一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，包括基體，所述基體的形狀與光刻基片的形狀一致，該基體為硬質(zhì)片狀結(jié)構(gòu)，在基體上開設(shè)有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基體中部的中心通孔和至少一圈呈環(huán)形分布于中心通孔周圍的外圍通孔；所述中心通孔和外圍通孔均與光刻基片上的鏤空結(jié)構(gòu)錯位設(shè)置。本實(shí)用新型適用于多種光刻基片，并且能夠保證光刻基片在光刻過程中的平整度，從而提高光刻基片的光刻精度，同時降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及微機(jī)械加工的光刻工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在微機(jī)械工藝中，光刻基片經(jīng)濕法腐蝕或干法刻蝕后制作有鏤空結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步進(jìn)行圖形制作時，多采用噴涂膠和光刻的方式實(shí)現(xiàn)?，F(xiàn)有光刻機(jī)的吸盤有邊緣吸附和整片吸附兩種，整片吸附適合于表面完整的光刻基片，邊緣吸附適合于制作有鏤空結(jié)構(gòu)的光刻基片。而制作鏤空結(jié)構(gòu)的光刻基片光刻時若只有邊緣吸附，易造成基片內(nèi)部的翹曲，降低光刻的精度；若參照吸盤的吸附結(jié)構(gòu)對光刻基片上的器件進(jìn)行布局，將導(dǎo)致光刻基片面積利用率和布局靈活性下降；若參照光刻基片布局對吸盤吸附結(jié)構(gòu)重新設(shè)計(jì)，成本高且操作麻煩；并且由于吸盤的精度要求較高，因此根據(jù)每一種基片分別制作一個吸盤，就會大大增加生產(chǎn)成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，本實(shí)用新型的目的就在于提供一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，適用于多種光刻基片，并且能夠保證光刻基片在光刻過程中的平整度，從而提高光刻基片的光刻精度，同時降低生產(chǎn)成本。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是這樣的:一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，包括基體，所述基體的形狀與光刻基片的形狀一致，其特征在于:該基體為硬質(zhì)片狀結(jié)構(gòu)，在基體上開設(shè)有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基體中部的中心通孔和至少一圈呈環(huán)形分布于中心通孔周圍的外圍通孔；所述中心通孔和外圍通孔均與光刻基片上的鏤空結(jié)構(gòu)錯位設(shè)置。
[0005]進(jìn)一步地，所述外圍通孔為兩圈:外環(huán)通孔和內(nèi)環(huán)通孔，所述外環(huán)通孔靠近基體的邊緣，所述內(nèi)環(huán)通孔位于中心通孔與外環(huán)通孔之間。采用外環(huán)通孔與內(nèi)環(huán)通孔的結(jié)合，從而使光刻基片與基體的貼附效果更好，從而確保光刻基片的平整度，進(jìn)而提高光刻精度。
[0006]進(jìn)一步地，所述外環(huán)通孔與內(nèi)環(huán)通孔分別均勻分布在所在圓周上。這樣能夠使光刻基片收到的吸附力更加均衡，從而進(jìn)一步提聞光刻基片的平整度。
[0007]進(jìn)一步地，所述通孔呈圓形、矩形或三角形。使結(jié)構(gòu)簡單，加工方便。
[0008]進(jìn)一步地，所述基體的材質(zhì)為硅或者石英。加工方便,成本低廉,并使基體表面平整度更高，從而使光刻基片能更好地與基體貼附。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，只要基體上的通孔與光刻基片上的鏤空位置錯開，即可使用，從而使本裝置能夠適用于多種光刻基片，使用范圍更廣；并且能夠保證光刻基片在光刻過程中的平整度，從而提高光刻基片的光刻精度；同時，只需根據(jù)需要更換本輔助裝置，而無需更換吸盤，不僅使用方便，并且能有效降低生產(chǎn)成本。【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中:I一基體，21—中心通孔，22—外環(huán)通孔，23—內(nèi)環(huán)通孔。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0014]實(shí)施例:一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，包括基體，所述基體的形狀與光刻基片的形狀一致，即:基體整體呈圓盤結(jié)構(gòu)，在基體的邊緣具有一切邊(其一側(cè)形成一直邊)。該基體為硬質(zhì)片狀結(jié)構(gòu)，制作時，所述基體的材質(zhì)為硅或者石英；成本低廉，且加工方便，并使基體表面平整度更高，從而使光刻基片能更好地與基體貼附。在基體上開設(shè)有若干通孔，其中，所述通孔包括一位于基體中部的中心通孔和至少一圈呈環(huán)形分布于中心通孔周圍的外圍通孔；具體實(shí)施時，所述外圍通孔可以為一圈，也可以為多圈，根據(jù)實(shí)際的光刻基片的結(jié)構(gòu)進(jìn)行加工；且位于最外側(cè)的一圈外圍通孔靠近基體的邊緣。所述中心通孔和外圍通孔均與光刻基片上的鏤空結(jié)構(gòu)錯位設(shè)置。所述外圍通孔均勻分布在所在圓周上；這樣能夠使光刻基片收到的吸附力更加均衡，從而進(jìn)一步提聞光刻基片的平整度。
