全玻璃高溫真空集熱管及其鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種全玻璃高溫真空集熱管及其鍍膜方法，在全玻璃高溫真空集熱管內(nèi)管基體玻璃管的表面上，濺射沉積紅外金屬反射層鉬，并在其上沉積一層高鉬體積分?jǐn)?shù)Mo-AlN膜層和一層低鉬體積分?jǐn)?shù)Mo-AlN膜層，最后在雙金屬陶瓷吸收層之上，沉積一層具有極高分解溫度的減反射層AlN，同時(shí)，這層減反射層又對(duì)整個(gè)吸收層起著保護(hù)作用。本發(fā)明具有耐高溫（300℃～3500C）、吸收率高（大于95%）、發(fā)射率低（6%）、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，而本發(fā)明鍍膜方法，具有方法簡(jiǎn)單可行、生產(chǎn)效率高、成品質(zhì)量好等特點(diǎn)。
【專利說明】全玻璃高溫真空集熱管及其鍍膜方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及太陽能中高溫?zé)崂妙I(lǐng)域，具體為一種全玻璃高溫真空集熱管及其鍍 膜方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前國(guó)內(nèi)普遍應(yīng)用的全玻璃真空集熱管是真空管太陽能熱水器的關(guān)鍵核心部件， 它經(jīng)歷了由A1-N/A1吸收膜層，向SS-AlN/Cu膜層(稱三靶管）的發(fā)展階段，特別是三靶管， 在真空中具有良好的穩(wěn)定性，尤其是在250°C以下的溫區(qū)使用，已表現(xiàn)出數(shù)十年的使用壽 命，我國(guó)每年產(chǎn)量在4億支左右，相當(dāng)于2000萬臺(tái)真空管熱水器。但是，要把三靶管應(yīng)用到 聚光太陽能熱利用系統(tǒng)中，如用于CPC的集熱管，小型拋物面聚光集熱器的集熱管，使用溫 度有時(shí)達(dá)到300°C，甚至350°C。這種情況下原來用于熱水器的全玻璃真空集熱管已經(jīng)不能 適用此種場(chǎng)合，從而產(chǎn)生了金屬與玻璃封接的高溫真空集熱管，該產(chǎn)品已廣泛用于槽式太 陽能熱發(fā)電的采光場(chǎng)，使用壽命長(zhǎng)達(dá)25年?30年之久。這種金屬玻璃高溫真空集熱管造 價(jià)較高，一般售價(jià)在4000元?5000元/人民幣1支（4米長(zhǎng))，如果用于太陽能采暖和空調(diào) 制冷，成本太高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明針對(duì)以上不足之處，提供了一種全玻璃高溫真空集熱管及其鍍膜方法，集 熱管具有耐高溫（300°C?350°C)、吸收率高(大于95%)、發(fā)射率低（6%)、使用壽命長(zhǎng)等特 點(diǎn)，而鍍膜方法，具有方法簡(jiǎn)單可行、生產(chǎn)效率高、成品質(zhì)量好等特點(diǎn)。
[0004] 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種全玻璃高溫真空集熱管，包含 有玻璃外管和玻璃內(nèi)管，二者之間通過焊接連接，二者之間設(shè)置為真空，所述玻璃內(nèi)管上鍍 有三層膜，所述三層膜從基體玻璃內(nèi)管到表面依次為紅外金屬反射膜層、雙金屬陶瓷吸收 膜層、減反射層，所述紅外金屬反射膜層是鑰膜層；所述雙金屬陶瓷吸收層，是由一層高鑰 體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層和一層低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層構(gòu)成，高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層設(shè) 置在紅外金屬反射膜層的表面；而低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層設(shè)置在高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN 膜層的表面；所述減反射層為A1N減反射層，所述減反射層設(shè)置在低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜 層的表面。
