本技術(shù)涉及化學(xué)氣相沉積，具體為一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、hjt電池，也叫hit電池，俗稱異質(zhì)結(jié)電池，都是第三代電池片，全稱為晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，是一種采用hit結(jié)構(gòu)的硅太陽能電池，該技術(shù)是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜。綜合了晶體硅電池與薄膜電池的核心競爭力，能提高光電轉(zhuǎn)換效率，是高轉(zhuǎn)換效率硅基太陽能電池的熱門朝向中的一種。

2、hjt電池薄膜采用化學(xué)氣相沉積（cvd）設(shè)備進(jìn)行制備，化學(xué)氣相沉積是將含有薄膜所需的原子或分子的氣體混合物注入反應(yīng)室，并在反應(yīng)室中發(fā)生反應(yīng)，其原子或分子淀積在晶體硅表面，聚集形成薄膜的過程。

3、現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，由于抽氣孔開設(shè)在支承座的兩側(cè)，造成反應(yīng)氣體在該支承座表面上氣體流速和壓力分布的不均勻，進(jìn)而影響晶體硅上薄膜沉積的均勻，同時(shí)在經(jīng)過一段時(shí)間的使用后，支承座表面將會(huì)沉積一定的雜質(zhì)顆粒，此種雜質(zhì)顆粒往往不會(huì)在整個(gè)支承座表面均勻分布，由此導(dǎo)致支承座表面不平整，因此，需要調(diào)整晶體硅至噴頭的距離，使得晶體硅表面各處至噴頭的距離相等?，F(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，需要打開反應(yīng)腔室，清洗支承座表面，使得支承座表面平整；或者，調(diào)整噴頭，使得噴頭與晶體硅具有相同的傾斜角度，而不管哪種方式，都首先需要打開反應(yīng)腔室，調(diào)整起來非常的困難，為此我們提供了一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，解決了上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括反應(yīng)腔室、安裝在反應(yīng)腔室頂部的噴頭、安裝在反應(yīng)腔室底部的支撐座，所述反應(yīng)腔室內(nèi)腔的底部安裝有高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)用來支撐抬高支撐座相應(yīng)部位的高度，所述反應(yīng)腔室內(nèi)腔的底部固定安裝有下均氣腔，所述下均氣腔的頂部活動(dòng)套接有上均氣腔，所述上均氣腔的頂部開設(shè)有抽氣孔，所述上均氣腔的底部連接有抽氣結(jié)構(gòu)，所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部安裝有用來驅(qū)動(dòng)上均氣腔轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。

3、可選的，所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括固定安裝在反應(yīng)腔室底部的下滑架，所述下滑架的內(nèi)部活動(dòng)套接有第一撐桿，所述第一撐桿的頂部活動(dòng)套接有第一滑塊，所述支撐座的底部固定安裝有上滑架，所述上滑架的內(nèi)部開設(shè)有第一滑槽，所述第一滑塊卡接在第一滑槽中。

4、可選的，所述下滑架的內(nèi)部開設(shè)有第二滑槽，所述第二滑槽的內(nèi)部卡接有第二滑塊，所述第二滑塊的外部活動(dòng)套接有第二撐桿，所述第二撐桿的頂部與第一滑塊活動(dòng)套接在一起。

5、可選的，所述下滑架靠近第二滑槽的一端固定安裝有驅(qū)動(dòng)電機(jī)一，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)一的輸出軸上連接有絲杠，所述絲杠活動(dòng)套接在下滑架的內(nèi)部，所述第二滑塊螺紋套接在絲杠的外部。

6、可選的，所述上均氣腔呈圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述上均氣腔環(huán)繞在支撐座的外部，所述抽氣孔關(guān)于支撐座中心對(duì)稱分布。

7、可選的，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括固定安裝在反應(yīng)腔室底部的驅(qū)動(dòng)電機(jī)二，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)二輸出軸的頂部延伸至反應(yīng)腔室的內(nèi)部，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)二輸出軸的頂端固定安裝有驅(qū)動(dòng)輪，所述驅(qū)動(dòng)輪與上均氣腔的內(nèi)側(cè)傳動(dòng)連接。

8、可選的，所述抽氣結(jié)構(gòu)包括連接在上均氣腔底部的抽氣管，所述抽氣管的數(shù)量有兩個(gè)且關(guān)于支撐座左右對(duì)稱分布，所述抽氣管的底部通過三通管與泵體連通。

9、本實(shí)用新型提供了一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，具備以下有益效果：

10、1、該hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，通過設(shè)置高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，利用驅(qū)動(dòng)電機(jī)一帶動(dòng)絲杠轉(zhuǎn)動(dòng)，能夠使第二滑塊沿著絲杠移動(dòng)，從而使第二撐桿推動(dòng)上滑架上下移動(dòng)，對(duì)支撐座相應(yīng)位置的高度進(jìn)行調(diào)整，最終調(diào)節(jié)晶體硅的高度，使得晶體硅表面各處至噴頭的距離相等，不需要打開反應(yīng)腔室，調(diào)整起來非常的困難。

