真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法，用于玻璃基片的真空鍍膜，該裝置包括小腔體、蒸發(fā)管道、真空泵、晶振檢測儀、安裝有基片傳輸機構(gòu)的主腔體，及安裝有線性蒸發(fā)源的副腔體，主腔體位于副腔體上方并通過一可開閉的擋板隔開，小腔體位于主腔體上方并通過一閥門隔開，蒸發(fā)管道的入口與線性蒸發(fā)源相接觸，出口穿過擋板和主腔體朝向并臨近閥門；晶振測試儀包括晶振片和檢測機構(gòu)，晶振片安裝在小腔體內(nèi)并位于蒸發(fā)管道出口的上方，檢測機構(gòu)測量晶振片的頻率變化并計算出接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度和相應(yīng)的測量膜厚速率；真空泵分別與主腔體和小腔體相連。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不但可延長晶振片使用壽命，同時方便更換晶振片。
【專利說明】真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法，尤其涉及一種有機發(fā)光顯示器 件（0LED)面板或太陽能面板生產(chǎn)中可在鍍膜過程中進(jìn)行全程監(jiān)控并了解玻璃基片的鍍膜 厚度和膜厚速率的真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 玻璃基材等薄板已廣泛用于制造IXD-TFT顯示屏、有機發(fā)光顯示器件（0LED)面 板、太陽能面板應(yīng)用及其他類似者。于此類應(yīng)用中大多在潔凈玻璃上鍍覆薄膜，這類大型玻 璃基材的制程通常包含實施多個連續(xù)步驟，包括如化學(xué)氣相沉積制程（CVD)、物理氣相沉積 制程（PVD)、有機物質(zhì)蒸鍍、磁控濺射沉積或蝕刻制程。
[0003] 由于上述制程的工藝要求均比較嚴(yán)格，尤其是有機物質(zhì)蒸鍍制程，不但需要在完 全潔凈的空間環(huán)境中進(jìn)行，而且對于玻璃基片的鍍膜厚度的要求也相當(dāng)嚴(yán)格，需要工作人 員可以在鍍膜過程中做到全程監(jiān)控，隨時了解鍍膜厚度，做到速率鍍膜，參考圖1和圖2,傳 統(tǒng)真空鍍膜裝置100包括主腔室11、副腔室12、晶振傳感器13、擋板14、安裝在主腔室11 內(nèi)的基片傳輸機構(gòu)15和安裝在副腔室內(nèi)的線性蒸發(fā)源16,所述主腔室11位于副腔室12上 方并通過擋板14隔開，使用上述傳統(tǒng)的真空鍍膜裝置100對玻璃基片102進(jìn)行鍍膜時，打 開真空泵，直至主腔室11內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定值，將待鍍膜的玻璃基片102通過基片傳輸 機構(gòu)15傳送至主腔室11內(nèi)的相應(yīng)位置，打開擋板14開始鍍膜（參考圖2)，為了檢測玻璃 基片102的膜厚狀況，將晶振傳感器13的晶振片131安裝在線性蒸發(fā)源16的上方，因此對 玻璃基片102鍍膜的同時，蒸鍍材料也不斷的蒸鍍到晶振傳感器13的晶振片131上，晶振 傳感器13通過檢測晶振片131的頻率變化，計算出蒸鍍的材料質(zhì)量，通過材料整理計算出 材料的厚度，從而達(dá)到全程監(jiān)測蒸鍍過程，了解玻璃基片102膜厚狀況的目的。
[0004] 然而，由于上述晶振傳感器13的晶振片131安裝在副腔室12的內(nèi)部，而且離線 性蒸發(fā)源16比較近，這樣計算出的膜厚相對準(zhǔn)確，但由于大量的材料不斷的蒸發(fā)到晶振片 131上，同時會造成晶振片131的使用壽命過短，無法長時間使用；另一方面，晶振片安裝在 副腔室12的內(nèi)部，使得更換晶振片時，不可避免的破壞鍍膜用的主腔室11和副腔室12內(nèi) 的真空環(huán)境。
[0005] 因此，急需一種延長晶振片使用壽命、同時方便更換晶振片的真空鍍膜裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的是提供一種延長晶振片使用壽命，同時方便更換晶振片的真空鍍膜 裝直。
[0007] 本發(fā)明的目的是提供一種延長晶振片使用壽命，同時方便更換晶振片的真空鍍膜 的方法。
