焊接用線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種銀焊接用線，其與金焊接線相比廉價且可通過球焊接法和釘頭凸點法的組合穩(wěn)定地連接。線W是以Ag為主成分，Au的添加量為0.9質(zhì)量％～2.6質(zhì)量％，Pd的添加量為0.1質(zhì)量％～1.5質(zhì)量％，且Au和Pd的添加量合計為1.0質(zhì)量％～3.0質(zhì)量％，選自Ca、稀土類元素中的1種以上的元素合計為20～500質(zhì)量ppm，選自Cu、Ni中的1種以上的元素合計為1000～10000質(zhì)量ppm。該線W的0.2％耐力與其拉伸強度的比為90％以上，其電阻率為3.0μΩ·cm以下。
【專利說明】焊接用線

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于通過球焊接法和釘頭凸點法的組合而將功率集成電路（power 1C)、LSI、晶體管、BGA(球柵陣列封裝：Ball Grid Array package)、QFN(方形扁平無引腳 封裝：Quad Flat Non lead package)、LED (發(fā)光二極管）等半導體封裝中的半導體元件上 的電極彼此或電極與引線框、陶瓷基板、印刷基板等電路配線基板的導體配線進行連接的 焊接用線。

【背景技術】
[0002] 如圖1所示，上述BGA等半導體封裝例如是如下結(jié)構(gòu)：在配線板1上介由焊接球 2設置封裝基板3,進而，將半導體元件（芯片）5介由芯片焊接材料4設置于該封裝基板3 上，利用密封材料6將該半導體元件5密封。在該半導體封裝中的半導體元件5的電極a 與封裝基板3的導體配線（端子）c的電連接中通常使用球焊接法。
[0003] 但是，在需要將電極a彼此連接時，若直接對電極a進行針腳式焊接，則有可能電 極a被破壞，因此在一個電極a上設置釘頭凸點，與另一電極a進行第一次接合后，在設置 有釘頭凸點的電極a上進行針腳式焊接。
[0004] 另外，電極a與封裝基板3的導體配線（端子）C的電連接是如下進行的，S卩，通 過球焊接法進行接合后，為了提高接合可靠性而在針腳式焊點部上設置釘頭凸點（安全焊 接）。
[0005] 此外，為了進行半導體封裝的低背化，也在封裝基板3的導體配線（端子）c形成 第一焊點且對電極a進行針腳式焊接，但在這種情況下，預先在電極a上形成釘頭凸點，在 其上進行針腳式焊接（逆焊接）。
[0006] 如此，半導體封裝中的半導體元件5的電極a與封裝基板3的導體配線（端子）c 的電連接有時通過球焊接法和釘頭凸點法的組合進行接合。
[0007] 此外，如圖2所示，對于作為上述半導體元件之一的LED的封裝而言，例如是介由 芯片焊接材料12將LED15設置于外殼散熱器11，利用混合有熒光體e的密封材料14將 LED15密封的結(jié)構(gòu)。該封裝中的LED15的電極a與形成電路配線基板的外殼電極13的導體 配線（端子）c的電連接與BGA等半導體封裝同樣地通過上述球焊接法和釘頭凸點法的組 合進行。圖中，16為樹脂制殼體。
[0008] 上述釘頭凸點法中的釘頭凸點例如如圖3(a)?（f)所示地形成。S卩，從線W插通 毛細管IOa而在其頂端形成球（FAB :Free Air Ball)b的狀態(tài)開始，打開夾具10b，毛細管 IOa朝向集成電路元件上的電極a下降。此時，球（FAB)b被捕捉于毛細管IOa內(nèi)。
[0009] 若熔融球b與作為目標的電極a接觸（若毛細管IOa到達電極a)，則毛細管IOa 夾住熔融球b，對熔融球b給予熱?負荷?超聲波，由此熔融球b被壓接（成為壓接球b'） 而與電極a固相接合后（圖3 (b)，打開夾具10b，使毛細管IOa稍微上升。其后，關閉夾具 l〇b，通過各種毛細管IOa的動作，將線W從壓接球b'切斷（圖3(c)?（f))。將如此形成 的壓接球b'稱為釘頭凸點。
