本技術(shù)涉及半導(dǎo)體設(shè)備，特別涉及一種晶圓緩存裝置及cmp設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在cmp(chemical?mechanical?planarization，化學(xué)機械拋光)工藝中，經(jīng)過拋光處理的晶圓表面附著有拋光液體，需要進行清洗。若晶圓等待清洗的時間過長，則拋光液體便會干燥并在晶圓表面形成污漬，從而影響晶圓的質(zhì)量及成品率。因此，經(jīng)過拋光處理的晶圓在進入清洗裝置前通常都需緩存于盛水的容器中，以保持濕潤狀態(tài)。然而，緩存的晶圓在入水或出水過程中會受到液面較大的阻力，從而可能導(dǎo)致晶圓的位置發(fā)生偏移。一旦晶圓的位置發(fā)生偏移，將導(dǎo)致無法對其進行定位，從而有可能造成取片失敗。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述問題，提供一種能夠保持晶圓的位置穩(wěn)定的晶圓緩存裝置及cmp設(shè)備。

2、一種晶圓緩存裝置，包括緩存座、升降機構(gòu)、承載機構(gòu)及翻轉(zhuǎn)機構(gòu)；所述緩存座形成有緩存腔，所述緩存腔用于容納液體；所述承載機構(gòu)包括用于承載晶圓的承載面，所述承載面相對于所述緩存腔內(nèi)的液面傾斜設(shè)置；所述升降機構(gòu)能夠驅(qū)動所述承載機構(gòu)與所述緩存座相對移動，以將承載于所述承載機構(gòu)的晶圓移入或移出所述緩存腔；所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)能夠拾取承載于所述承載面的晶圓，并帶動所拾取的晶圓翻轉(zhuǎn)。

3、在其中一個實施例中，所述緩存座還形成有溢流槽，所述緩存腔用于容納液體，所述溢流槽圍繞所述緩存腔的周向設(shè)置。

4、在其中一個實施例中，所述緩存座包括一側(cè)開口的外層殼體及一側(cè)開口的內(nèi)層殼體，所述內(nèi)層殼體圍設(shè)成所述緩存腔，所述外層殼體與所述內(nèi)層殼體相嵌套，并在所述內(nèi)層殼體與所述外層殼體之間形成所述溢流槽。

5、在其中一個實施例中，所述外層殼體的開口邊緣的高度大于所述內(nèi)層殼體的開口邊緣的高度。

6、在其中一個實施例中，所述溢流槽內(nèi)設(shè)置有液位傳感器，所述溢流槽的底部設(shè)置有排水接頭，且在所述液位傳感器檢測到所述溢流槽內(nèi)的液面高度超過閾值時，所述排水接頭開啟。

7、在其中一個實施例中，所述承載機構(gòu)安裝于所述升降機構(gòu)的驅(qū)動端，并能夠在所述升降機構(gòu)的帶動下相對于所述緩存座升降，以將承載于所述承載機構(gòu)的晶圓移入或移出所述緩存腔。

8、在其中一個實施例中，所述承載機構(gòu)設(shè)置有多個所述承載面，多個所述承載面相互平行且間隔層疊。

9、在其中一個實施例中，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)包括吸盤，所述吸盤能夠吸取承載于所述承載面的晶圓。

