一種蒸鍍掩膜版的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種蒸鍍掩膜版,所述掩膜版上成型一蒸鍍開口區(qū)域，所述蒸鍍開口區(qū)域與基板的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，所述掩膜版上還成型有凹陷的遮蓋區(qū)域，所述蒸鍍開口區(qū)域設(shè)置于所述遮蓋區(qū)域內(nèi)，所述遮蓋區(qū)域與待蒸鍍的基板的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，所述遮蓋區(qū)域與待蒸鍍的基板之間具有一間隙L。本實用新型通過在掩膜版上設(shè)置凹陷的遮蓋區(qū)域，將掩膜版的遮蓋區(qū)域接觸基板發(fā)光面一側(cè)，使得掩膜版遮蓋區(qū)域與玻璃基板的發(fā)光區(qū)域由接觸變?yōu)榉墙佑|，兩者具有一定間隙，從而避免了掩膜版與基板之間在蒸鍍過程中所發(fā)生的蹭傷或劃傷，提高了基板蒸鍍的成品率，使區(qū)域多色發(fā)光屏體的缺陷發(fā)生率由原來的50％降低至10％。
【專利說明】一種蒸鍍掩膜版

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及0LED區(qū)域多色【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種降低區(qū)域多色0LED缺陷 發(fā)生率的蒸鍍掩膜版，這里所說的基板指的是帶有電極的玻璃基板或柔性基板。

【背景技術(shù)】
[0002] 0LED區(qū)域多色的實現(xiàn)一般是通過區(qū)域蒸鍍不同的有機(jī)材料膜層來實現(xiàn)，而蒸鍍制 作通過掩膜的方式進(jìn)行，那么區(qū)域蒸鍍就需要掩膜版區(qū)域遮擋。如圖1所示，在掩膜版2' 上成型有蒸鍍開口區(qū)域21，在區(qū)域遮擋時會出現(xiàn)掩膜版和基板的發(fā)光區(qū)膜層直接接觸的情 況，這樣就對掩膜版的潔凈度要求會很高，掩膜版上的Particle (顆粒）會直接粘附在基板 的發(fā)光面，形成缺陷，掩膜版與基板產(chǎn)生摩擦，不僅會對基板產(chǎn)生劃傷，還會產(chǎn)生對有機(jī)層 的劃傷所導(dǎo)致的缺陷，嚴(yán)重影響成品率。 實用新型內(nèi)容
[0003] 為了降低區(qū)域多色發(fā)光屏體的缺陷發(fā)生率，提高屏體的成品率，本實用新型提供 了一種蒸鍍掩膜版。
[0004] 所述技術(shù)方案如下：
[0005] -種蒸鍍掩膜版，所述掩膜版上成型一蒸鍍開口區(qū)域，所述蒸鍍開口區(qū)域與基板 的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，其特征在于，所述掩膜版上還成型有凹陷的遮蓋區(qū)域，所述蒸鍍開口區(qū) 域設(shè)置于所述遮蓋區(qū)域內(nèi)，所述遮蓋區(qū)域與待蒸鍍的基板的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，所述遮蓋區(qū) 域與待蒸鍍的基板之間具有一間隙L。
[0006] 所述間隙L為5um?A/tan a um ;其中：A為區(qū)域色之間的暗區(qū)設(shè)計寬度um，α為 蒸鍍角度。
[0007] 所述的區(qū)域色之間的暗區(qū)設(shè)計寬度Α至少為5um;所述的蒸鍍角度α為20°? 40。。
[0008] 所述蒸鍍開口區(qū)域位于所述遮蓋區(qū)域內(nèi)的任一位置。。
[0009] 本實用新型所提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0010] 本實用新型通過在掩膜版上設(shè)置凹陷的遮蓋區(qū)域，將掩膜版的遮蓋區(qū)域接觸基板 發(fā)光面一側(cè)，使得掩膜版遮蓋區(qū)域與玻璃基板的發(fā)光區(qū)域由接觸變?yōu)榉墙佑|，兩者具有一 定間隙，從而避免了掩膜版與基板之間在蒸鍍過程中所發(fā)生的蹭傷或劃傷，提高了基板蒸 鍍的成品率；同時，由于掩膜版的遮蓋區(qū)域與接觸基板發(fā)光面之間存在一定間隙，蒸鍍過程 中掩膜版不接觸基板的發(fā)光面，這樣對掩膜版的潔凈度要求也就大大降低，節(jié)省大量的工 作量，使區(qū)域多色發(fā)光屏體的缺陷發(fā)生率由原來的50%降低至10%。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需 要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實 施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖 獲得其他的附圖。
[0012] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中掩膜版與基板的蒸鍍示意圖；
[0013] 圖2是本實用新型掩膜版與基板的蒸鍍示意圖；
[0014] 圖3是圖2中的最大間隙的計算圖；
[0015] 圖4是圖2中的掩膜版平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖5是圖4中的掩膜版A-A截面示意圖；
[0017] 圖6是本實用新型提供的另一種掩膜版平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖7是圖6中的掩膜版B-B截面示意圖。
[0019] 圖中：1-基板，11-區(qū)域色間的暗區(qū)；2、2'_掩膜版，21-蒸鍍開口區(qū)域，22-遮蓋區(qū) 域。