[0008] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了一種真空鍍膜裝置，適用于對玻璃基片的真空 鍍膜，其包括主腔體、小腔體、蒸發(fā)管道、真空泵、晶振檢測儀和設(shè)置有線性蒸發(fā)源的副腔 體，所述主腔體內(nèi)設(shè)置有用于玻璃基片傳輸?shù)幕瑐鬏敊C構(gòu)，所述主腔體位于所述副腔體 上方并通過一可開閉的擋板與所述副腔體隔開，所述小腔體位于所述主腔體上方并通過一 閥門與所述主腔體隔開，所述蒸發(fā)管道的入口與所述線性蒸發(fā)源相接觸，所述蒸發(fā)管道的 出口穿過所述擋板和主腔體朝向并臨近所述閥門；所述晶振測試儀包括晶振片和檢測機 構(gòu)，所述晶振片安裝在所述小腔體內(nèi)且位于所述蒸發(fā)管道出口的上方，所述檢測機構(gòu)測量 晶振片本身的頻率變化并計算出接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度和相應(yīng)的測量膜厚速 率；所述真空泵通過兩條真空管道分別與主腔體和小腔體相連。
[0009] 較佳地，所述檢測機構(gòu)包括與所述晶振片相連的輸入單元、與所述輸入單元相連 的比較處理單元、與所述比較處理單元相連的存儲單元，以及與所述比較處理單元輸出端 相連的命令單元，所述命令單元的輸出端與所述擋板相連并用于控制所述擋板的開閉。本 發(fā)明中檢測機構(gòu)用于檢測所述晶振片的頻率變化，并通過上述頻率變化計算得出接近實際 鍍膜厚度的測量鍍膜厚度和對應(yīng)的膜厚測量速率，這種檢測機構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡單且易于檢測。
[0010] 具體地，所述比較處理單元包括與所述輸入單元相連的比較單元、與所述比較單 元相連的計算單元，以及與所述計算單元相連的校正單元。由于線性蒸發(fā)源通過蒸發(fā)通道 將蒸發(fā)材料分子傳輸?shù)骄д駲z測儀的晶振片上，使得檢測機構(gòu)直接檢測并出來的鍍膜厚度 與實際鍍膜厚度之間存在一定的誤差，需要通過校正單元的校正得到更接近實際鍍膜厚度 的數(shù)值，使得本發(fā)明檢測機構(gòu)計算出來的鍍膜厚度比傳統(tǒng)真空鍍膜裝置中晶振傳感器檢測 出來的晶振片輸出值更接近實際蒸發(fā)材料的鍍膜厚度，使得本發(fā)明中晶振檢測儀的檢測精 度高。
[0011] 更具體地，所述校正單元包括距離校正單元和角度校正單元。由于晶振片和待鍍 膜玻璃基片分別與所述線性蒸發(fā)源之間距離不同，且線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶 振片的角度與線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至玻璃基片的角度也不相同，因此對計算出 來的鍍膜厚度和膜厚速率進(jìn)行校正時，不但需要所述距離校正單元解決由于距離偏差造成 測量結(jié)果偏離真實值的問題，也需要所述角度校正單元解決由于角度偏差造成測量結(jié)果偏 離真實值的問題，使得晶振檢測儀輸出的測量值更接近真實值。
[0012] 較佳地，所述晶振片正對所述蒸發(fā)管道出口。這樣，使得線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分 子傳輸至晶振片的角度為九十度，與線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至待鍍膜玻璃基片的 角度相同，減少線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶振片的角度偏差值。
[0013] 較佳地，兩所述真空管道上均安裝有真空閘閥，這樣，不但可以有效控制真空泵與 主腔體和小腔體之間的打開和關(guān)閉，增加裝置的安全性，而且便于維修設(shè)備時選擇性的關(guān) 閉主腔體或者小腔體內(nèi)的抽真空。
[0014] 為了實現(xiàn)上有目的，本發(fā)明公開了還一種使用上述所述真空鍍膜裝置進(jìn)行真空鍍 膜的方法，包括以下步驟：（1)將待鍍膜的玻璃基片輸送至主腔體的預(yù)定位置；（2)開啟真 空泵對主腔體和小腔體進(jìn)行抽真空，直至主腔體和小腔體內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定值時停止抽 真空；（3)加熱線性蒸發(fā)源，并打開閥門，通過蒸發(fā)管道將蒸發(fā)材料分子傳輸?shù)剿鼍д衿?上；(4)所述檢測機構(gòu)上測量晶振片的頻率變化并計算出接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚 度及其相應(yīng)的測量鍍膜速率；（5)當(dāng)測量膜厚速率穩(wěn)定后打開擋板，從而將蒸發(fā)材料蒸鍍 到玻璃基片上。
