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      一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法

      文檔序號(hào):39981404發(fā)布日期:2024-11-15 14:30閱讀:15來源:國(guó)知局
      一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法

      本發(fā)明屬于非線性光學(xué),具體涉及一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法。


      背景技術(shù):

      1、金納米薄膜,具有獨(dú)特的表面等離激元共振特性,使其在光學(xué)、傳感、光電子學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。表面等離激元共振是金屬納米材料中表面自由電子與入射光電場(chǎng)集體共振產(chǎn)生的。與半導(dǎo)體或透明電介質(zhì)材料相比,金納米薄膜中,光與自由電子的耦合產(chǎn)生了更顯著的場(chǎng)增強(qiáng)和超快的時(shí)間響應(yīng),從而極大地增強(qiáng)了金納米薄膜的非線性光學(xué)響應(yīng)。

      2、非線性光學(xué)是強(qiáng)光場(chǎng)與物質(zhì)相互作用時(shí)產(chǎn)生的物理現(xiàn)象。在低強(qiáng)度光作用下,材料的光學(xué)響應(yīng)與電場(chǎng)振幅呈線性關(guān)系。而在高強(qiáng)度光作用下,光與物質(zhì)相互作用變得更加復(fù)雜,導(dǎo)致了諸如自聚焦、孤子、高次諧波等非線性效應(yīng)。金納米薄膜對(duì)光的強(qiáng)吸收特性,使得自由電子被有效激發(fā),這種強(qiáng)烈的光吸收在導(dǎo)帶內(nèi)產(chǎn)生非平衡電子布居,從而導(dǎo)致其較高的三階非線性,也稱為kerr非線性。這種kerr非線性表現(xiàn)為折射率實(shí)部和虛部隨光強(qiáng)的變化,分別對(duì)應(yīng)非線性折射和非線性吸收。非線性折射對(duì)應(yīng)于光場(chǎng)在材料中傳播時(shí)相位隨強(qiáng)度的依賴關(guān)系,導(dǎo)致光場(chǎng)的自聚焦或自散焦效應(yīng);非線性吸收對(duì)應(yīng)于材料的吸收與強(qiáng)度的依賴關(guān)系,導(dǎo)致材料的可飽和吸收、反飽和吸收等效應(yīng)的發(fā)生。金納米薄膜的kerr非線性光學(xué)特性在超短脈沖激光產(chǎn)生、全光信號(hào)處理和超快光開關(guān)等方面起著重要作用。

      3、在金納米薄膜中引入非線性光學(xué)性質(zhì)動(dòng)態(tài)調(diào)控功能,將極大地拓展其應(yīng)用領(lǐng)域。但金屬中自由電子密度過高(nb約為5.9×1022cm-3),很難被調(diào)控。一種有效的方法是制備超薄金膜(厚度為t),其表面自由電子密度ns=nbt,當(dāng)超薄金膜厚度僅為幾納米時(shí),其表面電子濃度可降至約1016cm-2量級(jí),甚至更低。這樣,利用外部調(diào)控即可有效調(diào)節(jié)其表面電子濃度,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)超薄金膜光學(xué)性質(zhì)的調(diào)控。但目前,制備超薄的連續(xù)金膜仍然存在較大的困難。并且,利用電調(diào)控動(dòng)態(tài)調(diào)制金納米薄膜的非線性吸收系數(shù)和非線性折射率還沒有報(bào)道。

      4、因此,探索金納米薄膜非線性光學(xué)性質(zhì)的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法具有重要的理論意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中金納米薄膜非線性光學(xué)性質(zhì)難以動(dòng)態(tài)調(diào)控的問題,本發(fā)明提供了一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,是將金納米薄膜的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)性質(zhì)相結(jié)合,提出基于電熱效應(yīng),利用直流電壓調(diào)制金納米薄膜的電子-聲子散射以及其光阻尼系數(shù),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)制金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的目的。

