本發(fā)明涉及一種清洗半導(dǎo)體晶片等基板的裝置及具備該清洗裝置的基板研磨裝置。
背景技術(shù):
1、研磨半導(dǎo)體晶片等基板的表面的研磨裝置具備研磨模塊、清洗模塊和基板搬送機(jī)構(gòu)。研磨模塊包括具有研磨墊的研磨臺(tái)和保持基板的研磨頭(頂環(huán))。研磨頭在進(jìn)行基板的交接的交接位置和與研磨墊重疊的研磨位置之間搬送基板。在研磨位置,以規(guī)定壓力將基板表面按壓在研磨墊,一邊供給研磨液(漿料),一邊使研磨墊和基板相對(duì)運(yùn)動(dòng),由此使基板與研磨墊滑動(dòng)接觸,將基板表面研磨成規(guī)定的膜厚。
2、清洗組件具備進(jìn)行基板表面的粗清洗(一次清洗)及精清洗(二次清洗)的多個(gè)清洗組件,除去在研磨處理后殘留在基板上的研磨液、研磨渣等研磨殘?jiān)?顆粒)。在清洗模塊設(shè)有用于清洗多個(gè)基板的多個(gè)清洗線(日本特開2010-50436號(hào)公報(bào))。
3、如果研磨處理后的基板表面殘留顆粒,則會(huì)影響半導(dǎo)體器件的成品率,因此優(yōu)選在交給清洗模塊之前除去顆粒。因此,還公開了一種研磨裝置,在設(shè)置于研磨模塊內(nèi)的研磨臺(tái)的側(cè)方的清洗位置,一邊旋轉(zhuǎn)由頂環(huán)保持的基板,一邊從設(shè)置于基板的下方的清洗噴嘴噴射清洗液,由此對(duì)研磨處理后的基板進(jìn)行清洗處理(日本專利第6055648號(hào))。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、在一邊使基板旋轉(zhuǎn)一邊從設(shè)置在基板的下方的清洗噴嘴噴射清洗液來進(jìn)行清洗處理的情況下,雖然含有顆粒的清洗液由于伴隨著基板的旋轉(zhuǎn)的離心力而從基板的外周排出到外部,但由于作用在噴射到基板的中央附近的清洗液的離心力比較小,所以難以排出到基板外部。另外,清洗液的一部分滯留在基板w的中央附近,其結(jié)果,顆粒有時(shí)會(huì)再次附著在基板,需要將含有顆粒的清洗液高效地排出到外部。
2、本發(fā)明的一方式是基板清洗裝置,設(shè)置于研磨裝置,對(duì)研磨后的基板的表面進(jìn)行清洗,所述研磨裝置具備:研磨臺(tái),該研磨臺(tái)具有進(jìn)行基板研磨的研磨面;以及頂環(huán),該頂環(huán)一邊利用保持環(huán)圍繞所述基板的外周部一邊利用膜保持所述基板并將該基板向所述研磨面按壓,所述頂環(huán)在研磨位置與交接位置之間移動(dòng)自如,所述研磨位置是在所述研磨臺(tái)的上方進(jìn)行所述基板研磨的位置,所述交接位置是在所述研磨臺(tái)的側(cè)方進(jìn)行所述基板的交接的位置,所述基板清洗裝置與所述研磨位置和所述交接位置之間的清洗位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置,所述基板清洗裝置具備第一噴射單元和第二噴射單元,所述第一噴射單元朝向位于所述清洗位置的所述基板噴射清洗液,所述第二噴射單元朝向位于所述清洗位置的所述基板噴射清洗液,在位于所述清洗位置的所述頂環(huán)的旋轉(zhuǎn)方向上,所述第二噴射單元配置在所述第一噴射單元的下游側(cè)或上游側(cè),來自所述第二噴射單元的清洗液朝向所述基板的外周部對(duì)從所述第一噴射單元噴射的清洗液施力。構(gòu)成所述第二噴射單元的噴射噴嘴朝向所述第一噴射單元傾斜。
1.一種基板清洗裝置,設(shè)置于研磨裝置,對(duì)研磨后的基板的表面進(jìn)行清洗,所述研磨裝置具備:研磨臺(tái),該研磨臺(tái)具有進(jìn)行基板研磨的研磨面;以及頂環(huán),該頂環(huán)一邊利用保持環(huán)圍繞所述基板的外周部一邊利用膜保持所述基板并將該基板向所述研磨面按壓,其特征在于,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
9.一種基板研磨裝置,其特征在于,具備:
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板研磨裝置,其特征在于,