[0010] 將該釘頭凸點b'與球焊接法組合而成的連接方法例如是在逆焊接中，經(jīng)過圖 3(a)?（f)所示的方式后，如圖3(g)所示，毛細管IOa上升至一定高度后，在被確保在該毛 細管IOa的頂端的線W的頂端部分，以放電棒g施加高電壓而放電（放出電火花），以其熱 熔解線W，該熔解的線原材料利用表面張力而成為接近球狀的熔融球b并凝固（圖3 (g))。
[0011] 接著，如圖3(h)所示，夾住該熔融球b的毛細管IOa移動至導體配線C的正上方 后，朝向?qū)w配線c下降并被按壓（圖3(i))。與此同時，對其按壓部位給予熱?負荷?超 聲波，由此熔融球b被壓接（成為壓接球b'）而與導體配線c固相接合后，夾具IOb打開并 上升，同時朝向電極a上移動（圖3(j)?（k))。此時，為了形成穩(wěn)定的環(huán)，有時進行使毛細 管IOa進行特殊的移動而對線W附加"特征"的動作（參照從圖3 (k)的點劃線至實線）。
[0012] 到達被形成于電極a上的釘頭凸點b'的正上方的毛細管IOa朝向釘頭凸點b'下 降，將線W按壓至釘頭凸點（第二目標）b'。與此同時，對其按壓部位給予熱?負荷?超聲 波，由此使線W變形，形成用于使線W與釘頭凸點b'接合的針腳式焊點，以及在以下步驟中 確保尾部的尾部焊點（第二接合，圖13(1)?（m))。
[0013] 形成該兩個焊點后，毛細管IOa在殘留著線W的狀態(tài)下上升，在毛細管IOa的頂端 確保一定長度的尾部后，關閉夾具IOb (握住線W)，從尾部焊點的部分扯掉線W(圖13 (m)? (n))。
[0014] 毛細管IOa上升至所需的高度時停止，在被確保于該毛細管IOa的頂端的線W的 頂端部分，以放電棒g施加高電壓而放電（放出電火花），以其熱熔解線W，該熔解的線原材 料利用表面張力而成為接近球狀的熔融球b并凝固（圖13 (〇))。
[0015] 通過以上作用結(jié)束一個循環(huán)，以后，利用同樣的作用，通過球焊接法和釘頭凸點法 的組合完成電極a與導體配線c的連接。
[0016] 以上循環(huán)是釘頭凸點法-球焊接法的情況且在形成釘頭凸點b'后進行球焊接，但 是在球焊接法-釘頭凸點法的情況下（進行安全焊接時），一個循環(huán)中的順序不同，圖3中， 釘頭凸點b'的形成成為后面。S卩，如圖4(a)?（h)所示，首先對電極a進行圖3的（h)? (〇)的操作后，如圖4 (i)?（〇)所示，對進行了針腳式焊接的導體配線c進行圖3(a)?（g) 的操作。
[0017] 作為將該球焊接法和釘頭凸點法組合而接合的焊接線（線）W的材質(zhì)，可使用 4N(純度：99. 99質(zhì)量％以上）?2N的金。如此多用金是由于金即使在大氣中被暴露于熱 也不氧化，因此無論在針腳式焊點上形成釘頭凸點的情況下，還是在釘頭凸點上進行針腳 式焊接的情況下，均對接合沒有特別的影響。此外，金通過適當?shù)剡x擇添加元素，可以在形 成釘頭凸點時容易地切斷線，生產(chǎn)穩(wěn)定。
[0018] 另一方面，BGA等半導體封裝中，金焊接線W由于昂貴，已經(jīng)被替換為廉價的銅 (Cu)焊接線。進而，開發(fā)并部分地使用了通過在該銅焊接線表面被覆鈀（Pd)等而提高在銅 焊接線中成為課題的第二接合性且改善了生產(chǎn)率的Pd被覆銅焊接線（下述專利文獻1)。 此外，關于銀（Ag)焊接線，也被開發(fā)并部分地使用（下述專利文獻2?5)。
[0019] 專利文獻
[0020] 專利文獻1 :日本特開2007-123597號公報
[0021] 專利文獻2 :日本特開昭57-194232號公報
[0022] 專利文獻3 :日本特開昭58-6948號公報
[0023] 專利文獻4 :日本特開平11-288962號公報
[0024] 專利文獻5 :日本專利第4771562號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0025] 金焊接線是昂貴的。作為其代替材料的銅焊接線雖然廉價，但是與金焊接線相比 FAB硬，若電極a的芯片脆弱，則產(chǎn)生芯片損壞的可能性變高。此外，與金焊接線相比，第二 接合性差，連續(xù)焊接性存在問題。
[0026] Pd被覆銅焊接線與銅焊接線相比第二接合性良好，連續(xù)焊接性良好，但存在FAB 與銅焊接線相比進一步變硬，因此存在芯片損壞產(chǎn)生的問題。
