本發(fā)明屬于碳化硅加工領(lǐng)域，特別涉及一種先晶片倒角，后晶片減薄的加工順序，為保證晶片在減薄后上、下幅寬一致的加工方法；避免了二次倒角，提高了加工效率，節(jié)約了加工成本。

背景技術(shù)：

1、碳化硅碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿電場和高電子飽和遷移率，具有比其他材料更完美的材料特性，使其在高溫、高頻、大功率的電子元器件中具有巨大的應(yīng)用潛力。因碳化硅單晶材料化學(xué)穩(wěn)定性好、硬度高，使得碳化硅晶片在加工中費時費力而且成本昂貴，為了進(jìn)一步更快的實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，如何降低碳化硅晶片的加工成本、提高加工效率是未來的發(fā)展方向。

2、目前碳化硅行業(yè)中對晶片倒角存在著多種加工方法、加工順序，但都會存在著一些不同的加工缺陷。

3、如減薄后加工倒角，雖然保證了晶片上、下幅寬的一致性，但存在晶片偏薄，倒角過程中可能會出現(xiàn)碎片的可能性，即使降低倒角的各項參數(shù)來減小碎片率，但也大大降低了加工的效率；減薄后加工倒角，在減薄過程中因未倒角會產(chǎn)生碎片或產(chǎn)生顆粒導(dǎo)致晶片出現(xiàn)嚴(yán)重的劃痕。

4、如減薄前加工倒角，在減薄后無法保證晶片倒角后上、下幅寬的一致性，存在不符合客戶要求的可能性。

5、進(jìn)行二次倒角，在減薄前進(jìn)行一次倒角，減薄后進(jìn)行二次倒角，大大的降低了加工效率，也提高了加工成本。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明就是鑒于現(xiàn)有倒角技術(shù)的上述問題所作出的，用于解決上述所說的技術(shù)問題。為了克服目前所存在的問題，提出一種在減薄前進(jìn)行倒角，減薄后還能保證晶片上、下幅寬一致的方法。

2、一種保證晶片倒角幅寬一致的加工方法，包括如下步驟：s1、明確晶片減薄過程中影響參數(shù)影響參數(shù)包括：晶片厚度t、晶片的上幅寬a1、晶片的下幅寬a2產(chǎn)生影響；s2、明確晶片的減薄厚度，即明確晶片在減薄工序中上面的減薄量t1、晶片在減薄工序中下面的減薄量t2；s3、通過晶片在減薄工序中上面的減薄量t1、晶片在減薄工序中下面的減薄量t2計算晶片在減薄工序中上面的減薄量t1對應(yīng)的晶片在減薄工序中減薄去除的上幅寬x1、計算晶片在減薄工序中下面的減薄量t2對應(yīng)的晶片在減薄工序中減薄去除的下幅寬x2；s4、根據(jù)晶片的上幅寬a1、晶片的下幅寬a2以及晶片在減薄工序中減薄去除的上幅寬x1、晶片在減薄工序中減薄去除的下幅寬x2確定晶片兩側(cè)最終的幅寬x；s5、如果步驟s4中晶片兩側(cè)最終的幅寬x符合要求，對晶片進(jìn)行加工；如果步驟s4中晶片兩側(cè)最終的幅寬x不符合要求，對晶片在在倒角工序的上幅寬a1、晶片在倒角工序的下幅寬a2進(jìn)行調(diào)整，直至兩側(cè)最終的幅寬x符合加工要求為止。

3、必須的，在減薄過程中，有厚度探測器實時探測晶片厚度，以確保加工時減薄去除量的精準(zhǔn)性，即保證t1，t2的準(zhǔn)確度。

4、適宜的，晶片厚度去除速度小于0.3um/s-0.5um/s。

5、要求的，厚度探測器的分辨精度達(dá)到1um。

6、優(yōu)選地，根據(jù)機器加工偏差，對加工數(shù)據(jù)進(jìn)行偏置。

7、適宜的，數(shù)據(jù)偏置大小受到機器加工偏差的影響最大。所以要使用試機片（試機片一般為品質(zhì)挑片后判定的不合格品）進(jìn)行偏置量的確認(rèn)。設(shè)定試機片要求幅寬x=100um，實際加工幅寬x’=120um，則x1的偏置幅寬為x-x’=-20um。即x1+x的偏置幅寬為-20um。同理x2+x的偏置幅寬為-20um。

