本發(fā)明涉及金屬粉末制備,具體涉及一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法。
背景技術(shù):
1、隨著電子產(chǎn)品一直在往“小型化、集成化、高頻化”方向發(fā)展,對(duì)穩(wěn)定供電和濾波方面都有很高的要求,一體成型電感憑借其mhz電磁性能、信賴性和耐電流方面的優(yōu)勢(shì),成為mhz市場(chǎng)的主流。金屬粉末,主要包括單一金屬粉末、合金粉末以及具有金屬性質(zhì)的某些難熔化合物粉末,是一體成型電感的基礎(chǔ)電磁功能材料。金屬粉末的球形度和尺寸是影響其性能和應(yīng)用價(jià)值的重要因素。球形度越高,顆粒形狀越規(guī)則,孔隙率越小,密度越大,表面積越小,會(huì)增強(qiáng)一體成型電感的磁導(dǎo)率和飽和磁通密度。金屬粉末的電阻隨著粉末粒度減少而快速提升,這有利于金屬粉末在mhz范圍降低渦流損耗,同時(shí),截止頻率隨粒度下降而快速增加。然而,粉末粒徑越小,會(huì)導(dǎo)致流動(dòng)性和傳遞性差,影響一體成型電感的性能均勻性。綜合以上因素考慮,1~10μm的球形金屬粉末是一體電感在幾十mhz應(yīng)用的強(qiáng)力候選電磁材料。因此,1~10μm的球形金屬粉末的制備成為一種迫切需要。
2、為了實(shí)現(xiàn)高效獲得1~10μm球形金屬粉末,目前主要策略是基于物理氣相沉積(pvd)技術(shù)延伸。pvd法基本過(guò)程包括加熱氣化、控制原子碰撞、冷卻收集粉體。由于pvd法產(chǎn)物純度高、尺寸小、粒徑分布均勻、形狀與尺寸可控、制備過(guò)程對(duì)環(huán)境友好,已經(jīng)成為制備納米級(jí)粉末的主流技術(shù)。在pvd技術(shù)基礎(chǔ)上,增加原子碰撞機(jī)會(huì)是進(jìn)一步制備微米級(jí)粉末的改進(jìn)方向。
3、中國(guó)專利文獻(xiàn)上公開了“生產(chǎn)納米金屬粉裝置”,其專利號(hào)為zl02110837.4,該發(fā)明專利公開了在蒸發(fā)器內(nèi)安裝了中頻感應(yīng)線圈進(jìn)行輔助加熱,在點(diǎn)火升溫階段,只使用中頻感應(yīng)線圈來(lái)加熱,可以控制升溫速度,等加熱到一定溫度后,再開啟等離子體加熱,這樣能有效避免陶瓷坩堝破裂。其缺陷是平均粒徑隨粒子控制管長(zhǎng)度增加而變大,0.5m粒子控制管長(zhǎng)度時(shí),平均粒徑僅為450nm。
4、中國(guó)專利文獻(xiàn)上公開了“超細(xì)球形金屬粉末的制造方法及裝置”,其專利申請(qǐng)公布號(hào)為cn?115770882?a,該申請(qǐng)通過(guò)在成核管內(nèi)設(shè)置帶有凸出部件的刮板桿,對(duì)氣體起到一定的攪拌作用,金屬粉末粒徑分布變窄,減緩載流氣體速率,為金屬粉末的生長(zhǎng)、結(jié)晶化提供充分的時(shí)間和空間。但是粉末在載氣下上升生長(zhǎng),流速較小導(dǎo)致粉末在重力作用下下落,得粉率低,流速較大又會(huì)導(dǎo)致停留時(shí)間短,粉末尺寸主要集中在亞微米尺寸。
5、上述基于pvd原理的超細(xì)金屬粉末制備裝置,主要是依靠在粒子控制或生長(zhǎng)區(qū)域設(shè)置障礙或者延長(zhǎng)區(qū)域長(zhǎng)度,來(lái)增加碰撞機(jī)會(huì),使納米粒子進(jìn)一步長(zhǎng)大,但是,在重力作用下,容易落到粒子控制區(qū)域的管壁上。同時(shí),這種方式低效,且很難讓粉末進(jìn)一步長(zhǎng)大到1~10μm。同時(shí),伴隨著顆粒長(zhǎng)大,來(lái)不及球化,導(dǎo)致非球化現(xiàn)象嚴(yán)重。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,微米級(jí)球形金屬粉末粒度在1~10μm,球形度≥95%,得粉率≥90%,粒度分布狹窄且在微米級(jí),球形度高,得粉率高。
2、本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的。
3、一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,包括以下步驟:
4、步驟1:將金屬原料制成納米級(jí)固態(tài)金屬粉末;