[0005] 進(jìn)一步的，所述高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層是由若干層高鑰Mo微薄膜層與若干層 AIN微薄膜層相間復(fù)合構(gòu)成；所述低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層是由若干層低鑰Mo微薄膜層 與若干層A1N微薄膜層相間復(fù)合構(gòu)成。
[0006] 進(jìn)一步的，所述高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層中Mo的體積百分比為40%-60%，所述低 鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層中Mo的體積百分比為10%-30%。
[0007] 進(jìn)一步的，高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層和低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層的厚度均為 50-60nm，所述高鑰Mo微薄膜層、低鑰Mo微薄膜層和A1N微薄層各有8-10層，且每層厚度 為 4_6nm〇
[0008] -種全玻璃高溫真空集熱管的鍍膜方法，以玻璃內(nèi)管為基體件，包含有如下步 驟： A :對(duì)基體件玻璃內(nèi)管進(jìn)行清洗、烘干處理，然后將其安裝在磁控濺射鍍膜機(jī)鍍膜室內(nèi) 的基體件玻璃管裝載組件上，驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，令基體件玻璃內(nèi)管自傳和公轉(zhuǎn)； B:在玻璃內(nèi)管表面濺射沉積紅外金屬反射膜層鑰膜層之前，將鍍膜室抽真空 到8. OX 10-4Pa條件下，然后充入氬氣，氬氣流量為lOOsccm，待鍍膜室內(nèi)壓達(dá)到 0. 1-1. 0X10-2Pa，進(jìn)行氬離子轟擊清洗4-10S，繼而，在離子轟擊清洗之后，在內(nèi)壓達(dá) 3· 0X ΙΟ-lPa，打開直流電源，向鑰靶供電，濺射沉積鑰膜層，厚度為80nm?lOOnm ; C、 在紅外金屬反射膜層表面濺射沉積高鑰體積分?jǐn)?shù)的Mo-AIN膜層，通過交替相間濺 射沉積若干層Mo微薄膜層和若干層A1N微薄膜層而成，向鍍膜室內(nèi)充氮?dú)?，氮?dú)夥謮菏?2Xl(T 2Pa，向鋁靶供電，這時(shí)鑰靶和鋁靶同時(shí)供電，鑰靶和鋁靶同時(shí)在氬氣和氮?dú)饣旌蠚夥?中旋轉(zhuǎn)，開始沉積Mo-AIN，這樣，當(dāng)玻璃管在鑰靶濺射區(qū)域內(nèi)，濺射沉積鑰，由于鑰靶具有 非常良好的滲氮阻抗，它雖然在氬氣和氮?dú)饣旌蠚夥罩校瑓s不與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)，這時(shí)沉積的 是鑰組分；當(dāng)玻璃基管轉(zhuǎn)到鋁靶區(qū)域范圍內(nèi)，鋁和氮?dú)獍l(fā)生非常激烈反應(yīng)，可以用相對(duì)低的 氮?dú)夥謮涸跉鍤夂偷獨(dú)饣旌蠚夥罩杏弥绷鞣磻?yīng)濺射接近純的A1N陶瓷組分，經(jīng)若干次旋轉(zhuǎn) 后，使高鑰體積分?jǐn)?shù)的Mo-AIN膜層厚度達(dá)到50nm?60nm ; D、 在所述高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層表面，濺射沉積低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層，通過交 替相間濺射沉積若干層Mo微薄膜層和若干層A1N微薄膜層而成，濺射完成高鑰體積分?jǐn)?shù)的 Mo-AIN膜層后，減少鑰靶電流，濺射沉積低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層，經(jīng)過若干次旋轉(zhuǎn)使其 厚度達(dá)到50nm?60nm后，關(guān)閉鑰祀電源； E、 在所述低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層表面，濺射沉積減反射層，此時(shí)，鋁靶保持通電，沉 積A1N減反射層，厚度為80nm?120nm。
