本申請屬于半導體，具體涉及一種溫度控制方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)。

背景技術：

1、在例如物理氣相沉積(physical?vapor?deposition,pvd)設備等半導體工藝設備中，在真空環(huán)境下控制加熱基座升溫到設定溫度，利用高能量粒子轟擊靶材表面使靶材中的原子沉積到硅片的過程中，腔室基座的溫度高低和波動都會影響硅晶片鍍膜工藝的質(zhì)量。

2、但在對腔室基座的溫度進行控制過程中，承載面上各溫度控制區(qū)獨立控制，在需要升溫和降溫的時候每個溫度控制區(qū)根據(jù)自己的控制回路獨立控制，導致各溫度控制區(qū)的溫度變化速度不一致，各溫度控制區(qū)的溫度存在較大差異，導致加熱承載面上的晶圓受熱不均、發(fā)生碎裂。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請實施例的目的是提供一種溫度控制方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)，能夠保證承載面上各溫度控制區(qū)以一定的步長基本實現(xiàn)同步控溫，保證加熱承載面上的半導體器件受熱均勻，避免碎裂。

2、為了解決上述技術問題，本申請是這樣實現(xiàn)的：

3、第一方面，本申請實施例提供了一種溫度控制方法，用于晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置的晶圓承載面包括多個溫度控制區(qū)，所述方法包括：獲取當前溫度設定值；根據(jù)所述當前溫度設定值對各個所述溫度控制區(qū)進行控溫，對達到所述當前溫度設定值的所述溫度控制區(qū)進行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述當前溫度設定值之間的溫差在預定范圍內(nèi)；重復獲取下一溫度設定值，根據(jù)所述下一溫度設定值對各個所述溫度控制區(qū)進行控溫，對達到所述下一溫度設定值的所述溫度控制區(qū)進行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述下一溫度設定值之間的溫差在預定范圍內(nèi)，直至所述晶圓承載面達到目標溫度。

4、第二方面，本申請實施例提供了一種電子設備，該電子設備包括處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

5、第三方面，本申請實施例提供了一種可讀存儲介質(zhì)，所述可讀存儲介質(zhì)上存儲程序或指令，所述程序或指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

6、第四方面，本申請實施例提供了一種半導體工藝設備，包括：工藝腔室、加熱基座和控制器，所述加熱基座設置在所述工藝腔室內(nèi)，所述控制器包括至少一個處理器和至少一個存儲器，存儲器中存儲有計算機程序，計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

7、在本申請實施例中，通過獲取當前溫度設定值；根據(jù)所述當前溫度設定值對各個所述溫度控制區(qū)進行控溫，對達到所述當前溫度設定值的所述溫度控制區(qū)進行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述當前溫度設定值之間的溫差在預定范圍內(nèi)；重復獲取下一溫度設定值，根據(jù)所述下一溫度設定值對各個所述溫度控制區(qū)進行控溫，對達到所述下一溫度設定值的所述溫度控制區(qū)進行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述下一溫度設定值之間的溫差在預定范圍內(nèi)，直至所述晶圓承載面達到目標溫度，能夠保證承載面上各溫度控制區(qū)基本實現(xiàn)同步控溫，保證加熱承載面上的半導體器件受熱均勻，避免碎裂。

技術特征：

1.一種溫度控制方法，用于晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置的晶圓承載面包括多個溫度控制區(qū)，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取下一溫度設定值，包括：

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述晶圓承載面的初始溫度和所述目標溫度之間的差值大于0的情況下，所述步長變化系數(shù)為1；在所述晶圓承載面的初始溫度和目標溫度之間的差值小于0的情況下，所述步長變化系數(shù)為-1；在所述晶圓承載面的初始溫度和目標溫度之間的差值等于0的情況下，所述步長變化系數(shù)為0。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述獲取當前溫度設定值之前，所述方法還包括：

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，在重復獲取下一溫度設定值之前，還包括：

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，獲取各所述溫度控制區(qū)的采樣溫度濾波值，包括：

7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述采樣溫度濾波值和所述當前溫度設定值，確定對各所述溫度控制區(qū)進行溫度控制的固態(tài)繼電器通斷的占空比，包括：

8.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

9.一種電子設備，其特征在于，包括處理器，存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權利要求1-8任一項所述的方法的步驟。

10.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：工藝腔室、加熱基座和控制器，所述加熱基座設置在所述工藝腔室內(nèi)，所述控制器包括至少一個處理器和至少一個存儲器，存儲器中存儲有計算機程序，計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權利要求1-8任一項所述的方法的步驟。

技術總結
本申請公開了一種溫度控制方法、電子設備及半導體工藝設備，屬于半導體技術領域。所述方法包括：獲取當前溫度設定值；根據(jù)所述當前溫度設定值對各個所述溫度控制區(qū)進行控溫，對達到所述當前溫度設定值的所述溫度控制區(qū)進行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述當前溫度設定值之間的溫差在預定范圍內(nèi)；重復獲取下一溫度設定值，根據(jù)所述下一溫度設定值對各個所述溫度控制區(qū)進行控溫，對達到所述下一溫度設定值的所述溫度控制區(qū)進行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述下一溫度設定值之間的溫差在預定范圍內(nèi)的步驟，直至所述晶圓承載面達到目標溫度。

技術研發(fā)人員：劉東亮
受保護的技術使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19