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      催化加熱器及鍍膜設(shè)備的制作方法

      文檔序號(hào):39617666發(fā)布日期:2024-10-11 13:31閱讀:41來(lái)源:國(guó)知局
      催化加熱器及鍍膜設(shè)備的制作方法

      本申請(qǐng)實(shí)施例涉及薄膜沉積,尤其涉及一種催化加熱器及鍍膜設(shè)備。


      背景技術(shù):

      1、在傳統(tǒng)的催化加速化學(xué)氣相沉積中,通常使用熱金屬絲進(jìn)行加熱和催化,這種工藝通常稱為熱絲化學(xué)氣相沉積(ho?t-w?i?r?e?chemi?ca?l?vapor?depo?s?i?t?i?on,hwcvd)。熱絲在制備薄膜過(guò)程中能給氣源的離解提供能量,也就是對(duì)需要鍍膜的特殊氣體起著催化的作用,熱絲一般在高溫條件下不會(huì)揮發(fā)或不易揮發(fā),熔點(diǎn)要在2000℃以上、熱分解氣源效率要高,熱絲表面不易積碳,熱電子發(fā)射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)、不易發(fā)生碳化或氧化等優(yōu)點(diǎn)。目前的hwcad中,通常將熱絲制備呈絲狀結(jié)構(gòu)的熱絲組,并放置于待鍍膜的工件(例如硅板)的上方,熱絲在加熱過(guò)程中會(huì)變形,現(xiàn)有的安裝方包括,例如,將熱絲組制作成倒的u形并豎直放置于工件的上方,u形熱絲組的兩端靠近工件,這導(dǎo)致工件存在大量遠(yuǎn)離熱絲的區(qū)域,溫度的一致性差;又如,將熱絲組平放于工件的上方,由于熱絲加熱過(guò)程中的變形,容易造成熱絲組的中心下垂,仍會(huì)存在溫度不均等問(wèn)題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、有鑒于此,有必要提供一種催化加熱器,以改善現(xiàn)有催化加熱器中因金屬催化件變形,導(dǎo)致催化加熱器與工件的位置發(fā)生改變,降低cat?cvd工藝效果的技術(shù)問(wèn)題。

      2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N催化加熱器,用于催化加速工件的化學(xué)氣相沉積,催化加熱器包括碳基主體和金屬催化件。碳基主體被配置為朝向待進(jìn)行催化加速化學(xué)氣相沉積的工件,所述碳基主體設(shè)有管道;金屬催化件設(shè)置于所述管道內(nèi),且在高溫環(huán)境下釋放催化因子;所述碳基主體的外壁設(shè)有環(huán)繞所述管道外周的通孔,所述通孔連通所述管道,且被配置為允許所述催化因子通過(guò)。

      3、上述催化加熱器中金屬催化件安裝于管道內(nèi),盡管金屬催化件在高溫的環(huán)境下形狀發(fā)生變化,但由于碳基主體與工件的相對(duì)位置不變,使位于催化加熱器中的金屬催化件與工件的相對(duì)位置不變,有利于工件的溫度均勻,幾乎避免了金屬催化件變形影響cat?cvd工藝的效果。

      4、在一種可能的實(shí)施方式中,所述碳基主體被配置為連接電源。

      5、在一種可能的實(shí)施方式中,所述碳基主體呈管狀結(jié)構(gòu),所述碳基主體的兩個(gè)端部分別連接電源的正極和負(fù)極。

      6、在一種可能的實(shí)施方式中,所述金屬催化件的數(shù)量為多個(gè),多個(gè)所述金屬催化件被配置為沿所述管道的延伸路徑依次填充至所述管道內(nèi)。

      7、在一種可能的實(shí)施方式中,金屬催化件于對(duì)應(yīng)的通孔上的正投影超出通孔的輪廓。

      8、在一種可能的實(shí)施方式中,所述碳基主體設(shè)有至少一個(gè)開口,所述開口連通所述管道,且被配置為允許所述金屬催化件通過(guò)。

      9、在一種可能的實(shí)施方式中,所述通孔的數(shù)量為多個(gè),所述碳基主體沿所述管道的中心軸環(huán)繞布置多個(gè)所述通孔,以及沿所述管道的延伸路徑依次布置多個(gè)所述通孔。

      10、在一種可能的實(shí)施方式中,通孔為條形孔;和/或,金屬催化件為球形。

      11、在一種可能的實(shí)施方式中,所述碳基主體的材料包括碳纖維、玻璃碳、石墨、碳化硅涂層石墨、碳復(fù)合材料、石墨紙張和碳化物陶瓷中的至少一種。

      12、在一種可能的實(shí)施方式中,所述金屬催化件為鎢、鉭、鉬、釩、鉑、錸和銥中的至少一個(gè)。

      13、本申請(qǐng)還提供一種鍍膜設(shè)備,鍍膜設(shè)備包括載板和上述的催化加熱器,載板與催化加熱器相對(duì)設(shè)置,載板用于承載工件。

