本技術(shù)涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)，具體而言，涉及一種改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，topcon(tunnel?oxide?passivated?contact，隧穿氧化硅鈍化接觸)太陽(yáng)電池技術(shù)飛速發(fā)展，已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。在topcon太陽(yáng)電池的生產(chǎn)過(guò)程中，需要進(jìn)行l(wèi)pcvd(low?pressure?chemical?vapor?deposition，低壓力化學(xué)氣相沉積)工序。其中，lpcvd工序是在電池背面制備一層超薄可隧穿的氧化層和一層多晶硅薄層，主要原理是采用氣態(tài)硅烷在高溫、低壓下發(fā)生熱分解生成多晶硅沉積在n型晶體硅表面，因此超薄可隧穿的氧化層和多晶硅薄層的膜片均勻性直接影響整個(gè)電池片的品質(zhì)。

2、現(xiàn)有技術(shù)在進(jìn)行l(wèi)pcvd工序時(shí)，先將硅片插在石英舟內(nèi)，然后將插滿(mǎn)硅片的石英舟放入lpcvd爐管內(nèi)進(jìn)行沉積，生產(chǎn)沉積膜，但是由于目前使用的lpcvd機(jī)臺(tái)使用的爐管為一頭進(jìn)氣、一頭出氣加進(jìn)氣管中間開(kāi)孔補(bǔ)氣的方式，而這種方式存在爐管內(nèi)反應(yīng)氣體的濃度不均勻的問(wèn)題，爐口前驅(qū)氣體的濃度與爐尾的濃度相差較大，爐口和爐尾的電池膜層厚度與品質(zhì)存在較大差異，同時(shí)因?yàn)橥饧舆M(jìn)氣管中間補(bǔ)氣的補(bǔ)氣開(kāi)孔方向是上下垂直于水平放置的硅片，這就導(dǎo)致石英舟中的上下片反應(yīng)氣體充足，而中間的硅片獲得的反應(yīng)氣體不充足的情況，導(dǎo)致同一石英舟內(nèi)生成的膜層厚度存在較大差異。

3、因此，如何解決同一石英舟內(nèi)生成的膜層厚度存在較大差異是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的爐口與爐尾的氣體濃度不均導(dǎo)致硅片沉積生成的膜層厚度不均的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案：

2、本實(shí)用新型提供一種改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，包括爐管以及設(shè)置在所述爐管內(nèi)部的石英舟組，所述石英舟組上放置有硅片，所述爐管還設(shè)有進(jìn)氣裝置和尾氣排放裝置，所述進(jìn)氣裝置包括第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管，所述第一進(jìn)氣管和所述第二進(jìn)氣管設(shè)置在所述石英舟組與所述爐管管壁之間，且呈雙螺旋結(jié)構(gòu)，所述第一進(jìn)氣管和所述第二進(jìn)氣管朝向所述石英舟組所在一側(cè)均布有補(bǔ)氣孔，反應(yīng)氣體進(jìn)入所述第一進(jìn)氣管和所述第二進(jìn)氣管并通過(guò)所述補(bǔ)氣孔排至所述爐管內(nèi)部；所述尾氣排放裝置設(shè)置在所述爐管的爐尾處。

3、進(jìn)一步地，所述第一進(jìn)氣管的氣體入口位于所述爐管內(nèi)腔的上部，所述第二進(jìn)氣管上的氣體入口位于所述內(nèi)腔的下部。

4、進(jìn)一步地，所述補(bǔ)氣孔的孔徑沿所述爐管的爐口至爐尾的方向逐漸變小。

5、進(jìn)一步地，所述第一進(jìn)氣管上的所述補(bǔ)氣孔與所述第二進(jìn)氣管上的所述補(bǔ)氣孔位置交錯(cuò)分布。

6、進(jìn)一步地，所述石英舟組由若干個(gè)沿所述爐管的軸線(xiàn)所在直線(xiàn)依次排列的石英舟組成，所述石英舟通過(guò)舟槳連接在一起。