5、步驟2:使納米級(jí)固態(tài)金屬粉末在向下沖力和重力作用下下落,下落過(guò)程中使納米級(jí)固態(tài)金屬粉末經(jīng)加熱成熔融態(tài)并給其提供向上支撐力,熔融態(tài)金屬粉末碰撞長(zhǎng)大成熔體團(tuán)簇直至達(dá)到所需尺寸的重力大于支撐力而下落,下落過(guò)程中在表面張力作用下形成微米級(jí)熔融球體;
6、步驟3:將微米級(jí)熔融球體冷卻,獲得微米級(jí)球形金屬粉末。
7、進(jìn)一步地,步驟1中,將金屬原料制成納米級(jí)固態(tài)金屬粉末的方法包括但不限于等離子電弧放電法、高能球磨法、物理氣相沉積法、γ-射線輻射法、電解法等。優(yōu)選等離子電弧放電法,施加在電極上的電壓為20~2000v。
8、進(jìn)一步地,步驟1中,首先對(duì)制備納米級(jí)固態(tài)金屬粉末的密閉環(huán)境先抽真空后通入氣體,真空度至少達(dá)到1×10-3pa,通入氣體為ar和h2的混合氣體,ar氣壓為0.009~0.09mpa,h2氣壓為0.0009~0.009mpa。
9、進(jìn)一步地,步驟2中,沖力提供方式包括但不限于氣力、磁力等。優(yōu)選氣力,氣壓為1~100kpa?ar,表示通入氣體為ar。由于納米級(jí)固態(tài)金屬粉末質(zhì)輕,呈漂浮狀態(tài),所以需提供一定的向下沖力使金屬粉末下落。
10、進(jìn)一步地,步驟2中,使納米級(jí)固態(tài)金屬粉末加熱成熔融態(tài)的方法包括但不限于電弧加熱、紅外線加熱、微波加熱、電流磁效應(yīng)加熱、石英管加熱、電阻加熱等。優(yōu)選電阻加熱,加熱溫度為1000℃~1500℃。
11、進(jìn)一步地,步驟2中,支撐力提供方式包括但不限于氣力、磁力、機(jī)械力等。優(yōu)選氣力,氣壓為1~100kpa?ar,表示通入氣體為ar。
12、進(jìn)一步地,步驟3中,制得的微米級(jí)球形金屬粉末粒度在1~10μm,球形度≥95%,得粉率≥90%。
13、進(jìn)一步地,所述金屬包括純金屬、合金、金屬?gòu)?fù)合物、金屬化合物、金屬組合物等。
14、本發(fā)明的有益效果是:
15、本發(fā)明先將金屬原料制成納米級(jí)固態(tài)金屬粉末,然后使納米級(jí)固態(tài)金屬粉末在向下沖力和重力作用下下落,下落過(guò)程中將納米級(jí)固態(tài)金屬粉末加熱成熔融態(tài)并給其提供向上支撐力,延緩粉末下降,增加粉末碰撞機(jī)會(huì),形成熔體團(tuán)簇直至達(dá)到所需尺寸的重力大于支撐力而下落,下落過(guò)程中在表面張力作用下形成微米級(jí)熔融球體,冷卻,獲得微米級(jí)球形金屬粉末,制得的粉末粒度在1~10μm,球形度≥95%,得粉率≥90%,粒度分布狹窄且在微米級(jí),球形度高,得粉率高。
16、本發(fā)明能夠通過(guò)改變向下沖力和向上支撐力的大小來(lái)調(diào)控金屬粉末粒度,進(jìn)而使金屬粉末粒度可控。
1.一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:步驟1中,采用等離子電弧放電制備納米級(jí)固態(tài)金屬粉末,施加在電極上的電壓為20~2000v。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:步驟1中,首先對(duì)制備納米級(jí)固態(tài)金屬粉末的密閉環(huán)境先抽真空后通入氣體,真空度至少達(dá)到1×10-3pa,通入氣體為ar和h2的混合氣體,ar氣壓為0.009~0.09mpa,h2氣壓為0.0009~0.009mpa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:步驟2中,沖力為1~100kpa?ar。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:步驟2中,加熱溫度為1000℃~1500℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:步驟2中,支撐力為1~100kpa?ar。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)超細(xì)球形金屬粉末的制備方法,其特征在于:步驟3中,獲得的微米級(jí)球形金屬粉末粒度在1~10μm,球形度≥95%,得粉率≥90%。