[0009] 進(jìn)一步的，采用堅(jiān)式圓筒形直流雙靶反應(yīng)磁控濺射鍍膜機(jī)為鍍膜手段，圓筒形鍍 膜室中間設(shè)置隔板，把圓筒形空間分為兩個(gè)鍍膜室，鑰靶和鋁靶分別位于隔板兩側(cè)，基體件 玻璃內(nèi)管通過傳動(dòng)機(jī)構(gòu)一邊自轉(zhuǎn)，一邊圍繞圓筒中心公轉(zhuǎn)，抽真空裝置，供電裝置和供氣控 制器分別與鍍膜室相連。
[0010] 進(jìn)一步的，所述Mo靶的純度為99. 95%，A1靶的純度為99. 99%，兩種靶均為圓柱旋 轉(zhuǎn)革巴。
[0011] 本發(fā)明的有益效果是： 以前的專利中的太陽能真空集熱管都是由金屬內(nèi)管和玻璃外管通過封接而成，首先在 金屬內(nèi)管上鍍膜，然后再在外面焊接玻璃外管，并將中間抽真空，在這個(gè)過程中，技術(shù)難度 很大，而且需要專門的技術(shù)，尤其是焊接技術(shù)，比較難以掌握，而且焊接設(shè)備價(jià)格昂貴，如果 將其用在采暖和供冷上，造價(jià)太高，難以承受；而本發(fā)明采用玻璃內(nèi)管上鍍膜，然后再在與 玻璃外管進(jìn)行焊接，抽真空制成，內(nèi)管是玻璃，外管也是玻璃，焊接起來比較容易，技術(shù)容易 掌握，成本較低，本發(fā)明的全玻璃真空管，每米15元左右，而原有的玻璃和金屬組成的真空 管，每米3000元左右，這樣相比，大大降低了成本； 紅外金屬反射膜層是鑰膜層，鑰比鋁具有更高的耐高溫性能； 雙金屬陶瓷吸收膜層是由一層高鑰組分的Mo-AIN陶瓷吸收層，和一層低鑰組分的 Mo-AIN陶瓷吸收層構(gòu)成； 吸收層的上面是由A1N陶瓷材料構(gòu)成的減反射層用以提高太陽能的吸收性能，同時(shí)也 是一個(gè)保護(hù)層，A1N具有極高的分解溫度（>220(TC )，這是一種對(duì)高溫選擇性表面起非常重 要作用的特性； 本發(fā)明選用直流磁控反應(yīng)濺射技術(shù)沉積Mo-AIN雙金屬陶瓷吸收層，在雙靶直流磁控 反應(yīng)濺射鍍膜機(jī)中實(shí)現(xiàn)本發(fā)明全套工藝，雙靶分別為99. 95%鑰靶和99. 99%的鋁靶，都是直 流旋轉(zhuǎn)祀，從陰極中心到玻璃基材距離是70mnT80mm，氦氣、氮?dú)饬髁客ㄟ^流量計(jì)控制。
[0012] 真空室的本底真空度達(dá)8X10_4Pa~lX10_3Pa，本發(fā)明具有兩個(gè)特點(diǎn)，（1)用直流磁 控濺射同時(shí)沉積金屬陶瓷中的陶瓷和金屬組分，（2)陶瓷組分用直流反應(yīng)濺射沉積，而金屬 組分則用非反應(yīng)直流濺射沉積，由于Mo具有卓越的滲N 2阻抗，用來在相同的氬氣和氮?dú)饣?合氣氛中用非反應(yīng)濺射沉積金屬M(fèi)o組分，鋁靶用于在氬氣和氮?dú)饣旌蠚夥罩杏弥绷鞣磻?yīng) 濺射沉積A1N金屬陶瓷組分；上述兩個(gè)特點(diǎn)濺射生產(chǎn)帶來極大便利，生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品質(zhì)量 好，便于大規(guī)模生產(chǎn)，設(shè)備投資少； 采用本發(fā)明的選擇性吸收膜，選擇性吸收率可達(dá)95%，在350°C的發(fā)射率為6%，在高溫 和真空中具有良好的熱穩(wěn)定性，在500°C下真空烘烤一小時(shí)，吸收率和發(fā)射率幾乎沒有什么 變化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是全玻璃真空集熱管的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明產(chǎn)品所述集熱管的內(nèi)管的一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明所述鍍膜方式所采用的堅(jiān)式圓筒形直流雙靶反應(yīng)磁控濺射鍍膜機(jī)的結(jié) 構(gòu)俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述： 如圖所示為本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例， 一種全玻璃真空集熱管，包含有玻璃外管5和玻璃內(nèi)管1，二者之間通過焊接連接，二 