[0027] 此外，以往，在LED封裝中使用被覆了 Au的電極a的LED15,與電極a的連接中使 用金焊接線。使用了該金的組合無法降低成本，因此在LED15應用中也期望廉價的焊接線。 但是，銅焊接線在連續(xù)焊接性方面存在困難，Pd被覆銅焊接線的FAB變硬，因此有可能產(chǎn)生 芯片損壞。此外，若使用銅焊接線或Pd被覆銅焊接線，則由于焊接線自身的反射率低，線部 分形成陰影，因此有時也根據(jù)LED15的種類而使LED15自身的亮度下降。
[0028] 此外，若使用銅焊接線或Pd被覆銅焊接線，則在制作釘頭凸點b '后進行針腳式焊 接時，在進行針腳式焊接為止的期間釘頭凸點b'會氧化，針腳式焊點無法穩(wěn)定。在進行針 腳式焊接后進行釘頭凸點b'的安全焊接的情況也相同，在針腳式焊接后進行釘頭凸點為止 的期間，針腳式焊點部會氧化，因此釘頭凸點無法穩(wěn)定地接合。
[0029] 此外，對于以往的銀焊接線而言，一般在形成球b時為了防止氧化而吹送氮（N2) 氣體并放電。與此相對，在專利文獻2、3中記載有通過在Ag(銀）中添加Al (鋁）或Mg(鎂）， 即使在不吹送N2氣體的情況下在大氣中放電，也可以得到形狀良好的球b。
[0030] 但是，近年來，BGA的半導體封裝中，電極a變小，此外，電極a彼此的距離也變近， 因此需要得到更穩(wěn)定的圓球狀的球b，因此對于銀焊接線也優(yōu)選吹送N2氣體而放電。吹送 該N2氣體而放電時，可以防止從周圍侵入氧，但是將線頂端熔融時上述添加的Al或Mg從 線表面的氧化銀奪取氧，形成Al2O3或MgO。此時，若大量地含有Al或Mg,則存在如下問題： 在球b表面大量地生成該Al2O3或MgO,與電極a接合時硬質(zhì)的Al2O 3或MgO損傷電極a。
[0031] 同樣地，專利文獻4中記載有為了使線強度、耐熱性提高而添加Ca (鈣）、Sr (鍶）、 Y(釔）、La(鑭）、Ce(鈰）、Eu(銪）、Be(鈹）、Ge(鍺）、In(銦）、Sn(錫），但是若大量地 添加這些元素，則存在球b的硬度上升而損傷電極a的問題。
[0032] 此外，專利文獻4中記載有為了提高線的接合可靠性而添加Pt (鉬）、PcU Cu、 Ru (釕）、Os (鋨）、Rh (銠）、Ir (銥）、Au。但是，若大量地添加這樣的元素，則存在線自身 的電阻上升而損害作為焊接線W的性能的問題。S卩，如上所述，BGA等半導體封裝中，電極a 更小，其電極a間的距離也更近，因此要求減小第一接合部。
[0033] 因此，需要減小焊接線的直徑，但是線的電阻與線的直徑為反比例，因此若線自身 的電阻高，則存在無法減小線的直徑的問題。此外，LED15中，為了提高光度而操作電流變 高，但是若線的電阻高，則產(chǎn)生發(fā)熱的問題，產(chǎn)生縮短密封樹脂的壽命的問題。
[0034] 此外，制作釘頭凸點b'時通過毛細管IOa的操作而切斷線W(參照圖3(d)、（e))， 但若線W與熔融球b正上方的晶粒的大小具有差別，則該切斷可穩(wěn)定地進行。S卩，在線W的 頂端部分，以放電棒g施加高電壓而放電（放出電火花），以其熱熔解線W，制作熔融球b時， 熔融球b的正上方的線W部受到熱影響，但若線W自身的晶粒大，則由熱影響所致的晶粒的 粗大化未發(fā)展而沒有出現(xiàn)晶粒的差別。相反，若線W自身的晶粒微細，則在受到熱影響而發(fā) 生晶粒粗大化的部分與微細部分的交界容易發(fā)生切斷。
[0035] 然而，以往的銀焊接線中，針對0? 2%耐力（Yield Strength以下設為"YS"）與拉 伸強度（Tensile Strength:以下設為"TS"）的比（100XYS/TS)小于80%的區(qū)域進行調(diào) 質(zhì)。即，施加高溫或長時間的調(diào)質(zhì)熱處理，線W的晶粒大。在這樣的線W的晶粒大的情況下， 如上所述，制成熔融球b時，未產(chǎn)生晶粒的差別，釘頭凸點制作時的切斷無法穩(wěn)定地進行， 不僅釘頭凸點的形狀產(chǎn)生偏差，而且無法很好地切斷的情況下，發(fā)生停機。
