本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備，特別是涉及一種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、等離子體增強(qiáng)原子層沉積（plasma?enhanced?atom?layer?deposition,peald）是一種能量增強(qiáng)的原子層沉積方式，應(yīng)用于粉體表面處理時(shí)，通過(guò)利用原子層沉積的自限性原理，在粉體表面形成一層原子級(jí)厚度的致密的功能性膜層，以使粉體具有更強(qiáng)大的新的物理性能，在新能源的固態(tài)電池領(lǐng)域有很大前景。

2、目前市面上的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備存在下述缺陷：工藝氣體進(jìn)入粉體反應(yīng)腔需要經(jīng)過(guò)離子源，會(huì)導(dǎo)致工藝氣體被電離改變化學(xué)性能，進(jìn)而影響粉體表面覆膜；如果采用間歇性注入工藝氣體的方式，雖然可以避免工藝氣體被電離，但會(huì)導(dǎo)致等離子體的關(guān)閉，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)等離子體與工藝氣體同時(shí)進(jìn)行沉積的工藝，限制了粉體處理工藝的選用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中工藝氣體進(jìn)入粉體反應(yīng)腔需要經(jīng)過(guò)離子源而導(dǎo)致被電離的技術(shù)問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，包括等離子發(fā)生裝置以及粉體處理裝置，等離子發(fā)生裝置設(shè)有等離子發(fā)生腔，粉體處理裝置與所述等離子發(fā)生裝置連接，所述粉體處理裝置內(nèi)形成有反應(yīng)腔以及分別與所述反應(yīng)腔連通的進(jìn)氣孔、等離子進(jìn)入孔、排氣孔，所述等離子進(jìn)入孔與所述等離子發(fā)生腔連通，其中，所述進(jìn)氣孔用于通入第一工藝氣體，所述等離子進(jìn)入孔用于通入等離子體。

3、可選的，所述粉體處理裝置包括外殼、電機(jī)以及粉體處理組件，外殼與所述等離子發(fā)生裝置連接，所述外殼內(nèi)形成有相互密封的排氣腔和進(jìn)氣腔，所述外殼設(shè)有與所述排氣腔連通的抽氣孔，所述外殼設(shè)有與所述進(jìn)氣腔連通的第一注氣孔和所述進(jìn)氣孔，所述外殼設(shè)有所述等離子進(jìn)入孔；電機(jī)連接于所述外殼，所述電機(jī)具有輸出軸；粉體處理組件設(shè)于所述外殼內(nèi)，所述粉體處理組件內(nèi)形成有所述反應(yīng)腔，所述粉體處理組件形成有所述反應(yīng)腔的部分位于所述進(jìn)氣腔內(nèi)，所述粉體處理組件一端與所述電機(jī)的輸出軸連接，所述粉體處理組件另一端與所述外殼可轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述粉體處理組件設(shè)有所述排氣孔，所述排氣孔連通所述反應(yīng)腔與所述排氣腔。

4、可選的，所述外殼包括第一殼體、第二殼體以及蓋體，第一殼體一端與所述電機(jī)連接，所述第一殼體設(shè)有所述排氣腔、所述抽氣孔及第一連接通孔，所述第一連接通孔一端與所述排氣腔連接，所述粉體處理組件可轉(zhuǎn)動(dòng)且密封地穿設(shè)所述第一連接通孔；第二殼體一端與所述第一殼體連接，所述第二殼體設(shè)有所述進(jìn)氣腔和所述第一注氣孔，所述第一連接通孔另一端與所述進(jìn)氣腔連接；蓋體與所述第二殼體連接，所述蓋體設(shè)有所述等離子進(jìn)入孔，所述蓋體朝所述電機(jī)的方向凸起形成第一轉(zhuǎn)動(dòng)連接部，所述第一轉(zhuǎn)動(dòng)連接部設(shè)有連通所述等離子進(jìn)入孔和所述反應(yīng)腔的第二連接通孔，所述第一轉(zhuǎn)動(dòng)連接部設(shè)有連通所述第一連接通孔和所述進(jìn)氣腔的所述進(jìn)氣孔，所述粉體處理組件背離所述電機(jī)的一端可轉(zhuǎn)動(dòng)且密封地連接于所述第一轉(zhuǎn)動(dòng)連接部的所述第二連接通孔。

5、可選的，所述粉體處理組件包括粉體反應(yīng)筒以及轉(zhuǎn)動(dòng)軸，粉體反應(yīng)筒位于所述進(jìn)氣腔，所述粉體反應(yīng)筒形成有所述反應(yīng)腔，所述粉體反應(yīng)筒朝向所述蓋體的一端設(shè)有第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部，所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部可轉(zhuǎn)動(dòng)且密封地插接于所述第二連接通孔，所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部設(shè)有連通所述反應(yīng)腔和所述第二連接通孔的通氣孔；轉(zhuǎn)動(dòng)軸一端與所述粉體反應(yīng)筒連接，另一端與所述電機(jī)連接，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸可轉(zhuǎn)動(dòng)且密封地穿設(shè)所述第一連接通孔，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸設(shè)有所述排氣孔以及連通所述排氣孔和所述排氣腔的鏤空孔，所述排氣孔沿所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸軸向延伸設(shè)置，所述鏤空孔沿所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸徑向延伸設(shè)置。