者之間設(shè)置為真空，所述玻璃內(nèi)管1上鍍有三層膜，所述三層膜從基體玻璃內(nèi)管1到表面依 次為紅外金屬反射膜層2、雙金屬陶瓷吸收膜層3、減反射層4,所述紅外金屬反射膜層2是 鑰膜層；所述雙金屬陶瓷吸收層3,是由一層高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-1和一層低鑰體 積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2構(gòu)成，高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-1設(shè)置在紅外金屬反射膜層2的 表面，而低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2設(shè)置在高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-1的表面；所述 高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-1是由若干層高鑰Mo微薄膜層與若干層AIN微薄膜層相間復(fù) 合構(gòu)成；所述低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2是由若干層低鑰Mo微薄膜層與若干層A1N微 薄膜層相間復(fù)合構(gòu)成，所述高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-1中Mo的體積百分比為40%-60%， 所述低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2中Mo的體積百分比為10%-30%，高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN 膜層3-1和低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2的厚度均為50-60nm，所述高鑰Mo微薄膜層、低 鑰Mo微薄膜層和A1N微薄層各有8-10層，且每層厚度為4-6nm。
[0015] 所述減反射層4為A1N減反射層，所述減反射層4設(shè)置在低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜 層3-2的表面。
[0016] 上述全玻璃高溫真空集熱管的鍍膜方法，包含有如下步驟： (1) 、采用如圖3所示的堅(jiān)式圓筒形直流雙靶反應(yīng)磁控濺射鍍膜機(jī)為鍍膜手段，所述鍍 膜室8分為兩個(gè)鍍膜室，一個(gè)鍍膜室為鑰靶，另一個(gè)鍍膜室為鋁靶，兩個(gè)空間區(qū)域之間通過 隔板隔開，抽真空裝置，供電裝置和供氣控制器分別與鍍膜室相連，鍍膜所使用的Mo靶的 純度為99. 95%，A1靶的純度為99. 99%，兩種靶均為圓柱旋轉(zhuǎn)靶，基體件玻璃管1通過傳動(dòng) 機(jī)構(gòu)一邊自轉(zhuǎn)，一邊圍繞圓筒中心公轉(zhuǎn)； (2) 、經(jīng)過清洗的干凈并烘干的玻璃基體件放在轉(zhuǎn)架上，關(guān)閉鍍膜機(jī)密封門，開始 抽真空，鍍膜室真空度達(dá)到8X10-4Pa~lX10-3Pa時(shí)，向真空鍍膜機(jī)鍍膜室內(nèi)充氬氣 到0. 1-1. OX 10-2Pa，進(jìn)行氬離子轟擊清洗4-10S，繼而，在離子轟擊清洗之后，在內(nèi)壓達(dá) 3, 0X ΙΟ-lPa，打開直流電源，向Mo靶供電，鍍紅外金屬反射膜層2,厚度在80nnTl00nm，之 后再充氮?dú)?，反?yīng)氮?dú)夥謮菏?Xl(T 2Pa;接著向鋁靶供電，這樣鑰靶和鋁靶同時(shí)在氬氣和 氮?dú)鈿夥罩行D(zhuǎn)，開始沉積Mo-AIN，這樣，當(dāng)玻璃基體管在鑰靶區(qū)濺射沉積Mo,由于Mo具 有非常好的滲氮阻抗，它雖然在氬氣和氮?dú)鈿夥罩校⒉怀练e氮化物，而是沉積金屬鑰組 分；當(dāng)玻璃基體管轉(zhuǎn)到鋁靶濺射區(qū)，由于鋁和氮?dú)獾姆磻?yīng)非常激烈，因此可以用相對(duì)低的氮 氣分壓在氬氣和氮?dú)饣旌蠚怏w中用直流反應(yīng)濺射沉積接近純的A1N。