[0015] 較佳地，步驟（4)具體包括以下步驟：(A1)輸入單元將測得的晶振片的本身頻率 轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的初始信號輸送至比較處理單元；(A2)比較處理單元接受所述初始信號后進(jìn) 行比較處理得出所述晶振片的頻率變化，再通過晶振片的頻率變化計算得到接近實際鍍膜 厚度和膜厚速率的測量鍍膜厚度信號和測量膜厚速率信號，并在所述測量膜厚速率信號穩(wěn) 定后向命令單元輸送鍍膜信號；(A3)命令單元接受所述鍍膜信號，并向所述擋板發(fā)出打開 命令，控制所述擋板打開。這樣，使得鍍膜厚度和膜厚速率的檢測操作簡單，易于實現(xiàn)。
[0016] 具體地，步驟（A2)具體包括以下步驟：(B1)所述比較處理單元的比較單元接受所 述初始信號后將所述初始信號與存儲單元中存儲的在先初始信號進(jìn)行比對并得到包含晶 振片頻率變化信息的頻率變化信號，并將所述頻率變化信號輸送到計算單元；(B2)所述計 算單元接受所述頻率變化信號后根據(jù)晶振片的頻率變化計算得到包含晶振片鍍膜厚度信 息的原始鍍膜厚度信號，并將所述原始鍍膜厚度信號輸送至校正單元；(B3)校正單元根據(jù) 蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系妮斔蜖顩r對所述原始鍍膜厚度信號進(jìn) 行校正，得到接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度信號并將上述測量鍍膜厚度信號輸送回所 述計算單元；(B4)計算單元接受所述測量鍍膜厚度信號后計算得到相應(yīng)的測量膜厚速率 信號，并在所述膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元發(fā)出鍍膜信號。這樣，通過對原始鍍膜厚度 信號的校正增加了本發(fā)明的檢測精度。
[0017] 更具體地，步驟（B3)具體包括以下步驟：（C1)所述校正單元的距離校正單元接受 所述原始鍍膜厚度信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系木嚯x偏 差對上述原始鍍膜厚度信號進(jìn)行校正，得到初始校正信號；(C2)角度校正單元接受所述初 始校正信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系慕嵌绕?，對初始?正信號進(jìn)行校正，得到接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度信號，并將所述測量鍍膜信號傳 回所述計算單元。這樣，通過距離偏差和角度偏差的校正，進(jìn)一步增加了檢測結(jié)果的準(zhǔn)確 度，使得測量出來的測量鍍膜厚度和測量膜厚速率更接近于真實值。
[0018] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明真空鍍膜裝置增設(shè)了一個與鍍膜用的主腔體相間隔的小 腔體，將晶振檢測儀的晶振片安裝到小腔體內(nèi)，并通過一個蒸發(fā)管道將小腔體內(nèi)的晶振片 和副腔體內(nèi)的線性蒸發(fā)源連起來。上述技術(shù)方案不但使得本發(fā)明可以在不破壞主腔體和副 腔體的真空環(huán)境下更換晶振片，縮短設(shè)備維護(hù)時間，而且由于蒸發(fā)材料是通過蒸發(fā)管道從 線性蒸發(fā)源傳輸?shù)骄д衿系?，可以有效降低更換晶振片的頻率，延長晶振片的使用壽命。 綜上，本發(fā)明真空鍍膜裝置不但可延長晶振片使用壽命、同時方便更換晶振片。同上，使用 本發(fā)明真空鍍膜裝置對玻璃基片進(jìn)行真空鍍膜的真空蒸鍍方法也同樣具有延長晶振片使 用壽命、方便更換晶振片的優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 圖1是傳統(tǒng)真空鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 圖2是傳統(tǒng)真空鍍膜裝置另一角度的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖3是本發(fā)明真空鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖4是本發(fā)明真空鍍膜裝置中檢測機構(gòu)的結(jié)構(gòu)框圖。

