一種測(cè)量裝置及鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種測(cè)量裝置及鍍膜設(shè)備。該測(cè)量裝置包括：第一石英晶振片，在鍍膜過程中一起被鍍膜；第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在鍍膜的過程中被遮擋，不會(huì)被鍍膜；激勵(lì)源產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生并輸出交變電流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片測(cè)試單元；第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第一石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第一響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化初始值；第二計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化修正值；第三計(jì)算模塊，用于利用所述頻率變化修正值修正所述頻率變化初始值得到的頻率變化目標(biāo)值計(jì)算膜層厚度。本發(fā)明提高了膜厚測(cè)量精度。
【專利說明】一種測(cè)量裝置及鍍膜設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及測(cè)量技術(shù)，特別是一種測(cè)量裝置及鍍膜設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)今微電子薄膜、光學(xué)薄膜、抗氧化薄膜、巨磁電阻薄膜、高溫超導(dǎo)薄膜等在工業(yè)生產(chǎn)和人類生活中不斷得到應(yīng)用。如大規(guī)模集成電路、液晶面板、LED器件等生產(chǎn)工藝中的各種薄膜，由于集成程度的不斷提高，薄膜厚度的任何微小變化，對(duì)器件的性能都會(huì)產(chǎn)生直接的影響。除此之外，薄膜的各種性能，如透光性能、導(dǎo)電性能、絕緣性能等都與厚度有著密切的聯(lián)系。
[0003]因此可以看出，薄膜的厚度是一個(gè)非常重要的參數(shù)，直接關(guān)系到該薄膜材料能否正常工作。因此在生產(chǎn)過程中需要獲取薄膜的厚度。
[0004]隨著科技的進(jìn)步和精密儀器的應(yīng)用，薄膜厚度的測(cè)量方法有很多，一種常見的測(cè)量方法為使用晶振片對(duì)薄膜厚度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。
[0005]然而發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中使用晶振片對(duì)薄膜厚度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量的方法，由于受到環(huán)境因素的影響而存在精度不高的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種測(cè)量裝置及鍍膜設(shè)備，提高使用晶振片對(duì)薄膜厚度進(jìn)行測(cè)量的測(cè)量精度。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種測(cè)量裝置，用于測(cè)量一待鍍膜模組上產(chǎn)生的膜層的厚度，所述測(cè)量裝置包括:
[0008]第一石英晶振片，在鍍膜過程中一起被鍍膜；
[0009]第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在鍍膜的過程中被遮擋，不會(huì)被鍍膜；
[0010]激勵(lì)源產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生并輸出交變電流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片;
[0011]第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第一石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第一響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化初始值；
[0012]第二計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化修正值；
[0013]第三計(jì)算模塊，用于利用所述頻率變化修正值修正所述頻率變化初始值得到的頻率變化目標(biāo)值計(jì)算膜層厚度。
[0014]上述的測(cè)量裝置，其中，所述頻率變化目標(biāo)值等于頻率變化初始值與頻率變化修正值的差值。
[0015]上述的測(cè)量裝置，其中，還包括:
[0016]一遮擋模塊，用于在鍍膜過程中遮擋所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不會(huì)被鍍膜。
[0017]上述的測(cè)量裝置，其中，所述第二石英晶振片的數(shù)量為多個(gè)，所述第二計(jì)算模塊具體用于根據(jù)每一個(gè)第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算第二石英晶振片各自對(duì)應(yīng)的頻率變化中間值，并取所有頻率變化中間值的平均值作為頻率變化修正值。
[0018]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鍍膜設(shè)備，包括一鍍膜機(jī)，用于向待鍍膜模組鍍膜，所述鍍膜設(shè)備還包括一測(cè)量裝置，所述測(cè)量裝置包括:
[0019]第一石英晶振片，在鍍膜過程中一起被鍍膜；
[0020]第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在鍍膜的過程中被遮擋，不會(huì)被鍍膜；
[0021]激勵(lì)源產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生并輸出交變電流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片;
[0022]第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第一石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第一響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化初始值；
[0023]第二計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化修正值；
[0024]第三計(jì)算模塊，用于利用所述頻率變化修正值修正所述頻率變化初始值得到的頻率變化目標(biāo)值計(jì)算膜層厚度。
[0025]上述的鍍膜設(shè)備，其中，所述頻率變化目標(biāo)值等于頻率變化初始值與頻率變化修正值的差值。
[0026]上述的鍍膜設(shè)備，其中，還包括:
[0027]—遮擋模塊，用于在鍍膜過程中遮擋所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不會(huì)被鍍膜。
[0028]上述的鍍膜設(shè)備，其中，所述第一石英晶振片和第二石英晶振片環(huán)形排列，所述遮擋模塊具體為一設(shè)置有一通孔的可旋轉(zhuǎn)遮擋片，所述遮擋片能夠通過旋轉(zhuǎn)使得所述通孔位于不同石英晶振片的上方。
[0029]上述的鍍膜設(shè)備，其中，還包括:
[0030]控制器，用于根據(jù)所述膜層厚度實(shí)際值控制鍍膜機(jī)的鍍膜厚度。
[0031]上述的鍍膜設(shè)備，其中，所述鍍膜機(jī)上設(shè)置有一具有一吸附面的用于吸附所述待鍍膜模組的真空吸附裝置，所述第一石英晶振片、第二石英晶振片的安置高度與所述待鍍膜模組的安置高度相同。
