本發(fā)明涉及一種鍍膜機，尤其涉及一種聚合物真空鍍膜機。

背景技術(shù)：

在真空環(huán)境中，將材料加熱并鍍到基片上的技術(shù)為真空蒸鍍。具體而言，真空蒸鍍是將待成膜的物質(zhì)置于真空中進行蒸發(fā)或升華，使之在工件或基片表面析出的過程。真空蒸鍍中的鍍層通常為鋁膜，但其它鍍層也可通過蒸發(fā)沉積形成。然而，現(xiàn)有的鍍膜機結(jié)構(gòu)較為復雜且成本較高，無法充分適應(yīng)工業(yè)化生產(chǎn)的需求，不利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。

有鑒于此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種聚合物真空鍍膜機，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。

為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種聚合物真空鍍膜機，其包括：真空箱體、鍍膜鼓、擋板、調(diào)壓器以及蒸發(fā)裝置；

所述鍍膜鼓、擋板以及蒸發(fā)裝置位于所述真空箱體內(nèi)部，所述擋板分布于所述鍍膜鼓的兩側(cè)，所述鍍膜鼓部分地自兩側(cè)擋板之間的空間伸出，所述蒸發(fā)裝置于所述鍍膜鼓下方，所述蒸發(fā)裝置與所述鍍膜鼓之間的空間形成蒸鍍升華空間，所述蒸發(fā)裝置包括殼體以及設(shè)置于所述殼體中的加熱器，所述加熱器上均勻鋪設(shè)有聚合物蒸發(fā)源，所述調(diào)壓器與所述加熱器電性連接。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述鍍膜鼓與兩側(cè)擋板之間具有間隙，所述間隙的尺寸大于所述鍍膜鼓上卷繞的基材與基材上鍍層的厚度之和。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述基材為塑料基材。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述塑料基材pet、cpp以及opp中的一種。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述加熱器的蒸發(fā)溫度為400℃～500℃，所述鍍膜鼓為低溫鍍膜鼓。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述調(diào)壓器控制所述加熱器的蒸發(fā)溫度在所述400℃～500℃之間進行調(diào)節(jié)。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述殼體的頂部開設(shè)有蒸發(fā)口，所述蒸發(fā)口朝向所述蒸鍍升華空間設(shè)置，所述加熱器位于所述殼體的底部。

作為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述聚合物蒸發(fā)源為三聚氰胺蒸發(fā)源。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點，其能夠在基材上均勻蒸鍍升華聚合物鍍膜。本發(fā)明優(yōu)選采用三聚氰胺進行鍍膜，由于三聚氰胺成本相對低廉，在保護基材的同時，有利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機一具體實施方式的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明，但應(yīng)當說明的是，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

如圖1所示，本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機包括：真空箱體10、鍍膜鼓20、擋板30、調(diào)壓器40以及蒸發(fā)裝置50。所述真空箱體10用于形成真空鍍膜環(huán)境，所述鍍膜鼓20、擋板30、調(diào)壓器40以及蒸發(fā)裝置50位于所述真空箱體10內(nèi)部。

其中，所述鍍膜鼓20上卷繞有需要進行蒸鍍升華聚合物鍍層的基材1為塑料基材。優(yōu)選地，所述塑料基材可以為pet、cpp以及opp中的一種。所述擋板30用于在蒸鍍升華時，使蒸鍍料作用于所述鍍膜鼓20的有效位置上，保證蒸鍍升華的均勻性。具體地，所述擋板30分布于所述鍍膜鼓20的兩側(cè)，且所述鍍膜鼓20部分地自兩側(cè)擋板30之間的空間伸出。如此設(shè)置，所述鍍膜鼓20伸出的部分形成蒸鍍升華時的有效位置，其上的基材1與蒸鍍料相接觸實現(xiàn)蒸鍍升華。此外，為了便于蒸鍍升華的進行，所述鍍膜鼓20與兩側(cè)擋板30之間具有間隙，所述間隙的尺寸大于所述鍍膜鼓20上卷繞的基材1與基材1上鍍層的厚度之和。