【具體實施方式】
[0023] 為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式 并配合附圖詳予說明。
[0024] 參考圖3和圖4,本發(fā)明真空鍍膜裝置200,適用于有機發(fā)光顯示器件（0LED)面板 或太陽能面板生產(chǎn)中對玻璃基片102的真空鍍膜，其包括主腔體21、副腔體22、小腔體23、 晶振檢測儀30、蒸發(fā)管道27和真空泵281，所述主腔體21是玻璃基片102進(jìn)行鍍膜的場所， 其內(nèi)安裝有用于玻璃基片102傳輸?shù)幕瑐鬏敊C構(gòu)24,所述副腔體22內(nèi)安裝有線性蒸發(fā)源 26,所述主腔體21位于所述副腔體22上方并通過一可開閉的擋板25隔開，所述小腔體23 位于所述主腔體21上方并通過一閥門29與所述主腔體21隔開，所述蒸發(fā)管道27的入口與 所述線性蒸發(fā)源26相接觸，所述蒸發(fā)管道27的出口穿過所述擋板25和主腔體21朝向并 臨近所述閥門29 ;所述晶振測試儀30包括晶振片231和檢測機構(gòu)232,所述晶振片231安 裝在所述小腔體23內(nèi)且位于所述蒸發(fā)管道27出口的上方，所述檢測機構(gòu)232測量晶振片 231本身的頻率變化并計算出接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度和相應(yīng)的測量膜厚速率； 所述真空泵281通過兩條真空管道282分別與主腔體21和小腔體23相連。
[0025] 具體地，參考圖3,所述蒸發(fā)管道27包括位于所述線性蒸發(fā)源26和支撐架242之 間的第一管道271和位于所述支撐架242和閥門29之間的第二管道，所述第一管道271的 出口與所述第二管道272的入口相對，這樣可以防止蒸發(fā)管道27擋住基片傳輸機構(gòu)24中 支撐架242的移動。
[0026] 具體地，參考圖3,所述基片傳輸機構(gòu)24包括若干并行排列的輸送滾輪241和位于 所述輸送滾輪241上的支撐架242,所述輸送滾輪241帶動所述支撐架242在主腔體21內(nèi) 移動，所述支撐架242夾持所述玻璃基片102。這種基片傳輸機構(gòu)24結(jié)構(gòu)簡單，傳輸過程平 穩(wěn)。
[0027] 較佳者，參考圖3，兩所述真空管道282上均安裝有真空閘閥283，用于控制真空泵 281與主腔體21和小腔體23之間的打開和關(guān)閉，增加真空鍍膜裝置200的安全性，并易于 本發(fā)明的檢修和維護(hù)。
[0028] 較佳者，參考圖3,所述晶振片231正對所述蒸發(fā)管道27的出口。這樣使得線性蒸 發(fā)源26的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶振片231的角度為九十度，與線性蒸發(fā)源26的蒸發(fā)材料 分子傳輸至待鍍膜玻璃基片102的角度相同，減少線性蒸發(fā)源26的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶 振片231的角度偏差。
[0029] 較佳者，參考圖4,所述檢測機構(gòu)232包括與所述晶振片231相連的輸入單元31、 與所述輸入單元31相連的比較處理單元32、與所述比較處理單元32相連的命令單元33， 以及與所述比較處理單元32相連的存儲單元34,所述命令單元33的輸出端與所述擋板25 相連并用于控制所述擋板25的打開和關(guān)閉。其中，所述輸入單元31將測得的晶振片231 的本身頻率轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的初始信號輸送至比較處理單元32,比較處理單元32接受上述初 始信號并進(jìn)行比較處理得到所述晶振片231的頻率變化，再通過上述頻率變化計算后得到 接近實際玻璃基片102鍍膜厚度和膜厚速率的測量鍍膜厚度信號和測量膜厚速率信號，并 在上述測量膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元33輸送鍍膜信號，命令單元33接受上述鍍膜 信號，并向擋板25發(fā)出打開命令，控制擋板25的打開。
