本發(fā)明涉及amoled技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種amoled玻璃基板的薄化方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)玻璃基板進(jìn)行薄化時(shí)，通常先在玻璃基板不需要薄化的一面貼敷上一層抗酸化薄膜，再在所述玻璃基板貼敷有抗酸化薄膜的一側(cè)固定作為工裝的pvc板，然后對(duì)所述玻璃基板進(jìn)行薄化，待薄化完成后，再將抗酸化薄膜撕除，連同pvc板一同脫離玻璃基板。但是，在將抗酸化薄膜撕除的過(guò)程中，需要較大的外力，容易導(dǎo)致玻璃基板破片，從而造成上述玻璃基板的薄化工藝中，玻璃基板的碎片率較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明旨在提供了一種amoled玻璃基板的薄化方法。
本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
一種amoled玻璃基板的薄化方法，包括以下步驟：
(1)提供第一玻璃基板和第二玻璃基板，對(duì)第一玻璃基板和第二玻璃基板進(jìn)行拋光處理；
(2)利用水溶膠貼合第一玻璃基板和第二玻璃基板，并對(duì)水溶膠進(jìn)行固化，固化完成后，對(duì)第一玻璃基板和第二玻璃基板背離水溶膠的一側(cè)進(jìn)行薄化；薄化完成后，將貼合的第一玻璃基板和第二玻璃基板浸泡在熱水溶液中，直至第一玻璃基板和第二玻璃基板分離；
(3)對(duì)第一玻璃基板和第二玻璃基板進(jìn)行蝕刻，以薄化第一玻璃基板和第二玻璃基板的厚度；對(duì)薄化后的第一玻璃基板和第二玻璃基板進(jìn)行研磨，以再次薄化第一玻璃基板和第二玻璃基板的厚度。
所述步驟(2)中拋光處理過(guò)程使用氧化鈰作為拋光原料。
所述步驟(3)中蝕刻過(guò)程的蝕刻速率介于0.05μm/s至0.1μm/s之間。
所述步驟(3)中蝕刻過(guò)程包括以下步驟：提供蝕刻設(shè)備，所述蝕刻設(shè)備包括腔體、及設(shè)于所述腔體內(nèi)壁上的數(shù)個(gè)噴嘴；將所述玻璃基板豎直置于所述腔體中，并控制所述數(shù)個(gè)噴嘴向所述玻璃基板的兩側(cè)表面噴淋蝕刻液，對(duì)所述玻璃基板進(jìn)行蝕刻。
所述玻璃基板經(jīng)蝕刻后的強(qiáng)度介于70nt至80nt之間。
所述步驟(3)中蝕刻為非等向性蝕刻。
所述步驟(3)中分離第一玻璃基板和第二玻璃基板的熱水溶液溫度為78-84℃。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過(guò)水溶膠實(shí)現(xiàn)該第一玻璃基板和第二玻璃基板之間的貼合，待薄化完成后，再利用熱水溶液浸泡，實(shí)現(xiàn)第一玻璃基板和第二玻璃基板的分離，從而避免了薄化完成后，分離第一玻璃基板和第二玻璃基板過(guò)程中出現(xiàn)碎片的現(xiàn)象，顯著降低了薄化工藝中玻璃基板的碎片率；同時(shí)蝕刻制程來(lái)分散玻璃基板表面上的應(yīng)力，因此可有效避免產(chǎn)生應(yīng)力集中的問(wèn)題，進(jìn)而可提升薄化后之玻璃基板的強(qiáng)度。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例一種amoled玻璃基板的薄化方法，包括以下步驟：
(1)提供第一玻璃基板和第二玻璃基板，對(duì)第一玻璃基板和第二玻璃基板進(jìn)行拋光處理；
(2)利用水溶膠貼合第一玻璃基板和第二玻璃基板，并對(duì)水溶膠進(jìn)行固化，固化完成后，對(duì)第一玻璃基板和第二玻璃基板背離水溶膠的一側(cè)進(jìn)行薄化；薄化完成后，將貼合的第一玻璃基板和第二玻璃基板浸泡在熱水溶液中，直至第一玻璃基板和第二玻璃基板分離；
(3)對(duì)第一玻璃基板和第二玻璃基板進(jìn)行蝕刻，以薄化第一玻璃基板和第二玻璃基板的厚度；對(duì)薄化后的第一玻璃基板和第二玻璃基板進(jìn)行研磨，以再次薄化第一玻璃基板和第二玻璃基板的厚度。
所述步驟(2)中拋光處理過(guò)程使用氧化鈰作為拋光原料。
所述步驟(3)中蝕刻過(guò)程的蝕刻速率介于0.05μm/s至0.1μm/s之間。
所述步驟(3)中蝕刻過(guò)程包括以下步驟：提供蝕刻設(shè)備，所述蝕刻設(shè)備包括腔體、及設(shè)于所述腔體內(nèi)壁上的數(shù)個(gè)噴嘴；將所述玻璃基板豎直置于所述腔體中，并控制所述數(shù)個(gè)噴嘴向所述玻璃基板的兩側(cè)表面噴淋蝕刻液，對(duì)所述玻璃基板進(jìn)行蝕刻。
所述玻璃基板經(jīng)蝕刻后的強(qiáng)度介于70nt至80nt之間。
所述步驟(3)中蝕刻為非等向性蝕刻。
所述步驟(3)中分離第一玻璃基板和第二玻璃基板的熱水溶液溫度為78-84℃。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于所述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是所述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。