      2、本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

      3、一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,具體包括如下內(nèi)容:利用物理氣相沉積技術(shù)在石英玻璃片上蒸鍍金納米薄膜,在金納米薄膜兩端連接金屬導(dǎo)線電極,并接入直流電源,構(gòu)成電回路;通過改變直流電源的電壓,由于焦耳熱效應(yīng),金納米薄膜的溫度隨著電壓的增加而升高,使金納米薄膜中電子-聲子散射幾率增大,進(jìn)而調(diào)節(jié)其光阻尼系數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控。

      4、進(jìn)一步地,所述物理氣相沉積技術(shù)包括真空熱蒸發(fā)、磁控濺射或真空離子鍍膜。

      5、進(jìn)一步地,通過改變直流電源的電壓,實(shí)現(xiàn)對(duì)金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控,具體包括如下內(nèi)容:

      6、通過逐漸增加直流電源的電壓,金納米薄膜的溫度會(huì)隨著電壓的增加而升高,并利用z掃描裝置測(cè)試不同電壓下,金納米薄膜的z掃描曲線,得到不同電壓下的金納米薄膜的非線性吸收系數(shù)和非線性折射率。

      7、進(jìn)一步地,所述改變直流電源電壓的范圍為0~10v,對(duì)應(yīng)的金納米薄膜表面溫度調(diào)節(jié)范圍為299~353k。

      8、進(jìn)一步地,所述改變直流電源電壓的范圍為0~10v,對(duì)應(yīng)的金納米薄膜光阻尼系數(shù)變化范圍為85.5~98.3mev。

      9、進(jìn)一步地,所述直流電源的電壓從0v升高至10v時(shí),對(duì)應(yīng)的金納米薄膜非線性吸收系數(shù)從-10×10-5m/w變化至-5.98×10-5m/w,金納米薄膜非線性折射率從-10×10-12m2/w變化至-6.73×10-12m2/w。

      10、進(jìn)一步地,所述調(diào)控方法,具體包括如下步驟:

      11、步驟一:首先,將石英玻璃片依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗,并在真空干燥箱中干燥;然后,用真空蒸發(fā)鍍膜儀在所述石英玻璃片上蒸鍍一層銅薄膜作為晶種層;最后,再利用真空蒸發(fā)鍍膜儀在所述銅薄膜的位置蒸鍍一層金薄膜,得到金納米薄膜;

      12、步驟二:將兩根金屬導(dǎo)線分別置于步驟一所制備的金納米薄膜兩端,并在接觸點(diǎn)滴加導(dǎo)電銀膠,待其在空氣中自然干燥;之后,將上述金納米薄膜集成的兩根金屬導(dǎo)線接入直流電源,構(gòu)成閉合回路。

      13、進(jìn)一步地,步驟一中,所述石英玻璃片的尺寸為30mm×30mm×1mm;清洗時(shí)間為10~30分鐘,干燥時(shí)間為2~4小時(shí),所述銅薄膜的尺寸為17mm×3.5mm,蒸鍍銅薄膜的速度為所述金薄膜的尺寸為17mm×3.5mm,蒸鍍金薄膜的速度為

      14、進(jìn)一步地,步驟一中,所述蒸鍍銅薄膜的厚度為1~5nm,蒸鍍金薄膜的厚度為10~50nm。

      15、進(jìn)一步地,步驟一中,所得到的金納米薄膜的形狀為長(zhǎng)方形,短邊長(zhǎng)范圍為2~8mm,長(zhǎng)邊長(zhǎng)范圍為10~30mm。

      16、本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下:

      17、1、本發(fā)明的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,是將金納米薄膜光、電、熱學(xué)性質(zhì)相結(jié)合,通過調(diào)節(jié)施加在金納米薄膜的電壓,改變金納米薄膜的溫度,以及金納米薄膜中電子-聲子散射幾率與光阻尼系數(shù),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)制,結(jié)構(gòu)緊湊,操作簡(jiǎn)單,成本低廉,可集成于光電子器件中進(jìn)行基于電調(diào)控的動(dòng)態(tài)光調(diào)制;