[0030] 具體地,參考圖4,所述比較處理單元32包括與所述輸入單元31相連的比較單元 321、與所述比較單元321相連的計算單元322和與所述計算單元322相連的校正單元323。 所述比較單元321接受輸入單元31輸入的初始信號后將該初始信號與存儲單元34中存儲 的在先初始信號進(jìn)行比對后得到包含所述晶振片231頻率變化信息的頻率變化信號，并將 上述頻率變化信號輸入到計算單元322 ;所述計算單元322接受上述頻率變化信號，根據(jù)晶 振片231的頻率變化計算出蒸發(fā)材料的質(zhì)量，再通過蒸發(fā)材料的質(zhì)量計算出晶振片231上 的鍍膜厚度從而得到包含晶振片231鍍膜厚度信息的原始鍍膜厚度信號，并將原始鍍膜厚 度信號輸送至校正單元323 ;校正單元323根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿?晶振片231上的輸送狀況對上述原始鍍膜厚度信號進(jìn)行校正，得到接近實際鍍膜厚度的測 量鍍膜厚度信號，并將上述測量鍍膜厚度信號輸送回計算單元322中；計算單元322接受所 述測量鍍膜厚度信號后根據(jù)測量鍍膜厚度信號計算得到相應(yīng)的測量膜厚速率信號，并在上 述膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元33發(fā)出所述鍍膜信號。
[0031] 更具體地，所述校正單元323包括距離校正單元（圖中未示）和角度校正單元（圖 中未示），所述距離校正單元根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿鼍д衿?31上 的距離偏差，對原始鍍膜厚度信號進(jìn)行校正，從而得到初始校正信號；所述角度校正單元接 受距離校正單元輸入的初始校正信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿鼍?振片231上的角度偏差，對初始校正信號行角度校正，得到接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜 厚度信號。
[0032] 參考圖3和圖4,詳細(xì)描述使用本發(fā)明真空鍍膜裝置200對玻璃基片102進(jìn)行真空 鍍膜的真空鍍膜方法，包括以下步驟：（1)將待鍍膜的玻璃基片102夾持在支撐架242上， 輸送滾輪241動作并將夾持有玻璃基片102的支撐架242輸送至主腔體21中鍍膜的預(yù)定 位置；（2)開啟真空泵281 (此時兩真空閥283均處于打開狀態(tài)）對主腔體21和小腔體23 進(jìn)行抽真空操作，直至主腔體21和小腔體23內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定值時停止抽真空（3)加 熱線性蒸發(fā)源26,并打開閥門29,蒸發(fā)材料分子通過蒸發(fā)管道27傳輸?shù)剿鼍д駵y試儀 30的晶振片231上；(4)檢測機構(gòu)232測量晶振片231的頻率變化并計算出接近實際鍍膜 厚度的測量鍍膜厚度，并根據(jù)所述測量鍍膜厚度計算得到接近實際膜厚速率的測量膜厚速 率；（5)當(dāng)測量膜厚速率穩(wěn)定后打開擋板25,從而將材料蒸鍍到玻璃基片102上，完成玻璃 基片102的鍍膜制程。
[0033] 較佳者，參考圖4,描述檢測機構(gòu)232通過晶振片231的頻率變化計算出接近實際 鍍膜厚度的測量鍍膜厚度和相應(yīng)的測量膜厚速率的具體步驟：(A1)輸入單元31將測得的 晶振片231的本身頻率轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的包含有晶振片231本身頻率信息的初始信號輸送至比 較處理單元32 ; (A2)比較處理單元32接受所述初始信號后進(jìn)行比較處理得出所述晶振片 231的頻率變化，再通過晶振片231的頻率變化計算得出接近實際鍍膜厚度和膜厚速率的 測量鍍膜厚度信號和測量膜厚速率信號，并在所述測量膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元33 輸送鍍膜信號；(A3)命令單元33接受所述鍍膜信號，并向所述擋板25發(fā)出打開命令，控制 所述擋板打開。
