一種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其包括：激光形成開口步驟，所述激光形成開口步驟是通過激光頭發(fā)射在方向上與掩?；逅谄矫娉输J角的激光束，所述激光頭發(fā)射的所述激光束在所述掩?；迳习凑疹A(yù)設(shè)的軌跡運(yùn)行并在所述掩模基板上形成開口，從而形成掩模板，所述形成在掩?；迳系拈_口靠近所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積S1小于背離所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積S2；通過該工藝制作掩模板開口能夠避免采用傳統(tǒng)化學(xué)蝕刻制作掩模板開口所帶來的環(huán)境損害問題，亦能保證掩模板在靠近沉積基板一側(cè)的開口（小開口）邊緣（邊緣所圍成面積為S1）具有較好的直線度，能夠很好的滿足有機(jī)發(fā)光顯示器有機(jī)材料的蒸鍍應(yīng)用。
【專利說明】—種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法
[0001]

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種掩模板的制作方法，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法。
[0003]

【背景技術(shù)】
[0004]與現(xiàn)行IXD技術(shù)相較，利用有機(jī)發(fā)光二級管(OLED)技術(shù)所制成的顯示器不僅具有可全彩化、反應(yīng)時間快、高亮度(100?14，000cd/m2)、高流明效率(16?381m/W)、170度以上的視角、無一般LCD殘影、可制作成大尺寸與可撓曲性面板、能夠在攝氏-30度?80度的范圍內(nèi)作業(yè)等優(yōu)勢，而且制程簡單，整體厚度也能縮小至Imm以下，成本更僅有TFT-1XD的30?40%。因此，利用OLED技術(shù)所制成的顯示器在深得社會歡迎。
[0005]在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造過程中，其中有機(jī)層的沉積會使用到掩模板，圖1所示為采用掩模板蒸鍍有機(jī)材料的示意圖。掩模板10由于比較薄，在蒸鍍前會通過相關(guān)工藝固定在掩模外框11上，圖2所示為掩模板固定在掩模外框11上的平面示意圖。蒸鍍時，掩模板10借助掩模外框11固定在支撐臺12上，蒸鍍源13中的有機(jī)材料通過蒸發(fā)擴(kuò)散至掩模板10下方，掩模板10上在一定的位置設(shè)置有開口 100，有機(jī)材料通過開口 100沉積在沉積基板14上對應(yīng)的位置處，形成有機(jī)沉積層。
[0006]圖2所示為掩模板的平面示意圖，掩模板為整板結(jié)構(gòu)(圖中所示)或為多塊拼接而成(圖中未示出，所謂拼接即是掩模板由若干相對小的單元模板拼接成大尺寸的掩模板)，掩模板10上設(shè)置有與有機(jī)發(fā)光顯示器上有機(jī)沉積層相對應(yīng)的開口 100，開口 100 —般在掩模板10上為陣列結(jié)構(gòu)。掩模板10通過激光焊接或超聲波焊接等工藝實現(xiàn)與掩模外框11的連接。
[0007]在技術(shù)要求上，有機(jī)沉積層的沉積質(zhì)量對后期產(chǎn)品質(zhì)量有非常大的影響，故在蒸鍍沉積過程中對沉積基板14上沉積區(qū)域的邊緣精度及均勻性要求非常高。為了能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)材料很好的蒸鍍到沉積基板14上，必須減少掩模板開口邊緣對有機(jī)沉積層的影響，即減少如圖3所示的蒸鍍效應(yīng)(由于掩模板開口邊緣對有機(jī)材料130沉積的遮擋影響，導(dǎo)致有機(jī)沉積層131邊緣厚度不均勻)，掩模板的開口截面往往設(shè)計成圖4所示的“凹形”結(jié)構(gòu)，該“凹形”結(jié)構(gòu)一般是通過化學(xué)蝕刻工藝制得，然而基于蝕刻工藝的掩模板制作技術(shù)會對環(huán)境帶來污染。
[0008]基于此，韓國專利10-2011-0088212公開了一種采用激光切割掩模板開口的技術(shù)方案，具體如圖5所示，激光頭51發(fā)射的激光束與掩?；宄梢欢▕A角Θ 1，通過激光頭射出的激光可以在掩模板上形成如圖5所示的“錐臺形”開口結(jié)構(gòu)，此種開口結(jié)構(gòu)在蒸鍍過程中可以避免圖3所示的蒸鍍效應(yīng)。但是，在實際采用該方法制備掩模板時，由于制作掩模板的板材厚度不是絕對的一致，以及激光的特性等原因，掩模板的開口會存在以下缺陷:掩模板靠近激光頭51的一面形成的大開口的開口邊緣直線度比較好，而背離激光頭51的一面形成的小開口的開口邊緣直線度比較差。而在蒸鍍過程中，掩模板背離激光頭51形成的小開口面需要緊貼蒸鍍沉積基板14，即掩模板的小開口面決定有機(jī)沉積層的外形結(jié)構(gòu)，如此，開口邊緣直線度不好的小開口面會間接的影響有機(jī)沉積層邊緣質(zhì)量。
