本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種硅片拋光設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在實(shí)現(xiàn)硅片局部和全部平坦化的方法中，化學(xué)機(jī)械拋光(chemical?mechanicalpolishing，cmp)是一種獨(dú)特的關(guān)鍵技術(shù)，為了進(jìn)一步改善硅片的表面形貌，滿足嚴(yán)格的工藝要求，硅片的化學(xué)機(jī)械拋光主要分為粗拋光和最終拋光兩個(gè)步驟，其中，粗拋光有利于快速去除表面的損壞層，而最終拋光本質(zhì)上是拋光和清洗的過(guò)程，快速剝離和去除殘留的顆粒。在最終拋光結(jié)束后，硅片表面會(huì)殘留顆粒、拋光液(slurry)等雜質(zhì)，需要進(jìn)行清洗，否則硅片表面的殘留物質(zhì)會(huì)導(dǎo)致硅片品質(zhì)降低。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，是通過(guò)清潔噴嘴向硅片噴射水柱，對(duì)硅片上的殘留物質(zhì)進(jìn)行清洗，但是現(xiàn)有的清潔噴嘴噴射出的水柱由于重力作用無(wú)法覆蓋整個(gè)硅片表面，導(dǎo)致硅片上殘留物質(zhì)無(wú)法清洗干凈，影響硅片品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種硅片拋光設(shè)備，能夠在硅片拋光工藝中實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面進(jìn)行全部清洗，去除整個(gè)硅片上的殘留物質(zhì)，從而提高硅片品質(zhì)。

2、為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例采用的技術(shù)方案是：

3、一種硅片拋光設(shè)備，包括：

4、拋光頭，所述拋光頭的下表面用于吸附硅片，且所述拋光頭用于帶動(dòng)所述硅片在水平面上旋轉(zhuǎn)；

5、設(shè)置于所述拋光頭的一側(cè)的清潔噴嘴，所述清潔噴嘴用于向所述硅片噴射由所述硅片邊緣流向所述硅片圓心的清潔液；

6、其中，所述清潔噴嘴朝向所述硅片的一端在豎直方向上的截面為橢圓形、長(zhǎng)方形、扁菱形或紡錘形。

7、一些實(shí)施例中，還包括：固定組件和關(guān)節(jié)組件；

8、所述固定組件設(shè)置于所述拋光頭的一側(cè)；

9、所述清潔噴嘴通過(guò)所述關(guān)節(jié)組件與所述固定組件的一端連接。

10、一些實(shí)施例中，所述清潔噴嘴在水平方向上呈扁平擴(kuò)散狀，且所述清潔噴嘴由遠(yuǎn)離所述硅片到靠近所述硅片的方向逐漸擴(kuò)大。

11、一些實(shí)施例中，通過(guò)所述關(guān)節(jié)組件，所述清潔噴嘴能夠在豎直方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。

12、一些實(shí)施例中，在豎直方向上，所述清潔噴嘴與所述關(guān)節(jié)組件連接的一端的高度低于所述清潔噴嘴朝向所述硅片的一端的高度。

13、一些實(shí)施例中，還包括：

14、組裝組件，所述組裝組件的第一表面與所述拋光頭的下表面連接，所述組裝組件的第二表面用于吸附所述硅片；

15、所述第一表面和所述第二表面是所述組裝組件相對(duì)的兩個(gè)表面。

16、一些實(shí)施例中，所述清潔噴嘴的數(shù)量為多個(gè)；

17、多個(gè)所述清潔噴嘴圍繞所述拋光頭的外周均勻分布。

18、本實(shí)用新型的有益效果是：

19、本實(shí)施例提供的硅片拋光設(shè)備，通過(guò)拋光頭的下表面吸附硅片，并對(duì)硅片進(jìn)行拋光，在拋光過(guò)程中或者拋光結(jié)束后，通過(guò)設(shè)置于拋光頭的一側(cè)的清潔噴嘴向硅片噴射清潔液，之后再由拋光頭帶動(dòng)硅片在水平面上旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面的清潔，并且將清潔噴嘴朝向硅片的一端的截面為橢圓形、長(zhǎng)方形、扁菱形或紡錘形等扁平形狀，使清潔噴嘴噴射出的清潔液為面型擴(kuò)散水流，減少重力的影響，保證清潔液能夠由硅片邊緣流向硅片圓心，從而實(shí)現(xiàn)在硅片拋光工藝中對(duì)整個(gè)硅片進(jìn)行清洗，去除整個(gè)硅片上的殘留物質(zhì)，提高硅片品質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種硅片拋光設(shè)備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片拋光設(shè)備，其特征在于，還包括：固定組件和關(guān)節(jié)組件；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片拋光設(shè)備，其特征在于，通過(guò)所述關(guān)節(jié)組件，所述清潔噴嘴能夠在豎直方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片拋光設(shè)備，其特征在于，在豎直方向上，所述清潔噴嘴與所述關(guān)節(jié)組件連接的一端的高度低于所述清潔噴嘴朝向所述硅片的一端的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片拋光設(shè)備，其特征在于，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片拋光設(shè)備，其特征在于，所述清潔噴嘴的數(shù)量為多個(gè)；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種硅片拋光設(shè)備，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，所述硅片拋光設(shè)備，包括：拋光頭，所述拋光頭的下表面用于吸附硅片，且所述拋光頭用于帶動(dòng)所述硅片在水平面上旋轉(zhuǎn)；設(shè)置于所述拋光頭的一側(cè)的清潔噴嘴，所述清潔噴嘴用于向所述硅片噴射由所述硅片邊緣流向所述硅片圓心的清潔液；其中，所述清潔噴嘴朝向所述硅片的一端在豎直方向上的截面為橢圓形、長(zhǎng)方形、扁菱形或紡錘形。本技術(shù)的技術(shù)方案，能夠?qū)崿F(xiàn)在硅片拋光工藝中對(duì)整個(gè)硅片進(jìn)行清洗，去除整個(gè)硅片上的殘留物質(zhì)，提高硅片品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：郭鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20230921
技術(shù)公布日：2024/10/24