8、優(yōu)選地，需要偏置的加工屬于包括晶片在倒角工序的上幅寬a1、晶片在倒角工序的下幅寬a2。

9、優(yōu)選地，通過晶片的上倒角角度ang1、晶片的下倒角角度ang2、晶片在減薄工序中上面的減薄量t1、晶片在減薄工序中下面的減薄量t2計算晶片在減薄工序中上面的減薄量t1對應(yīng)的晶片在減薄工序中減薄去除的上幅寬x1、計算晶片在減薄工序中下面的減薄量t2對應(yīng)的晶片在減薄工序中減薄去除的下幅寬x2。

10、優(yōu)選地，兩側(cè)最終的幅寬x相等即符合加工要求。

11、有益效果

12、本發(fā)明將難以直接推算的導(dǎo)角弧形表面轉(zhuǎn)化為t1、t2對應(yīng)的x1、x2，能夠精準(zhǔn)明確機器所需的加工量，在減薄機微米級別精度下保證了晶片上、下幅寬一致，滿足了碳化硅晶片精確、高效加工的需要；本方法通過精確計算能夠一次倒角完成所需要求，提高了工作效率，降低了加工成本；在保證上、下幅寬一致的情況下，可在減薄前進(jìn)行倒角，保證了減薄不會因為晶片沒有倒角而產(chǎn)生顆粒從而劃傷晶片或使晶片破碎，也避免了減薄后，晶片變薄，倒角可能產(chǎn)生碎片的風(fēng)險。

技術(shù)特征：

1.一種保證晶片倒角幅寬一致的加工方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保證晶片倒角幅寬一致的加工方法，其特征在于，根據(jù)機器加工偏差，對加工數(shù)據(jù)進(jìn)行偏置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種保證晶片倒角幅寬一致的加工方法，其特征在于，需要偏置的加工數(shù)據(jù)包括晶片在倒角工序的上幅寬a1、晶片在倒角工序的下幅寬a2。

4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種保證晶片倒角幅寬一致的加工方法，其特征在于，通過晶片的上倒角角度ang1、晶片的下倒角角度ang2、晶片在減薄工序中上面的減薄量t1、晶片在減薄工序中下面的減薄量t2計算晶片在減薄工序中上面的減薄量t1對應(yīng)的晶片在減薄工序中減薄去除的上幅寬x1、計算晶片在減薄工序中下面的減薄量t2對應(yīng)的晶片在減薄工序中減薄去除的下幅寬x2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保證晶片倒角幅寬一致的加工方法，其特征在于，兩側(cè)最終的幅寬x相等即符合加工要求。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體晶圓片倒角技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到：一種晶圓片先倒角后減薄，如何保證幅寬的加工方法；本發(fā)明的內(nèi)容就是如何通過提前預(yù)留減薄量對應(yīng)的幅寬給減薄工序來保證倒角幅寬的一致性，從而滿足加工的需求；本發(fā)明將難以直接推算的導(dǎo)角弧形表面轉(zhuǎn)化為t1、t2對應(yīng)的X1、X2，能夠精準(zhǔn)明確機器所需的加工量，保證晶片上、下幅寬一致，滿足了碳化硅晶片精確、高效加工的需要；本方法通過精確計算能夠一次倒角完成所需要求，提高了工作效率，降低了加工成本；在保證上、下幅寬一致的情況下，可在減薄前進(jìn)行倒角，保證了減薄不會因為沒有倒角而產(chǎn)生顆粒劃傷晶片，也避免了減薄后倒角可能產(chǎn)生的碎片風(fēng)險。

技術(shù)研發(fā)人員：曹德坤,江成陳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10