陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法
【專利摘要】本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，包括如下步驟：第一步，對陶瓷基體進行噴砂增粗；第二步，對陶瓷基體進行清洗；第三步，對經(jīng)過清洗的陶瓷基體進行鋁溶射；第四步，對經(jīng)過鋁溶射的陶瓷基體進行微弧氧化。本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法將鋁合金的微弧氧化技術應用到陶瓷表面的鋁溶射，微弧氧化具有類似陶瓷的微觀結構，具有較高的硬度、耐磨性。由于原先的溶射層具有較好的結合力，較高的粗糙度，表層微弧氧化之后可保持吸附depo物的粗糙度和結合力需求。
【專利說明】陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于熱噴涂處理技術的延伸，特別是一種陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法。
【背景技術】
[0002]在表面處理中常使用到鋁溶射，屬于熱噴涂技術的一種，經(jīng)過多年的發(fā)展已趨于成熟，應用也十分廣泛，其主要作用是增加基材表面的粗糙度和用作改性過渡層。而實際生產(chǎn)中需要對很多陶瓷部品進行熱噴涂處理，由于陶瓷基底易碎易裂，表面粗糙度難以提升，鋁八IX溶射作業(yè)難度較大，導致每次清洗做溶射成本高、損壞多。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種不易因溫度變化導致碎裂、脫落的陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，包括如下步驟:第一步，對陶瓷基體進行噴砂增粗；第二步，對陶瓷基體進行清洗；第三步，對經(jīng)過清洗的陶瓷基體進行鋁溶射；第四步，對經(jīng)過鋁溶射的陶瓷基體進行微弧氧化。
[0005]所述第一步中，對陶瓷基體進行噴砂增粗，粗糙度此? 25微米。
[0006]所述第三步中，對陶瓷基體進行鋁溶射，溶射層的厚度為250微米?300微米。
[0007]所述第三步中，對陶瓷基體進行鋁溶射，粗糙度此為80微米?120微米。
[0008]所述第四步中，微弧氧化的定電壓為700伏。
[0009]所述第四步中，微弧氧化的電解為50分鐘。
[0010]本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法將鋁合金的微弧氧化技術應用到陶瓷表面的鋁溶射，微弧氧化具有類似陶瓷的微觀結構，具有較高的硬度、耐磨性。由于原先的溶射層具有較好的結合力，較高的粗糙度，表層微弧氧化之后可保持吸附如即物的粗糙度和結合力需求。
【具體實施方式】
[0011]由于微弧氧化層內(nèi)部結構更接近于陶瓷，與基體陶瓷的熱膨脹系數(shù)等性能更為接近，在特殊的生產(chǎn)環(huán)境中不易因溫度變化導致碎裂、脫落。微弧氧化層具有較好的耐酸堿性能，在后續(xù)的維護中可以方便清洗表面如即產(chǎn)物，無需每次進行溶射處理，降低了生產(chǎn)成本。
[0012]本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，包括如下步驟:
[0013]第一步，對陶瓷基體進行噴砂增粗，粗糙度此? 25微米。
[0014]第二步，對陶瓷基體進行清洗；
[0015]第三步，對經(jīng)過清洗的陶瓷基體進行鋁溶射，溶射層的厚度為250微米?300微米，粗糙度卩2為80微米?120微米。
[0016]第四步，對經(jīng)過鋁溶射的陶瓷基體進行微弧氧化，微弧氧化的定電壓為700伏，電解為50分鐘。防止樣片表面鋁溶射層太薄，微弧氧化時產(chǎn)生的高溫導致部分熔融，氧化層結晶不均勻的情況，避免表面微弧氧化層粗糙度不均勻，孔隙率不均勻的情況。
[0017]本發(fā)明陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法將鋁合金的微弧氧化技術應用到陶瓷表面的鋁溶射，微弧氧化具有類似陶瓷的微觀結構，具有較高的硬度、耐磨性。由于原先的溶射層具有較好的結合力，較高的粗糙度，表層微弧氧化之后可保持吸附如即物的粗糙度和結合力需求。
[0018]以上已對本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，其特征在于，包括如下步驟: 第一步，對陶瓷基體進行噴砂增粗； 第二步，對陶瓷基體進行清洗； 第三步，對經(jīng)過清洗的陶瓷基體進行鋁溶射； 第四步，對經(jīng)過鋁溶射的陶瓷基體進行微弧氧化。
2.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，其特征在于，所述第一步中，對陶瓷基體進行噴砂增粗，粗糙度Rz > 25微米。
3.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，其特征在于，所述第三步中，對陶瓷基體進行鋁溶射，溶射層的厚度為250微米?300微米。
4.根據(jù)權利要求3所述的陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，其特征在于，所述第三步中，對陶瓷基體進行鋁溶射，粗糙度Rz為80微米?120微米。
5.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，其特征在于，所述第四步中，微弧氧化的定電壓為700伏。
6.根據(jù)權利要求5所述的陶瓷表面鋁溶射微弧氧化方法，其特征在于，所述第四步中，微弧氧化的電解為50分鐘。
【文檔編號】C23C4/18GK104499026SQ201510005362
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2015年1月4日 優(yōu)先權日:2015年1月4日
【發(fā)明者】陳煜 , 賀賢漢, 吳小杰 申請人:上海申和熱磁電子有限公司