      14、在一種可能的實(shí)施方式中,鍍膜設(shè)備還包括氣路組件,氣路組件用于通氣或抽氣,氣路組件位于載板與催化加熱器之間。

      15、在一種可能的實(shí)施方式中,氣路組件包括第一管道和第二管道,第一管道延伸成封閉的圈狀,第一管道開設(shè)有多個(gè)第一氣孔,所述第一管道用于通氣或抽氣;第二管道開設(shè)有多個(gè)第二氣孔,且環(huán)繞第一管道,第二管道用于通氣或抽氣;其中,第一管道在載板上的正投影位于載板的中心,第二管道在載板上的正投影包圍載板。



      技術(shù)特征:

      1.一種催化加熱器,用于催化加速工件的化學(xué)氣相沉積,其特征在于,所述催化加熱器包括:

      2.如權(quán)利要求1所述的催化加熱器,其特征在于:所述碳基主體被配置為連接電源。

      3.如權(quán)利要求2所述的催化加熱器,其特征在于:所述碳基主體呈管狀結(jié)構(gòu),所述碳基主體的兩個(gè)端部分別連接電源的正極和負(fù)極。

      4.如權(quán)利要求3所述的催化加熱器,其特征在于:所述金屬催化件的數(shù)量為多個(gè),多個(gè)所述金屬催化件被配置為沿所述管道的延伸路徑依次填充至所述管道內(nèi)。

      5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的催化加熱器,其特征在于:所述金屬催化件于對(duì)應(yīng)的所述通孔上的正投影超出所述通孔的輪廓。

      6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的催化加熱器,其特征在于:所述碳基主體設(shè)有至少一個(gè)開口,所述開口連通所述管道,且被配置為允許所述金屬催化件通過(guò)。

      7.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的催化加熱器,其特征在于:所述通孔的數(shù)量為多個(gè),所述碳基主體沿所述管道的中心軸環(huán)繞布置多個(gè)所述通孔,以及沿所述管道的延伸路徑依次布置多個(gè)所述通孔。

      8.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的催化加熱器,其特征在于:所述通孔為條形孔;

      9.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的催化加熱器,其特征在于:所述碳基主體的材料包括碳纖維、玻璃碳、石墨、碳化硅涂層石墨、碳復(fù)合材料、石墨紙張和碳化物陶瓷中的至少一種。

      10.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的催化加熱器,其特征在于:所述金屬催化件為鎢、鉭、鉬、釩、鉑、錸和銥中的至少一個(gè)。

      11.一種鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜設(shè)備包括載板和如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的催化加熱器,所述載板與所述催化加熱器相對(duì)設(shè)置,所述載板用于承載工件。

      12.如權(quán)利要求11所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述鍍膜設(shè)備還包括氣路組件,所述氣路組件用于通氣或抽氣,所述氣路組件位于所述載板與所述催化加熱器之間。

      13.如權(quán)利要求12所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述氣路組件包括第一管道和第二管道,所述第一管道延伸成封閉的圈狀,所述第一管道開設(shè)有多個(gè)第一氣孔,所述第一管道用于通氣或抽氣,所述第二管道開設(shè)有多個(gè)第二氣孔,且環(huán)繞所述第一管道,所述第二管道用于通氣或抽氣;


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N催化加熱器及鍍膜設(shè)備,催化加熱器包括碳基主體和金屬催化件。碳基主體被配置為朝向待進(jìn)行催化加速化學(xué)氣相沉積的工件,碳基主體設(shè)有管道;金屬催化件設(shè)置于管道內(nèi);金屬催化件和/或碳基主體被配置為連接電源,以使金屬催化件升溫至目標(biāo)溫度,釋放催化因子;碳基主體的外壁設(shè)有環(huán)繞管道外周的通孔,通孔連通管道,且被配置為允許催化因子通過(guò)。該催化加熱器中金屬催化件安裝于管道內(nèi),盡管金屬催化件或者碳基主體可以通電加熱、在高溫的環(huán)境下形狀發(fā)生變化,催化加熱器與工件的相對(duì)位置不變,使位于催化加熱器中的金屬催化件與工件的相對(duì)位置不變,有利于工件的溫度均勻,幾乎避免了金屬催化件變形影響Cat?CVD工藝的效果。

      技術(shù)研發(fā)人員:朱鶴囡,戴佳,孔琪,董雪迪,林佳繼
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:拉普拉斯(無(wú)錫)半導(dǎo)體科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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