一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種鍍膜系統(tǒng)，尤其涉及一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)。它包括準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室、設(shè)置在準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)的用于對(duì)基板表面進(jìn)行沉積鍍膜的鍍膜組件；以及設(shè)置在準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)的可用于對(duì)基板進(jìn)行往復(fù)掃描的傳輸組件；鍍膜組件包括兩個(gè)或兩個(gè)以上平行排列的靶材，往復(fù)掃描的距離是任何小于相鄰靶材間距的距離。本實(shí)用新型系統(tǒng)有別于其他的例如基板不動(dòng)的靜態(tài)鍍膜系統(tǒng),通過靶材內(nèi)部的磁棒位置的移動(dòng)提高鍍膜均勻度。
【專利說明】一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種鍍膜系統(tǒng)，尤其涉及一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 動(dòng)態(tài)鍍膜系統(tǒng)，在真空磁控濺射鍍膜過程產(chǎn)生的等離子體通常會(huì)對(duì)靜電敏感器件 造成靜電損傷，尤其是部分器件被等離子體覆蓋，其它部分沒有被等離子體覆蓋，這會(huì)在器 件不同部位間造成電壓差，從而通過放電擊穿器件，造成靜電損傷。為了避免靜電損傷，通 常采用純靜態(tài)鍍膜方式（圖1):帶有電子器件的玻璃基板保持靜止?fàn)顟B(tài)，一組靶材均勻分布 在玻璃基板前面，靶材覆蓋面積要略大于玻璃基板，使整個(gè)玻璃基板同時(shí)覆蓋鍍膜材料，避 免器件不同部位間造成電壓差。傳統(tǒng)靜態(tài)鍍膜方法，是通過改變靶材內(nèi)部的磁棒磁場(chǎng)方向 擺動(dòng)的角度α、磁棒磁場(chǎng)強(qiáng)度、靶材的鍍膜功率、靶間距D1、靶基距D2等，從而提高鍍膜均 勻性。此方法磁棒磁場(chǎng)方向調(diào)節(jié)過程復(fù)雜，均勻度較差，并且調(diào)節(jié)時(shí)間長(zhǎng)；每個(gè)靶材的功率 不同造成蝕刻速度不同，每個(gè)靶材的維護(hù)周期不同，不便于靶材維護(hù)；靶材蝕刻速度隨時(shí)間 變化，需要重新調(diào)整均勻度，因此，系統(tǒng)穩(wěn)定性比較差。
[0003] CN103255386A(2013-8-21)公開了一種動(dòng)態(tài)沉積磁控濺射鍍膜裝置方法及該方法 制造的襯底，然而該方法或裝置不能解決對(duì)靜電敏感器件造成靜電損傷的問題。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 本實(shí)用新型的目的是提供一種對(duì)基板，特別是對(duì)有電子器件的基板進(jìn)行鍍膜且鍍 膜均勻的、能夠防止對(duì)靜電敏感器件造成靜電損傷的準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)。
[0005] 本實(shí)用新型的技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的：
[0006] -種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其包括準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室、設(shè)置在所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)的 用于對(duì)基板表面沉積鍍膜的鍍膜組件；以及設(shè)置在所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)的可用于對(duì)基板 進(jìn)行往復(fù)掃描的傳輸組件；所述鍍膜組件包括兩個(gè)或兩個(gè)以上平行排列的靶材，所述往復(fù) 掃描的距離是任何小于相鄰靶材間距的距離。
[0007] 通過本實(shí)用新型準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，一組靶材均勻分布在玻璃基板前面，靶材覆蓋 面積要略大于玻璃基板，靶材內(nèi)部的磁棒磁場(chǎng)方向固定不變，鍍膜時(shí)玻璃基板在靶間距范 圍內(nèi)連續(xù)掃描，從而實(shí)現(xiàn)鍍膜均勻性。此方法，磁棒磁場(chǎng)方向固定不變，每個(gè)靶材的條件相 同，設(shè)備調(diào)節(jié)十分簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)高均勻度和設(shè)備的穩(wěn)定性。
[0008] 作為優(yōu)選，所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室一端連接有真空切換系統(tǒng)，所述真空切換系統(tǒng)包 括依次設(shè)置且相互連接的低真空切換室和高真空切換室。
[0009] 低真空室作為進(jìn)料出料室，這樣就可以用最短的時(shí)間裝或者卸基板，然后回到工 作的真空狀態(tài)。
[0010] 作為優(yōu)選，所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)包括用于對(duì)基板表面沉積鍍膜的靶材和用于對(duì) 所述基板加熱的加熱器，所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室均設(shè)置有用以滿足真空要求的冷泵或分子 栗。 toon] 作為優(yōu)選，所述低真空切換室上設(shè)置有用于使所述基板進(jìn)出的包括進(jìn)口軌道和進(jìn) 口以及包括出口軌道和出口。