【具體實施方式】
[0020] 為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新 型實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0021] 如圖2所示，本實用新型提供了一種蒸鍍掩膜版，掩膜版上成型有一與待蒸鍍基 板的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)的蒸鍍開口區(qū)域，掩膜版上成型有凹陷的遮蓋區(qū)域，遮蓋區(qū)域與待蒸 鍍基板的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，遮蓋區(qū)域與待蒸鍍的基板之間具有一間隙L。間隙L可根據(jù)掩 膜版的厚度最小設(shè)定為5um，L的最大間隙可根據(jù)區(qū)域色間的暗區(qū)11進(jìn)行設(shè)計，所述間隙L 最大值為A/tanaum;其中：A為區(qū)域色間的暗區(qū)設(shè)計寬度um，A值的大小可根據(jù)具體設(shè)計 而定，通常至少為5um，α為蒸鍍角度，通常蒸鍍角度 a為20度-40度之間，一般為30度， 如圖2所示。
[0022] 其中的蒸鍍開口區(qū)域位于遮蓋區(qū)域內(nèi)的任一位置，根據(jù)基板的蒸鍍要求設(shè)定多塊 蒸鍍區(qū)域，根據(jù)各塊蒸鍍區(qū)域的位置設(shè)置每塊掩膜版中蒸鍍開口的位置。如圖4和圖5所 示，其中的蒸鍍開口區(qū)域位于遮蓋區(qū)域的一側(cè)。
[0023] 圖6和圖7中，蒸鍍開口區(qū)域位于遮蓋區(qū)域的中部。當(dāng)然蒸鍍開口也可以位于遮 蓋區(qū)域的其它位置，這里不再贅述。
[0024] 具體蒸鍍操作步驟如下：
[0025] 將待蒸鍍基板傳遞進(jìn)入真空腔室，第一塊區(qū)域蒸鍍掩模版也傳遞進(jìn)入此真空腔 室，將基板和掩模版緊密貼合，此時，第一塊蒸鍍區(qū)域進(jìn)行有機(jī)材料的蒸鍍，基板上其他待 蒸鍍區(qū)域沒有直接和掩模版貼合，而是有間隙L，第一塊區(qū)域蒸鍍完畢后，更換掩模版，進(jìn)行 第二塊區(qū)域的蒸鍍，依次類推，直到所有待蒸區(qū)域全部蒸鍍完畢，如圖2所示。
[0026] 上述本實用新型實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。
[0027] 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用 新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種蒸鍍掩膜版，所述掩膜版（2)上成型一蒸鍍開口區(qū)域（21)，所述蒸鍍開口區(qū)域 (21) 與基板的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，其特征在于，所述掩膜版（2)上還成型有凹陷的遮蓋區(qū)域 (22) ，所述蒸鍍開口區(qū)域（21)設(shè)置于所述遮蓋區(qū)域（22)內(nèi)，所述遮蓋區(qū)域（22)與待蒸鍍 的基板（1)的待蒸鍍區(qū)相對應(yīng)，所述遮蓋區(qū)域（22)與待蒸鍍的基板（1)之間具有一間隙L。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述間隙L為5um?A/tan a um ; 其中：A為區(qū)域色之間的暗區(qū)設(shè)計寬度um，α為蒸鍍角度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述的區(qū)域色之間的暗區(qū)設(shè)計寬 度Α至少為5um ;所述的蒸鍍角度α為20°?40°。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述蒸鍍開口區(qū)域（21)位 于所述遮蓋區(qū)域（22)內(nèi)的任一位置。
【文檔編號】C23C14/04GK203999787SQ201420453495
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月12日
【發(fā)明者】王靜, 董艷波 申請人:北京維信諾科技有限公司