銅及鉬含有膜的蝕刻液組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種蝕刻銅及鉬含有膜時(shí)，控制鉬或鉬合金膜的側(cè)蝕，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻工程，并可改善蝕刻錐角、蝕刻偏差和蝕刻直線度等蝕刻特性的蝕刻液組合物。所述蝕刻液組合物中，相對(duì)于總重量，過氧化氫的含量為10至30重量％，蝕刻抑制劑的含量為0.1至5重量％，螯合劑的含量為0.1至5重量％，蝕刻添加劑的含量為0.1至5重量％，氟化物的含量為0.01至2重量％，側(cè)蝕抑制劑的含量為0.01至2重量％，及使總重量達(dá)到100重量％的水。
【專利說明】銅及鉬含有膜的蝕刻液組合物

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種銅鑰膜或銅鑰含有膜（以下簡(jiǎn)稱為"銅/鑰含有膜"）的蝕刻液組 合物，尤其是用于TFT-LCD顯示器電極的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體裝置、TFT-IXD、OLED等微電路是通過在基板上形成的鋁、鋁合金、銅及銅合 金等導(dǎo)電性金屬膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等絕緣膜上，均勻地涂抹光刻膠，然后通過刻 有圖案的薄膜，進(jìn)行光照射后成像，使所需的圖案光刻膠成像，采用干式蝕刻或濕式蝕刻， 在光刻膠下部的金屬膜或絕緣膜上顯示圖案后，剝離去除不需要的光刻膠等一系列的光刻 工程而完成的。
[0003] 大型顯示器的柵極及數(shù)據(jù)金屬配線所使用的銅合金，與以往技術(shù)中的鋁鉻配線相t匕，阻抗低且沒有環(huán)境問題。銅存在與玻璃基板及絕緣膜的貼附性較低，易擴(kuò)散為氧化硅膜 等問題，所以通常使用鈦、鑰等作為下部薄膜金屬。
[0004] 薄膜金屬為鑰或鑰合金時(shí)，其蝕刻速度與銅的蝕刻速度相比更快，在蝕刻工程中 在銅、鑰或鑰合金膜的分界上，會(huì)發(fā)生鑰或鑰合金被過度蝕刻導(dǎo)致側(cè)蝕的現(xiàn)象。尤其是鑰含 量較高的合金，蝕刻速度非常快，側(cè)蝕現(xiàn)象嚴(yán)重。添加側(cè)蝕抑制劑時(shí)可以控制這種現(xiàn)象的發(fā) 生。
[0005] 同時(shí)蝕刻銅膜及鑰含有膜時(shí)，作為可使用的蝕刻液組合物的相關(guān)技術(shù)，在韓國專 利公開公報(bào)第2006-0064881號(hào)、專利公開公報(bào)第2006-0099089號(hào)等中公開了以過氧化氫 為基礎(chǔ)的銅/鑰含有膜的蝕刻液。但是，這些蝕刻液在反復(fù)進(jìn)行蝕刻時(shí)，該蝕刻液內(nèi)的金屬 含量增加，會(huì)失去蝕刻錐角、蝕刻偏差及蝕刻直線度等石刻特性，若要降低蝕刻液中的金屬 含量，則需要很大量的蝕刻液，這是現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0006] 進(jìn)一步，顯示器的高畫質(zhì)及大型化促使用于配線的銅金屬的厚度有所增加，追求 高畫質(zhì)就要求像素變小，配線幅度增加，要求大型化就需要減小配線的電阻。對(duì)此，不得不 增加用于配線的銅金屬的厚度。
[0007] 銅金屬的厚度變厚，蝕刻工程的時(shí)間就會(huì)變長，會(huì)降低生產(chǎn)效率，若要提高蝕刻速 度，會(huì)導(dǎo)致配線段不良，也會(huì)發(fā)生問題。
[0008] 先行技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] (專利文獻(xiàn)1)專利公開第2006-0064881號(hào)（2006年6月14日公開）
[0011] (專利文獻(xiàn)2)專利公開第2006-0099089號(hào)（2006年9月19日公開）


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻銅及鑰含有膜時(shí)，控制鑰或鑰合金膜的側(cè)蝕，實(shí) 現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻工程，并可改善蝕刻錐角、蝕刻偏差和蝕刻直線度等蝕刻特性的蝕刻液組合 物。