11、2、該hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，通過設(shè)置上均氣腔，利用驅(qū)動(dòng)電機(jī)二帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，再由驅(qū)動(dòng)輪帶動(dòng)上均氣腔旋轉(zhuǎn)，能夠不斷的調(diào)整抽氣孔的位置，抽氣孔關(guān)于支撐座中心對(duì)稱分布，能夠使反應(yīng)腔室內(nèi)部氣體流速和壓力分布更加的均勻，提高晶體硅薄膜沉積的均勻性。

技術(shù)特征：

1.一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括反應(yīng)腔室（1）、安裝在反應(yīng)腔室（1）頂部的噴頭（2）、安裝在反應(yīng)腔室（1）底部的支撐座（3），其特征在于：所述反應(yīng)腔室（1）內(nèi)腔的底部安裝有高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)（4），所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)（4）用來支撐抬高支撐座（3）相應(yīng)部位的高度，所述反應(yīng)腔室（1）內(nèi)腔的底部固定安裝有下均氣腔（6），所述下均氣腔（6）的頂部活動(dòng)套接有上均氣腔（7），所述上均氣腔（7）的頂部開設(shè)有抽氣孔（8），所述上均氣腔（7）的底部連接有抽氣結(jié)構(gòu)，所述反應(yīng)腔室（1）的內(nèi)部安裝有用來驅(qū)動(dòng)上均氣腔（7）轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于：所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)（4）包括固定安裝在反應(yīng)腔室（1）底部的下滑架（401），所述下滑架（401）的內(nèi)部活動(dòng)套接有第一撐桿（402），所述第一撐桿（402）的頂部活動(dòng)套接有第一滑塊（403），所述支撐座（3）的底部固定安裝有上滑架（404），所述上滑架（404）的內(nèi)部開設(shè)有第一滑槽（405），所述第一滑塊（403）卡接在第一滑槽（405）中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于：所述下滑架（401）的內(nèi)部開設(shè)有第二滑槽（406），所述第二滑槽（406）的內(nèi)部卡接有第二滑塊（407），所述第二滑塊（407）的外部活動(dòng)套接有第二撐桿（408），所述第二撐桿（408）的頂部與第一滑塊（403）活動(dòng)套接在一起。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于：所述下滑架（401）靠近第二滑槽（406）的一端固定安裝有驅(qū)動(dòng)電機(jī)一（5），所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)一（5）的輸出軸上連接有絲杠（501），所述絲杠（501）活動(dòng)套接在下滑架（401）的內(nèi)部，所述第二滑塊（407）螺紋套接在絲杠（501）的外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于：所述上均氣腔（7）呈圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述上均氣腔（7）環(huán)繞在支撐座（3）的外部，所述抽氣孔（8）關(guān)于支撐座（3）中心對(duì)稱分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括固定安裝在反應(yīng)腔室（1）底部的驅(qū)動(dòng)電機(jī)二（11），所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)二（11）輸出軸的頂部延伸至反應(yīng)腔室（1）的內(nèi)部，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)二（11）輸出軸的頂端固定安裝有驅(qū)動(dòng)輪（12），所述驅(qū)動(dòng)輪（12）與上均氣腔（7）的內(nèi)側(cè)傳動(dòng)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種hjt電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于：所述抽氣結(jié)構(gòu)包括連接在上均氣腔（7）底部的抽氣管（9），所述抽氣管（9）的數(shù)量有兩個(gè)且關(guān)于支撐座（3）左右對(duì)稱分布，所述抽氣管（9）的底部通過三通管與泵體（10）連通。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種HJT電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，涉及化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種HJT電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括反應(yīng)腔室、安裝在反應(yīng)腔室頂部的噴頭、安裝在反應(yīng)腔室底部的支撐座，所述反應(yīng)腔室內(nèi)腔的底部安裝有高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)用來支撐抬高支撐座相應(yīng)部位的高度。該HJT電池薄膜制備用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，通過設(shè)置高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，利用驅(qū)動(dòng)電機(jī)一帶動(dòng)絲杠轉(zhuǎn)動(dòng)，能夠使第二滑塊沿著絲杠移動(dòng)，從而使第二撐桿推動(dòng)上滑架上下移動(dòng)，對(duì)支撐座相應(yīng)位置的高度進(jìn)行調(diào)整，最終調(diào)節(jié)晶體硅的高度，使得晶體硅表面各處至噴頭的距離相等，不需要打開反應(yīng)腔室，調(diào)整起來非常的困難。

技術(shù)研發(fā)人員：崔日
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥智杰精密設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231208
技術(shù)公布日：2024/12/19