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      一種氣源供給系統(tǒng)及化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制作方法

      文檔序號(hào):39621113發(fā)布日期:2024-10-11 13:40閱讀:38來(lái)源:國(guó)知局
      一種氣源供給系統(tǒng)及化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制作方法

      本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種防止氣體泄漏的氣源供給系統(tǒng)及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。


      背景技術(shù):

      1、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝是一種以多種化學(xué)氣體為反應(yīng)物,在反應(yīng)腔室進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),在目標(biāo)襯底上沉積生成物,形成均勻致密薄膜的技術(shù)。

      2、參與化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)物由氣源供給系統(tǒng)提供。氣源供給系統(tǒng)的氣密性要求嚴(yán)格,一旦反應(yīng)物泄漏,會(huì)污染、危害環(huán)境,部分反應(yīng)物的化學(xué)性質(zhì)活潑,在接觸微量氧氣或水汽后,有燃燒爆炸等安全風(fēng)險(xiǎn),危害操作人員生命安全。因此,氣源供給系統(tǒng)既要防止反應(yīng)物向外界泄漏,又要阻擋空氣中的氧氣或水汽進(jìn)入系統(tǒng)。

      3、部分cvd工藝所使用的反應(yīng)物在常溫下為液態(tài),較低的飽和蒸氣壓導(dǎo)致參與cvd工藝的反應(yīng)物的量較少,導(dǎo)致最終沉積的薄膜品質(zhì)降低。對(duì)于這部分反應(yīng)物,一般通過(guò)預(yù)先升溫的方式,提高反應(yīng)物的飽和蒸氣壓,從而增大反應(yīng)物氣體的傳輸量,提高反應(yīng)效率,以提升沉積薄膜品質(zhì)。但升溫會(huì)增加反應(yīng)物的擴(kuò)散速度,進(jìn)一步提高了反應(yīng)物向外泄漏的風(fēng)險(xiǎn)。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明的目的是提供一種具有“多箱體”結(jié)構(gòu)的氣源供給系統(tǒng),以防止原料氣體泄漏、降低對(duì)環(huán)境的污染、保障操作安全。

      2、為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種氣源供給系統(tǒng),包括反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置、第一箱體、第二箱體和反應(yīng)物輸出管道;

      3、所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置套設(shè)于所述第一箱體內(nèi),所述第一箱體內(nèi)的壓力為正壓;

      4、所述第一箱體套設(shè)于所述第二箱體內(nèi),所述第二箱體內(nèi)的壓力為負(fù)壓;

      5、所述反應(yīng)物輸出管道的一端與所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置連通,所述反應(yīng)物輸出管道的另一端作為所述氣源供給系統(tǒng)的輸出端。

      6、可選地,所述第一箱體內(nèi)的壓力大于處于第一箱體內(nèi)的所述反應(yīng)物輸出管道內(nèi)的壓力。

      7、可選地,所述第一箱體內(nèi)的相對(duì)壓力為50~300pa,所述第二箱體內(nèi)的相對(duì)壓力為-50~-200pa。

      8、可選地,還包括氣體輸送管道,所述氣體輸送管道與所述第一箱體連通,用于向所述第一箱體內(nèi)持續(xù)輸送氣體,維持所述第一箱體內(nèi)的壓力為正壓。

      9、可選地,所述氣體為氮?dú)饣蚨栊詺怏w。

      10、可選地,還包括氣體排出管道,所述氣體排出管道的一端連接所述第二箱體,所述第二箱體內(nèi)的氣體由所述氣體排除管道排出,維持所述第二箱體內(nèi)的壓力為負(fù)壓。