[0013] 依據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，相對(duì)于組合物的總重量， 含有10至30重量％的過氧化氫；含有0. 1至5重量％的蝕刻抑制劑，其選自分子內(nèi)含有 氧、硫及氮中至少一個(gè)以上的雜原子的單環(huán)式雜環(huán)化合物，具有所述單環(huán)式雜環(huán)和苯環(huán)縮 合結(jié)構(gòu)的復(fù)素環(huán)化合物及其混合物所構(gòu)成的群；含有〇. 1至5重量％的螯合劑；含有0. 1至 5重量％的蝕刻添加劑，其為一種以上選自由無機(jī)酸、有機(jī)酸及其鹽構(gòu)成群的化合物；含有 0. 01至2重量％的氟化物；含有0. 01至2重量％的側(cè)蝕抑制劑，其包括在嘧啶和咪唑的縮 合結(jié)構(gòu)內(nèi)，由氨基、羥基、羰基及甲基構(gòu)成的群中含有1個(gè)以上作用基的化合物；以及使組 合物總重量達(dá)到100重量％的水。
[0014] 在上述蝕刻液有組合物中，所述抑制劑選自由呋喃、噻吩、吡咯、惡唑、咪唑、吡唑、 1，2, 4-三氮唑、四唑、5-氨基四唑、甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、吡咯烷及四氧 嘧啶、氧茚、苯并噻吩、吲哚、苯并咪唑、苯并吡唑、氨基四唑、甲基苯并三唑、氫甲基苯并三 唑、羥甲基苯并三唑及其混合物所構(gòu)成的群。
[0015] 所述螯合劑是在分子內(nèi)與氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物。
[0016] 所述螯合劑選自由亞氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、 氨基三亞甲基膦酸、1-羥基亞乙基-1，1-二磷酸、乙二胺四甲撐磷酸、二亞乙基三胺五亞甲 基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸及其混合物構(gòu)成的群。
[0017] 所述添加劑選自由含有硫酸、硝酸、磷酸、鹽酸及氫氟酸的無機(jī)酸，含有醋酸、甲 酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸的有 機(jī)酸，以及其鹽和其混合物所構(gòu)成的群。
[0018] 所述蝕刻添加劑選自由硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸鈉、過硫酸鈉、硫酸鉀、過硫酸 鉀、硫酸銨、過硫酸銨及其混合物構(gòu)成的群中的硫酸鹽。
[0019] 所述氟化物是離解出?；騂F2^的化合物。
[0020] 所述氟化物選自由鉿、氟化鈉、氟化鉀、氟化鋁、硼氟酸、氟化銨、氟化氫銨、氟化氫 鈉、氟氫化鉀及氟硼酸銨及其混合物所構(gòu)成的群。
[0021 ] 所述側(cè)蝕抑制劑是選自由腺嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、異 鳥嘌呤、尿酸及其混合物構(gòu)成的群中的嘌呤堿。
[0022] 所述側(cè)蝕抑制劑為腺嘌呤、鳥嘌呤、異鳥嘌呤及其混合物。
[0023] 所述水是電阻率為18ΜΩ/cm以上的脫離子水。
[0024] 還包括添加劑，所述添加劑選自由雙氧水穩(wěn)定劑、蝕刻穩(wěn)定劑、玻璃蝕刻抑制劑及 其混合物所構(gòu)成的群。
[0025] 其他有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方式在如下【具體實(shí)施方式】中進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0026] 本發(fā)明的有益效果是：依據(jù)本發(fā)明的蝕刻液組合物，對(duì)用于TFT-LCD顯示器電極 的銅/鑰含有膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，可控制鑰含有膜的側(cè)蝕，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻工程，從而改善蝕刻 錐角、蝕刻偏差和蝕刻直線度等蝕刻特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 圖1是利用本發(fā)明實(shí)施方式1的蝕刻液組合物，對(duì)銅/鑰膜進(jìn)行蝕刻后，使用掃描 電子顯微鏡觀察到的試片剖面的照片；
