一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。本發(fā)明涂膜厚度小，超導體薄片的導熱系數(shù)高，涂膜工藝自動化程度高，可以減少手工作業(yè)，降低產(chǎn)品成本。
【專利說明】一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法
〔【技術(shù)領域】〕
[0001]本發(fā)明涉及模切技術(shù)，尤其涉及一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法。
〔【背景技術(shù)】〕
[0002]隨著電子行業(yè)的高速發(fā)展，很多電子產(chǎn)品，如手機，電腦，平板電視等領域的產(chǎn)品需要高端散熱功能，以保證產(chǎn)品高性能及輕、量、薄質(zhì)感化。例如，手機電池和筆記本電池就需要將超導體薄片粘貼到電池表面上，以達到絕緣和快速散熱的作用。
[0003]這種超導體薄片通常采用石墨或石墨烯材料的薄片，通過模切平面成型加工再復膜，復合膜的面積大于薄片面積，成絕緣包邊的超導體薄片產(chǎn)品，再由電子企業(yè)利用組裝治具將超導體薄片產(chǎn)品粘在發(fā)熱電子部件上。
[0004]傳統(tǒng)模切業(yè)超導體薄片的加工制作方法，是將超導體薄片表面用專用復合機復上一層薄膜，從而達到絕緣快速導熱作用。因為超導體薄片需要快速導熱，所以對薄膜的厚度要求極高(越薄越好)，但傳統(tǒng)模切業(yè)超導體薄片的復膜工藝，薄膜最薄只能做到0.03皿，導熱系數(shù)只有10001/01過厚的薄膜嚴重影響發(fā)熱電子器件的散熱速度。
[
【發(fā)明內(nèi)容】
]
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種涂膜厚度小、超導體薄片導熱系數(shù)高的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。
[0007]以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，所述的超導體薄片材料是石墨或石墨烯，所述的薄膜材料是二甲苯。
[0008]以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，將待涂膜的超導體薄片切懸掛孔，用金屬線穿過超導體薄片的懸掛孔，將超導體薄片懸掛在氣相沉積反應爐中，薄膜材料經(jīng)升華、裂解、氣化后進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片的表面上。
[0009]以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，所述的薄膜材料是聚對二甲苯，升華步驟的溫度是120 1-140 I，壓力是1.331^-1.51% ；裂解步驟的溫度是650 1 -750 I，壓力是1.331^8-1.51% ；氣化步驟的溫度是1201 -140^0,壓力是
1.3311)8-1.51% ；沉積涂層的步驟的溫度是251 -281，真空度是
[0010]以上所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，涂膜過程中，氣相沉積反應爐保持在振動狀態(tài)。
[0011]本發(fā)明的方法涂膜厚度小，超導體薄片的導熱系數(shù)高，涂膜自動化程度高，可以減少手工作業(yè)，降低產(chǎn)品成本。
〔【專利附圖】

【附圖說明】〕
[0012]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0013]圖1是本發(fā)明實施例薄膜材料在氣相沉積反應爐中沉積到超導體薄片上的示意圖。
[【具體實施方式】]
[0014]本發(fā)明導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。本發(fā)明可以根據(jù)客戶的需要選擇分子結(jié)構(gòu)、薄膜材質(zhì)、薄膜性能以及薄膜硬度，從而完成對電子元器件保護及特殊功能要求。
[0015]本發(fā)明的超導體薄片材料可以是石墨或石墨烯，薄膜材料是二甲苯。
[0016]通過模切平面成型加工的超導體薄片2切出懸掛孔，用金屬線3穿過超導體薄片的懸掛孔，將超導體薄片成串懸掛在氣相沉積反應爐1中，薄膜材料經(jīng)升華、裂解、氣化后通過進料口 101進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片2的表面上。
[0017]本實施例的薄膜材料是聚對二甲苯(Parylene),通過真空氣相沉積設備的離子器把聚對二甲苯升華、裂解^50°C /1.33Mpa)、氣化，升華步驟的溫度是120°C，壓力是1.33Mpa ;裂解步驟的溫度是650°C，壓力是1.33Mpa ;氣化步驟的溫度是120°C，壓力是1.33Mpa ；
[0018]氣化后通過進料口 101進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片2的表面上。沉積涂層步驟的溫度是25°C，真空度是lOPa-lOla。
[0019]涂膜過程中，氣相沉積反應爐保持在振動或晃動狀態(tài)。以防止超導體薄片相互粘入口 ο
[0020]本發(fā)明以上實施例通過對超導體表面極薄(最薄可以達到0.001mm以內(nèi))的涂膜，達到超導體薄片的導熱系數(shù)達到2000W/mk以上，而且涂膜自動化程度高，可以減少手工作業(yè)，降低成本。
【權(quán)利要求】
1.一種超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，其特征在于，采用真空氣相沉積工藝將薄膜材料涂覆在超導體薄片的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，其特征在于，所述的超導體薄片材料是石墨或石墨烯，所述的薄膜材料是二甲苯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，其特征在于，將待涂膜的超導體薄片切懸掛孔，用金屬線穿過超導體薄片的懸掛孔，將超導體薄片懸掛在氣相沉積反應爐中，薄膜材料經(jīng)升華、裂解、氣化后進入氣相沉積反應爐中，沉積到超導體薄片的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，其特征在于，所述的薄膜材料是聚對二甲苯，升華步驟的溫度是120°C _140°C，壓力是1.33Mpa-l.5Mpa ;裂解步驟的溫度是650°C _750°C，壓力是1.33Mpa-l.5Mpa ;氣化步驟的溫度是120°C _140°C，壓力是1.33Mpa-l.5Mpa ;沉積涂層的步驟的溫度是25°C _28°C，真空度是lOPa-lOla。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超導體薄片復合絕緣散熱膜的方法，其特征在于，涂膜過程中，氣相沉積反應爐保持在振動狀態(tài)。
【文檔編號】C23C16/44GK104404477SQ201410610409
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】許少華 申請人:曾芳勤