[0036] 專利文獻5中有涉及"一種焊接線，是由Ag、Au和Pd構(gòu)成的三元合金系焊接線，金 (Au)為4?10質(zhì)量％、鈕（Pd)為2?5質(zhì)量％、氧化性非貴金屬添加元素為15?70質(zhì)量 ppm、以及剩余部分由銀（Ag)構(gòu)成"的記載。但是，如該文獻中記載的焊接線在制作如上所 述的釘頭凸點時的切斷性未被考慮，存在釘頭凸點形狀偏差、停機發(fā)生的可能性。
[0037] 該發(fā)明基于以上實際情況，其課題是提供一種與金焊接線相比廉價且可通過球焊 接法和釘頭凸點法的組合穩(wěn)定地連接的銀焊接用線。
[0038] 為了達成上述課題，該發(fā)明在通過球焊接法和釘頭凸點法的組合而連接的焊接用 線中，采用以下構(gòu)成：以Ag為主成分，Au的添加量為0.9質(zhì)量％?5.0質(zhì)量％，Pd的添加 量為〇. 1質(zhì)量％?5. 0質(zhì)量％，且Au和Pd的添加量合計為I. 0質(zhì)量％?8. 0質(zhì)量％，該線 (W)的常溫下的0.2%耐力（YS)與拉伸強度（TS)的比（100XYS/TS)為80%以上，優(yōu)選為 90%以上。
[0039] 在該構(gòu)成中，可以設為合計包含20?500質(zhì)量ppm的選自Ca、稀土類元素中的1 種以上的元素，進而可以設為合計包含1000?10000質(zhì)量ppm的選自Cu、Ni中的1種以上 的元素，此外，線的電阻率可以設為5. Oii Q ? cm以下，優(yōu)選設為3. Oii Q ? cm以下。
[0040] 以該Ag為主體的焊接線與以Au為主體的金焊接線相比，能夠制得廉價的焊接線。
[0041] Au是為了得到良好的FAB而添加的。通常使用純Ag線制作FAB時，在以由放電棒 g形成的電火花熔融的線W頂端形成的熔融球b變得不穩(wěn)定，難以穩(wěn)定地得到圓球度高的 FAB。但是，若添加0. 9質(zhì)量％以上的Au且以Au和Pd的合計量計添加I. O質(zhì)量％以上，則 熔融球b穩(wěn)定且可以得到圓球度高的FAB。此外，若Au的添加量大于5. O質(zhì)量％，則線變得 昂貴。從該方面出發(fā)，Au的添加量優(yōu)選設為2. 6質(zhì)量％以下。
[0042] Pd是為了得到第一接合部的耐腐蝕性而添加的。在BGA等半導體封裝的電極a中 大多被覆鋁或鋁合金。LED的電極a大多被覆金，但是有時也使用鋁或鋁合金的被覆材料。 若銀與鋁接合，則在接合界面生成銀和鋁的金屬間化合物層。若該化合物層中生長Ag2Al， 則濕潤環(huán)境下的耐腐蝕性變差。若在Ag線中添加0. 1質(zhì)量％以上的Pd,則在FAB的外周部 形成Pd濃化層，由此可以抑制Ag2Al的生成。但是，若Pd的添加量大于5. O質(zhì)量％，則產(chǎn) 生FAB變硬、電極a產(chǎn)生裂紋等問題。
[0043] 即使分別單獨添加PcUAu也有效果，但與僅添加某一定量的Pd或Au的情況相比， 以Pd和Au的合計等量添加時熔點變高，因此復合添加Pd和Au而成的線的耐熱性變高。因 此,對于Pd和Au的添加量，合計設為I. O質(zhì)量％?8. O質(zhì)量％。
[0044] 若添加Pd和Au的添加量的合計大于8. O質(zhì)量％的量，則線的電阻變高。此外，球 b的硬度變高，第一接合時會損傷電極a。此外，若添加量的合計小于3. O質(zhì)量％，則線的電 阻變得接近金線，因此能夠減小線徑。
[0045] 這里，若線的電阻率大于3. Oii Q ? cm且為5. Oii Q ? cm以下，則可以通過增大 線徑而得到必需的電特性，因此沒有問題，但若為3. Oy Q ? cm以下，則變得等于或小于 2N(99% )Au線的電阻率，因此對于該2NAu線，本發(fā)明的線的替換變得容易，或可以進行替 換。
