腔系統(tǒng)中，所述真空腔室101上下兩面各設(shè)有加熱裝置。所述真空腔室101由上面的腔 體上蓋107(厚度為20 mm)的與下面的腔體底座108(厚度為50 mm)通過無(wú)氧銅墊片密封構(gòu)成，真空腔室101的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)于腔體底座108中。其中，上下加熱裝置分別鑲嵌在腔體上蓋107和腔體底座108中，當(dāng)腔體上蓋107蓋合于腔體底座108時(shí)，形成可上下加熱的密封的真空腔室101。所述加熱裝置由加熱片102和加熱線出口真空電極103組成，加熱線出口真空電極103與電源相連，其中，位于真空腔室下面的加熱片的表面同時(shí)作為原子層沉積裝置的樣品沉積基底。樣品直接放入下面的加熱片上，熱量傳遞直接，熱場(chǎng)均勻。
[0030]所述加熱片采用鑄鋁材質(zhì)，經(jīng)表面拋光和陽(yáng)極氧化處理，真空腔室上面的加熱片厚度為10 mm，真空腔室上面的加熱片厚度為15 mm，加熱器的直徑和真空腔室的直徑一致，為80 mm，之間無(wú)縫隙。腔體底座與腔體上蓋之間能過密封墊密封連接，而非直接焊接，更方便加熱片的安裝以及更換。
[0031]所述的真空腔室的腔體結(jié)構(gòu)由里向外依次為真空腔室101、316L不銹鋼腔體環(huán)壁104、纖維保溫層105、水冷層106。腔體的后側(cè)為水冷管路112，前側(cè)為樣品入口 111，樣品入口較真空腔室的高度30 cm，深度為8 mm，寬度為60 mm，該入口最大可放置直徑2英寸，高度5 mm的樣品。反應(yīng)源進(jìn)口尺寸為12 mm，抽氣出口尺寸為12 mm，外接KF16的法蘭。
[0032]本發(fā)明中所選擇機(jī)柜外殼尺寸為350 *350*400 mm，材質(zhì)為不銹鋼材質(zhì)，反應(yīng)腔系統(tǒng)置于機(jī)柜頂部，左側(cè)為反應(yīng)源進(jìn)氣系統(tǒng)，右側(cè)為抽氣系統(tǒng)和控制面板(如圖2和圖3所示)O
[0033]本發(fā)明中樣品為2英寸大小，由樣品入口 111送入腔體真空室101，本發(fā)明中的裝置為熱輔助型的，采用上下兩片加熱片將樣品烘烤中間，整個(gè)腔體真空室溫均勻，加熱片的溫度范圍是室溫-300 °C，溫控精度小于正負(fù)1°C。
[0034]本發(fā)明反應(yīng)源可以是固態(tài)、液態(tài)或者氣態(tài)。如果反應(yīng)源是前兩者需要通過加熱的方式產(chǎn)生一定量的蒸汽，反應(yīng)源蒸汽通過手動(dòng)閥204的開啟，進(jìn)入控制閥203，由此閥門進(jìn)行精確控制，流經(jīng)反應(yīng)源出口 201，最后由反應(yīng)源入口 109進(jìn)入反應(yīng)腔體的真空腔室101發(fā)生反應(yīng)，殘留的反應(yīng)源以及副產(chǎn)物由抽氣出口 110排出腔體外。所有反應(yīng)源運(yùn)輸管路以及抽氣管路并設(shè)有可拆卸式加熱保溫裝置，溫度范圍是室溫至200 °C。
[0035]如圖5所示，為本發(fā)明的控制流程圖，首先使用著需要輸入所需沉積薄膜的厚度，系統(tǒng)根據(jù)薄膜厚度自動(dòng)計(jì)算出所需要沉積的厚度，此時(shí)點(diǎn)擊運(yùn)行，系統(tǒng)自動(dòng)運(yùn)行該配方的溫度參數(shù)、脈沖時(shí)間設(shè)置以及流量等參數(shù)設(shè)置，此時(shí)開始計(jì)時(shí)，等時(shí)間到后提示使用者，是否開始沉積，如果點(diǎn)擊開始，則系統(tǒng)開始運(yùn)行，并且計(jì)算所需時(shí)間，沉積完成后，提示工藝完成，自動(dòng)進(jìn)氣，并提示取出樣品，整個(gè)工藝過程中，所有參數(shù)均有記錄和保存。
[0036]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所 作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述微型精確鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)腔系統(tǒng)、反應(yīng)源系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)，上部分為反應(yīng)腔系統(tǒng)，下部分為反應(yīng)源系統(tǒng)，反應(yīng)腔系統(tǒng)與反應(yīng)源系統(tǒng)密封連接，抽氣系統(tǒng)與反應(yīng)腔系統(tǒng)密封連接，其中， 