一種smd石英晶片尺寸修磨方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步驟：S1、清洗：將光面研磨盤用的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面；S2、平面處理；S3、預熱；S4、貼膜：取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上；S5、安裝光面研磨盤：將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上；S6、研磨加工：將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，同時向SMD晶坨與光面研磨盤的接觸面上噴灑砂液，按照尺寸加工要求研磨成型；S7、清洗：將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。本發(fā)明的優(yōu)點在于：能明顯改善石英晶片外觀缺陷、能有效地預防尺寸修磨過低和研磨機使用壽命長。
【專利說明】—種SMD石英晶片尺寸修磨方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及石英晶片的研磨工藝，特別是一種SMD石英晶片尺寸修磨方法。
【背景技術】
[0002]石英晶片元器件是利用石英晶片的壓電效應實現(xiàn)頻率控制、穩(wěn)定或選擇的關鍵電子元器件。包括石英晶片諧振器、石英晶片振蕩器和石英晶片濾波器。主要應用于通訊、家電及其它各類工業(yè)及消費類電子產(chǎn)品中。
[0003]隨著電子技術的發(fā)展，市場對高精度、高穩(wěn)定性石英諧振器需求量增加，由于石英晶片諧振器、振蕩器的聞精度和聞穩(wěn)定性與石英晶片的頻率寄生和切割角度有密切關系，它們要求石英晶片頻率寄生遠，晶片角度集中，但是目前石英晶片在研磨加工過程中，容易出現(xiàn)研磨后角度中心出現(xiàn)偏移，大方片切割成小條片后角度的離散度增大，而且高頻頻率寄生多，使大量晶片無法滿足成品加工的要求，從而造成生產(chǎn)上的浪費。
[0004]目前市場對石英晶片的尺寸、外觀要求比較高，特別是目前主流的SMD系列晶片，其外觀、尺寸要求愈發(fā)的嚴格。由于晶片尺寸較小，其外形尺寸加工通常是采用多片晶片粘接成晶坨再進行采用雙面研磨機進行尺寸加工。雙面研磨機一般采用球墨鑄鐵材質的研磨盤，盤面均勻分布深度1.5?2mm深的溝槽，作業(yè)時通過游星輪帶動晶坨在上、下研磨盤之間運動，通過研磨砂液和研磨盤以及晶坨的相互磨削，達到修磨尺寸的目的。但此方法存在不少對品質隱患:金屬盤易生銹，造成砂液污染，影響石英晶片外觀；金屬盤與晶坨直接接觸，因硬度較大，修磨過程中易造成石英晶片邊緣缺口。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的缺點，提供一種能明顯改善石英晶片外觀缺陷、能有效地預防尺寸修磨過低和研磨機使用壽命長的SMD石英晶片尺寸修磨方法。
[0006]本發(fā)明的目的通過以下技術方案來實現(xiàn):一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步驟:
51、清洗:將光面研磨盤用濃度為75%?80%的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面；
52、平面處理:光面研磨盤通過修盤機上進行修磨，使得光面研磨盤的平面度<5μπι/
m2；
53、預熱:對光面研磨盤進行預熱，使光面研磨盤表面溫度達到35°C?45°C；
54、貼膜:取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上；
55、安裝光面研磨盤:將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上；
56、研磨加工:將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，將研磨機轉速設置為20rpm?30rpm，同時向SMD晶坨與光面研磨盤的接觸面上噴灑GC#3000研磨砂配置的砂液，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。[0007]所述的步驟S4貼膜完成后還包括將光面研磨盤的研磨上下盤相互壓合24h~30h。
[0008]所述的步驟S6中砂液的各組分的質量比為研磨砂冰:懸浮劑=1kg:2L:0.4L。
[0009]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
1、在光面研磨盤上貼拋光膜，能有效防止研磨盤生銹，對砂液起到了保護作用，防止砂液被污染，加工過程中出現(xiàn)的缺口、缺角、亮點等異常缺陷有明顯的改善效果。
[0010]2、用拋光膜進行尺寸修磨，其修磨速度得到有效的控制，能有效的預防尺寸修磨過低的現(xiàn)象。
[0011]3、石英晶片與拋光膜直接接觸，光面研磨盤不易受到磨損，研磨機的使用壽命大幅度提升，拋光膜磨損不能使用時，只需更換拋光膜，操作簡單、方便。
【具體實施方式】
[0012]下面結合實施例對本發(fā)明做進一步的描述，但本發(fā)明的保護范圍不局限于以下所述。
[0013]【實施例1】:
一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步驟:
51、清洗:將光面研磨盤用濃度為80%的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面；
52、平面處理:光面研磨盤通過修盤機上進行修磨，使得光面研磨盤的平面度達到
4μ m/m2 ；
53、預熱:對光面研磨盤進行預熱，使光面研磨盤表面溫度達到35°C；
54、貼膜:取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上，貼膜完成后還包括將光面研磨盤的研磨上下盤相互壓合24h ；
55、安裝光面研磨盤:將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上；