這樣，用雙靶直流反應(yīng) 濺射在氬氣和氮?dú)饣旌蠚夥罩型瑫r(shí)一邊沉積鑰組分，一邊沉積A1N陶瓷組分，用基材旋轉(zhuǎn) 沉積多層系統(tǒng)，這種多層系統(tǒng)由Mo和A1N交叉組成，可以認(rèn)為是宏觀均勻的Μ〇-Α1Ν金屬陶 瓷層，改變鑰靶的功率，即改變靶的電流，可以得到高鑰組分的高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層 3-1，也可以得到低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2。高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-1的厚度為 50nm?60nm和低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層3-2厚度大約為80nm?120nm; (3) 、最后沉積A1N減反射層，關(guān)閉鑰靶電源，繼續(xù)旋轉(zhuǎn)沉積A1N減反射層，其厚度在 80nm ?120nm。
[0017] 當(dāng)然，上述說明并非是對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明也并不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本發(fā)明的 保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種全玻璃高溫真空集熱管，包含有玻璃外管（5)和玻璃內(nèi)管（1)，二者之間通過 焊接連接，二者之間設(shè)置為真空，其特征在于：所述玻璃內(nèi)管（1)上鍍有三層膜，所述三層 膜從基體玻璃內(nèi)管（1)到表面依次為紅外金屬反射膜層（2)、雙金屬陶瓷吸收膜層（3)、減 反射層（4)，所述紅外金屬反射膜層（2)是鑰膜層；所述雙金屬陶瓷吸收層（3)，是由一層高 鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-1)和一層低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-2)構(gòu)成，高鑰體積分 數(shù)Mo-AIN膜層（3-1)設(shè)置在紅外金屬反射膜層（2)的表面；而低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層 (3-2)設(shè)置在高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-1)的表面；所述減反射層（4)為A1N減反射層， 所述減反射層（4)設(shè)置在低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-2)的表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的全玻璃高溫真空集熱管，其特征在于：所述高鑰體積分?jǐn)?shù) Mo-AIN膜層（3-1)是由若干層高鑰Mo微薄膜層與若干層AIN微薄膜層相間復(fù)合構(gòu)成；所述 低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-2)是由若干層低鑰Mo微薄膜層與若干層A1N微薄膜層相間 復(fù)合構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的全玻璃高溫真空集熱管，其特征在于：所述高鑰體積分?jǐn)?shù) Mo-AIN膜層（3-1)中Mo的體積百分比為40%-60%，所述低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-2)中 Mo的體積百分比為10%_30%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的全玻璃高溫真空集熱管，其特征在于：高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN 膜層（3-1)和低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-2)的厚度均為50-60nm，所述高鑰Mo微薄膜層、 低鑰Mo微薄膜層和A1N微薄層各有8-10層，且每層厚度為4-6nm。