      11、可選地,所述氣體排出管道上設(shè)有抽氣泵,用于抽出所述第二箱體內(nèi)的氣體。

      12、可選地,所述氣體排出管道上設(shè)有至少一個(gè)洗滌器,所述洗滌器用于洗滌所述氣體排出管道排出的氣體中的污染物。

      13、可選地,所述氣體排出管道上設(shè)有閥門(mén),用于控制所述氣體排出管道的氣體流量。

      14、可選地,所述第一箱體不完全密封。

      15、可選地,所述第一箱體的箱體壁上設(shè)有排氣孔,所述第一箱體內(nèi)的氣體通過(guò)所述排氣孔,排放至所述第二箱體內(nèi)。

      16、可選地,還包括第三箱體,所述第二箱體套設(shè)于所述第三箱體內(nèi),所述第三箱體內(nèi)的壓力為正壓。

      17、可選地,所述第三箱體內(nèi)的相對(duì)壓力為50~300pa。

      18、可選地,所述第一箱體、所述第二箱體和所述第三箱體分別安裝壓力傳感器。

      19、可選地,所述第一箱體、所述第二箱體和所述第三箱體分別安裝警報(bào)裝置,當(dāng)所述第一箱體、所述第二箱體或所述第三箱體的壓力不在目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí),對(duì)應(yīng)的警報(bào)裝置發(fā)出警告。

      20、可選地,所述氣源供給系統(tǒng)還包括控制單元,所述控制單元與各壓力傳感器連接,所述控制單元根據(jù)各壓力傳感器的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),分別控制所述第一箱體、所述第二箱體和所述第三箱體內(nèi)的壓力。

      21、可選地,所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置包括加熱器,用于加熱所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置內(nèi)的原料。

      22、可選地,還包括反應(yīng)物輸入管道,所述反應(yīng)物輸入管道與所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置連通,用于向所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置內(nèi)補(bǔ)充原料。

      23、可選地,所述輸出端與用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室連通。

      24、本發(fā)明還提供了一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備,包含反應(yīng)腔及上述的氣源供給系統(tǒng);

      25、所述反應(yīng)腔與所述氣源供給系統(tǒng)連通,反應(yīng)物經(jīng)由所述反應(yīng)物輸出管道輸送至所述反應(yīng)腔室中。

      26、本發(fā)明的有益效果為:

      27、(1)本發(fā)明的氣源供給系統(tǒng)采用“雙箱體”結(jié)構(gòu),通過(guò)設(shè)置內(nèi)外壓力差,有效控制了氣體的擴(kuò)散路徑,防止氣體泄漏或與外界相接觸。本發(fā)明先將裝有原料的反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置套設(shè)于第一箱體內(nèi),第一箱體內(nèi)為正壓,其壓力大于第二箱體,第二箱體中的氧氣、水汽難以進(jìn)入第一箱體,接觸泄漏的原料氣體,造成爆炸等安全事故;再將第一箱體套設(shè)于第二箱體內(nèi),第二箱體內(nèi)為負(fù)壓,其壓力小于外界環(huán)境,即使原料氣體泄漏至第二箱體內(nèi),也難以再泄漏到外界環(huán)境中,降低了原料氣體對(duì)環(huán)境的污染。

      28、(2)本發(fā)明還提供了一種具有“三箱體”結(jié)構(gòu)的氣源供給系統(tǒng),將第二箱體套設(shè)于第三箱體內(nèi),第三箱體內(nèi)為正壓,其壓力大于第二箱體,泄漏至第二箱體內(nèi)的原料氣體難以進(jìn)入第三箱體內(nèi),進(jìn)一步避免了原料氣體向外界環(huán)境泄漏的可能性;同時(shí),第三箱體的壓力也大于外界環(huán)境,空氣中的氧氣、水汽也難以進(jìn)入第三箱體內(nèi)。

      29、(3)本發(fā)明設(shè)置了與第一箱體和第三箱體連通的氣體輸送管道,向第一箱體和第三箱體內(nèi)源源不斷地通入氮?dú)饣蚨栊詺怏w等活性低的氣體,以維持第一箱體和第三箱體內(nèi)的壓力為正壓,且該氣體不會(huì)與原料氣體反應(yīng),安全可靠。

      30、(4)本發(fā)明設(shè)置了與第二箱體連通的氣體排出管道,通過(guò)氣體排出管道上的抽氣泵將第二箱體內(nèi)的氣體抽出,以維持第二箱體內(nèi)的壓力為負(fù)壓,并在氣體排出管道上設(shè)置了洗滌器,用于洗滌氣體中的污染物,氣體經(jīng)洗滌后排出,不會(huì)污染環(huán)境。



      技術(shù)特征:

      1.一種氣源供給系統(tǒng),其特征在于,包括反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置、第一箱體、第二箱體和反應(yīng)物輸出管道;

