一種鍍膜方法及其裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鍍膜方法，包括以下步驟：對被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。本發(fā)明方法克服了傳統(tǒng)真空鍍膜及大氣鍍膜方式各自的弊端，有效地提高了生產(chǎn)效率，實現(xiàn)了連續(xù)化生產(chǎn)，同時降低了生產(chǎn)成本。所形成的鍍膜層與基材之間結合力強，產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)異。本發(fā)明還提供一種鍍膜裝置，包括通過傳動系統(tǒng)相連接的至少一個真空鍍膜子系統(tǒng)及至少一個大氣鍍膜子系統(tǒng)。
【專利說明】一種鍍膜方法及其裝置

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及鍍膜領域，具體涉及一種鍍膜方法及其裝置。

【背景技術】
[0002] 現(xiàn)有鍍膜技術主要為真空鍍膜。真空鍍膜包括以下步驟：將被鍍基片掛入到鍍膜 架的掛具上；將鍍膜架推入鍍膜機內(nèi)；關閉真空室門并抽真空；投入惰性氣體，在高電壓下 產(chǎn)生輝光；開始鍍膜；降低真空度；打開真空室門，取出鍍膜架；將被鍍基片從掛具上取下。 采用干法鍍膜的方式生產(chǎn)效率太低、成本太高、上下掛具產(chǎn)生很多刮傷從而造成低良率，且 很難實現(xiàn)連續(xù)式生產(chǎn)。
[0003] 濕法噴涂技術在鍍膜領域也廣泛存在，但采用濕法噴涂不能獨立形成光學薄膜。 一般來說，噴涂技術只能噴涂一些透明"漆"，噴涂技術可以與真空鍍膜搭配，在真空鍍膜表 面噴涂一層作為保護涂層存在的透明漆。噴涂技術獨立加工存在很多應用上的弊端，最大 的問題在于：在大氣環(huán)境中進行濕法噴涂，待鍍基材難以清潔達到鍍膜表面的標準，從而無 法保證鍍膜層與被鍍基片之間的結合力。因此，現(xiàn)有鍍膜工序幾乎全部采用真空鍍膜。例 如，目前在手機和平板電腦上廣泛采用的憎水鍍膜，先在被鍍基片表面鍍上氧化硅打底層， 再在氧化硅表面沉積含氟憎水鍍膜。因此，現(xiàn)有技術需要改進。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種效率高、成本低、可實現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)的鍍膜方法，包括 以下步驟：對被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米 薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。
[0005] 本發(fā)明還提供一種鍍膜裝置，鍍膜裝置包括通過傳動系統(tǒng)相連接的至少一個真空 鍍膜子系統(tǒng)及至少一個大氣鍍膜子系統(tǒng)。
[0006] 本發(fā)明的有益效果在于：采用兩種鍍膜方式混合鍍膜進行連續(xù)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率 高，成本低廉。由于在前工序的打底薄膜層全部在真空中完成，并且經(jīng)過了等離子清洗，因 此被鍍基材的表面非常干凈新鮮，將被鍍基材轉移到大氣下進行大氣鍍膜時，有效地保證 了大氣納米薄膜層與真空納米打底層之間的結合力。