[0012] 低真空室作為進(jìn)料出料室，這樣就可以用最短的時(shí)間裝或者卸玻璃基片，然后回 到工作的真空狀態(tài)。
[0013] 作為優(yōu)選，所述傳輸組件包括用于支撐基板的基板架載體，所述基板架載體邊緣 底部在不銹鋼輥或傳送帶上移動(dòng)，基板架載體頂部通過摩擦導(dǎo)向輪或無摩擦的磁導(dǎo)向?qū)к?間移動(dòng)。
[0014] 基板在基板架里輸送。基板可以垂直輸送，也可以傾斜一定小角度例如1-10°。 基板傾斜可以使玻璃在傳輸過程中更穩(wěn)定，減少破片率，基板和靶材是保持平行的。
[0015] 作為優(yōu)選，所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室另一端連接有緩沖系統(tǒng)，所述緩沖系統(tǒng)包括緩沖 室、設(shè)置在所述緩沖室的外部于緩沖室相連通的分子泵或冷泵以及通過傳動(dòng)裝置對(duì)基板實(shí) 現(xiàn)垂直方向平移的平移裝置。
[0016] 設(shè)置平移裝置可以使基板垂直平移，從而反向直接進(jìn)行傳輸或反向傳輸?shù)耐瑫r(shí)進(jìn) 行鍍膜。
[0017] 緩沖系統(tǒng)可用來緩沖鍍膜氣氛，以及穩(wěn)定鍍膜氣壓。
[0018] 作為優(yōu)選，所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室的數(shù)量為N，其中N > 1。
[0019] 這樣可以進(jìn)行N次鍍膜，每次鍍不同材料。
[0020] 作為優(yōu)選，所述緩沖室設(shè)置在所有準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室的終端。
[0021] 利用準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜的方法，是將基板放置在基板架載體上，使 基板進(jìn)入所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室并且使基板的待鍍膜面朝向所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)的鍍膜 組件，使基板進(jìn)行往復(fù)掃描鍍膜；所述往復(fù)掃描的距離是任何小于相鄰靶材間距的距離。
[0022] 特別的，針對(duì)帶有電子器件的基板，在準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)中鍍膜可以在玻璃基板上 的電子器件表面覆蓋一層薄的連續(xù)導(dǎo)電膜（同時(shí)也是需要鍍的膜材料)，對(duì)電子器件可以起 到靜電屏蔽的作用，有效防止電子器件靜電損傷；鍍膜時(shí)玻璃基板在靶間距范圍內(nèi)往返連 續(xù)掃描，實(shí)現(xiàn)均勻鍍膜。
[0023] 基板通過低真空切換室、高真空切換室進(jìn)入第一個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描 式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成第一材料薄膜；再切換到第二個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài) 鍍膜形成第二材料薄膜；然后依次切換到第N個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍 膜形成第N材料薄膜；其中N > 1;完成鍍膜后，切換到緩沖室，進(jìn)行垂直方向平移，然后沿 著反方向水平平移返回，切換到高真空切換室，切換到低真空切換室，切換到出口。
[0024] 作為優(yōu)選，基板依次通過低真空切換室、高真空切換室進(jìn)入第一個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工 藝室，平移通過第二個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，然后依次平移通過第N個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，其 中1;經(jīng)過加熱后再進(jìn)行垂直方向平移，在最里面的準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室內(nèi)進(jìn)行掃描式準(zhǔn) 靜態(tài)鍍膜形成第一層薄膜，完成鍍膜后，反向切換到后面的準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式 準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成下一個(gè)材料的薄膜；如此反向切換平移經(jīng)過所有的準(zhǔn)靜態(tài)工藝室完成所有 的材料鍍膜；切換到高真空切換室；再切換到低真空切換室；最后切換到出口。
[0025] 作為優(yōu)選，所述切換時(shí)的切換速度為1-30 m/min，所述平移時(shí)的平移速度為 0·5_10m/min〇
[0026] 更優(yōu)選地，所述切換時(shí)的切換速度為25 m/min，所述平移時(shí)的平移速度為3-5m/ min〇

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 圖1是傳統(tǒng)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)示意圖；
[0028] 圖2是本實(shí)用新型準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)示意圖；
[0029] 圖3是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)示意圖；