[0028] 圖2是利用本發(fā)明比較例1的蝕刻液組合物，對(duì)銅/鑰膜進(jìn)行蝕刻后，使用掃描電 子顯微鏡觀察到的試片剖面的照片；
[0029] 圖3是利用本發(fā)明實(shí)施方式1的蝕刻液組合物，對(duì)銅/鑰膜進(jìn)行蝕刻后，使用傾斜 掃描電子顯微鏡觀察到的試片剖面的照片；
[0030] 圖4是利用本發(fā)明比較例3的蝕刻液組合物，對(duì)銅/鑰膜進(jìn)行蝕刻后，使用傾斜掃 描電子顯微鏡觀察到的試片剖面的照片。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 本發(fā)明可有多種形式的實(shí)施方式來體現(xiàn)，本說明書中的實(shí)施方式僅為用于詳細(xì)說 明本發(fā)明的特征，本發(fā)明并不局限于此，但凡在本發(fā)明的技術(shù)思想和精神原則范圍內(nèi)所作 的變更、替換、變形等均屬于本發(fā)明的保護(hù)范疇之內(nèi)。在本發(fā)明的說明中，對(duì)于公知技術(shù)，為 了防止其說明混肴本發(fā)明的核心技術(shù)特征，不做詳細(xì)說明。
[0032] 依據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，相對(duì)于組合物的總重量， 含有10至30重量％的過氧化氫；含有0. 1至5重量％的蝕刻抑制劑，其選自分子內(nèi)含有 氧、硫及氮中至少一個(gè)以上的雜原子的單環(huán)式雜環(huán)化合物，具有所述單環(huán)式雜環(huán)和苯環(huán)縮 合結(jié)構(gòu)的復(fù)素環(huán)化合物及其混合物所構(gòu)成的群；含有〇. 1至5重量％的螯合劑；含有0. 1至 5重量％的蝕刻添加劑，其為一種以上選自由無機(jī)酸、有機(jī)酸及其鹽構(gòu)成群的化合物；含有 0. 01至2重量％的氟化物；含有0. 01至2重量％的側(cè)蝕抑制劑，其包括在嘧啶和咪唑的縮 合結(jié)構(gòu)內(nèi)，由氨基、羥基、羰基及甲基構(gòu)成的群中含有1個(gè)以上作用基的化合物；以及使組 合物總重量達(dá)到100重量％的水。
[0033] 以下，詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施方式的銅/鑰含有膜的蝕刻液組合物。
[0034] 本發(fā)明的蝕刻液組合物可同時(shí)蝕刻銅/鑰含有膜。這里的"銅/鑰合金膜"是指銅 膜和鑰合金膜，鑰合金是鑰和多種金屬的合金，優(yōu)選為與鈦、鉭、鉻、釹、鎳、銦或錫的合金， 更優(yōu)選為與鈦的合金。
[0035] 依據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，相對(duì)于組合物的總重量， 含有a) 10至30重量％的過氧化氫；含有b) 0. 1至5重量％的蝕刻抑制劑；含有c) 0. 1至5 重量％的螯合劑；含有d) 0. 1至5重量％的蝕刻添加劑；含有e) 0. 01至2重量％的氟化物； 含有f)0. 01至2重量％的側(cè)蝕抑制劑；以及g)使組合物總重量達(dá)到100重量％的水。
[0036] a)過氧化氫
[0037] 在本發(fā)明的蝕刻液組合物中，過氧化氫作為銅、鑰或鑰合金的主要氧化劑來使用。
[0038] 上述過氧化氫,相對(duì)于蝕刻液組合物總重量,其含量可為15至30重量％。不足10 重量％時(shí)，對(duì)銅鑰合金的氧化不夠充分，無法實(shí)現(xiàn)蝕刻；超出30重量％時(shí)，蝕刻速度過快， 難以控制工程的進(jìn)度。適當(dāng)?shù)奈g刻速度可以防止蝕刻殘?jiān)拔g刻不良，減少蝕刻偏差，易于 調(diào)節(jié)工程，對(duì)此優(yōu)選為過氧化氫的含量為15至25重量％。
