擴(kuò)散器的制造方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了擴(kuò)散器。本實(shí)用新型通常涉及氣體分配板，所述氣體分配板被設(shè)計(jì)以確保基板上的大體上均勻沉積。氣體分配板可補(bǔ)償基板角落區(qū)域以及基板邊緣中的非均勻性。為了補(bǔ)償非均勻性，氣體通道口可被根據(jù)需要不同地定尺寸以使得允許更多的氣體流過某些策略上放置的氣體通道，以增加位于氣體分配板之下的基板區(qū)域中的基板上的沉積?？筛淖兛卓诔叽缫孕纬僧a(chǎn)生大體上均勻沉積的孔口直徑梯度或直徑混合。
【專利說明】擴(kuò)散器
[0001]本實(shí)用新型專利申請(qǐng)是2013年12月3日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?01320789059.4，名稱為“用于沉積腔室的擴(kuò)散器”的實(shí)用新型專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本實(shí)用新型的實(shí)施方式通常涉及氣體分配板組件和用于在處理腔室中分配氣體的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]液晶顯示器或平板被通常用于諸如計(jì)算機(jī)和電視監(jiān)視器的有源矩陣顯示器。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)被通常用于在諸如平板顯示器的透明基板或半導(dǎo)體晶片之類的基板上沉積薄膜。PECVD通常是通過引入前驅(qū)物氣體或氣體混合物到包含基板的真空腔室中來完成。前驅(qū)物氣體或氣體混合物通常被向下導(dǎo)向通過位于腔室頂部附近的分配板。通過施加來自耦合至腔室的一個(gè)或多個(gè)射頻(RF)源的射頻(RF)功率到腔室來將腔室中的前驅(qū)物氣體或氣體混合物激勵(lì)(例如，激發(fā))成為等離子體。激發(fā)氣體或氣體混合物反應(yīng)以在基板表面上形成材料層，所述基板位于溫度可控基板支持件上。在反應(yīng)期間產(chǎn)生的易揮發(fā)副產(chǎn)物是通過排氣系統(tǒng)從腔室抽出。
[0004]由PECVD技術(shù)處理的平板典型地較大，往往超過4平方米。尤其與用于200mm和300mm的半導(dǎo)體晶片處理的氣體分配板相比，用于在平板上提供均勻工藝氣流的氣體分配板(或氣體擴(kuò)散器板)在尺寸上相對(duì)較大。此外，由于基板為矩形，基板的邊緣(諸如基板的側(cè)面和角落)經(jīng)歷可能與在基板的其他部分經(jīng)歷的條件不同的條件。這些不同條件影響處理參數(shù)，所述處理參數(shù)諸如薄膜厚度、沉積均勻性和/或薄膜應(yīng)力。
[0005]隨著在平板顯示器行業(yè)中的基板尺寸持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)于大面積PECVD的薄膜厚度和薄膜均勻性控制成為一個(gè)問題。薄膜晶體管(TFT)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AM0LED)而是用于形成平板顯示器的兩種類型的裝置。在基板的中心和邊緣之間的沉積速率和/或諸如薄膜厚度或應(yīng)力的薄膜性質(zhì)的差異變得顯著。
[0006]因此，需要一種改進(jìn)的氣體分配板組件，所述氣體分配板組件改進(jìn)薄膜沉積厚度的均勻性和薄膜性質(zhì)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型通常涉及氣體分配板，所述氣體分配板被設(shè)計(jì)用于確?；迳系拇篌w上均勻沉積。氣體分配板可補(bǔ)償基板角落區(qū)域以及基板邊緣中的非均勻性。為了補(bǔ)償非均勻性，氣體通道口可被根據(jù)需要不同地定尺寸，以使得允許更多的氣體流過某些策略上放置的氣體通道，以增加位于氣體分配板之下的基板區(qū)域中的基板上的沉積?？筛淖兛卓诔叽缫孕纬僧a(chǎn)生大體上均勻沉積的孔口直徑梯度或直徑混合。