[0030] 圖4是本實(shí)用新型另一種實(shí)施例的準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0032] 如圖3和圖4所示，準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)包括準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室1、設(shè)置在準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔 室1內(nèi)的用于對(duì)基板3表面沉積鍍膜的鍍膜組件2 ;以及設(shè)置在準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室1內(nèi)的可 用于對(duì)基板3進(jìn)行往復(fù)掃描的傳輸組件；鍍膜組件2包括兩個(gè)或兩個(gè)以上平行排列的靶材， 往復(fù)掃描的距離是任何小于相鄰靶材間距的距離。
[0033] 如圖2所示，通過準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，一組靶材均勻分布在玻璃基板前面，靶材覆蓋 面積要略大于玻璃基板，靶材內(nèi)部的磁棒磁場(chǎng)方向固定不變，鍍膜時(shí)玻璃基板在靶間距范 圍內(nèi)連續(xù)掃描，從而實(shí)現(xiàn)鍍膜均勻性。此方法，磁棒磁場(chǎng)方向固定不變，每個(gè)靶材的條件相 同，設(shè)備調(diào)節(jié)十分簡(jiǎn)單，設(shè)備穩(wěn)定性高，且容易實(shí)現(xiàn)高均勻度。
[0034] 為了用最短的時(shí)間裝或者卸基板，然后回到工作的真空狀態(tài)。準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室1 一端連接有真空切換系統(tǒng)，真空切換系統(tǒng)依次設(shè)置且相互連接的低真空切換室5和高真空 切換室6。
[0035] 低真空室5作為進(jìn)料出料室，在低真空切換室5上設(shè)置有用于基板進(jìn)出的包括進(jìn) 口軌道和進(jìn)口以及包括出口軌道和出口。
[0036] 為了更有效地控制真空本底壓和鍍膜真空度，實(shí)現(xiàn)對(duì)基板更均勻有效的鍍膜，準(zhǔn) 靜態(tài)鍍膜腔室1內(nèi)包括用于對(duì)基板3表面沉積鍍膜的靶材和用于對(duì)基板3加熱的加熱器 11，準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)均設(shè)置有用以滿足真空要求的冷泵或分子泵12。
[0037] 為了實(shí)現(xiàn)對(duì)基板3的有效傳輸，傳輸組件包括用于支撐基板的基板架載體，基板 架載體邊緣底部在不銹鋼輥或傳送帶上移動(dòng)，基板架載體頂部通過摩擦導(dǎo)向輪或無摩擦的 磁導(dǎo)向?qū)к夐g移動(dòng)(未在圖中不出）。
[0038] 基板在基板架載體里輸送?；?在腔室里可以垂直輸送，也可以傾斜一定小角 度例如1-10°進(jìn)行輸送?；鍍A斜可以使玻璃在傳輸過程中更穩(wěn)定，減少破片率，基板3和 靶材2始終保持平行。
[0039] 為了用來緩沖鍍膜氣氛，以及穩(wěn)定鍍膜氣壓。準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室1另一端連接有緩 沖系統(tǒng)，緩沖系統(tǒng)包括緩沖室7、設(shè)置在緩沖室的外部與之聯(lián)通的分子泵12以及通過傳動(dòng) 裝置對(duì)基板實(shí)現(xiàn)垂直方向平移的平移裝置。設(shè)置的平移裝置可以使帶基板3平移，從而反 向直接進(jìn)行傳輸或反向傳輸?shù)耐瑫r(shí)進(jìn)行鍍膜。
[0040] 根據(jù)實(shí)際需要若進(jìn)行N次鍍膜并且每次鍍不同材料，準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室數(shù)量相應(yīng)設(shè) 置為N，其中N彡1。
[0041] 鍍膜組件可以為兩個(gè)或兩個(gè)以上平行排列的靶材，靶材可以是旋轉(zhuǎn)靶材或平面靶 材。對(duì)于帶有電子器件的基板，靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)中的靶材可以是需要沉積的導(dǎo)電膜材料，可以 是但不限于是此31、11、&等金屬材料，在滿足沉積鍍膜的同時(shí)實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)?；蹇梢?是非柔性基板例如玻璃基板。與靶材表面平行方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍是300-1200高斯，靶間 距dl>175mm,靶基距d2范圍在10-300_，見圖2。
[0042] 實(shí)施例一
[0043] 將帶有電子器件的基板3放置在基板架載體上，使基板進(jìn)入準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室并且 使基板的待鍍膜面朝向準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室1內(nèi)的鍍膜組件2,使基板進(jìn)行往復(fù)掃描鍍膜；往復(fù) 掃描的距離是任何小于相鄰靶材間距的距離。帶有電子器件的基板通過低真空切換室、高 真空切換室進(jìn)入第一個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成抗靜電損傷的第一 材料連續(xù)導(dǎo)電膜；再切換到第二個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成第二材 料連續(xù)薄膜；最后切換到第三個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成第三材料 連續(xù)薄膜；可根據(jù)需要有多個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，完成鍍膜后，切換到緩沖室，進(jìn)行垂直方 向平移，然后沿著反方向平移返回，切換到高真空切換室，切換到低真空切換室，切換到出 口。切換時(shí)的切換速度VI為l-30m/min，優(yōu)選25 m/min ;平移時(shí)的平移速度V2為0. 5-10m/ min，優(yōu)選 3_5m/min〇