[0039] b)蝕刻抑制劑
[0040] 在本發(fā)明的蝕刻液組合物中，蝕刻抑制劑可調(diào)節(jié)銅、鑰或鑰合金蝕刻速度，減少蝕 刻偏差，提高工程效率，具有適當(dāng)蝕刻錐角的蝕刻輪廓。
[0041] 具體來說，上述蝕刻抑制劑可為在分子內(nèi)含有氧、硫及氮中至少一個(gè)以上的雜原 子的單環(huán)式雜原子化合物，也可為單環(huán)式雜原子和苯環(huán)縮合結(jié)構(gòu)的復(fù)合化合物。上述單環(huán) 式雜原子化合物可為碳為1至10的單環(huán)式結(jié)構(gòu)的雜環(huán)芳香族化合物，也可為雜環(huán)脂肪族化 合物。具體來說，可為呋喃、噻吩、吡咯、惡唑、咪唑、吡唑、I，2, 4-三氮唑、四唑、氧茚等雜環(huán) 芳香族化合物；哌嗪、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶等雜環(huán)脂肪族化合物；并 不局限于此。此外，在分子內(nèi)含有氧、硫及氮中至少一個(gè)以上的雜原子的單環(huán)式雜原子和苯 環(huán)縮合結(jié)構(gòu)的復(fù)合化合物可為哌嗪、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶等，并不局 限于此。也可單獨(dú)使用上述化合物中一種或及混合使用兩種以上的上述化合物。
[0042] 上述蝕刻抑制劑相對(duì)于蝕刻液組合物的總重量，其含量為0. 1至5重量％，優(yōu)選為 0. 1至2重量％。蝕刻抑制劑不足0. 1重量％時(shí)，難以調(diào)節(jié)蝕刻速度，能降低蝕刻錐角的調(diào) 節(jié)，致使工程效率較低，無法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；若超出5重量％，會(huì)減慢蝕刻速度，無效率性。
[0043] c)螯合劑
[0044] 本發(fā)明的蝕刻液組合物中的螯合劑與在蝕刻過程中產(chǎn)生銅及鑰合金離子形成螯 合，并使其非活性化，從而抑制蝕刻液中過氧化氫的分解反應(yīng)。若本發(fā)明的蝕刻液組合物中 不添加螯合劑，那么在蝕刻進(jìn)行過程中，被酸化的金屬離子無法實(shí)現(xiàn)非活性化，其可促進(jìn)蝕 刻液組合物中的過氧化氫進(jìn)行分解反應(yīng)，可導(dǎo)致發(fā)熱及爆炸。
[0045] 螯合劑是在分子內(nèi)與氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物?？蔀閬啺被?二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亞甲基膦酸、1-羥基亞乙 基-1，1-二磷酸、乙二胺四甲撐磷酸、二亞乙基三胺五亞甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁 酸及甘氨酸等，可為其中一種，也可以是混合使用其中兩種以上的化合物。
[0046] 相對(duì)于整體組合物的總重量，優(yōu)選為其含量為0. 1至5重量％，更優(yōu)選為0. 1至3 重量％。若不足〇. 1重量％時(shí)，可進(jìn)行非活性化的金屬離子量很少，從而使其抑制過氧化氫 進(jìn)行分解反應(yīng)的效能減弱；若超出5重量％時(shí)，會(huì)形成多余的螯合，使金屬離子非活性化的 效果不佳，影響工程效率。
[0047] e)蝕刻添加劑
[0048] 蝕刻添加劑起到輔助氧化銅、鑰及鑰合金的作用，可改善蝕刻輪廓。所述蝕刻添加 劑可為無機(jī)酸、有機(jī)酸或其鹽，可為一種，也可混合使用兩種以上。
[0049] 具體來說，無機(jī)酸為硫酸、硝酸、磷酸、鹽酸及氫氟酸；有機(jī)酸為醋酸、甲酸、丁酸、 檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸；上述的鹽是 指上述有機(jī)酸和無機(jī)酸的鹽。
[0050] 尤其是，硫酸鹽為硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銨等。