[0008]在一個(gè)實(shí)施方式中，一種擴(kuò)散器包括:板，具有邊緣區(qū)域和角落區(qū)域；以及多個(gè)氣體通道，形成在所述板的上游側(cè)和下游側(cè)之間，其中在所述邊緣區(qū)域和所述角落區(qū)域的一個(gè)或兩個(gè)中的所述多個(gè)氣體通道中的一部分包括具有第一直徑的第一孔洞和具有第二直徑的第二孔洞，所述第二直徑小于所述第一直徑。
[0009]在另一實(shí)施方式中，提供一種擴(kuò)散器，該擴(kuò)散器包括:矩形板，具有角落和邊緣；以及形成在所述矩形板的上游側(cè)和下游側(cè)之間的多個(gè)氣體通道，其中形成在所述邊緣和所述角落中的一個(gè)或兩個(gè)中的氣體通道包括局部流動(dòng)梯度結(jié)構(gòu)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]因此，以可詳細(xì)地理解本實(shí)用新型的上述特征的方式，可參考實(shí)施方式獲得上文簡(jiǎn)要概述的本實(shí)用新型的更特定描述，所述實(shí)施方式中的一些實(shí)施方式圖示在附圖中。然而，應(yīng)注意，附圖僅圖示本實(shí)用新型的典型實(shí)施方式且因此不將附圖視為限制本實(shí)用新型的范疇，因?yàn)楸緦?shí)用新型可允許其他同等有效的實(shí)施方式。
[0011]圖1是PECVD腔室的一個(gè)實(shí)施方式的示意截面圖。
[0012]圖2是圖1的擴(kuò)散器的一部分的剖視圖。
[0013]圖3是圖1和圖2的擴(kuò)散器的橫截面平面圖。
[0014]圖4是圖3的擴(kuò)散器的一部分的橫截面平面圖。
[0015]圖5是圖示角落區(qū)域的一個(gè)實(shí)施方式的圖3的擴(kuò)散器的一部分的橫截面平面圖。
[0016]圖6是圖示角落區(qū)域的另一實(shí)施方式的圖3的擴(kuò)散器的一部分的橫截面平面圖。
[0017]為了便于理解，在可能的情況下，已使用相同元件符號(hào)來指定對(duì)諸圖共用的相同元件。可以預(yù)期，一個(gè)實(shí)施方式的元件和特征可有利地并入其他實(shí)施方式中而無需進(jìn)一步敘述。

【具體實(shí)施方式】
[0018]本實(shí)用新型通常涉及氣體分配板，所述氣體分配板被設(shè)計(jì)用于確?；迳系拇篌w上均勻沉積。氣體分配板可補(bǔ)償基板角落區(qū)域以及基板邊緣中的非均勻性。根據(jù)本文所述的實(shí)施方式，氣體分配板通過調(diào)整經(jīng)過氣體分配板的氣流來補(bǔ)償非均勻性，所述氣體分配板在其中沉積不均勻的區(qū)域中。在一個(gè)實(shí)施方式中，在氣體分配板的一個(gè)或多個(gè)部分之內(nèi)的局部流動(dòng)梯度可被調(diào)整以通過氣體分配板的部分相對(duì)于氣體分配板的其他部分提供更大流率，以補(bǔ)償非均勻性。在一個(gè)方面中，氣體通道口可被根據(jù)需要不同地定尺寸，以使得允許更多的氣體流過某些策略上放置的氣體通道，以增加位于氣體分配板之下的基板區(qū)域中的基板上的沉積。可改變孔口尺寸以形成產(chǎn)生大體上均勻沉積的孔口直徑梯度或直徑混口 ο
[0019]在下文中參照PECVD系統(tǒng)說明性地描述本文的實(shí)施方式，所述PECVD系統(tǒng)被設(shè)置以處理大面積基板，所述系統(tǒng)諸如可從加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials, Inc.)的分部AKT獲得的PECVD系統(tǒng)。然而，應(yīng)理解，本實(shí)用新型可用于其他系統(tǒng)設(shè)置，所述系統(tǒng)設(shè)置諸如蝕刻系統(tǒng)、其他化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和其中需要在工藝腔室之內(nèi)的分配氣體的任何其他系統(tǒng)，所述任何其他系統(tǒng)包括被設(shè)置以處理圓形基板的那些系統(tǒng)。
[0020]圖1是用于形成諸如TFT和AM0LED的電子裝置的PECVD腔室100的一個(gè)實(shí)施方式的示意截面圖。應(yīng)注意，圖1僅為可用于基板上的電子裝置的示例性裝置。一個(gè)適當(dāng)?shù)腜ECVD腔室可從位于加尼福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司(Applied Materials, Inc.)獲得?？梢灶A(yù)期，包括來自其他制造商的那些沉積腔室的其他沉積腔室也可用于實(shí)踐本實(shí)用新型。
