本申請要求基于2022年4月14日提交的韓國專利申請no.10-2022-0046457的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該專利申請的全部內(nèi)容作為本申請的一部分并入本發(fā)明。本發(fā)明涉及一種用于拋光墊的子墊、包括該子墊的拋光墊和制造用于拋光墊的子墊的方法。

背景技術(shù)：

1、化學機械拋光(cmp)工藝是，例如，在半導體工業(yè)中使晶片平坦化和鏡面拋光的關(guān)鍵工藝，并且通過拋光墊和包含納米顆粒的漿料的機械和化學作用進行拋光。

2、化學機械拋光(cmp)墊由與晶片接觸以進行拋光的頂墊和用于負載分布的軟子墊組成，如圖1所示。由于頂墊用于與納米顆粒、晶片和金剛石修整器的頻繁接觸環(huán)境中，因此主要使用具有強機械性能和優(yōu)異耐化學性的聚氨酯。另一方面，子墊具有其中軟聚酯纖維材料浸漬有聚氨酯的多孔結(jié)構(gòu)，以執(zhí)行施加至頂墊的負載的緩沖功能(例如suba?iv,dupont)。

3、然而，由于這種常規(guī)子墊的多孔結(jié)構(gòu)，漿料可能會滲透到墊側(cè)面，這可能會在拋光工藝的過程中改變拋光墊的機械性能。

4、因此，為了改善這一缺點，將“邊緣密封”技術(shù)應用于子墊(us6,464,576b1)。然而，上述“邊緣密封”工藝增加了子墊的制造成本，并且還難以提供足夠的效果。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，

3、本發(fā)明的一個目的是提供一種用于拋光墊的子墊，其能夠有效地防止在拋光工藝的過程中漿料滲透通過側(cè)面。

4、本發(fā)明的另一目的是提供一種拋光墊，該拋光墊通過包括子墊，有效地防止在拋光工藝的過程中由漿料引起的物理性能的變化并且提供優(yōu)異的耐久性。

5、本發(fā)明的又一目的是提供一種制造用于拋光墊的子墊的方法，該方法可以通過簡單的方法制造具有優(yōu)異質(zhì)量的子墊。

6、技術(shù)方案

7、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于拋光墊的子墊，所述子墊堆疊在與晶片接觸以進行拋光的頂墊下方，并且所述子墊包括納米纖維非織造織物墊，其中，所述納米纖維非織造織物墊的外圓周部分的納米纖維密度形成為比所述外圓周部分內(nèi)側(cè)的其它部分的納米纖維密度高1.2倍至5倍。

8、另外，本發(fā)明提供一種拋光墊，包括：

9、與晶片接觸以進行拋光的頂墊；和

10、堆疊在所述頂墊下方的本發(fā)明的子墊。

11、另外，本發(fā)明提供一種制造用于所述拋光墊的子墊的方法，所述方法包括以下步驟：

12、a)使聚合物溶液靜電紡絲；

13、b)回收通過所述靜電紡絲形成的納米纖維非織造織物；和

14、c)熱壓所述納米纖維非織造織物，

15、其中，在步驟a)的靜電紡絲過程中的收集器包括對應于所述子墊的外圓周部分的圓形電極。

16、有益效果

17、本發(fā)明的用于拋光墊的子墊提供了有效防止在拋光工藝的過程中漿料滲透通過側(cè)面的效果。

18、另外，本發(fā)明的拋光墊通過包括上述子墊，有效地防止在拋光工藝的過程中由于漿料引起的物理性能的變化，從而提供優(yōu)異的耐久性。

19、另外，本發(fā)明的制造用于拋光墊的子墊的方法提供了一種通過簡單方法制造具有優(yōu)異質(zhì)量的子墊的方法。

技術(shù)特征：

1.一種用于拋光墊的子墊，所述子墊堆疊在與晶片接觸以進行拋光的頂墊下方，并且所述子墊包括納米纖維非織造織物墊，其中，所述納米纖維非織造織物墊的外圓周部分的納米纖維密度形成為比所述外圓周部分內(nèi)側(cè)的其它部分的納米纖維密度高1.2倍至5倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光墊的子墊，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光墊的子墊，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于拋光墊的子墊，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光墊的子墊，

6.一種拋光墊，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，

8.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光墊的子墊的方法，所述方法包括以下步驟：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造用于拋光墊的子墊的方法，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造用于拋光墊的子墊的方法，

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造用于拋光墊的子墊的方法，

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造用于拋光墊的子墊的方法，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供：一種用于拋光墊的子墊，所述子墊堆疊在與晶片接觸以進行拋光的頂墊下方，并且所述子墊包括納米纖維非織造織物墊，所述納米纖維非織造織物墊的外圓周部分的納米纖維密度形成為比所述外圓周部分內(nèi)側(cè)的其它部分的納米纖維密度高1.2倍至5倍；一種包括所述子墊的拋光墊；和一種制造所述用于拋光墊的子墊的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：閔丙柱,金昇槿,姜民旴,吳南奎,金山河,鄭知勛,嚴允植
受保護的技術(shù)使用者：韓商KPX化學股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10