[0015]具體加工時，所述通孔呈圓形、矩形或三角形；使結(jié)構(gòu)簡單，加工方便。所述通孔的加工可采用微機(jī)械工藝加工、激光加工、超聲加工、傳統(tǒng)機(jī)械加工；從而使加工更方便、快捷，且減少基體本身所受到的損傷。
[0016]在光刻工藝環(huán)節(jié)，將本輔助裝置安放到光刻機(jī)吸盤上，而后將待光刻且制作有鏤空結(jié)構(gòu)的光刻基片與該輔助裝置對齊并放置到該輔助裝置上；然后從內(nèi)到外依次開啟中心通孔和外圍通孔所連接的真空吸附通道，完成基片吸附；從而有效地將光刻基片進(jìn)行吸附，且能夠有效降低光刻基片吸附時的翹曲度。
[0017]由此可見，通過在光刻機(jī)吸盤和待光刻的基片之間安放過本輔助裝置，縮短了基片上各個吸附點(diǎn)之間的間距，可有效降低光刻基片的翹曲度，提高光刻精度。此外，本輔助裝置基于硅或者石英材料制作，加工方法包括微機(jī)械工藝加工、激光加工、超聲加工、傳統(tǒng)機(jī)械加工等多種方法，加工方便且成本低；只需將其安放到光刻機(jī)吸盤上即可進(jìn)行光刻操作，使用簡單方便。
[0018]實(shí)施例1，參見圖1，所述外圍通孔為一圈，且靠近基體I的邊緣，即外環(huán)通孔22 ；在光刻的基片尺寸較小時，只設(shè)置中心通孔21和一圈外圍通孔即可滿足光刻時的翹曲度要求，且有利于提高光刻基片的面積利用率。
[0019]實(shí)施例2,參見圖2 ;所述外圍通孔為兩圈:外環(huán)通孔22和內(nèi)環(huán)通孔23,所述外環(huán)通孔22靠近基體I的邊緣，所述內(nèi)環(huán)通孔23位于中心通孔與外環(huán)通孔22之間。采用外環(huán)通孔22與內(nèi)環(huán)通孔23的結(jié)合，從而使光刻基片與基體I的貼附效果更好，從而確保光刻基片的平整度，進(jìn)而提高光刻精度。所述外環(huán)通孔22、內(nèi)環(huán)通孔23分別均勻分布在所在圓周上；這樣能夠使光刻基片收到的吸附力更加均衡。
[0020]最后需要說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制技術(shù)方案，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，那些對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本技術(shù)方案的宗旨和范圍，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，包括基體，所述基體的形狀與光刻基片的形狀一致，其特征在于:該基體為硬質(zhì)片狀結(jié)構(gòu)，在基體上開設(shè)有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基體中部的中心通孔和至少一圈呈環(huán)形分布于中心通孔周圍的外圍通孔；所述中心通孔和外圍通孔均與光刻基片上的鏤空結(jié)構(gòu)錯位設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，其特征在于:所述外圍通孔為兩圈:外環(huán)通孔和內(nèi)環(huán)通孔，所述外環(huán)通孔靠近基體的邊緣，所述內(nèi)環(huán)通孔位于中心通孔與外環(huán)通孔之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，其特征在于:所述外環(huán)通孔與內(nèi)環(huán)通孔分別均勻分布在所在圓周上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，其特征在于:所述通孔呈圓形、矩形或三角形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低光刻基片吸附翹曲度的輔助裝置，其特征在于:所述基體的材質(zhì)為硅或者石英。
【文檔編號】C23F1/08GK203668516SQ201420026636
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月16日
【發(fā)明者】林丙濤, 趙建華 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所