[0009]為解決以上問題，業(yè)界亟需一種更優(yōu)異的掩模板制作工藝來制作掩模板，從而滿足高品質(zhì)有機(jī)發(fā)光顯示器的蒸鍍沉積工藝。
[0010]


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]有鑒于此，需要克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題中的至少一個，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，具體方法如下:
一種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其包括:激光形成開口步驟，所述激光形成開口步驟是通過激光頭發(fā)射在方向上與掩?；逅谄矫娉输J角的激光束，所述激光頭發(fā)射的所述激光束在所述掩?；迳习凑疹A(yù)設(shè)的軌跡運(yùn)行并在所述掩?；迳闲纬砷_口，從而形成掩模板，所述形成在掩?；迳系拈_口靠近所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積SI小于背離所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積S2。
[0012]進(jìn)一步，所述激光頭發(fā)射的激光束與所述掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為15?75°，進(jìn)一步，所述激光頭發(fā)射的激光束與所述掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為30?60°。
[0013]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述激光頭發(fā)射的激光束與所述掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為45°。
[0014]另外，所述激光束在所述掩?；迳系乃鲱A(yù)設(shè)軌跡為連貫的封閉圖形，進(jìn)一步，所述激光束在所述掩?；迳系乃鲱A(yù)設(shè)軌跡為矩形。
[0015]米用本發(fā)明形成掩模板的開口，其掩模板靠近激光頭一側(cè)形成的小開口，掩模板背離激光頭一側(cè)形成的大開口，在蒸鍍過程中，掩模板小開口的一側(cè)靠近沉積基板，有機(jī)材料經(jīng)由大開口側(cè)進(jìn)入開口，然后沉積在靠近小開口側(cè)的沉積基板上，有機(jī)材料的沉積外形由小開口決定。由于本發(fā)明的特殊制作工藝，掩模板開口在成型時，掩模板開口的小開口面靠近激光切割頭，可以很好的保證其邊緣質(zhì)量，相應(yīng)的，可以有效的保證有機(jī)材料在蒸鍍過程中具有較優(yōu)的沉積效果。
[0016]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為采用掩模板蒸鍍有機(jī)材料的示意圖；
圖2所示為掩模板的平面示意圖；
圖3所示為采用傳統(tǒng)掩模板蒸鍍時掩模板開口處的局部蒸鍍沉積示意圖；
圖4為采用蝕刻工藝制作的掩模板開口示意圖(現(xiàn)有技術(shù))；
圖5為一種采用激光切割工藝制作掩模板開口示意圖(現(xiàn)有技術(shù))； 圖6為本發(fā)明采用激光切割工藝制作掩模板開口示意圖(立體圖)；
圖7為本發(fā)明采用激光切割工藝制作掩模板開口示意圖(截面圖)；
圖8為采用本發(fā)明制作掩模板開口的平面示意圖(從背離激光切割頭的一側(cè)觀察)；
圖9為采用本發(fā)明制作掩模開口的掩模板蒸鍍有機(jī)材料的局部示意圖圖中，10為掩模板，100為掩模板開口，11為掩模板固定的掩模外框，12為支撐臺，13為蒸鍍源，14為沉積基板，130為有機(jī)材料，131為有機(jī)沉積層，51為激光切割頭，Θ I為激光頭51發(fā)射的激光束與掩?；逯g形成的夾角，60為激光切割頭，Θ 2為激光頭60發(fā)射的激光束與掩?；逯g形成的夾角，101為掩模板靠近激光頭一側(cè)形成的小開口，102為掩模板背離激光頭一側(cè)形成的大開口，SI為掩模板小開口的開口邊緣圍成的面積，S2為掩模板大開口的開口邊緣圍成的面積。
[0018]

【具體實施方式】
[0019]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0020]本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思如下:現(xiàn)有技術(shù)中，為了克服有機(jī)發(fā)光顯示器有機(jī)材料蒸鍍過程中的蒸鍍效應(yīng)，既克服掩模板邊緣對有機(jī)材料蒸鍍的影響，掩模板通常采用蝕刻工藝制備出“凹形”開口，但采用此工藝對環(huán)境影響比較大；有探索以激光切割方式制備“錐臺形”結(jié)構(gòu)開口的工藝，但該工藝由于激光切割特性等原因，掩模板開口的質(zhì)量會存在比較大的瑕疵，從而影響后期有機(jī)材料的蒸鍍沉積應(yīng)用?；诖?，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，該制作方法包括:激光形成開口步驟，即通過激光頭發(fā)射在方向上與掩模基板所在平面呈銳角的激光束，激光頭發(fā)射的激光束在掩?；迳习凑疹A(yù)設(shè)的軌跡運(yùn)行并在掩?；迳闲纬砷_口，從而形成掩模板，本發(fā)明中形成在掩模基板上的開口靠近所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積SI小于背離所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積S2。