56、研磨加工:將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，將研磨機轉速設置為25rpm，同時向SMD晶坨光面研磨盤的接觸面上噴灑GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各組分的質量比為GC#3000研磨砂:水:懸浮劑=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。
[0014]【實施例2】:
一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步驟:
51、清洗:將光面研磨盤用濃度為77%的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面；
52、平面處理:光面研磨盤通過修盤機上進行修磨，使得光面研磨盤的平面度達到3 μ m/m2 ；
53、預熱:對光面研磨盤進行預熱，使光面研磨盤表面溫度達到45°C；
54、貼膜:取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上，將光面研磨盤的研磨上下盤相互壓合27h ；
55、安裝光面研磨盤:將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上；
56、研磨加工:將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，將研磨機轉速設置為30rpm，同時向SMD晶坨與光面研磨盤的接觸面上噴灑GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各組分的質量比為GC#3000研磨砂:水:懸浮劑=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
S7、 清洗:將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。
[0015]【實施例3】:
一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步驟:
51、清洗:將光面研磨盤用濃度為75%的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面；
52、平面處理:光面研磨盤通過修盤機上進行修磨，使得光面研磨盤的平面度達到5 μ m/m2 ；
53、預熱:對光面研磨盤進行預熱，使光面研磨盤表面溫度達到40°C；
54、貼膜:取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上，將光面研磨盤的研磨上下盤相互壓合28h ；
55、安裝光面研磨盤:將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上；
56、研磨加工:將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，將研磨機轉速設置為20rpm，同時向SMD晶坨與光面研磨盤的接觸面上噴灑GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各組分的質量比為GC#3000研磨砂:水:懸浮劑=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。
[0016]【實施例4】:
一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步驟:
51、清洗:將光面研磨盤用濃度為78%的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面；
52、平面處理:光面研磨盤通過修盤機上進行修磨，使得光面研磨盤的平面度達到
5μ m/m2 ；
53、預熱:對光面研磨盤進行預熱，使光面研磨盤表面溫度達到41°C；
54、貼膜:取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上，將光面研磨盤的研磨上下盤相互壓合27h ；
55、安裝光面研磨盤:將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上；
56、研磨加工:將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，將研磨機轉速設置為25rpm，同時向SMD晶坨與光面研磨盤的接觸面上噴灑GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各組分的質量比為GC#3000研磨砂:水:懸浮劑=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。
【權利要求】
1.一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，其特征在于:它包括以下步驟: 51、清洗:將光面研磨盤用濃度為75%?80%的酒精清洗，再用無塵布擦拭光面研磨盤表面； 52、平面處理:光面研磨盤通過修盤機進行修磨，使得光面研磨盤的平面度<5μπι/m2； 53、預熱:對光面研磨盤進行預熱，使光面研磨盤表面溫度達到35°C?45°C； 54、貼膜:取出帶背膠的拋光膜，撕下背膠，并將拋光膜貼在光面研磨盤上； 55、安裝光面研磨盤:將貼有拋光膜的光面研磨盤安裝在研磨機上； 56、研磨加工:將待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盤上進行研磨，將研磨機轉速設置為20rpm?30rpm，同時向SMD晶坨與光面研磨盤的接觸面上噴灑砂液，按照尺寸加工要求研磨成型； 57、清洗:將研磨后的SMD晶坨用清水沖洗干凈，晾干。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，其特征在于:所述的步驟S4貼膜完成后還包括將光面研磨盤的研磨上下盤相互壓合24h?30h。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種SMD石英晶片尺寸修磨方法，其特征在于:所述的步驟S6中砂液的各組分的質量比為GC#3000研磨砂:水:懸浮劑=lkg:2L:0.4L。
【文檔編號】B24B1/00GK103991007SQ201410251678
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年6月9日 優(yōu)先權日:2014年6月9日
【發(fā)明者】葉竹之, 鄧天將, 曾小金 申請人:成都泰美克晶體技術有限公司