5. 如權(quán)利要求1-4所述的全玻璃高溫真空集熱管的鍍膜方法，其特征在于：以玻璃內(nèi) 管（1)為基體件，包含有如下步驟： A :對(duì)基體件玻璃內(nèi)管（1)進(jìn)行清洗、烘干處理，然后將其安裝在磁控濺射鍍膜機(jī)鍍膜 室內(nèi)的基體件玻璃管裝載組件上，驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，令基體件玻璃內(nèi)管（1)自傳和公轉(zhuǎn)； B :在玻璃內(nèi)管（1)表面濺射沉積紅外金屬反射膜層（2)鑰膜層之前，將鍍膜室抽 真空到8. OX 10-4Pa條件下，然后充入氬氣，氬氣流量為lOOsccm，待鍍膜室內(nèi)壓達(dá)到 0. 1-1. 0 X 10-2Pa時(shí)，進(jìn)行氬離子轟擊清洗4-10S，繼而，打開直流電源，向鑰靶供電，在內(nèi) 壓達(dá)到3· 0X ΙΟ-lPa，濺射沉積鑰膜層，厚度為80nm?100nm ; C、 在紅外金屬反射膜層（2)表面濺射沉積高鑰體積分?jǐn)?shù)的Mo-AIN膜層（3-1)，通過交 替相間濺射沉積若干層Mo微薄膜層和若干層A1N微薄膜層而成，向鍍膜室內(nèi)充氮?dú)?，氮?dú)?分壓是2X l(T2Pa，向鋁靶供電，這時(shí)鑰靶和鋁靶同時(shí)供電，鑰靶和鋁靶同時(shí)在氬氣和氮?dú)饣?合氣氛中旋轉(zhuǎn)，開始沉積Mo-AIN，這樣，當(dāng)玻璃管在鑰靶濺射區(qū)域內(nèi)，濺射沉積鑰，由于鑰靶 具有非常良好的滲氮阻抗，它雖然在氬氣和氮?dú)饣旌蠚夥罩?，卻不與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)，這時(shí)沉 積的是鑰組分；當(dāng)玻璃基管轉(zhuǎn)到鋁靶區(qū)域范圍內(nèi)，鋁和氮?dú)獍l(fā)生非常激烈反應(yīng)，可以用相對(duì) 低的氮?dú)夥謮涸跉鍤夂偷獨(dú)饣旌蠚夥罩杏弥绷鞣磻?yīng)濺射接近純的A1N陶瓷組分，經(jīng)若干次 旋轉(zhuǎn)后，使高鑰體積分?jǐn)?shù)的Mo-AIN膜層（3-1)厚度達(dá)到50nm?60nm ; D、 在所述高鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-1)表面，濺射沉積低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層 (3-2)，通過交替相間濺射沉積若干層Mo微薄膜層和若干層A1N微薄膜層而成，濺射完成 高鑰體積分?jǐn)?shù)的Mo-AIN膜層（3-1)后，減少鑰靶電流，濺射沉積低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層 (3-2)，經(jīng)過若干次旋轉(zhuǎn)使其厚度達(dá)到50nm?60nm后，關(guān)閉鑰靶電源； E、 在所述低鑰體積分?jǐn)?shù)Mo-AIN膜層（3-2)表面，濺射沉積減反射層（4)，此時(shí)，鋁靶保 持通電，沉積A1N減反射層，厚度為80nm?120nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的全玻璃高溫真空集熱管的鍍膜方法，其特征在于：采用堅(jiān)式 圓筒形直流雙靶反應(yīng)磁控濺射鍍膜機(jī)（8)為鍍膜手段，圓筒形鍍膜室中間設(shè)置隔板（8-1)， 把圓筒形空間分為兩個(gè)鍍膜室，鑰靶和鋁靶分別位于隔板兩側(cè)，基體件玻璃內(nèi)管（1)通過傳 動(dòng)機(jī)構(gòu)一邊自轉(zhuǎn)，一邊圍繞圓筒中心公轉(zhuǎn)，抽真空裝置（8-3)，供電裝置（8-4)和供氣控制 器（8-5)分別與鍍膜室相連。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的全玻璃高溫真空集熱管的鍍膜方法，其特征在于：所述Mo靶 的純度為99. 95%，A1靶的純度為99. 99%，兩種靶均為圓柱旋轉(zhuǎn)靶。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK104089423SQ201410358558
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月26日
【發(fā)明者】郭廷瑋, 佟建強(qiáng), 佟建勇, 徐洪軍, 田洪增, 侯廣才 申請(qǐng)人:山東中信能源聯(lián)合裝備股份有限公司