本公開總的來說涉及沉積薄膜的方法。具體地，本公開文本涉及用于利用可流動(dòng)含硅膜來填充窄溝槽的工藝。

背景技術(shù)：

1、在微電子器件制造中，對(duì)于許多應(yīng)用而言，需要填充具有大于10:1的深寬比(ar)的窄溝槽而無空隙。一種應(yīng)用用于淺溝槽隔離(sti)。對(duì)于這種應(yīng)用，膜需要在整個(gè)溝槽上是高質(zhì)量的(具有例如小于2的濕法蝕刻速率比率)而很少泄漏。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的減小和深寬比的增加，經(jīng)沉積的可流動(dòng)膜的后固化方法變得困難。導(dǎo)致在整個(gè)被填充的溝槽上具有不同組分的膜。

2、介電膜的常規(guī)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)在窄溝槽的頂部形成“蘑菇形”的膜。這是因?yàn)榈入x子體不能滲透到深溝槽中。這就導(dǎo)致從頂部夾住窄溝槽；在溝槽的底部形成空隙。

3、另外，諸如sico、sicon、sicn之類的含硅膜被廣泛用于半導(dǎo)體器件的制造。例如，這些含碳間隙填充膜可以用于圖案化應(yīng)用。由于存在高碳水平，與氧化物膜和氮化物膜相比，這些膜通常顯示出高蝕刻選擇性。蝕刻選擇性對(duì)于要用于圖案化應(yīng)用的間隙填充膜是重要的。因此，需要用于沉積含硅膜的前驅(qū)物和方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開文本的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式針對(duì)的是處理方法，所述處理方法包括將基板表面暴露于含硅前驅(qū)物和共反應(yīng)物來沉積可流動(dòng)膜。所述含硅前驅(qū)物具有至少一個(gè)烯基或炔基。

2、本公開文本的附加實(shí)施方式針對(duì)的是處理方法，所述處理方法包括提供基板表面，在所述基板表面上具有至少一個(gè)特征。所述至少一個(gè)特征從所述基板表面向底表面延伸一定深度，并且具有由第一側(cè)壁和第二側(cè)壁限定的寬度。將所述基板表面暴露于含硅前驅(qū)物和共反應(yīng)物來在所述基板表面和所述至少一個(gè)特征的所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁和所述底表面上形成可流動(dòng)膜。所述可流動(dòng)膜填充所述特征而基本上不形成接縫。所述含硅前驅(qū)物包括具有結(jié)構(gòu)i-v中的任何結(jié)構(gòu)的化合物：

3、

4、其中，r1-r6中的每個(gè)獨(dú)立地選自由以下組成的群組：cr'cr”2、ccr'、h、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、nr'2和or'，其中r'和r”獨(dú)立地選自由以下組成的群組：h、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基和叔丁基，r1-r6中的至少一個(gè)選自由以下組成的群組：cr'cr”2或ccr'。所述共反應(yīng)物包括氨等離子體。固化所述可流動(dòng)膜以凝固所述膜并形成基本上無縫的間隙填充。

5、本公開的進(jìn)一步的實(shí)施方式針對(duì)的是處理方法，所述處理方法包括提供基板表面，在所述基板表面上具有至少一個(gè)特征。所述至少一個(gè)特征從所述基板表面向底表面延伸一定深度，并且具有由第一側(cè)壁和第二側(cè)壁限定的寬度。將所述基板表面暴露于含硅前驅(qū)物和共反應(yīng)物來在所述基板表面和所述至少一個(gè)特征的所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁和所述底表面上形成可流動(dòng)膜。所述可流動(dòng)膜填充所述特征而基本上不形成接縫。所述含硅前驅(qū)物包括四乙烯基硅烷(si(chch2)4)或四乙炔基硅烷(tetraacetalide)(si(cch)4)中的一種或多種，并且所述共反應(yīng)物包括氨等離子體。固化所述可流動(dòng)膜以凝固所述膜并形成基本上無縫的間隙填充。

技術(shù)特征：

1.一種處理方法，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述共反應(yīng)物包括包含等離子體氣體的等離子體。

3.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其中r1-r6中的至少一個(gè)選自由以下組成的群組：cr'cr”2或ccr'。

4.如權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述含硅前驅(qū)物的r1-r6中的一個(gè)或多個(gè)是cr'cr”2。

5.如權(quán)利要求4所述的處理方法，其特征在于，所述含硅前驅(qū)物的r1-r6全都包括cr'cr”2。

6.如權(quán)利要求5所述的處理方法，其特征在于，每個(gè)r'是相同的，并且每個(gè)r”是相同的取代基。

7.如權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述含硅前驅(qū)物的r1-r6中的一個(gè)或多個(gè)是ccr'。

8.如權(quán)利要求7所述的處理方法，其特征在于，所述含硅前驅(qū)物的r1-r6全都包括ccr'。

9.如權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于，每個(gè)r'是相同的，并且每個(gè)r”是相同的取代基。

10.如權(quán)利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述等離子體氣體包括nh3、o2、co2、co、ar、he或h2中的一種或多種。

11.如權(quán)利要求10所述的處理方法，其特征在于，所述等離子體氣體包括氨。

12.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，固化所述可流動(dòng)膜包括將所述可流動(dòng)膜暴露于臭氧、uv光、蒸氣退火、氨退火和氧等離子體中的一種或多種。

13.如權(quán)利要求12所述的處理方法，其特征在于，所述固化膜包括sic、sioc、sicn、siocn、sio或sin中的一種或多種。

14.如權(quán)利要求2所述的處理方法，其特征在于，進(jìn)一步包括用b、as或p中的一種或多種摻雜所述可流動(dòng)膜。

15.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述含硅前驅(qū)物與硅烷前驅(qū)物共流動(dòng)。

16.一種處理方法，包括：

17.一種處理方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
描述了用于無縫間隙填充的方法，包括通過將基板表面暴露于含硅前驅(qū)物和共反應(yīng)物來形成可流動(dòng)膜。所述含硅前驅(qū)物具有至少一個(gè)烯基或炔基?？赏ㄟ^任何合適的固化工藝固化所述可流動(dòng)膜，以形成無縫間隙填充。

技術(shù)研發(fā)人員：L·卡魯塔拉格,M·薩利,D·湯普森,A·B·瑪里克,T·阿肖克,P·曼納
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26