所述反應(yīng)腔系統(tǒng)包括真空腔室、反應(yīng)源入口、抽氣出口、樣品入口和腔室加熱裝置，反應(yīng)源入口、抽氣出口、樣品入口與真空腔室密封連通，反應(yīng)源從反應(yīng)源系統(tǒng)流出后通過反應(yīng)源入口進(jìn)入真空腔室，殘留的反應(yīng)源以及副產(chǎn)物由抽氣出口排出反應(yīng)腔系統(tǒng)，樣品通過樣品入口進(jìn)入真空腔室； 所述反應(yīng)源系統(tǒng)包括反應(yīng)源容器和反應(yīng)源出口，反應(yīng)源容器和反應(yīng)源出口之間設(shè)有閥門，控制反應(yīng)源的流出，所述反應(yīng)源出口與反應(yīng)腔系統(tǒng)的反應(yīng)源入口相連； 所述抽氣系統(tǒng)與反應(yīng)腔系統(tǒng)的抽氣出口相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述真空腔室上下兩面各設(shè)有腔室加熱裝置，所述腔室加熱裝置加熱片和加熱線出口真空電極組成，加熱線出口真空電極與電源相連，其中，位于真空腔室下面的加熱片的表面同時(shí)作為真空腔室的樣品沉積基底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述加熱片采用鑄鋁材質(zhì)，經(jīng)表面拋光和陽(yáng)極氧化處理，真空腔室上面的加熱片厚度為10 mm，真空腔室上面的加熱片厚度為15 _，加熱器的直徑和真空腔室的直徑一致，之間無(wú)縫隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述真空腔室由上面的腔體上蓋與下面的腔體底座通過無(wú)氧銅墊片密封構(gòu)成，所述真空腔室的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)于腔體底座中，其中，所述上下加熱裝置分別鑲嵌在腔體上蓋和腔體底座中，當(dāng)腔體上蓋蓋合于腔體底座時(shí)，形成可上下加熱的密封的真空腔室。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述的真空腔室的腔體結(jié)構(gòu)由里向外依次為真空腔室、不銹鋼腔體環(huán)壁、保溫層、水冷層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述樣品入口從空腔室的腔體環(huán)壁前方延伸出腔體，較真空腔室高30 cm，樣品入口處深度為8 mm，寬度為60 mm，該樣品入口最大可放置直徑2英寸，聞度5 mm的樣品。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述反應(yīng)源入口與抽氣出口對(duì)稱分布于真空腔室的腔體環(huán)壁兩側(cè)，位于上下兩塊加熱器之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:所述反應(yīng)源系統(tǒng)包含兩個(gè)反應(yīng)源容器，所述兩個(gè)反應(yīng)源容器分別通過密封閥、控制閥與反應(yīng)源出口相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的微型精確鍍膜系統(tǒng)，其特征在于:還包括中控系統(tǒng)，所述反應(yīng)腔體系統(tǒng)、反應(yīng)源系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)均與中控系統(tǒng)電連接，所述中控系統(tǒng)以PLC作為核心控制，在PLC控制器的基礎(chǔ)上增加溫控模塊、模擬量模塊，PLC與溫控模塊、模擬量模塊之間以RS485方式通信。
10.一種氧化鋁薄膜的沉積方法，其特征在于:利用權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述設(shè)備，其操作步驟如下:
1)樣品預(yù)處理，將處理過的樣品放入真空腔室內(nèi)；
2)啟動(dòng)控制系統(tǒng)；3)開始運(yùn)行后，使沉積氧化鋁的厚度為20nm，真空腔室的上下溫度為150 °C，沉積循環(huán)次數(shù)為167次，沉積時(shí)間為28 min ；4)沉積結(jié)束， 腔體自動(dòng)進(jìn)氣，取出樣品，即可。
【文檔編號(hào)】C23C16/52GK103993295SQ201410202912
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月15日
【發(fā)明者】左雪芹, 梅永豐, 徐濤 申請(qǐng)人:無(wú)錫邁納德微納技術(shù)有限公司