10、在其中一個實施例中，還包括安裝于所述緩存腔的開口邊緣的晶圓掃描傳感器，所述晶圓掃描傳感器能夠在晶圓移入及移出所述緩存腔的過程中被觸發(fā)。

11、一種cmp設(shè)備，包括如上述優(yōu)選實施例中任一項所述的晶圓緩存裝置。

12、上述晶圓緩存裝置及cmp設(shè)備，升降機構(gòu)可驅(qū)動承載機構(gòu)相對于緩存座升降，以將承載機構(gòu)上的晶圓移入或移出緩存腔。緩存腔能夠容納液體以形成水環(huán)境，晶圓移入緩存腔后便能夠保持濕潤狀態(tài)。由于承載機構(gòu)的承載面相對于緩存腔內(nèi)的液面傾斜設(shè)置，故在將晶圓移入或移出緩存腔的過程中晶圓能夠傾斜入水或出水，從而減小液面對晶圓的阻力以防止晶圓發(fā)生位移。而在需要取用晶圓時，待承載機構(gòu)帶動晶圓移出緩存腔后再由翻轉(zhuǎn)機構(gòu)將晶圓翻轉(zhuǎn)至水平即可。因此，上述晶圓緩存裝置及cmp設(shè)備能夠保持晶圓的位置穩(wěn)定。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓緩存裝置，其特征在于，包括緩存座、升降機構(gòu)、承載機構(gòu)及翻轉(zhuǎn)機構(gòu)；所述緩存座形成有緩存腔，所述緩存腔用于容納液體；所述承載機構(gòu)包括用于承載晶圓的承載面，所述承載面相對于所述緩存腔內(nèi)的液面傾斜設(shè)置；所述升降機構(gòu)能夠驅(qū)動所述承載機構(gòu)與所述緩存座相對移動，以將承載于所述承載機構(gòu)的晶圓移入或移出所述緩存腔；所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)能夠拾取承載于所述承載面的晶圓，并帶動所拾取的晶圓翻轉(zhuǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述緩存座還形成有溢流槽，所述緩存腔用于容納液體，所述溢流槽圍繞所述緩存腔的周向設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述緩存座包括一側(cè)開口的外層殼體及一側(cè)開口的內(nèi)層殼體，所述內(nèi)層殼體圍設(shè)成所述緩存腔，所述外層殼體與所述內(nèi)層殼體相嵌套，并在所述內(nèi)層殼體與所述外層殼體之間形成所述溢流槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述外層殼體的開口邊緣的高度大于所述內(nèi)層殼體的開口邊緣的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述溢流槽內(nèi)設(shè)置有液位傳感器，所述溢流槽的底部設(shè)置有排水接頭，且在所述液位傳感器檢測到所述溢流槽內(nèi)的液面高度超過閾值時，所述排水接頭開啟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述承載機構(gòu)安裝于所述升降機構(gòu)的驅(qū)動端，并能夠在所述升降機構(gòu)的帶動下相對于所述緩存座升降，以將承載于所述承載機構(gòu)的晶圓移入或移出所述緩存腔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述承載機構(gòu)設(shè)置有多個所述承載面，多個所述承載面相互平行且間隔層疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)包括吸盤，所述吸盤能夠吸取承載于所述承載面的晶圓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓緩存裝置，其特征在于，還包括安裝于所述緩存腔的開口邊緣的晶圓掃描傳感器，所述晶圓掃描傳感器能夠在晶圓移入及移出所述緩存腔的過程中被觸發(fā)。

10.一種cmp設(shè)備，其特征在于，包括如上述權(quán)利要求1至9任一項所述的晶圓緩存裝置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種晶圓緩存裝置及CMP設(shè)備，晶圓緩存裝置包括緩存座、升降機構(gòu)、承載機構(gòu)及翻轉(zhuǎn)機構(gòu)。升降機構(gòu)可驅(qū)動承載機構(gòu)相對于緩存座升降，以將承載機構(gòu)上的晶圓移入或移出緩存腔。緩存腔能夠容納液體以形成水環(huán)境，晶圓移入緩存腔后便能夠保持濕潤狀態(tài)。由于承載機構(gòu)的承載面相對于緩存腔內(nèi)的液面傾斜設(shè)置，故在將晶圓移入或移出緩存腔的過程中晶圓能夠傾斜入水或出水，從而減小液面對晶圓的阻力以防止晶圓發(fā)生位移。而在需要取用晶圓時，待承載機構(gòu)帶動晶圓移出緩存腔后再由翻轉(zhuǎn)機構(gòu)將晶圓翻轉(zhuǎn)至水平即可。因此，上述晶圓緩存裝置及CMP設(shè)備能夠保持晶圓的位置穩(wěn)定。

技術(shù)研發(fā)人員：黨冬奧,吳俊逸
受保護的技術(shù)使用者：吉姆西半導(dǎo)體科技（無錫）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240415
技術(shù)公布日：2024/11/28