[0051] 上述蝕刻添加劑的含量相對(duì)于蝕刻液組合物總量為0. 1至5重量％,優(yōu)選為0. 1 至3重量％，不足0. 1重量％時(shí)，使用蝕刻液改善蝕刻輪廓的效果甚微；超出5重量％時(shí)，過 量的蝕刻添加劑會(huì)導(dǎo)致蝕刻特性降低。
[0052] d)蝕刻添加劑
[0053] 蝕刻添加劑起到輔助氧化銅、鑰及鑰合金的作用，可改善蝕刻輪廓。所述蝕刻添加 劑可為無機(jī)酸、有機(jī)酸或其鹽，可為一種，也可混合使用兩種以上。
[0054] 具體來說，無機(jī)酸為硫酸、硝酸、磷酸、鹽酸及氫氟酸；有機(jī)酸為醋酸、甲酸、丁酸、 檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸；上述的鹽可 為硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸鈉、過硫酸鈉、硫酸鉀、過硫酸鉀、硫酸銨、過硫酸銨。
[0055] 其中優(yōu)選為可有效改善蝕刻特性的硫酸氫鉀。
[0056] 上述蝕刻添加劑的含量相對(duì)于蝕刻液組合物總量為0. 1至5重量％,優(yōu)選為0. 1 至3重量％，不足0. 1重量％時(shí)，使用蝕刻液改善蝕刻輪廓的效果甚微；超出5重量％時(shí)，過 量的蝕刻添加劑會(huì)導(dǎo)致蝕刻特性降低。
[0057] e)氟化物
[0058] 本發(fā)明的蝕刻液組合物中的氟化物在銅鑰合金同時(shí)蝕刻時(shí)，可提高鑰合金的蝕刻 速度，減少尾巴長度，去除在蝕刻時(shí)所產(chǎn)生的鑰合金殘?jiān)?。鑰合金的尾部若增加則會(huì)降低明 暗度，殘?jiān)粲嗔粼诨寮跋虏磕ど系脑?，則會(huì)導(dǎo)致電短路、配線不良及明暗度降低，所以 一定要去除殘?jiān)?br> [0059] 本發(fā)明的氟化物是離解出Γ或HF2^離子的化合物，可為鉿、氟化鈉、氟化鉀、氟化 鋁、硼氟酸、氟化銨、氟化氫銨、氟化氫鈉、氟氫化鉀及氟硼酸銨等，也可以同時(shí)使用一種或 兩種以上的上述氟化物。
[0060] 相對(duì)于整體組合物的總重量,氟化物優(yōu)選為其含量為0. 01至2重量％，更優(yōu)選為 0. 01至1重量％。若不足0. 01重量％時(shí)，鑰合金的殘?jiān)荒苡行コ舫?重量％時(shí)， 會(huì)蝕刻下部膜。
[0061]f)側(cè)蝕抑制劑
[0062] 在同時(shí)蝕刻銅/鑰含有膜時(shí)，為了控制鑰或鑰合金膜的側(cè)蝕，通常減少蝕刻液組 合物內(nèi)氟化物的含量，或者增加蝕刻抑制劑的含量。但是，氟化物的含量較低時(shí)，會(huì)發(fā)生鑰 或鑰合金的殘?jiān)?。增加蝕刻抑制劑時(shí)，會(huì)明顯降低銅的蝕刻速度，難于進(jìn)行蝕刻工程。對(duì) 此，使用嘌呤或其誘導(dǎo)體的側(cè)蝕抑制劑，可防止鑰或鑰合金膜殘?jiān)陌l(fā)生及銅蝕刻速度的 減慢。
[0063] 上述側(cè)蝕抑制劑包括在嘧啶和咪唑的縮合結(jié)構(gòu)內(nèi)，由氨基、羥基、羰基及甲基構(gòu)成 的群中含有1個(gè)以上作用基的化合物；因其包括在嘧啶和咪唑的縮合結(jié)構(gòu)內(nèi)，由氨基、羥 基、羰基及甲基構(gòu)成的群中含有1個(gè)以上作用基的化合物，對(duì)于鑰或鑰合金有卓越的吸附 特性，其側(cè)蝕抑制效果明顯，可有效的改善蝕刻特性。
[0064] 具體來說，上述側(cè)蝕抑制劑是選自由腺嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、 咖啡因、異鳥嘌呤、尿酸及其混合物構(gòu)成的群中的嘌呤堿。側(cè)蝕抑制劑也可為腺嘌呤、鳥嘌 呤、異鳥嘌呤及其混合物。
[0065] 相對(duì)于組合物的總重量，側(cè)蝕抑制劑的含量為0. 01至2重量％，優(yōu)選為0. 05至2 重量％。當(dāng)其重量不足〇. 01重量％時(shí)，其抑制效果甚微；超出2重量％時(shí)，鑰或鑰合金的蝕 刻速度明顯變慢，難于進(jìn)行蝕刻工程。
[0066] g)水
[0067] 本發(fā)明的蝕刻液組合物中所使用的水沒有特別的限定，優(yōu)選為使用去離子水，更 優(yōu)選為使用水中去除離子后的比阻抗值為18ΜΩ/cm以上的去離子水。