[0046] Ca、稀土類元素是為了提高線強度、耐熱性而添加的，但若小于20質(zhì)量ppm，則該 線的耐熱性變低而產(chǎn)生實用上的問題。此外，若添加量大于500質(zhì)量ppm，則球b的硬度變 高，第一接合時會損傷電極a。因此，Ca、稀土類元素的合計添加量設為20?500質(zhì)量ppm。 此外，更優(yōu)選為20?100質(zhì)量ppm，若為該范圍，則線的耐熱性高，也可以更低地抑制第一接 合時的電極a的損傷的程度。
[0047] 這里，稀土類元素難以獲得，因此最優(yōu)選添加Ca。此外，在稀土類元素中，優(yōu)選以極 微量的添加而對提高線的耐熱性?強度有效的Y、Gd,以及通過使添加元素與Ag形成化合 物來使化合物分散于作為基質(zhì)的Ag中而有助于線的高強度化的La、Ce。
[0048] 此外，需要高強度化時，除了 Ca、稀土類元素的添加以外，Cu、Ni的添加是有效的。 Cu、Ni不與Ca、稀土類元素反應而容易與作為基質(zhì)的Ag進行合金化，因此不損害Ca、稀土 類元素的添加效果，有助于基質(zhì)的高強度化。這里，若其合計添加量小于1000質(zhì)量ppm，則 沒有線的高強度化的效果，若大于10000質(zhì)量ppm，則球b的硬度變高，第一接合時會損傷電 極a。因此Cu、Ni的合計添加量優(yōu)選為1000?10000質(zhì)量ppm。
[0049] 該線W的線徑只要能夠用作焊接線，就是任意的，例如設為12?50. Sum。若設為 50. 8 y m以下，則可以進一步減小熔融球b，若小于12 y m，則有可能焊接前操作者難以將線 W通過毛細管l〇a，操作性變差，而且無法利用空氣壓對線施加充分的張力，難以控制環(huán)。
[0050] 上述焊接線W的制造方法可以采用各種方法，例如，在純度為99. 99質(zhì)量％以上的 Ag中添加0. 9質(zhì)量％?5. O質(zhì)量％的Au、0. 1質(zhì)量％?5. O質(zhì)量％的Pd且Pd和Au的合計 添加量為I. 〇質(zhì)量％?8. O質(zhì)量％，添加合計為20?500質(zhì)量ppm的選自Ca、稀土類中的 1種以上的元素，添加合計為1000?10000質(zhì)量ppm的選自Cu、Ni中的1種以上的元素，通 過連續(xù)鑄造法制作大線徑的該化學組成的棒條，使其在模具中依次貫通，直至線徑50. 8 y m 以下為止，從而伸線為規(guī)定的線徑。其后，對線W施行調(diào)質(zhì)熱處理。
[0051] 該調(diào)質(zhì)熱處理是將進行伸線至規(guī)定的線徑為止且被纏繞于卷軸的線W重繞而使 其在管狀的熱處理爐中行進，再次以卷取卷軸卷取，從而進行連續(xù)熱處理。
[0052] 焊接線W的YS和TS是在15?25°C的室溫下對長度為IOOmm的試樣進行拉伸試 驗而算出的。即，在拉伸試驗中，將達到斷裂為止的最大負荷除以初期截面積而得的值設為 TS，將殘留0. 2%的永久應變時的負荷除以初期截面積的值（去除負荷時的永久應變成為 0.2 %的應力）設為YS。
[0053] 這里，調(diào)質(zhì)熱處理前的線W成為殘留了伸線時的加工應變的變形組織，其結(jié)晶 組織是微細的。這種變形組織的100XYS/TS幾乎接近100%，若施行低溫或短時間的調(diào) 質(zhì)熱處理，則發(fā)生加工應變緩緩地開放的"恢復"，若熱處理溫度更加高或長時間地施行 調(diào)質(zhì)熱處理，則加工應變更加開放，發(fā)生晶粒變大的"重結(jié)晶"，相對于TS，YS緩緩地變低 (100XYS/TS 變小）。
[0054] 若該100XYS/TS小于80%，則線的大部分重結(jié)晶，結(jié)晶組織變大，但若為80%以 上，則重結(jié)晶是停留在線的一部分且晶粒也部分變大的程度。進而，若為90%以上，則成為 晶粒的大部分保持微細的變形組織。