[0034] 具體地，參考圖4,詳細(xì)描述比較處理單元32將初始信號計算轉(zhuǎn)換為接近實際鍍 膜厚度和膜厚速率的測量鍍膜厚度信號和測量膜厚速率信號的方法，具體步驟如下：(B1) 所述比較處理單元32的比較單元321接受所述初始信號后將所述初始信號與存儲單元34 中存儲的在先初始信號進(jìn)行比對后得出包含晶振片231頻率變化信息的頻率變化信號，并 將所述頻率變化信號231輸送到計算單元322 ; (B2)所述計算單元322接受所述頻率變化 信號后根據(jù)晶振片231的頻率變化計算得到包含有晶振片231鍍膜厚度信息的原始鍍膜厚 度信號，并將所述原始鍍膜厚度信號輸送至校正單元323 ;(B3)校正單元323根據(jù)蒸發(fā)材料 分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿鼍д衿?31上的輸送狀況對所述原始鍍膜厚度信號進(jìn)行 校正，得到接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度信號，并將上述測量鍍膜厚度信號輸送回所 述計算單元322 ; (B4)計算單元322接受所述測量鍍膜厚度信號后計算得到相應(yīng)的測量膜 厚速率信號，并在所述膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元33發(fā)出鍍膜信號。
[0035] 更具體地，上述步驟（B3)具體包括以下步驟：（C1)所述校正單元323的距離校正 單元（圖中未示）接受所述原始鍍膜厚度信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸 到所述晶振片231上的距離偏差對上述原始鍍膜厚度信號進(jìn)行校正，得到初始校正信號； (C2)角度校正單元（圖中未示）接受所述初始校正信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā) 源26傳輸?shù)剿鼍д衿?31上的角度偏差，對初始校正信號進(jìn)行校正，得到接近實際鍍膜 厚度的測量鍍膜厚度信號，并將所述測量鍍膜信號傳回所述計算單元322。
[0036] 以上所揭露的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利 范圍，因此依本發(fā)明申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種真空鍍膜裝置，適用于對玻璃基片的真空鍍膜，其特征在于：包括主腔體、小腔 體、蒸發(fā)管道、真空泵、晶振檢測儀和設(shè)置有線性蒸發(fā)源的副腔體，所述主腔體內(nèi)設(shè)置有用 于玻璃基片傳輸?shù)幕瑐鬏敊C構(gòu)，所述主腔體位于所述副腔體上方并通過一可開閉的擋板 與所述副腔體隔開，所述小腔體位于所述主腔體上方并通過一閥門與所述主腔體隔開，所 述蒸發(fā)管道的入口與所述線性蒸發(fā)源相接觸，所述蒸發(fā)管道的出口穿過所述擋板和主腔體 朝向并臨近所述閥門；所述晶振測試儀包括晶振片和檢測機構(gòu)，所述晶振片安裝在所述小 腔體內(nèi)且位于所述蒸發(fā)管道出口的上方，所述檢測機構(gòu)測量晶振片本身的頻率變化并計算 出接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度和相應(yīng)的測量膜厚速率；所述真空泵通過兩條真空管 道分別與主腔體和小腔體相連。
2. 如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述晶振片正對所述蒸發(fā)管道出 □。
3. 如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：兩所述真空管道上均安裝有真空 閘閥。
4. 如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述檢測機構(gòu)包括與所述晶振片 相連的輸入單元、與所述輸入單元相連的比較處理單元、與所述比較處理單元相連的存儲 單元，以及與所述比較處理單元輸出端相連的命令單元，所述命令單元的輸出端與所述擋 板相連并用于控制所述擋板的開閉。