[0068] 上述水的含量使蝕刻液組合物的總重量達(dá)到100重量％。
[0069] h)其他添加劑
[0070] 在本發(fā)明的銅/鑰含有膜的蝕刻液組合物中，為了提高蝕刻性能，還可以選用用 于蝕刻液組合物中的任意一種添加劑。該添加劑可為雙氧水添加劑、蝕刻穩(wěn)定劑、玻璃蝕刻 抑制劑等?？蔀槠渲幸环N或兩種以上混合使用。
[0071] 上述雙氧水穩(wěn)定劑是在蝕刻工程反復(fù)進(jìn)行時(shí)，在蝕刻液內(nèi)的金屬離子含量增高的 情況下，可控制過氧化氫分解反應(yīng)。具體來說，雙氧水穩(wěn)定劑可使用磷酸鹽、二羥基醇類、胺 類或其混合物。
[0072] 蝕刻液組合物中包括雙氧水穩(wěn)定劑時(shí)，相對(duì)于組合物的總重量，其含量為0. 1至5 重量％，優(yōu)選為0. 5至3重量％。雙氧水穩(wěn)定劑不足0. 1重量％時(shí),控制過氧化氫反應(yīng)的效 果甚微，超出5重量％時(shí)，蝕刻性能降低。
[0073] 具有上述構(gòu)成的本發(fā)明的蝕刻液組合物在蝕刻銅/鑰含有膜時(shí)，可防止鑰含有膜 的側(cè)蝕發(fā)生，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻工程，并可改善蝕刻偏差、蝕刻錐角及蝕刻直線度等蝕刻特 性。因此，可將上述蝕刻液組合物用于構(gòu)成液晶顯示器TFT的電極用金屬配線材料上，使用 銅/鑰含有膜時(shí)，可使用蝕刻液組合物來形成金屬片配線圖案。
[0074] 利用上蝕刻液組合物的銅/鑰含有膜的蝕刻方法可按照通常的方法進(jìn)行。
[0075] 具體來說，包括：在基板上沉積銅/鑰含有膜的步驟；在銅/鑰含有膜上形成光阻 材料后進(jìn)行圖案化的步驟；使用上述蝕刻液組合物，對(duì)形成圖案化光阻材料膜的銅/鑰含 有膜進(jìn)行蝕刻的步驟。在此，在基板上形成的銅/鑰含有膜的疊層順序不受特別限定。
[0076] 此外，上述蝕刻方法還包括在基板和銅/鑰含有膜之間，即基板和銅膜之間或基 板和鑰含有膜之間，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)物的步驟。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)物可為液晶顯示裝置、等離 子顯示面板等顯示裝置用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)物。具體來說，上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)物是導(dǎo)電膜、非晶質(zhì)或 多晶質(zhì)等膜中一層以上的膜，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)物依照通常的方法來制造。
[0077] 接下來，詳細(xì)說明本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員易于實(shí)施的本發(fā)明的實(shí)施方 式，本發(fā)明可以以多種形態(tài)實(shí)施，并不局限于本文的實(shí)施方式。
[0078]〈實(shí)施例1至6及對(duì)比例1至3>
[0079] 以下列表1所記載的成分含量，混合各成分，制成本發(fā)明實(shí)施例1至6及對(duì)比例1 至3的組合物。
[0080]【表1】
[0081]

【權(quán)利要求】
1. 一種銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，相對(duì)于組合物的總重量，含有10 至30重量％的過氧化氫；含有0. 1至5重量％的蝕刻抑制劑，其選自分子內(nèi)含有氧、硫及氮 中至少一個(gè)以上的雜原子的單環(huán)式雜環(huán)化合物，具有所述單環(huán)式雜環(huán)和苯環(huán)縮合結(jié)構(gòu)的復(fù) 素環(huán)化合物及其混合物所構(gòu)成的群；含有〇. 1至5重量％的螯合劑；含有0. 