本技術屬于半導體制造，具體而言涉及一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置。

背景技術：

1、氣相化學沉積是一種氣相外延生長技術，廣泛應用于led芯片、激光器、太陽能電池領域。

2、通常，現(xiàn)有技術中利用氣相化學沉積設備進行相關材料的氣相化學沉積。一般而言，氣相化學沉積設備包括反應容器和頂盤，其中頂盤用于通入反應氣體，在一些現(xiàn)有技術中頂盤還可以包括預混氣功能，即反應氣體預先在頂盤中進行混氣，頂盤中通常可以通過兩種或兩種以上的氣體即提供兩個以上的氣體入口，并且頂盤還與反應容器相連通，氣體進入頂盤后再進入到反應容器中，主要在反應容器中完成氣相化學沉積。

3、當氣相化學沉積設備工作時，尤其是包含預混氣功能的氣相化學沉積設備，在氣相化學沉積設備頂盤的內(nèi)部也會發(fā)生一定程度的反應從而形成雜質(zhì)。這些沉積雜質(zhì)會影響反應腔內(nèi)外延結(jié)構(gòu)層生長的均勻性和質(zhì)量。因此，在進行一定時間的外延生長后，必須對頂盤內(nèi)部進行清潔，清除附著在頂盤內(nèi)部的沉積雜質(zhì)。但是預混氣的頂盤因為內(nèi)部空間比較狹窄，存在清潔上的難度。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型正是基于現(xiàn)有技術的上述需求而提出的，本實用新型要解決的技術問題是提供一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，以方便進行氣相化學沉積設備頂盤的清潔。

2、為了解決上述問題，本實用新型提供以下技術方案。

3、本實用新型提供了一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，包括：基座，所述基座包括第一密封件，所述第一密封件與所述氣相化學沉積設備頂盤的第一進氣口對應設置；以及第一供氣管，所述第一供氣管與所述氣相化學沉積設備頂盤的第二進氣口對應設置，以向所述第二進氣口提供清潔用氣體；卡持部，所述卡持部和所述基座之間相隔預定距離，以在二者之間容納所述氣相化學沉積設備頂盤的至少部分結(jié)構(gòu)；所述卡持部與所述氣相化學沉積設備頂盤接觸，具有向所述氣相化學沉積設備頂盤施加的保持力，以使所述第一密封件密封所述第一進氣口。

4、優(yōu)選地，所述基座的形狀與所述氣相化學沉積設備頂盤的進氣座形狀相適配，所述氣相化學沉積設備頂盤的進氣座容納在所述卡持部和所述基座之間。

5、優(yōu)選地，所述卡持部包括：連接件，從所述基座向上延伸；擠壓件，設置在所述連接件上，與所述基座相隔預定距離；所述氣相化學沉積設備頂盤的進氣座設置在所述擠壓件和所述基座之間，以使所述進氣座的下表面與所述基座緊密貼合。

6、優(yōu)選地，擠壓件包括：安裝板，與所述連接件的頂部相連，所述安裝板上設置有沿著上下方向延伸的螺孔；螺桿，設置在所述螺孔之中且與所述螺孔螺紋配合，以通過所述螺桿向下的旋緊將所述氣相化學沉積設備頂盤的進氣座壓緊至所述基座。

7、優(yōu)選地，所述擠壓件還包括：螺帽，所述螺帽設置在所述安裝板的上方，所述螺桿與所述螺帽固定連接從所述螺帽底部向下延伸穿過所述螺孔設置。

8、優(yōu)選地，所述第一密封件與所述氣相化學沉積設備頂盤的第一進氣口相抵靠，以密封所述第一進氣口；所述第一供氣管與所述氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置的第二進氣口相連通，以向所述氣相化學沉積設備頂盤中通入清潔氣體。

9、優(yōu)選地，所述氣相化學沉積設備頂盤包括多個進氣口；所述第一供氣管與所述多個進氣口中的一個對應設置；以及多個所述第一密封件，與剩余的多個進氣口對應設置以密封剩余的多個進氣口。

10、優(yōu)選地，所述基座沿著左右方向橫向設置，所述卡持部包括第一卡持部和第二卡持部，所述第一卡持部和第二卡持部分別設置在基座的左右兩側(cè)上方。

11、優(yōu)選地，所述第一密封件包括凹槽，所述凹槽向上開口，所述凹槽中部設置有從所述凹槽底面向上延伸的凸起，所述凸起外側(cè)的凹槽底壁上設置有彈性墊。

12、優(yōu)選地，第一供氣管與氮氣氣源相連。

13、與現(xiàn)有技術相比，本實用新型提供的氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，該裝置的第一供氣管與其中一個頂盤進氣口連通，并且將未與第一供氣管連通的其他進氣口封閉，使清潔氣體由一個進氣口輸送到頂盤內(nèi)部，實現(xiàn)對頂盤內(nèi)部的吹掃，有效清潔頂盤內(nèi)部的沉積雜質(zhì)。

技術特征：

1.一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，所述基座的形狀與所述氣相化學沉積設備頂盤部件的進氣座形狀相適配，所述氣相化學沉積設備頂盤部件的進氣座容納在所述卡持部和所述基座之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，所述卡持部包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，擠壓件包括：

5.根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，所述擠壓件還包括：螺帽，所述螺帽設置在所述安裝板的上方，所述螺桿與所述螺帽固定連接從所述螺帽底部向下延伸穿過所述螺孔設置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，所述第一密封件與所述氣相化學沉積設備頂盤部件的第一進氣口相抵靠，以密封所述第一進氣口；所述第一供氣管與所述氣相化學沉積設備頂盤部件清潔裝置的第二進氣口相連通，以向所述氣相化學沉積設備頂盤部件中通入清潔氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，所述基座沿著左右方向橫向設置，所述卡持部包括第一卡持部和第二卡持部，所述第一卡持部和第二卡持部分別設置在基座的左右兩側(cè)上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，所述第一密封件包括凹槽，所述凹槽向上開口，所述凹槽中部設置有從所述凹槽底面向上延伸的凸起，所述凸起外側(cè)的凹槽底壁上設置有彈性墊。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，其特征在于，第一供氣管與氮氣氣源相連。

技術總結(jié)
一種氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，包括：基座，基座包括第一密封件，第一密封件與氣相化學沉積設備頂盤的第一進氣口對應設置；以及第一供氣管，第一供氣管與頂盤的第二進氣口對應設置，以向第二進氣口提供清潔用氣體；卡持部，卡持部和基座之間相隔預定距離，以在二者之間容納頂盤的至少部分結(jié)構(gòu)；卡持部與頂盤接觸，具有向頂盤施加的保持力，以使第一密封件密封第一進氣口。本技術提供的氣相化學沉積設備頂盤清潔裝置，該裝置的第一供氣管與其中一個頂盤進氣口連通，并且將未與第一供氣管連通的其他進氣口封閉，使清潔氣體由一個進氣口輸送到頂盤內(nèi)部，實現(xiàn)對頂盤內(nèi)部的吹掃，有效清潔頂盤內(nèi)部的沉積雜質(zhì)。

技術研發(fā)人員：宋濤,李輝
受保護的技術使用者：山西中科潞安紫外光電科技有限公司
技術研發(fā)日：20230913
技術公布日：2024/11/28