本申請(qǐng)涉及蒸鍍,尤其涉及一種蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng)。
背景技術(shù):
1、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有低能耗、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),是當(dāng)今顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一,被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。目前,oled器件的制作通常使用真空熱蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行oled器件薄膜的沉積。精細(xì)掩模板是用于oled器件制作的蒸鍍過(guò)程中圖案化有機(jī)像素成型的工具。使用精細(xì)掩模板路線生產(chǎn)real?rgb結(jié)構(gòu)的硅基micro?oled,要求所需蒸鍍?cè)O(shè)備制備的oled器件像素陰影小于0.5μm,掩模板與硅基板的對(duì)位精度小于0.1μm。傳統(tǒng)蒸鍍機(jī)的對(duì)位系統(tǒng)的對(duì)位精度一般為1.5-3μm,無(wú)法滿足高精度鍍膜機(jī)小于0.1μm的對(duì)位精度要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng)。
2、本發(fā)明提供一種蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),包括:由腔體壁圍成的腔室,所述腔室內(nèi)設(shè)置有頂板,所述頂板將腔室分為兩部分,頂板上方腔室為大氣區(qū),頂板下方腔室為真空腔體;位于大氣區(qū)的振動(dòng)隔離系統(tǒng),所述振動(dòng)隔離系統(tǒng)包括分別設(shè)置在頂板上表面兩端的兩個(gè)主動(dòng)隔離器,用于隔離外界擾動(dòng);位于大氣區(qū)的六軸平臺(tái),所述六軸平臺(tái)從下至上依次包括:第一分離式基座、電機(jī)及第二分離式基座,用于控制放置在其上的待蒸鍍基板的位置和姿態(tài);對(duì)位裝置,所述對(duì)位裝置包括設(shè)置在真空腔體內(nèi)的靜電吸盤(pán)和掩模板托盤(pán),所述靜電吸盤(pán)用于在對(duì)位過(guò)程中固定待蒸鍍基板,所述掩模板托盤(pán)用于在對(duì)位過(guò)程中放置掩模板;機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng),所述機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)設(shè)置在掩模板托盤(pán)下方的真空腔體內(nèi),用于對(duì)待蒸鍍基板和掩模板的對(duì)位結(jié)果進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。
3、可選的,所述對(duì)位系統(tǒng)還包括:磁鐵板,所述磁鐵板位于真空腔體內(nèi),用于將掩模板吸附在待蒸鍍基板上;靜電吸盤(pán)升降裝置,所述靜電吸盤(pán)升降裝置位于大氣區(qū)內(nèi),一端與靜電吸盤(pán)連接,另一端與六軸平臺(tái)的第二分離式基座連接;磁鐵板升降裝置,所述磁鐵板升降裝置位于大氣區(qū)內(nèi),一端與磁鐵板連接,另一端與六軸平臺(tái)的第二分離式基座連接。
4、可選的,所述六軸平臺(tái)還包括:三軸平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái),所述三軸平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái)設(shè)置在第一分離式基座和第二分離式基座之間。
5、可選的,以卡氏垂直坐標(biāo)系為參照,所述電機(jī)包括:若干線性位移電機(jī)和若干升降調(diào)節(jié)步進(jìn)電機(jī);其中,若干線性位移電機(jī)設(shè)置在第一分離式基座上,每個(gè)線性位移電機(jī)與對(duì)應(yīng)位置的傳動(dòng)裝置連接,所述線性位移電機(jī)及對(duì)應(yīng)位置的傳動(dòng)裝置用于在x軸與y軸構(gòu)成的水平面方向移動(dòng)三軸平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái);若干升降調(diào)節(jié)步進(jìn)電機(jī)設(shè)置在三軸平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái)和第二分離式基座之間,每個(gè)升降調(diào)節(jié)步進(jìn)電機(jī)與對(duì)應(yīng)位置的傳動(dòng)裝置連接,用于控制第二分離式基座在x軸與y軸構(gòu)成的水平面方向的俯仰角變化,以及控制第二分離式基座在豎直z方向移動(dòng)。
6、可選的,所述線性位移電機(jī)的位移精度范圍為10-200nm。