[0021]腔室100通常包括壁102、底部104、氣體分配板或擴(kuò)散器110和基板支持件130，上述各部分界定工藝空間206。工藝空間106通過穿過壁102形成的可密封狹縫閥108可通達(dá)，以使得基板可被傳遞進(jìn)出腔室100?；逯С旨?30包括用于支持基板105的基板接收表面132，和耦合至升降系統(tǒng)136用于升高和降低基板支持件130的桿134。遮蔽框架133可在處理期間放置在基板105的周邊上。升降桿138通過基板支持件130可移動(dòng)地布置以往返于基板接收表面132移動(dòng)基板105來促進(jìn)基板傳遞?；逯С旨?30也可包括加熱和/或冷卻元件139，用于將基板支持件130和位于所述基板支持件130上的基板105保持在所需溫度下?；逯С旨?30也可包括接地帶131以在基板支持件130的周邊提供RF接地。
[0022]擴(kuò)散器110在所述擴(kuò)散器110的周邊通過懸掛件114耦合至背板112。擴(kuò)散器110也可通過一個(gè)或多個(gè)中心支持件116耦合至背板112，以幫助防止擴(kuò)散器110的下垂和/或控制所述擴(kuò)散器110的平直度/曲率。氣源120被耦合至背板112，以通過背板112提供氣體到形成在擴(kuò)散器110中的多個(gè)氣體通道211，且提供氣體到基板接收表面132。真空泵109被耦合至腔室100以控制工藝空間106之內(nèi)的壓力。RF電源122被耦合至背板112和/或耦合至擴(kuò)散器110，以提供RF功率到擴(kuò)散器110以在擴(kuò)散器110和基板支持件130之間產(chǎn)生電場(chǎng)，以便可由存在于擴(kuò)散器110和基板支持件130之間的氣體形成等離子體。可使用各種RF頻率，所述頻率諸如在約0.3MHz和約200MHz之間的頻率。在一個(gè)實(shí)施方式中，RF電源122在13.56MHz的頻率下提供功率到擴(kuò)散器110。
[0023]諸如電感耦合遠(yuǎn)程等離子體源的遠(yuǎn)程等離子體源124也可耦合在氣源126和背板112之間。在處理基板之間，清洗氣體可被提供到遠(yuǎn)程等離子體源124且被激發(fā)以形成遠(yuǎn)程等離子體，離解的清洗氣體物種從所述遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生且被提供以清洗腔室元件。清洗氣體可進(jìn)一步通過所提供的RF電源122激發(fā)以流經(jīng)擴(kuò)散器110，以降低被分離清洗氣體物種的重新結(jié)合。適當(dāng)?shù)那逑礆怏w包括但不限于即3、匕和SF6。
[0024]在一個(gè)實(shí)施方式中，可利用加熱和/或冷卻元件139以在沉積期間保持基板支持件130和在基板支持件130上的基板105的溫度小于約400攝氏度或更少的溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，可使用加熱和/或冷卻元件139控制基板溫度小于100攝氏度，諸如在20攝氏度和約90攝氏度之間。
[0025]在沉積期間，在布置在基板接收表面132上的基板105的頂表面和擴(kuò)散器110的底表面140之間的間隔可在400密耳和約1，200密耳之間，例如在400密耳和約800密耳之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，擴(kuò)散器110的底表面140可包括凹曲度，在所述凹曲度中，擴(kuò)散器110的中心區(qū)域比擴(kuò)散器110的周邊區(qū)域更薄，如圖1的剖視圖中所示。