      18、2、本發(fā)明所制備的金納米薄膜不需要復(fù)雜的光刻等技術(shù),工藝流程簡(jiǎn)單,適用范圍廣泛。



      技術(shù)特征:

      1.一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,具體包括如下內(nèi)容:利用物理氣相沉積技術(shù)在石英玻璃片上蒸鍍一層金納米薄膜,在金納米薄膜兩端連接金屬導(dǎo)線電極,并接入直流電源,構(gòu)成電回路;通過改變直流電源的電壓,由于焦耳熱效應(yīng),金納米薄膜的溫度隨著電壓的增加而升高,使金納米薄膜中電子-聲子散射幾率增大,進(jìn)而調(diào)節(jié)其光阻尼系數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控。

      2.如權(quán)利要求1所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,所述物理氣相沉積技術(shù)包括真空熱蒸發(fā)、磁控濺射或真空離子鍍膜。

      3.如權(quán)利要求1所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,通過改變直流電源的電壓,實(shí)現(xiàn)對(duì)金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控,具體包括如下內(nèi)容:

      4.如權(quán)利要求1所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,所述改變直流電源電壓的范圍為0~10v,對(duì)應(yīng)的金納米薄膜表面溫度調(diào)節(jié)范圍為299~353k。

      5.如權(quán)利要求1所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,所述改變直流電源電壓的范圍為0~10v,對(duì)應(yīng)的金納米薄膜光阻尼系數(shù)變化范圍為85.5~98.3mev。

      6.如權(quán)利要求1所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,所述直流電源電壓從0v升高至10v時(shí),對(duì)應(yīng)的金納米薄膜非線性吸收系數(shù)從-10×10-5m/w變化至-5.98×10-5m/w,金納米薄膜非線性折射率從-10×10-12m2/w變化至-6.73×10-12m2/w。

      7.如權(quán)利要求1所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,所述調(diào)控方法,具體包括如下步驟:

      8.如權(quán)利要求7所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,步驟一中,所述石英玻璃片的尺寸為30mm×30mm×1mm;清洗時(shí)間為10~30分鐘,干燥時(shí)間為2~4小時(shí),所述銅薄膜的尺寸為17mm×3.5mm,蒸鍍銅薄膜的速度為0.5~所述金薄膜的尺寸為17mm×3.5mm,蒸鍍金薄膜的速度為0.3~

      9.如權(quán)利要求7所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,步驟一中,所述蒸鍍銅薄膜的厚度為1~5nm,蒸鍍金薄膜的厚度為10~50nm。

      10.如權(quán)利要求7所述的一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,其特征在于,步驟一中,所得到的金納米薄膜的形狀為長(zhǎng)方形,短邊長(zhǎng)范圍為2~8mm,長(zhǎng)邊長(zhǎng)范圍為10~30mm。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控方法,屬于非線性光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,該方法是利用物理氣相沉積技術(shù)在石英玻璃片上蒸鍍一層金納米薄膜,在金納米薄膜兩端連接金屬導(dǎo)線電極,并接入直流電源,構(gòu)成電回路;通過改變直流電源的電壓,由于焦耳熱效應(yīng),金納米薄膜的溫度隨著電壓的增加而升高,使金納米薄膜中電子?聲子散射幾率增大,進(jìn)而調(diào)節(jié)其光阻尼系數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的動(dòng)態(tài)調(diào)控。本發(fā)明是將金納米薄膜的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)性質(zhì)相結(jié)合,提出基于電熱效應(yīng),利用直流電壓調(diào)制金納米薄膜的電子?聲子散射以及光阻尼系數(shù),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)制金納米薄膜非線性吸收系數(shù)和非線性折射率的目的。

      技術(shù)研發(fā)人員:秦冠仕,呂昶見,賈志旭,孟凡超,秦偉平
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:吉林大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/11/14
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