7、可選的,所述升降調(diào)節(jié)步進(jìn)電機(jī)的傳動(dòng)裝置與第二分離式基座之間采用球形萬(wàn)向節(jié)連接。
8、可選的,所述六軸平臺(tái)的定位精度范圍為10-100nm,平移行程范圍為100-5000μm,轉(zhuǎn)角精度范圍為±10mrad。
9、可選的,所述掩模板托盤(pán)上設(shè)置有間隙傳感器,用于在對(duì)位過(guò)程中測(cè)量待蒸鍍基板和掩模板之間的距離。
10、可選的,所述機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)包括對(duì)位攝影機(jī),所述對(duì)位攝影機(jī)設(shè)置在掩模板托盤(pán)下方與掩模板對(duì)位孔相對(duì)應(yīng)的位置,所述對(duì)位攝影機(jī)的像素分辨率范圍為10-100nm。
11、可選的,所述主動(dòng)隔離器的防振等級(jí)為vc-c、vc-d或vc-e中的一種。
12、可選的,所述磁鐵板的磁場(chǎng)均一性范圍小于±10%。
13、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果:
14、本發(fā)明提供了一種蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),通過(guò)采用高精度六軸平臺(tái),同時(shí)搭配振動(dòng)隔離系統(tǒng),避免了外界環(huán)境對(duì)高精度對(duì)位過(guò)程帶來(lái)的干擾,能夠?qū)崿F(xiàn)掩模板與基板之間高精度的對(duì)位,甚至滿足掩模板與基板以0.1μm的精度對(duì)準(zhǔn)。
15、進(jìn)一步的,本發(fā)明提供的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),通過(guò)兩個(gè)三軸平臺(tái)實(shí)現(xiàn)六軸平臺(tái)的功能,在滿足了基板與掩模板之間高精度的對(duì)位,及滿足real?rgb結(jié)構(gòu)micro?oled器件制備需求的前提下,大大降低了蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng)的成本。
1.一種蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,包括:
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述對(duì)位系統(tǒng)還包括:
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述六軸平臺(tái)還包括:三軸平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái),所述三軸平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái)設(shè)置在第一分離式基座和第二分離式基座之間。
4.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,以卡氏垂直坐標(biāo)系為參照,所述電機(jī)包括:若干線性位移電機(jī)和若干升降調(diào)節(jié)步進(jìn)電機(jī);其中,
5.如權(quán)利要求4所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述線性位移電機(jī)的位移精度范圍為10-200nm。
6.如權(quán)利要求4所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述升降調(diào)節(jié)步進(jìn)電機(jī)的傳動(dòng)裝置與第二分離式基座之間采用球形萬(wàn)向節(jié)連接。
7.如權(quán)利要求1-6中任一所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述六軸平臺(tái)的定位精度范圍為10-100nm,平移行程范圍為100-5000μm,轉(zhuǎn)角精度范圍為±10mrad。
8.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述掩模板托盤(pán)上設(shè)置有間隙傳感器,用于在對(duì)位過(guò)程中測(cè)量待蒸鍍基板和掩模板之間的距離。
9.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)包括對(duì)位攝影機(jī),所述對(duì)位攝影機(jī)設(shè)置在掩模板托盤(pán)下方與掩模板對(duì)位孔相對(duì)應(yīng)的位置,所述對(duì)位攝影機(jī)的像素分辨率范圍為10-100nm。
10.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述主動(dòng)隔離器的防振等級(jí)為vc-c、vc-d或vc-e中的一種。
11.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍機(jī)對(duì)位系統(tǒng),其特征在于,所述磁鐵板的磁場(chǎng)均一性范圍小于±10%。