      2.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第一箱體內(nèi)的壓力大于處于第一箱體內(nèi)的所述反應(yīng)物輸出管道內(nèi)的壓力。

      3.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第一箱體內(nèi)的相對(duì)壓力為50~300pa,所述第二箱體內(nèi)的相對(duì)壓力為-50~-200pa。

      4.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,還包括氣體輸送管道,所述氣體輸送管道與所述第一箱體連通,用于向所述第一箱體內(nèi)持續(xù)輸送氣體,維持所述第一箱體內(nèi)的壓力為正壓。

      5.如權(quán)利要求4所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述氣體為氮?dú)饣蚨栊詺怏w。

      6.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,還包括氣體排出管道,所述氣體排出管道的一端連接所述第二箱體,所述第二箱體內(nèi)的氣體由所述氣體排除管道排出,維持所述第二箱體內(nèi)的壓力為負(fù)壓。

      7.如權(quán)利要求6所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述氣體排出管道上設(shè)有抽氣泵,用于抽出所述第二箱體內(nèi)的氣體。

      8.如權(quán)利要求6所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述氣體排出管道上設(shè)有至少一個(gè)洗滌器,所述洗滌器用于洗滌所述氣體排出管道排出的氣體中的污染物。

      9.如權(quán)利要求6所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述氣體排出管道上設(shè)有閥門(mén),用于控制所述氣體排出管道的氣體流量。

      10.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第一箱體不完全密封。

      11.如權(quán)利要求10所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第一箱體的箱體壁上設(shè)有排氣孔,所述第一箱體內(nèi)的氣體通過(guò)所述排氣孔,排放至所述第二箱體內(nèi)。

      12.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,還包括第三箱體,所述第二箱體套設(shè)于所述第三箱體內(nèi),所述第三箱體內(nèi)的壓力為正壓。

      13.如權(quán)利要求12所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第三箱體內(nèi)的相對(duì)壓力為50~300pa。

      14.如權(quán)利要求12所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第一箱體、所述第二箱體和所述第三箱體分別安裝壓力傳感器。

      15.如權(quán)利要求14所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述第一箱體、所述第二箱體和所述第三箱體分別安裝警報(bào)裝置,當(dāng)所述第一箱體、所述第二箱體或所述第三箱體的壓力不在目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí),對(duì)應(yīng)的警報(bào)裝置發(fā)出警告。

      16.如權(quán)利要求14所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述氣源供給系統(tǒng)還包括控制單元,所述控制單元與各壓力傳感器連接,所述控制單元根據(jù)各壓力傳感器的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),分別控制所述第一箱體、所述第二箱體和所述第三箱體內(nèi)的壓力。

      17.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置包括加熱器,用于加熱所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置內(nèi)的原料。

      18.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,還包括反應(yīng)物輸入管道,所述反應(yīng)物輸入管道與所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置連通,用于向所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置內(nèi)補(bǔ)充原料。

      19.如權(quán)利要求1所述的氣源供給系統(tǒng),其特征在于,所述輸出端與用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室連通。

      20.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,包含反應(yīng)腔及如權(quán)利要求1-19任意一項(xiàng)所述的氣源供給系統(tǒng);


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了一種氣源供給系統(tǒng)及化學(xué)氣相沉積設(shè)備,防止氣體泄漏的氣源供給系統(tǒng)包括反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置、第一箱體、第二箱體和反應(yīng)物輸出管道;所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置套設(shè)于所述第一箱體內(nèi),所述第一箱體內(nèi)的壓力為正壓;所述第一箱體套設(shè)于所述第二箱體內(nèi),所述第二箱體內(nèi)的壓力為負(fù)壓;所述反應(yīng)物輸出管道的一端與所述反應(yīng)物存儲(chǔ)裝置連通,所述反應(yīng)物輸出管道的另一端作為所述氣源供給系統(tǒng)的輸出端。本發(fā)明的氣源供給系統(tǒng)采用“多箱體”結(jié)構(gòu),通過(guò)設(shè)置內(nèi)外壓力差,能夠有效防止氣體泄漏,提升操作和環(huán)境安全性。

      技術(shù)研發(fā)人員:楊閏清,韓子迦,許燦
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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