本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，尤其涉及半導(dǎo)體工藝等離子體化學(xué)氣相沉積(cvd)設(shè)備的噴淋板。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體工藝等離子體化學(xué)氣相沉積(cvd)設(shè)備中，不同的反應(yīng)源氣體或液態(tài)源通過(guò)噴淋板噴淋至晶圓表面，因此，噴淋板在半導(dǎo)體工藝中的設(shè)計(jì)極為重要，而不同噴淋板的開孔分布區(qū)域也對(duì)工藝過(guò)程及清洗過(guò)程有不同的影響。

2、例如，噴淋板開孔面積過(guò)小時(shí)會(huì)造成晶圓邊緣厚度偏低、清潔效果不佳的問(wèn)題。又例如，噴淋板開孔面積過(guò)大時(shí)會(huì)造成加熱盤等位置出現(xiàn)薄膜，產(chǎn)生顆粒，導(dǎo)致需要頻繁地進(jìn)行拆裝和清潔工作，為腔體的維護(hù)帶來(lái)不便。

3、因此，噴淋板的開孔面設(shè)計(jì)對(duì)于工藝效果、工藝穩(wěn)定性以及清潔效果至關(guān)重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的工藝效果及清潔效率的最優(yōu)化，本發(fā)明提供了一種同時(shí)保證工藝及清潔效果的噴淋板。

2、所述噴淋板包括開孔區(qū)域。所述開孔區(qū)域包括工藝孔區(qū)域和外圍開孔區(qū)域。

3、所述工藝孔區(qū)域?yàn)閳A形，所述外圍開孔區(qū)域?yàn)閳A環(huán)形，所述外圍開孔區(qū)域圍繞所述工藝孔區(qū)域的最外圈設(shè)置。

4、所述外圍開孔區(qū)域的最外圈所對(duì)應(yīng)的直徑與晶圓直徑的比值為1.05?-1.10。

5、所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的單個(gè)開孔的單孔流量小于所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的單個(gè)開孔的單孔流量。

6、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域具有多個(gè)開孔，每個(gè)開孔具有第一孔徑；所述外圍開孔區(qū)域具有多個(gè)開孔，每個(gè)開孔具有第二孔徑。

7、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一孔徑大于所述第二孔徑。

8、在一個(gè)實(shí)施例中，所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔為直孔。

9、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔與其相鄰的兩個(gè)開孔構(gòu)成等邊三角形；所述工藝孔區(qū)域內(nèi)最外周的開孔與所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的開孔組成以等邊三角形為單位的開孔排布。

10、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每六個(gè)開孔組成正六邊形；所述工藝孔區(qū)域內(nèi)最外周的開孔與所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的開孔組成以正六邊形為單位的開孔排布。

11、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的開孔呈多圈層周向分布；所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的開孔呈周向分布。

12、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔類型為三階形工藝孔。

13、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔類型為二階形工藝孔。

14、在一個(gè)實(shí)施例中，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔類型為一階形工藝孔。

15、本發(fā)明還提供了一種薄膜沉積設(shè)備。該薄膜沉積設(shè)備包括基板支撐件以及如前述的噴淋板。

16、本發(fā)明對(duì)噴淋板以及薄膜沉積設(shè)備的外圍開孔與工藝孔之間的開孔配合，以及開孔面積與晶圓面積的比例，進(jìn)行了精心設(shè)計(jì)，以便同時(shí)兼顧工藝效果以及清潔效率，保證不同cvd沉積的工藝效果及吹掃效率的最優(yōu)化。

技術(shù)特征：

1.一種噴淋板，其特征在于，所述噴淋板包括：

2.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域具有多個(gè)開孔，每個(gè)開孔具有第一孔徑；所述外圍開孔區(qū)域具有多個(gè)開孔，每個(gè)開孔具有第二孔徑。

3.如權(quán)利要求2所述的噴淋板，其特征在于，所述第一孔徑大于所述第二孔徑。

4.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔為直孔。

5.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔與其相鄰的兩個(gè)開孔構(gòu)成等邊三角形；所述工藝孔區(qū)域內(nèi)最外周的開孔與所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的開孔組成以等邊三角形為單位的開孔排布。

6.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每六個(gè)開孔組成正六邊形；所述工藝孔區(qū)域內(nèi)最外周的開孔與所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的開孔組成以正六邊形為單位的開孔排布。

7.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的開孔呈多圈層周向分布；所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的開孔呈周向分布。

8.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔類型為三階形工藝孔。

9.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔類型為二階形工藝孔。

10.如權(quán)利要求1所述的噴淋板，其特征在于，所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的每個(gè)開孔類型為一階形工藝孔。

11.一種薄膜沉積設(shè)備，包括基板支撐件以及如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的噴淋板。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了噴淋板以及薄膜沉積設(shè)備。所述噴淋板包括開孔區(qū)域。開孔區(qū)域包括工藝孔區(qū)域和外圍開孔區(qū)域，所述工藝孔區(qū)域?yàn)閳A形，所述外圍開孔區(qū)域?yàn)閳A環(huán)形，所述外圍開孔區(qū)域圍繞所述工藝孔區(qū)域的最外圈設(shè)置；所述外圍開孔區(qū)域的最外圈所對(duì)應(yīng)的直徑與晶圓直徑的比值為1.05?1.10；所述外圍開孔區(qū)域內(nèi)的單個(gè)開孔的單孔流量小于所述工藝孔區(qū)域內(nèi)的單個(gè)開孔的單孔流量。

技術(shù)研發(fā)人員：顧顏俁,周巨濤,費(fèi)騰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拓荊創(chuàng)益（沈陽(yáng)）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10