[0026]腔室100可被用于通過PECVD工藝?yán)孟♂屧谝谎趸?N20)中的硅烷(SiH4)氣體沉積氧化硅(S1x)，所述氧化硅(S1x)被廣泛地在TFT和AM0LED中用作柵極絕緣體薄膜、用于熱耗散的緩沖層以及蝕刻終止層。氧化膜的均勻性(即，厚度)對(duì)諸如遷移率和漏極電流均勻性的最終裝置性能具有顯著影響，且因此所述均勻性在工藝的發(fā)展中非常關(guān)鍵。需要橫跨基板表面的約5%，或更少的薄膜均勻性，以及最小的邊緣排除。雖然已針對(duì)此目標(biāo)進(jìn)行許多進(jìn)展，但是存在其中未獲得均勻性的基板區(qū)域。例如，諸如基板的角落區(qū)域和側(cè)面的基板邊緣經(jīng)歷較低沉積速率，所述較低沉積速率在這些區(qū)域處產(chǎn)生小于其他區(qū)域的薄膜厚度。雖然不希望受理論的約束，但是在邊緣區(qū)域中的較低沉積速率的原因歸因于相鄰這些區(qū)域的電磁場(chǎng)變化和/或氣體分配。本實(shí)用新型的擴(kuò)散器110已被開發(fā)且測(cè)試以克服這些效應(yīng)且最小化在基板105上形成的薄膜中的非均勻性。
[0027]圖2是圖1的擴(kuò)散器110的一部分的剖視圖。擴(kuò)散器110包括面向背板112(圖示在圖1中)的第一或上游側(cè)202，和面向基板支持件130 (圖示在圖1中)的相對(duì)第二或下游側(cè)204。每一氣體通道111由通過孔洞214耦合至第二孔212的第一孔210限定，所述第一孔210、孔洞214和第二孔212組合以形成通過擴(kuò)散器110的流體路徑。第一孔210從擴(kuò)散器110的上游側(cè)202延伸第一深度230到底部218。第一孔210的底部218可以是錐形、斜角、倒角和圓角，以當(dāng)氣體從第一孔210流動(dòng)到孔洞214中時(shí)使流動(dòng)限制最小化。第一孔210通常具有約0.093英寸到約0.218英寸的直徑，且在一個(gè)實(shí)施方式中，第一孔210是約0.156英寸。
[0028]擴(kuò)散器110的厚度在約0.8英寸到約3.0英寸之間，例如在約0.8英寸到約2.0英寸之間。在擴(kuò)散器110中形成第二孔212，且第二孔212從下游側(cè)(或端部)204延伸到約0.10英寸至約2.0英寸的深度232。在一個(gè)實(shí)施方式中，深度232在約0.1英寸到約1.0英寸之間。第二孔212的直徑236通常是約0.1英寸到約1.0英寸，且直徑236可以約10度到約50度的角度216擴(kuò)張。在一個(gè)實(shí)施方式中，直徑236在約0.1英寸到約0.5英寸之間，且擴(kuò)張角度216在約20度到約40度之間。第二孔212的表面在約0.05平方英寸到約10平方英寸之間，且在一個(gè)實(shí)施方式中，所述表面在約0.05平方英寸到約5平方英寸之間。第二孔212的直徑代表與下游表面204相交的直徑。用于處理1500mmX 1850mm的基板的擴(kuò)散器110的實(shí)例具有直徑為0.250英寸和擴(kuò)張角度216為約22度的第二孔212。相鄰第二孔212的邊緣282之間的距離280是在約0.0英寸到約0.6英寸之間，且在一個(gè)實(shí)施方式中，所述距離280是在約0.0英寸到約0.4英寸之間。第一孔210的直徑通常但不限于為至少等于或小于第二孔212的直徑。第二孔212的底部220可以是錐形、斜角、倒角或圓角以最小化從孔洞214流出且流入到第二孔212中的氣體的壓力損失。此外，因?yàn)榭锥?14對(duì)下游側(cè)204的接近用于最小化第二孔212的暴露表面區(qū)域和面向基板的下游側(cè)204，暴露于在腔室清洗期間提供的氟的擴(kuò)散器110的下游區(qū)域被減小，從而降低沉積膜的氟污染的發(fā)生。
[0029]孔洞214通常將第一孔210的底部218和第二孔212的底部220耦合?？锥?14通常具有約0.01英寸到約0.3英寸，例如約0.01英寸到約0.1英寸的直徑，且孔洞214典型地具有約0.02英寸到約1.0英寸，例如，約0.02英寸到約0.5英寸的長(zhǎng)度234?？锥?14的長(zhǎng)度234和直徑(或其他幾何屬性)是在擴(kuò)散器110和背板112 (圖示在圖1中)之間的空間中的背壓的主要來源，所述背壓促進(jìn)氣體橫跨擴(kuò)散器110的上游側(cè)202的均勻分配。孔洞214被典型地在多個(gè)氣體通道111之間均勻地配置；然而，通過孔洞214的限制可在氣體通道111之間不同地配置，以相對(duì)于另一范圍或區(qū)域促進(jìn)更多的氣體流經(jīng)擴(kuò)散器110的一個(gè)范圍或區(qū)域。例如，孔洞214可在接近于處理腔室100的壁102 (圖示在圖1中)的擴(kuò)散器110的那些氣體通道111中具有較大直徑和/或較短長(zhǎng)度234，以使更多的氣體流經(jīng)擴(kuò)散器110的邊緣以增加在基板105的周邊區(qū)域部分處的沉積速率。