所述蒸發(fā)裝置50位于所述鍍膜鼓20下方，所述蒸發(fā)裝置50與所述鍍膜鼓20之間的空間形成蒸鍍升華空間2。具體地，所述蒸發(fā)裝置50包括殼體51以及設(shè)置于所述殼體51底部的加熱器52，其中，所述殼體51頂部開設(shè)有蒸發(fā)口510，所述蒸發(fā)口510朝向所述蒸鍍升華空間2設(shè)置，并與所述蒸鍍升華空間2相連通。所述加熱器52上均勻鋪設(shè)有聚合物蒸發(fā)源53。從而，在所述加熱器52的加熱作用下，所述聚合物蒸發(fā)源53受熱蒸發(fā)并進入所述蒸鍍升華空間2中。優(yōu)選地，所述聚合物蒸發(fā)源53為三聚氰胺蒸發(fā)源，由于三聚氰胺成本相對低廉，如此在保護基材的同時，有利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。此時，所述加熱器52的蒸發(fā)溫度為400℃～500℃。此外，為了防止鍍膜時高溫蒸鍍料破壞所述基材1，所述鍍膜鼓20為低溫鍍膜鼓，從而蒸鍍升華時，通過所述低溫鍍膜鼓可實現(xiàn)所述蒸鍍料的瞬間冷卻，降低所述蒸鍍料的溫度。

進一步地，為了對所述加熱器52的加熱溫度進行調(diào)節(jié)，所述調(diào)壓器40與所述加熱器52電性連接，從而，所述調(diào)壓器40通過內(nèi)部配制的控制電路板控制所述加熱器的蒸發(fā)溫度在所述400℃～500℃之間進行調(diào)節(jié)，以使得所述聚合物蒸發(fā)源53在適宜的溫度下進行蒸發(fā)。

本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機工作時，加熱器加熱三聚氰胺蒸發(fā)源，三聚氰胺蒸發(fā)源受熱蒸發(fā)進入蒸鍍升華空間中，并進一步通過蒸發(fā)口排出，并蒸鍍升華于鍍膜鼓的基材上。同時，隨著鍍膜鼓的自轉(zhuǎn)，基材上被均勻蒸鍍升華一層三聚氰胺薄膜。

綜上所述，本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點，其能夠在基材上均勻蒸鍍升華聚合物鍍膜。本發(fā)明優(yōu)選采用三聚氰胺進行鍍膜，由于三聚氰胺成本相對低廉，在保護基材的同時，有利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。

此外，應(yīng)當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種聚合物真空鍍膜機，其包括：真空箱體、鍍膜鼓、擋板、調(diào)壓器以及蒸發(fā)裝置；所述鍍膜鼓、擋板以及蒸發(fā)裝置位于所述真空箱體內(nèi)部，所述擋板分布于所述鍍膜鼓的兩側(cè)，所述鍍膜鼓部分地自兩側(cè)擋板之間的空間伸出，所述蒸發(fā)裝置于所述鍍膜鼓下方，所述蒸發(fā)裝置與所述鍍膜鼓之間的空間形成蒸鍍升華空間，所述蒸發(fā)裝置包括殼體以及設(shè)置于所述殼體中的加熱器，所述加熱器上均勻鋪設(shè)有聚合物蒸發(fā)源，所述調(diào)壓器與所述加熱器電性連接。本發(fā)明的聚合物真空鍍膜機具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點，其能夠在基材上均勻蒸鍍升華聚合物鍍膜。本發(fā)明優(yōu)選采用三聚氰胺進行鍍膜，由于三聚氰胺成本相對低廉，在保護基材的同時，有利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。

技術(shù)研發(fā)人員：高嵩
受保護的技術(shù)使用者：無錫市司馬特貿(mào)易有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.24
技術(shù)公布日：2017.09.29