【具體實施方式】
[0007] 為了使本發(fā)明所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結 合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋 本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0008] 本發(fā)明鍍膜方法包括以下步驟：對被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空 納米薄膜層；在真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。
[0009] 其中，真空鍍膜方式包括磁控濺射鍍膜、熱蒸發(fā)鍍膜、電子槍式鍍膜或多弧離子鍍 膜，對基材進行真空鍍膜可以采用其中的一種或者多種，所形成的真空納米薄膜層也可以 為多層，其總厚度大于5nm。此工序全部在真空中完成，并且被鍍基材在真空室中經(jīng)過了等 離子清洗，表面非常干凈新鮮，完全滿足作為大氣鍍膜表面的標準。
[0010] 進一步地，大氣鍍膜方式包括噴鍍、輥鍍或浸鍍鍍膜，鍍膜時可同時采用其中的一 種或多種。將鍍有真空打底鍍膜層的基材轉移至大氣中，在打底層上再鍍有一層或多層的 大氣納米薄膜，其總厚度大于lnm。所制得的產(chǎn)品表面同時覆有真空鍍層和大氣鍍層，且膜 層之間結合力強，品質(zhì)優(yōu)良。
[0011] 更優(yōu)選地，鍍膜方法還包括在大氣鍍膜之前對被鍍基材進行預處理及在大氣鍍膜 之后對所形成的大氣納米薄膜層進行熟化。其中，預處理的方式包括等離子處理、紫外線處 理、電暈處理等，熟化的方式包括紫外熟化、紅外熟化或熱熟化等。
[0012] 本發(fā)明鍍膜裝置，包括通過傳動系統(tǒng)相連接的至少一個真空鍍膜子系統(tǒng)及至少一 個大氣鍍膜子系統(tǒng)。
[0013] 其中，真空鍍膜子系統(tǒng)由至少三個真空室組成，真空室包含至少一個傳遞室和至 少一個鍍膜室，真空鍍膜子系統(tǒng)中被鍍基材的鍍膜面平行或垂直于所述傳動系統(tǒng)的傳動方 向。傳動系統(tǒng)可以為傳送帶或機械臂，可將在真空鍍膜子系統(tǒng)中經(jīng)過真空鍍膜的基材傳送 至大氣鍍膜子系統(tǒng)中。本鍍膜裝置還可進一步在大氣鍍膜子系統(tǒng)之前設置預處理單元，對 鍍膜真空打底層的基材進行等離子處理或紫外照射等處理。更進一步地，可在大氣鍍膜子 系統(tǒng)之后設置熟化單元，對大氣鍍膜形成的納米薄膜層進行熟化處理。熟化單元可以為紫 外熟化、紅外熟化或熱熟化等的相應設備。
[0014] 以下通過實施例進一步解釋本發(fā)明。
[0015] 實施例1
[0016] A、將被鍍基材置于真空鍍膜子系統(tǒng)中，通過等離子體放電產(chǎn)生的輝光對被鍍基材 表面進行等離子清洗；
[0017] B、在真空鍍膜子系統(tǒng)中，采用磁控濺射真空鍍膜方式在水平于鍍膜系統(tǒng)傳動方向 的被鍍基材鍍膜面上鍍上至少一層、總厚度大于5nm的納米薄膜鍍層，形成所述真空納米 薄膜層；
[0018] C、通過傳輸系統(tǒng)，將經(jīng)步驟B處理的具有至少一層納米薄膜層的基材送到大氣鍍 膜子系統(tǒng)工位；
[0019] D、在所述真空子系統(tǒng)中形成的至少一層的納米薄膜鍍層表面，通過噴鍍至少一 層、總厚度大于lnm的納米薄膜鍍層，形成所述大氣納米薄膜層；
[0020] E、通過熟化單元，對所述大氣納米薄膜層進行熟化，獲得具有真空納米薄膜層、大 氣納米薄膜層的基材。
[0021] 實施例2
[0022] 其他操作步驟同實施例1，僅根據(jù)表2所示改變部分操作條件，在藍寶石基板表面 依次鍍上氧化鋁薄膜、氧化硅薄膜和含氟硅烷憎水納米薄膜。
[0023] 表1本發(fā)明實施例2鍍膜操作具體控制參數(shù)
[0024]

【權利要求】
1. 一種鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法包括以下步驟：對被鍍基材采用真空鍍 膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形 成至少一層大氣納米薄膜層。
2. 如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述真空鍍膜方式為磁控濺射鍍膜、熱 蒸發(fā)鍍膜、電子槍式鍍膜或多弧離子鍍膜中的至少一種；所述大氣鍍膜方式為噴鍍、輥鍍或 浸鍍鍍膜中的至少一種。
3. 如權利要求1或2所述的鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法還包括在大氣鍍膜之 前對所述被鍍基材進行預處理；所述預處理的方式為等離子處理、紫外線處理、電暈處理中 的至少一種。
4. 如權利要求1或2所述的鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法還包括對所述大氣納 米薄膜層進行熟化；所述熟化的方式為紫外熟化、紅外熟化或熱熟化。
5. 如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述真空納米薄膜層的總厚度大于 5nm ;所述大氣納米薄膜層的總厚度大于lnm。
6. -種鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜裝置包括通過傳動系統(tǒng)相連接的至少一個真 空鍍膜子系統(tǒng)及至少一個大氣鍍膜子系統(tǒng)。
7. 如權利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜裝置還包括設置于所述大氣 鍍膜子系統(tǒng)之前的預處理單元和設置于所述大氣鍍膜子系統(tǒng)之后熟化單元。
8. 如權利要求6或7所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述真空鍍膜子系統(tǒng)由至少三個真 空室組成，所述真空室包含至少一個傳遞室和至少一個鍍膜室。
9. 如權利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述真空鍍膜子系統(tǒng)中被鍍基材的鍍 膜面平行或垂直于所述傳動系統(tǒng)的傳動方向。
10. 如權利要求6所述鍍膜裝置，其特征在于，所述傳動系統(tǒng)由傳送帶和機械臂中的至 少一種組成。
【文檔編號】C23C28/00GK104087933SQ201410327698
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月10日 優(yōu)先權日:2014年7月10日
【發(fā)明者】胡偉, 陳鵬, 盧德球, 常瑞荊 申請人:深圳市東麗華科技有限公司