[0030]圖3是圖示形成在所述擴(kuò)散器110中的孔洞214的圖1和圖2的擴(kuò)散器110的橫截面平面圖。擴(kuò)散器110包括在角落305A至30?處連接的四個(gè)鄰邊300A至300D。邊300A和300C界定擴(kuò)散器110的主要邊緣，而邊300B和300D界定擴(kuò)散器110的次要邊緣。
[0031]在擴(kuò)散器110的側(cè)面300A上由彎曲的虛線指示區(qū)域310。區(qū)域310包括擴(kuò)散器110的區(qū)域，在所述區(qū)域中，孔洞214包括不同于擴(kuò)散器110中的其他孔洞214的流動(dòng)限制屬性。雖然僅在側(cè)面300A上圖示區(qū)域310，但是一個(gè)或所有側(cè)面300B至300D可包括區(qū)域310。擴(kuò)散器110還包括由相鄰角落305A的彎曲的虛線指示的區(qū)域315。區(qū)域315包括擴(kuò)散器110的區(qū)域，在所述區(qū)域中，孔洞214包括不同于擴(kuò)散器110中的其他孔洞214的流動(dòng)限制屬性。雖然區(qū)域315被圖示為相鄰角落305A，但是一個(gè)或所有角落305B至30?可包括區(qū)域315。
[0032]區(qū)域310、315可界定其中根據(jù)本文所述的實(shí)施方式提供局部流動(dòng)梯度的擴(kuò)散器110的部分。局部流動(dòng)梯度可包括由一個(gè)或多個(gè)孔洞214組成的結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或多個(gè)孔洞214具有不同于擴(kuò)散器110中的其他孔洞214的流動(dòng)限制屬性。局部流動(dòng)梯度可通過一個(gè)或多個(gè)孔洞214提供，所述一或多個(gè)孔洞214具有直徑，所述直徑不同于擴(kuò)散器110中的其他孔洞214的直徑。局部流動(dòng)梯度可包含結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)由具有第一直徑的一個(gè)孔洞214組成，所述孔洞214被具有第二直徑的其他孔洞214圍繞，所述第二直徑不同于所述第一直徑。局部流動(dòng)梯度也可包含結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)由具有第一直徑的一組孔洞214組成，所述一組孔洞214相鄰于具有第二直徑的其他孔洞214，所述第二直徑不同于所述第一直徑。另外，局部流動(dòng)梯度可包含由具有第一直徑的一個(gè)或多個(gè)孔洞214的組組成的結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或多個(gè)孔洞214的組散布在具有第二直徑的其他孔洞214之內(nèi)，所述第二直徑不同于所述第一直徑。
[0033]圖4是圖3的擴(kuò)散器110的區(qū)域310的一部分的橫截面平面圖。圖示了多個(gè)孔洞405、410、415、420、425和430，所述孔洞表示圖3中所示的孔洞214的一個(gè)實(shí)施方式。行1至行6被圖示為區(qū)域310的子區(qū)域400，且行1至行6包括具有不同流動(dòng)限制屬性的孔洞405、410、415、420、425和430，所述屬性包含局部流動(dòng)梯度結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式。在行1中包括孔洞405且孔洞405可包括第一直徑，所述第一直徑大于行2的孔洞410的直徑。在行3中包括孔洞415且孔洞415可包括第二直徑，所述第二直徑大于行4的孔洞420的直徑。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一直徑的孔洞可大于具有最小直徑的擴(kuò)散器110的孔洞η的直徑約30%。在另一實(shí)施方式中，第二直徑可大于具有最小直徑的擴(kuò)散器110的孔洞η的直徑約20%。在一個(gè)實(shí)施方式中，擴(kuò)散器110的孔洞η的直徑(即，最小直徑)是約17密爾至約22密爾，例如約18密爾至約20密爾?？