[0032]上述的鍍膜設(shè)備，其中，所述第二石英晶振片的數(shù)量為多個(gè)，所述第二計(jì)算模塊具體用于根據(jù)每一個(gè)第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算第二石英晶振片各自對(duì)應(yīng)的頻率變化中間值，并取所有頻率變化中間值的平均值作為頻率變化修正值。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例中，設(shè)置了第一石英晶振片，其利用現(xiàn)有技術(shù)的薄膜厚度測(cè)量方法可以得到一個(gè)膜層厚度初始值。之前提到，由于石英晶振片的頻率變化不僅與薄膜厚度有關(guān)，而且與環(huán)境有關(guān)，因此基于鍍膜后的石英晶振片的振蕩頻率變化量計(jì)算出的膜層厚度并不準(zhǔn)確。而本發(fā)明實(shí)施例中同時(shí)還設(shè)置了第二石英晶振片，而第二石英晶振片在鍍膜的過程中被遮擋，不會(huì)被鍍膜，根據(jù)該第二石英晶振片的振蕩頻率變化量可以計(jì)算出一修正值，進(jìn)而可以將由于環(huán)境導(dǎo)致的振蕩頻率變化帶來的誤差從膜層厚度初始值中扣除，提高了膜層厚度檢測(cè)的精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1表示設(shè)置的多塊石英晶振片和遮擋機(jī)構(gòu)的配合示意圖；
[0035]圖2表示本發(fā)明實(shí)施例用于真空蒸鍍時(shí)的具體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036]本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)量裝置及鍍膜設(shè)備中，使用一個(gè)不鍍膜的石英晶振片來測(cè)量鍍膜過程中的環(huán)境因素對(duì)頻率變化產(chǎn)生的影響，提高了測(cè)量的精度。
[0037]為方便本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明實(shí)施例，在此先對(duì)本發(fā)明實(shí)施例涉及到的一些知識(shí)介紹如下。
[0038]使用石英晶振片測(cè)膜厚原理是利用了石英晶振片振蕩頻率的變化與沉積薄膜厚度的近似線性關(guān)系如下:
[0039]

【權(quán)利要求】
1.一種測(cè)量裝置，用于測(cè)量一待鍍膜模組上產(chǎn)生的膜層的厚度，其特征在于，所述測(cè)量裝置包括: 第一石英晶振片，在鍍膜過程中一起被鍍膜； 第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在鍍膜的過程中被遮擋，不會(huì)被鍍膜； 激勵(lì)源產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生并輸出交變電流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片; 第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第一石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第一響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化初始值； 第二計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化修正值； 第三計(jì)算模塊，用于利用所述頻率變化修正值修正所述頻率變化初始值得到的頻率變化目標(biāo)值計(jì)算膜層厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量裝置，其特征在于，所述頻率變化目標(biāo)值等于頻率變化初始值與頻率變化修正值的差值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量裝置，其特征在于，還包括: 一遮擋模塊，用于在鍍膜過程中遮擋所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不會(huì)被鍍膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的測(cè)量裝置，其特征在于，所述第二石英晶振片的數(shù)量為多個(gè)，所述第二計(jì)算模塊具體用于根據(jù)每一個(gè)第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算第二石英晶振片各自對(duì)應(yīng)的頻率變化中間值，并取所有頻率變化中間值的平均值作為頻率變化修正值。
5.一種鍍膜設(shè)備，包括一鍍膜機(jī)，用于向待鍍膜模組鍍膜，其特征在于，所述鍍膜設(shè)備還包括一測(cè)量裝置，所述測(cè)量裝置包括: 第一石英晶振片，在鍍膜過程中一起被鍍膜； 第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在鍍膜的過程中被遮擋，不會(huì)被鍍膜； 激勵(lì)源產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生并輸出交變電流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片; 第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第一石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第一響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化初始值； 第二計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算頻率變化修正值； 第三計(jì)算模塊，用于利用所述頻率變化修正值修正所述頻率變化初始值得到的頻率變化目標(biāo)值計(jì)算膜層厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述頻率變化目標(biāo)值等于頻率變化初始值與頻率變化修正值的差值。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括: 一遮擋模塊，用于在鍍膜過程中遮擋所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不會(huì)被鍍膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一石英晶振片和第二石英晶振片環(huán)形排列，所述遮擋模塊具體為一設(shè)置有一通孔的可旋轉(zhuǎn)遮擋片，所述遮擋片能夠通過旋轉(zhuǎn)使得所述通孔位于不同石英晶振片的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括: 控制器，用于根據(jù)所述膜層厚度實(shí)際值控制鍍膜機(jī)的鍍膜厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜機(jī)上設(shè)置有一具有一吸附面的用于吸附所述待鍍膜模組的真空吸附裝置，所述第一石英晶振片、第二石英晶振片安置高度與所述待鍍膜模組相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求5-10中任意一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第二石英晶振片的數(shù)量為多個(gè)，所述第二計(jì)算模塊具體用于根據(jù)每一個(gè)第二石英晶振片在鍍膜過程中響應(yīng)于所述交變電流產(chǎn)生的第二響應(yīng)信號(hào)計(jì)算第二石英晶振片各自對(duì)應(yīng)的頻率變化中間值，并取所有頻率變化中間值的平均值作為頻率變化修正值。
【文檔編號(hào)】C23C14/22GK104165573SQ201410301568
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】吳海東, 馬群 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司