[0055] 制作釘頭凸點時，通過毛細管的各種動作而從壓接球?qū)⒕€切斷，但是若是線的結(jié) 晶組織的交界，則在該部分可容易地切斷。即，若是微細的晶粒的部分和粗大的晶粒的部 分，則在其邊界部分容易斷裂。形成釘頭凸點時，首先在線頂端放電而使線熔融，制作FAB 時，F(xiàn)AB正上方的線部分因由放電產(chǎn)生的熱而導致晶粒變大。這里受到由熱所致的影響的 部分稱為HAZ(熱影響區(qū)：Heat Affect Zone)。若線的100XYS/TS為80%以上且晶粒微 細，則在HAZ和線中形成晶粒的邊界部分，易于發(fā)生釘頭凸點時的切斷。進而，若為90%以 上，則晶粒的邊界變得更明確，切斷更穩(wěn)定。
[0056] 該發(fā)明如上述地以Ag為主體，因此與金焊接線相比能夠制得廉價的焊接線，且通 過卩(1、411、0&、稀土類元素、(：11、附的適量添加和常溫拉伸的調(diào)整，可以利用球焊接法和釘頭 凸點法的組合穩(wěn)定地進行連接。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0057] 圖1是半導體封裝的概略圖。
[0058] 圖2是LED封裝的概略圖。
[0059] 圖3是釘頭凸點法_球焊接法的說明圖，（a)?（〇)是其中途圖。
[0060] 圖4是球焊接法-釘頭凸點法的說明圖，（a)?（〇)是其中途圖。

【具體實施方式】
[0061] 使用純度為99. 99質(zhì)量％以上（4N)的高純度Ag,鑄造表1所示的化學成分的 銀合金，制成8mm4)的盤條。對該盤條進行伸線加工，制成規(guī)定的最終線徑（25 的 銀合金線，以各種加熱溫度?加熱時間進行連續(xù)退火。應予說明，化學成分的定量是通過 ICP-OES (高頻感應耦合等離子體發(fā)光分光分析法）進行的。
[0062] 對該連續(xù)退火了的各線W在15?25°C的常溫下進行拉伸試驗，測定0? 2 %耐力 (YS)和拉伸強度（TS)。
[0063] [表 1]
[0064] [表 1]
[0065]

【權(quán)利要求】
1. 一種焊接用線，其特征在于， 是用于通過球焊接法和釘頭凸點法的組合將半導體元件（5、15)的電極（a)與電路配 線基板（3、13)的導體配線（c)連接的焊接用線（W)， 使Au的添加量為0. 9質(zhì)量％?5. 0質(zhì)量％，使Pd的添加量為0. 1質(zhì)量％?5. 0質(zhì)量％， 且使Au和Pd的添加量合計為1. 0質(zhì)量％?8. 0質(zhì)量％，剩余為Ag和不可避免的雜質(zhì)， 制成所述釘頭凸點法中的熔融球（b)時，為了使晶粒產(chǎn)生差別而容易地進行線（W)的 切斷，該線（W)的0.2%耐力與其拉伸強度的比為80%以上。
2. 如權(quán)利要求1所述的焊接用線，其特征在于，所述線（W)的組成中，進一步包含合計 為20?500質(zhì)量ppm的選自Ca、Y、Sm、La、Ce中的1種以上的元素。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的焊接用線，其特征在于，所述線（W)的組成中，進一步包含 合計為1000?10000質(zhì)量ppm的選自Cu、Ni中的1種以上的元素。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的焊接用線，其特征在于，所述線（W)包含的Au的添加量為 0. 9質(zhì)量％?2. 6質(zhì)量％，Pd的添加量為0. 1質(zhì)量％?1. 5質(zhì)量％，且Au和Pd的添加量合 計為1. 0質(zhì)量％?3. 0質(zhì)量％。
5. 如權(quán)利要求1?4中任一項所述的焊接用線，其特征在于，所述線（W)的0.2%耐力 與其拉伸強度的比為90%以上。
6. 如權(quán)利要求1?3中任一項所述的焊接用線，其特征在于，所述線（W)的電阻率為 5. 0uQ?cm以下。
7. 如權(quán)利要求4或5所述的焊接用線，其特征在于，所述線（W)的電阻率為3.Q 以下。
【文檔編號】C22C5/06GK104380446SQ201480001393
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月14日
【發(fā)明者】長谷川剛 申請人:大自達電線株式會社