锥?05、410、415、420、425和430的直徑差異的圖案可在區(qū)域310之內(nèi)變化。在一個(gè)實(shí)施方式中，孔洞405、410、415、420、425和430的直徑從側(cè)面300Α到在區(qū)域310之內(nèi)的擴(kuò)散器110的中心減小。在另一實(shí)施方式中，孔洞405包括第一直徑，所述第一直徑大于孔洞410、415、420、425和430的一個(gè)或組合的直徑。在另一實(shí)施方式中，在子區(qū)域400中的多個(gè)選擇的行可包括一個(gè)或多個(gè)孔洞，所述一個(gè)或多個(gè)孔洞具有類似于孔洞405的直徑的直徑，所述孔洞405大于孔洞410、415、420、425和430。在另一實(shí)施方式中，具有不同直徑的孔洞405、410、415、420、425和430可在行1至6的每一行中混合。
[0034]圖5是圖示區(qū)域315的一個(gè)實(shí)施方式的圖3的擴(kuò)散器110的一部分的橫截面平面圖。多個(gè)第一孔洞505Α被圖示在具有第二直徑的多個(gè)第二孔洞505Β當(dāng)中，所述布置包含局部流動(dòng)梯度結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方式。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二直徑小于第一直徑。在一個(gè)方面中，第一孔洞505A的直徑大于第二孔洞505B的直徑約20%至約30%。在一個(gè)實(shí)施方式中，多個(gè)第一孔洞505A包含群集510，且這些群集510的一個(gè)或多個(gè)群集可被包括在區(qū)域315 中。
[0035]圖6是圖示區(qū)域315的另一實(shí)施方式的圖3的擴(kuò)散器110的一部分的橫截面平面圖。在此實(shí)施方式中，多個(gè)第一孔洞605A被圖示為布置在多個(gè)第二孔洞605B、605C和60?周圍，所述布置包含局部流動(dòng)梯度結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方式。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)第一孔洞605A包括一直徑，所述直徑小于每個(gè)第二孔洞605B、605C和60?的直徑。在另一實(shí)施方式中，第二孔洞的一部分具有一直徑，所述直徑大于第一孔洞605A的直徑約20%至約30%。在另一實(shí)施方式中，第二孔洞的一部分(諸如孔洞605B)的直徑大于第一孔洞605A和其余第二孔洞605C和60?兩者的直徑。在另一實(shí)施方式中，第二孔洞的一部分(諸如孔洞605B)的直徑大于第一孔洞605A和其余第二孔洞605C和60?的直徑，且所述其余第二孔洞605C和60?具有相同大小。
[0036]具有如本文所述的變化孔洞的擴(kuò)散器110的實(shí)施方式增加氣體流動(dòng)且補(bǔ)償在基板的角落區(qū)域和/或邊緣區(qū)域上的低沉積速率。因此，改進(jìn)了整個(gè)薄膜厚度均勻性?？筛鶕?jù)本文所述的實(shí)施方式制造擴(kuò)散器110，或如本文所述的孔洞可在改型工藝中添加到現(xiàn)有擴(kuò)散器。
[0037]類似于擴(kuò)散器110的擴(kuò)散器的角落區(qū)域被測(cè)試，且本實(shí)用新型的擴(kuò)散器展示沉積速率中的15%的增加。此外，因此，在具有1個(gè)擴(kuò)大孔洞的角落處的角落對(duì)角線輪廓在15mm的邊緣排除處從96%提高到98%。
[0038]雖然前述內(nèi)容是針對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式，但是可在不背離本實(shí)用新型的基本范圍的情況下設(shè)計(jì)本實(shí)用新型的其他和進(jìn)一步實(shí)施方式，且本實(shí)用新型的范圍是由所附權(quán)利要求書所決定。
【權(quán)利要求】
1.一種擴(kuò)散器，包括: 板，具有邊緣區(qū)域和角落區(qū)域；以及多個(gè)氣體通道，形成在所述板的上游側(cè)和下游側(cè)之間，其中在所述邊緣區(qū)域和所述角落區(qū)域的一個(gè)或兩個(gè)中的所述多個(gè)氣體通道中的一部分包括具有第一直徑的第一孔洞和具有第二直徑的第二孔洞，所述第二直徑小于所述第一直徑。