1至5重量％ 的蝕刻添加劑，其為一種以上選自由無機(jī)酸、有機(jī)酸及其鹽構(gòu)成群的化合物；含有0. 01至2 重量％的氟化物；含有〇. 01至2重量％的側(cè)蝕抑制劑，其包括在嘧啶和咪唑的縮合結(jié)構(gòu)內(nèi)， 由氨基、羥基、羰基及甲基構(gòu)成的群中含有1個(gè)以上作用基的化合物；以及使組合物總重量 達(dá)到100重量％的水。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述抑制劑選 自由呋喃、噻吩、吡咯、惡唑、咪唑、吡唑、1，2, 4-三氮唑、四唑、5-氨基四唑、甲基四唑、哌 嗪、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶、氧茚、苯并噻吩、吲哚、苯并咪唑、苯并吡唑、 氨基四唑、甲基苯并三唑、氫甲基苯并三唑、羥甲基苯并三唑及其混合物所構(gòu)成的群。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述螯合劑是 在分子內(nèi)與氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述螯合劑選 自由亞氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亞甲基膦酸、1-羥 基亞乙基-1，1-二磷酸、乙二胺四甲撐磷酸、二亞乙基三胺五亞甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、 氨基丁酸及甘氨酸及其混合物構(gòu)成的群。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述添加劑選 自由含有硫酸、硝酸、磷酸、鹽酸及氫氟酸的無機(jī)酸，含有醋酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、 草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸的有機(jī)酸，以及其鹽和其混合 物所構(gòu)成的群。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述蝕刻添加 劑選自由硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸鈉、過硫酸鈉、硫酸鉀、過硫酸鉀、硫酸銨、過硫酸銨及其 混合物構(gòu)成的群中的硫酸鹽。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述氟化物是 離解出F-或HF2-的化合物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述氟化物選 自由鉿、氟化鈉、氟化鉀、氟化鋁、硼氟酸、氟化銨、氟化氫銨、氟化氫鈉、氟氫化鉀及氟硼酸 銨及其混合物所構(gòu)成的群。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述側(cè)蝕抑制 劑是選自由腺嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、異鳥嘌呤、尿酸及其混合物 構(gòu)成的群中的嘌呤堿。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述側(cè)蝕抑制 劑為腺嘌呤、鳥嘌呤、異鳥嘌呤及其混合物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述水是電阻 率為18MQ/cm以上的脫離子水。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅及鑰含有膜的蝕刻液組合物，其特征在于，還包括添加 齊U，所述添加劑選自由雙氧水穩(wěn)定劑、蝕刻穩(wěn)定劑、玻璃蝕刻抑制劑及其混合物所構(gòu)成的
【文檔編號(hào)】C23F1/18GK104513981SQ201410487573
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月2日
【發(fā)明者】李恩慶, 殷熙天, 金世訓(xùn), 申孝燮 申請(qǐng)人:易安愛富科技有限公司