1.一種層疊體，其具有：
基材，所述基材由高分子材料構(gòu)成；
底涂層，所述底涂層配置在所述基材的外表面的至少一部分上，并且由包含具有官能團(tuán)的無(wú)機(jī)物質(zhì)的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成；以及
原子層沉積膜，所述原子層沉積膜以覆蓋所述底涂層的外表面的方式進(jìn)行配置，并包含成為成膜原料的前驅(qū)體，其中位于所述底涂層的外表面的所述前驅(qū)體與所述官能團(tuán)相結(jié)合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，當(dāng)將所述基材的水蒸氣透過(guò)率設(shè)定為100％時(shí)，由所述基材及所述底涂層構(gòu)成的2層層疊體的水蒸氣透過(guò)率為2％以上且小于100％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中，所述無(wú)機(jī)物質(zhì)為以下物質(zhì)中的任一種：無(wú)機(jī)氧化物、無(wú)機(jī)氮化物、以及將所述無(wú)機(jī)氧化物和所述無(wú)機(jī)氮化物混合而得的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述底涂層包含X的范圍為1.0以上2.0以下的SiOx。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊體，其中，所述底涂層包含Sn。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述原子層沉積膜的厚度在0.5nm以上200nm的范圍內(nèi)。
7.一種阻氣膜，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中構(gòu)成所述層疊體的所述基材為膜狀基材。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻氣膜，其中，所述層疊體的水蒸氣透過(guò)率為0.1g/(m2·天)以下。
9.一種層疊體的制造方法，包括：
在配置在真空室內(nèi)的由高分子材料構(gòu)成的基材的外表面的至少一部分上，使用包含具有官能團(tuán)的無(wú)機(jī)物質(zhì)的無(wú)機(jī)材料形成底涂層；以及
以使成為成膜原料的前驅(qū)體與所述底涂層中位于該底涂層的外表面上的所述官能團(tuán)相結(jié)合的方式，將所述前驅(qū)體供給至所述底涂層的外表面，從而形成原子層沉積膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的層疊體的制造方法，其中，在形成所述底涂層時(shí)，以將所述基材的水蒸氣透過(guò)率設(shè)定為100％時(shí)，由所述基材及所述底涂層構(gòu)成的2層層疊體的水蒸氣透過(guò)率成為2％以上且小于100％的方式形成所述底涂層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊體的制造方法，其中，作為所述無(wú)機(jī)物質(zhì)，使用無(wú)機(jī)氧化物、無(wú)機(jī)氮化物、以及將所述無(wú)機(jī)氧化物和所述無(wú)機(jī)氮化物混合而得的混合物中的任一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其中，當(dāng)形成所述底涂層時(shí)，以包含X的范圍為1.0以上2.0以下的SiOx的方式形成所述底涂層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其中，當(dāng)形成所述底涂層時(shí)，以包含Sn的方式形成所述底涂層。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其中，在形成所述原子層沉積膜時(shí)，以厚度在0.5nm以上200nm的范圍內(nèi)的方式形成所述原子層沉積膜。
15.一種阻氣膜的制造方法，包括根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其中
使用膜狀基材作為所述基材。