5. 如權(quán)利要求4所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述比較處理單元包括與所述輸 入單元相連的比較單元、與所述比較單元相連的計算單元，以及與所述計算單元相連的校 正單元。
6. 如權(quán)利要求5所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述校正單元包括距離校正單元 和角度校正單元。
7. 使用如權(quán)利要求6所述的真空鍍膜裝置對玻璃基片進(jìn)行的真空鍍膜的真空鍍膜方 法，其特征在于：包括以下步驟： (1) 將待鍍膜的玻璃基片輸送至主腔體的預(yù)定位置； (2) 開啟真空泵對主腔體和小腔體抽真空，直至主腔體和小腔體內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定 值時停止抽真空； (3) 加熱線性蒸發(fā)源，并打開閥門，通過蒸發(fā)管道將蒸發(fā)材料分子傳輸?shù)剿鼍д衿?上； (4) 所述檢測機構(gòu)上測量晶振片的頻率變化并計算出接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚 度及其相應(yīng)的測量鍍膜速率； (5) 當(dāng)測量膜厚速率穩(wěn)定后打開擋板，從而將蒸發(fā)材料蒸鍍到玻璃基片上。
8. 如權(quán)利要求7所述的真空鍍膜方法，其特征在于：步驟（4)具體包括以下步驟： (A1)輸入單元將測得的晶振片的本身頻率轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的初始信號輸送至比較處理單 元； (A2)比較處理單元接受所述初始信號后進(jìn)行比較處理得出所述晶振片的頻率變化，再 通過晶振片的頻率變化計算得出接近實際鍍膜厚度和膜厚速率的測量鍍膜厚度信號和測 量膜厚速率信號，并在所述測量膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元輸送鍍膜信號； (A3)命令單元接受所述鍍膜信號，并向所述擋板發(fā)出打開命令，控制所述擋板打開。
9. 如權(quán)利要求8所述的真空鍍膜的方法，其特征在于：步驟（A2)具體包括以下步驟： (B1)所述比較處理單元的比較單元接受所述初始信號后將所述初始信號與存儲單元 中存儲的在先初始信號進(jìn)行比對并得到包含晶振片頻率變化信息的頻率變化信號，并將所 述頻率變化信號輸送到計算單元； (B2)所述計算單元接受所述頻率變化信號后根據(jù)晶振片的頻率變化計算得到包含晶 振片鍍膜厚度信息的原始鍍膜厚度信號，并將所述原始鍍膜厚度信號輸送至校正單元； (B3)校正單元根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系妮斔蜖顩r對所 述原始鍍膜厚度信號進(jìn)行校正，得到接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜厚度信號并將所述測量 鍍膜厚度信號輸送回所述計算單元； (B4)計算單元接受所述測量鍍膜厚度信號后計算得到相應(yīng)的測量膜厚速率信號，并在 所述膜厚速率信號穩(wěn)定后向命令單元發(fā)出鍍膜信號。
10. 如權(quán)利要求9所述的真空鍍膜的方法，其特征在于：步驟（B3)具體包括以下步驟： (C1)所述校正單元的距離校正單元接受所述原始鍍膜厚度信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子 從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系木嚯x偏差對上述原始鍍膜厚度信號進(jìn)行校正，得到初 始校正信號； (C2)角度校正單元接受所述初始校正信號并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)?所述晶振片上的角度偏差，對初始校正信號進(jìn)行校正，得到接近實際鍍膜厚度的測量鍍膜 厚度信號，并將所述測量鍍膜信號傳回所述計算單元。
【文檔編號】C23C14/24GK104120399SQ201410379918
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年8月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月4日
【發(fā)明者】熊丹 申請人:熊丹