[0021]本發(fā)明中的“掩?；濉睘檠谀０逦唇?jīng)激光切割處理的初始板材，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明一實施例作進(jìn)一步說明:
如圖6所示，其為本發(fā)明采用激光切割工藝制作掩模板開口一種實施例的立體示意圖，圖7所示為其對應(yīng)的截面示意圖，激光切割頭60發(fā)射的激光束與掩?；逯g形成的夾角為Θ 2，激光束在掩?；迳弦苑忾]的矩形軌跡運(yùn)行并在掩?；迳闲纬删匦伍_口，從而形成掩模板10。如圖7所示，掩模板在靠近激光頭60 —側(cè)形成小開口 101，在背離激光頭一側(cè)形成大開口 102，圖8所示為掩模板開口的平面示意圖(從背離激光切割頭的一側(cè)觀察)，小開口 101邊緣圍城的面積為SI，大開口 102邊緣圍城的面積為S2，其中S1〈S2。
[0022]在本發(fā)明的一些實施例中，激光頭60發(fā)射的激光束與掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為15?75°，較優(yōu)范圍為30?60°。
[0023]作為本發(fā)明的一具體實施例，激光頭60發(fā)射的激光束與掩?；逅谄矫嫠输J角角度為45°。
[0024]圖9所示為采用本發(fā)明制作掩模開口的掩模板蒸鍍有機(jī)材料的局部示意圖，掩模板的小開口面(即101開口對應(yīng)面)靠近沉積基板14。由于掩模板的小開口面靠近激光頭，在切割時，小開口 101的邊緣具有較好的直線度，通過采用本實施例所展示工藝制作的掩模板，不但能夠避免傳統(tǒng)掩模板的蒸鍍效應(yīng)，亦可以有效控制有機(jī)沉積層131的邊緣質(zhì)量。
[0025]盡管參照本發(fā)明的多個示意性實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出多種其他的改進(jìn)和實施例，這些改進(jìn)和實施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會脫離本發(fā)明的精神。例如，改變掩模開口的形狀(將矩形設(shè)計為其它多邊形或者圓形等)。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不器用掩模板開口的制作方法，其包括: 激光形成開口步驟，所述激光形成開口步驟是通過激光頭發(fā)射在方向上與掩?；逅谄矫娉输J角的激光束，所述激光頭發(fā)射的所述激光束在所述掩模基板上按照預(yù)設(shè)的軌跡運(yùn)行并在所述掩?；迳闲纬砷_口，從而形成掩模板， 其特征在于，所述形成在掩模基板上的開口靠近所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積SI小于背離所述激光頭一側(cè)的邊緣圍成的面積S2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其特征在于，所述激光頭發(fā)射的激光束與所述掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為15?75°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其特征在于，所述激光頭發(fā)射的激光束與所述掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為30?60°。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其特征在于，所述激光頭發(fā)射的激光束與所述掩?；逅谄矫嫠输J角角度范圍為45°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其特征在于，其特征在于，所述激光束在所述掩模基板上的所述預(yù)設(shè)軌跡為連貫的封閉圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述有機(jī)發(fā)光顯示器用掩模板開口的制作方法，其特征在于，所述激光束在所述掩?；迳系乃鲱A(yù)設(shè)軌跡為矩形。
【文檔編號】C23C14/04GK104294215SQ201410501856
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月27日
【發(fā)明者】魏志凌, 楊濤, 王峰 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司