2.如權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散器，其中剩余的多個(gè)孔洞的至少一部分包括第三直徑，所述第三直徑小于所述第一直徑。
3.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散器，其中所述第一直徑大于所述第三直徑30%。
4.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散器，其中所述剩余的多個(gè)孔洞的至少一部分包括第四直徑，所述第四直徑小于所述第三直徑。
5.如權(quán)利要求4所述的擴(kuò)散器，其中所述第一直徑大于所述第四直徑30%。
6.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散器，其中所述第二直徑和所述第三直徑大體上相同。
7.如權(quán)利要求4所述的擴(kuò)散器，其中所述第二直徑和所述第三直徑大于所述第四直徑20%。
8.如權(quán)利要求7所述的擴(kuò)散器，其中所述第一直徑大于所述第四直徑30%。
9.如權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散器，其中在所述角落區(qū)域中的所述多個(gè)氣體通道的所述部分包括具有所述第一直徑的孔洞群集。
10.如權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散器，其中在所述邊緣區(qū)域中的所述多個(gè)氣體通道的所述部分包括一個(gè)或多個(gè)第一行的第一孔洞，和關(guān)于所述一個(gè)或多個(gè)第一行的第一孔洞向內(nèi)定位的一個(gè)或多個(gè)第二行的第二孔洞。
11.一種擴(kuò)散器，包括: 矩形板，具有角落和邊緣；以及 形成在所述矩形板的上游側(cè)和下游側(cè)之間的多個(gè)氣體通道，其中形成在所述邊緣和所述角落中的一個(gè)或兩個(gè)中的氣體通道包括局部流動(dòng)梯度結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的擴(kuò)散器，其中所述局部流動(dòng)梯度結(jié)構(gòu)包括具有第一直徑的第一孔洞和具有第二直徑的第二孔洞，且剩余的多個(gè)孔洞包括第三直徑，所述第一直徑大于所述第二直徑和所述第三直徑。
13.如權(quán)利要求12所述的擴(kuò)散器，其中所述第一直徑大于所述第三直徑30%。
14.如權(quán)利要求12所述的擴(kuò)散器，其中所述剩余的多個(gè)孔洞包括第四直徑，所述第四直徑小于所述第三直徑。
15.如權(quán)利要求14所述的擴(kuò)散器，其中所述第二直徑和所述第三直徑大體上相同。
16.如權(quán)利要求14所述的擴(kuò)散器，其中所述第一直徑大于所述第四直徑30%。
17.如權(quán)利要求16所述的擴(kuò)散器，其中所述第二直徑和所述第三直徑大體上相同。
18.如權(quán)利要求17所述的擴(kuò)散器，其中所述第二直徑和所述第三直徑中的每一個(gè)大于所述第四直徑20%。
19.如權(quán)利要求18所述的擴(kuò)散器，其中所述第一直徑大于所述第四直徑30%。
20.如權(quán)利要求12所述的擴(kuò)散器，其中在所述角落中的所述多個(gè)氣體通道的部分包括具有所述第一直徑的孔洞群集。
21.如權(quán)利要求12所述的擴(kuò)散器，其中在所述邊緣中的所述多個(gè)氣體通道的部分包括一個(gè)或多個(gè)第一行的第一孔洞，和關(guān)于所述一個(gè)或多個(gè)第一行的第一孔洞向內(nèi)定位的一個(gè)或多個(gè)第二行的第二孔洞。
【文檔編號(hào)】C23C16/455GK204039498SQ201420458984
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】L·趙, 古田學(xué), 王群華, 崔壽永, D·李, 樸范洙, H-L·楊 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司