6、可選的，所述第一連接通孔設(shè)有第一安裝臺(tái)階，所述等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備還包括第一軸承、壓環(huán)以及固定環(huán)，第一軸承套設(shè)于所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述第一軸承的內(nèi)環(huán)壁與所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸密封連接，所述第一軸承朝向所述電機(jī)的一端的外周壁沿所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸的徑向凸起形成搭接部，所述搭接部與所述第一安裝臺(tái)階密封連接；壓環(huán)套設(shè)于所述第一軸承，所述壓環(huán)抵壓于所述搭接部背離所述電機(jī)的一側(cè)；固定環(huán)套設(shè)于所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸外并與所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸間具有間隙，所述固定環(huán)至少部分插設(shè)于所述第一連接通孔并與所述第一連接通孔過(guò)盈配合，所述固定環(huán)朝向所述電機(jī)的一端抵壓于所述壓環(huán)。

7、可選的，所述第二連接通孔設(shè)有第二安裝臺(tái)階和卡槽，所述等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備還包括第二軸承以及卡環(huán)，第二軸承套設(shè)于所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部，所述第二軸承的內(nèi)環(huán)壁與所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部的外周壁密封連接，所述第二軸承的外環(huán)壁與所述第二連接通孔的孔壁密封連接，所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部背離所述電機(jī)的一端抵接于所述第二安裝臺(tái)階；卡環(huán)套設(shè)于所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)連接部，所述卡環(huán)卡設(shè)于所述卡槽，所述卡環(huán)抵壓所述第二軸承朝向所述電機(jī)的一端。

8、可選的，所述蓋體與所述第二殼體可拆卸連接，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸一端與所述粉體反應(yīng)筒可拆卸連接。

9、可選的，所述第一殼體與所述第二殼體的連接處設(shè)有第一密封件，和/或，所述第二殼體與所述蓋體的連接處設(shè)有第二密封件。

10、可選的，所述等離子發(fā)生裝置包括微波源、介質(zhì)管以及連接座，微波源設(shè)有微波諧振腔，所述微波諧振腔內(nèi)設(shè)有天線；介質(zhì)管設(shè)有所述等離子發(fā)生腔及與所述等離子發(fā)生腔連通的第二注氣孔，所述介質(zhì)管具有封閉端和開(kāi)口端，所述介質(zhì)管的封閉端伸入所述微波諧振腔；連接座一端與所述介質(zhì)管的開(kāi)口端連接，另一端與所述粉體處理裝置連接，所述連接座設(shè)有連通所述等離子發(fā)生腔和所述等離子進(jìn)入孔的連接孔。

11、可選的，所述等離子發(fā)生裝置還包括冷卻件，所述冷卻件環(huán)繞所述介質(zhì)管外周壁設(shè)置。

12、在本發(fā)明的技術(shù)方案中，進(jìn)氣孔和等離子進(jìn)入孔均是獨(dú)立連通至反應(yīng)腔，使第一工藝氣體在通入至反應(yīng)腔時(shí)無(wú)需經(jīng)過(guò)等離子發(fā)生腔，以避免第一工藝氣體被電離，因此能夠選擇向反應(yīng)腔中同時(shí)通入第一工藝氣體和等離子體的粉體處理工藝，以滿足粉體處理工藝的多樣需求。

技術(shù)特征：

1.一種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述粉體處理裝置包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述外殼包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述粉體處理組件包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述第一連接通孔設(shè)有第一安裝臺(tái)階，所述等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述第二連接通孔設(shè)有第二安裝臺(tái)階和卡槽，所述等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述蓋體與所述第二殼體可拆卸連接，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸一端與所述粉體反應(yīng)筒可拆卸連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述第一殼體與所述第二殼體的連接處設(shè)有第一密封件，和/或，所述第二殼體與所述蓋體的連接處設(shè)有第二密封件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述等離子發(fā)生裝置包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，其特征在于，所述等離子發(fā)生裝置還包括冷卻件，所述冷卻件環(huán)繞所述介質(zhì)管外周壁設(shè)置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備，包括等離子發(fā)生裝置以及粉體處理裝置，等離子發(fā)生裝置設(shè)有等離子發(fā)生腔，粉體處理裝置與所述等離子發(fā)生裝置連接，所述粉體處理裝置內(nèi)形成有反應(yīng)腔以及分別與所述反應(yīng)腔連通的進(jìn)氣孔、等離子進(jìn)入孔、排氣孔，所述等離子進(jìn)入孔與所述等離子發(fā)生腔連通，其中，所述進(jìn)氣孔用于通入第一工藝氣體，所述等離子進(jìn)入孔用于通入等離子體。本發(fā)明的等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣孔和等離子進(jìn)入孔均是獨(dú)立連通至反應(yīng)腔，使第一工藝氣體在通入至反應(yīng)腔時(shí)無(wú)需經(jīng)過(guò)等離子發(fā)生腔，以避免第一工藝氣體被電離，能夠選擇同時(shí)向反應(yīng)腔通入第一工藝氣體和等離子體的工藝，以滿足粉體處理工藝的多樣需求。

技術(shù)研發(fā)人員：朱雨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳若隅科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19