[0044] 實(shí)施例二
[0045] 帶有電子器件的基板依次通過低真空切換室、高真空切換室進(jìn)入第一個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍 膜工藝室，平移通過第二個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，平移通過第三個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，經(jīng)過加 熱后在第三個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室進(jìn)行垂直方向平移到鍍膜位置，可根據(jù)需要有多個(gè)準(zhǔn)靜態(tài) 鍍膜工藝室，基板先被送到最里面的準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，垂直平移后繼續(xù)在第三個(gè)準(zhǔn)靜態(tài) 鍍膜工藝室內(nèi)進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成抗靜電損傷的第三材料連續(xù)導(dǎo)電膜，完成鍍膜 后，切換到第二個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成第二材料連續(xù)薄膜；再切 換到第一個(gè)準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜工藝室，進(jìn)行掃描式準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜形成第一材料連續(xù)薄膜；切換到高 真空切換室；切換到低真空切換室；切換到出口。切換時(shí)的切換速度為1-30 m/min，平移時(shí) 的平移速度VI為0. 5-10m/min。優(yōu)選切換速度為25 m/min，平移速度V2為3-5m/min。
[0046] 本具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的解釋，其并不是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng) 域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對(duì)本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但 只要在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。
【權(quán)利要求】
1. 一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于包括準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室、設(shè)置在所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔 室內(nèi)的用于對(duì)基板表面沉積鍍膜的鍍膜組件；以及設(shè)置在所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi)的可用于 對(duì)基板進(jìn)行往復(fù)掃描的傳輸組件；所述鍍膜組件包括兩個(gè)或兩個(gè)以上平行排列的靶材，所 述往復(fù)掃描的距離是任何小于相鄰靶材間距的距離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室一 端連接有真空切換系統(tǒng)，所述真空切換系統(tǒng)包括相互連接的低真空切換室和高真空切換 室。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi) 包括用于對(duì)基板表面沉積鍍膜的靶材和用于對(duì)所述基板加熱的加熱器，所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔 室內(nèi)均設(shè)置有用以滿足真空要求的冷泵或分子泵。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述傳輸組件包括用于 支撐基板的基板架載體，所述基板架載體邊緣底部在不銹鋼輥或傳送帶上移動(dòng)，基板架載 體頂部通過摩擦導(dǎo)向輪或無摩擦的磁導(dǎo)向?qū)к夐g移動(dòng)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述低真空切換室上設(shè) 置有用于使所述基板進(jìn)出的包括進(jìn)口軌道和進(jìn)口以及包括出口軌道和出口。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室內(nèi) 設(shè)置有通過傳動(dòng)裝置對(duì)基板實(shí)現(xiàn)平移的平移裝置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室一 端或兩端連接有緩沖系統(tǒng)，所述緩沖系統(tǒng)包括緩沖室、設(shè)置在所述緩沖室的外部且與緩沖 室相連通的分子泵以及通過傳動(dòng)裝置對(duì)基板實(shí)現(xiàn)平移的平移裝置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔 室的數(shù)量為N，其中N3 1。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜系統(tǒng)，其特征在于：所述緩沖室設(shè)置在所有 準(zhǔn)靜態(tài)鍍膜腔室的終端。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK203846099SQ201420236382
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月9日
【發(fā)明者】趙軍, 陳金良, 劉鈞, 許倩斐 申請(qǐng)人:浙江上方電子裝備有限公司