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      一種基板陽極定點鍍膜裝置的制作方法

      文檔序號:40401477發(fā)布日期:2024-12-20 12:25閱讀:6來源:國知局
      一種基板陽極定點鍍膜裝置的制作方法

      本技術涉及陽極鍍膜,尤其涉及一種基板陽極定點鍍膜裝置。


      背景技術:

      1、在現(xiàn)有技術中,陽極鍍膜技術基本為在驅動基板的一側進行整面鍍膜,再通過干法刻蝕等工藝完成陽極的制備。如公開號為cn112103402a的專利公開了一種oled陽極的制備方法,先用去離子水清洗硅基板,再在硅基板上形成陽極層,然后在陽極層上均勻旋涂堿溶性抗發(fā)射涂層和正性光刻膠層,然后對光刻膠層和抗反射涂層進行光刻、顯影獲得像素點的圖形,然后采用刻蝕性氣體轟擊底部不被光刻膠層和抗發(fā)射涂層保護的陽極層,再用顯影液去除光刻膠層和抗反射涂層,形成陽極像素點最后對硅基板進行清洗、烘干。

      2、而對于小型的驅動基板,例如ar眼鏡、電子手表屏等上的芯片外端子不可鍍膜,需要在芯片顯示區(qū)進行精確的陽極鍍膜,而現(xiàn)有的整面陽極鍍膜工藝存在精度不夠和溢鍍情況,不能滿足制備要求。


      技術實現(xiàn)思路

      1、為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種基板陽極定點鍍膜裝置,其結構簡單、使用方便,可實現(xiàn)陽極的定點鍍膜,避免了溢鍍的情況,提高了鍍膜精度和效率。

      2、為實現(xiàn)上述目的,本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:所述基板陽極定點鍍膜裝置,包括基片框架及其內可拆卸連接的支撐框架,所述支撐框架上定位放置有掩膜板,所述掩膜板上放置有驅動基板,所述掩膜板上設置有多個與所述驅動基板上的多個芯片顯示區(qū)相對的通孔。

      3、所述基片框架的底部設置有定位槽ⅰ,所述定位槽ⅰ內放置所述支撐框架。

      4、所述支撐框架的兩側沿其長度方向分別間隔設置有多個固定支耳,所述固定支耳搭接在所述基片框架上后通過螺栓組件與所述基片框架相連。

      5、所述固定支耳設置為l形支耳,所述固定支耳的外端搭接固定在所述基片框架邊緣。

      6、所述支撐框架底部設置有定位槽ⅱ,所述定位槽ⅱ內定位放置所述掩膜板。

      7、所述支撐框架的內側邊緣設置有一個或多個便于拿放所述掩膜板的缺口。

      8、所述驅動基板上貼附有壓緊蓋板。

      9、本實用新型的有益效果是:

      10、本實用新型通過對驅動基板的尺寸進行采集并制作包括對應尺寸的通孔的掩膜板,并對現(xiàn)有的鍍膜機基片架進行結構改進,在基片框架上可拆卸安裝支撐框架,可穩(wěn)定支撐對應的掩膜板,將驅動基板放置在掩膜板上后通過壓緊蓋板將驅動基板壓緊,通過磁控濺射等方法可在驅動基板上的芯片顯示區(qū)進行定點鍍膜,避免了溢鍍的情況,提高了鍍膜精度和效率。



      技術特征:

      1.一種基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于,包括基片框架及其內可拆卸連接的支撐框架,所述支撐框架上定位放置有掩膜板,所述掩膜板上放置有驅動基板,所述掩膜板上設置有多個與所述驅動基板上的多個芯片顯示區(qū)相對的通孔。

      2.根據(jù)權利要求1所述的基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于:所述基片框架的底部設置有定位槽ⅰ,所述定位槽ⅰ內放置所述支撐框架。

      3.根據(jù)權利要求1所述的基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于:所述支撐框架的兩側沿其長度方向分別間隔設置有多個固定支耳,所述固定支耳搭接在所述基片框架上后通過螺栓組件與所述基片框架相連。

      4.根據(jù)權利要求3所述的基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于:所述固定支耳設置為l形支耳,所述固定支耳的外端搭接固定在所述基片框架邊緣。

      5.根據(jù)權利要求1所述的基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于:所述支撐框架底部設置有定位槽ⅱ,所述定位槽ⅱ內定位放置所述掩膜板。

      6.根據(jù)權利要求5所述的基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于:所述支撐框架的內側邊緣設置有一個或多個便于拿放所述掩膜板的缺口。

      7.根據(jù)權利要求1所述的基板陽極定點鍍膜裝置,其特征在于:所述驅動基板上貼附有壓緊蓋板。


      技術總結
      一種基板陽極定點鍍膜裝置,屬于陽極鍍膜技術領域,該基板陽極定點鍍膜裝置,包括基片框架及其內可拆卸連接的支撐框架,所述支撐框架上定位放置有掩膜板,所述掩膜板上放置有驅動基板,所述掩膜板上設置有多個與所述驅動基板上的多個芯片顯示區(qū)相對的通孔,本技術的有益效果是,本技術結構簡單、使用方便,可實現(xiàn)陽極的定點鍍膜,避免了溢鍍的情況,提高了鍍膜精度和效率。

      技術研發(fā)人員:韋孝峰,陶方查,袁靜,聶平,苗聰,尹宇航
      受保護的技術使用者:蕪湖長信科技股份有限公司
      技術研發(fā)日:20240104
      技術公布日:2024/12/19
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