7、進(jìn)一步地，所述尾氣排放裝置包括設(shè)置在所述爐管的軸線(xiàn)上的排氣管與尾氣排放管，所述排氣管伸入所述爐管內(nèi)腔的一端封閉，另一端穿出所述爐管尾部上的出氣孔與所述尾氣排放管管道連接。

8、進(jìn)一步地，所述排氣管上設(shè)有若干排氣孔。

9、進(jìn)一步地，還包括設(shè)置在所述排氣管與所述尾氣排放管連接處的密封圈。

10、進(jìn)一步地，還包括設(shè)置在所述第一進(jìn)氣管和/或所述第二進(jìn)氣管上的溫度傳感器。

11、進(jìn)一步地，位于同一進(jìn)氣管上的最大所述補(bǔ)氣孔與最小所述補(bǔ)氣孔的孔徑大小相差1.5倍-2.5倍。

12、本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)取得了以下技術(shù)效果：

13、本實(shí)用新型中的兩個(gè)進(jìn)氣管組成的雙螺旋結(jié)構(gòu)，相較于單進(jìn)氣管的補(bǔ)氣方式可以更好地將反應(yīng)氣體均勻輸送到石英舟組四周，使得反應(yīng)氣體與前驅(qū)氣體在爐管中能夠得到更充分的混合，進(jìn)而得到均勻的膜層，有效避免了同一石英舟內(nèi)生成膜層的厚度不均的問(wèn)題，提升了lpcvd工序中電池片的品質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：包括爐管(1)以及設(shè)置在所述爐管(1)內(nèi)部的石英舟組(2)，所述石英舟組(2)上放置有硅片(3)，所述爐管(1)還設(shè)有進(jìn)氣裝置(4)和尾氣排放裝置(5)，所述進(jìn)氣裝置(4)包括第一進(jìn)氣管(401)和第二進(jìn)氣管(402)，所述第一進(jìn)氣管(401)和所述第二進(jìn)氣管(402)設(shè)置在所述石英舟組(2)與所述爐管(1)管壁之間，且呈雙螺旋結(jié)構(gòu)，所述第一進(jìn)氣管(401)和所述第二進(jìn)氣管(402)朝向所述石英舟組(2)所在一側(cè)均布有補(bǔ)氣孔(403)，反應(yīng)氣體進(jìn)入所述第一進(jìn)氣管(401)和所述第二進(jìn)氣管(402)并通過(guò)所述補(bǔ)氣孔(403)排至所述爐管(1)內(nèi)部；所述尾氣排放裝置(5)設(shè)置在所述爐管(1)的爐尾處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：所述第一進(jìn)氣管(401)的氣體入口位于所述爐管(1)內(nèi)腔的上部，所述第二進(jìn)氣管(402)上的氣體入口位于所述爐管(1)內(nèi)腔的下部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：所述補(bǔ)氣孔(403)的孔徑沿所述爐管(1)的爐口至爐尾的方向逐漸變小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：所述第一進(jìn)氣管(401)上的所述補(bǔ)氣孔(403)與所述第二進(jìn)氣管(402)上的所述補(bǔ)氣孔(403)位置交錯(cuò)分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：所述石英舟組(2)由若干個(gè)沿所述爐管的軸線(xiàn)所在直線(xiàn)依次排列的石英舟(201)組成，所述石英舟通過(guò)舟槳(202)連接在一起。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：所述尾氣排放裝置(5)包括設(shè)置在所述爐管(1)的軸線(xiàn)上的排氣管(501)與尾氣排放管(502)，所述排氣管(501)伸入所述爐管(1)內(nèi)腔的一端封閉，另一端穿出所述爐管(1)尾部上的出氣孔與所述尾氣排放管(502)管道連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：所述排氣管(501)上設(shè)有若干排氣孔(503)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述排氣管(501)與所述尾氣排放管(502)連接處的密封圈(504)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述第一進(jìn)氣管(401)和/或所述第二進(jìn)氣管(402)上的溫度傳感器。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善lpcvd爐管沉積均勻性的裝置，其特征在于：位于同一進(jìn)氣管上的最大所述補(bǔ)氣孔(403)與最小所述補(bǔ)氣孔(403)的孔徑大小相差1.5倍-2.5倍。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種改善LPCVD爐管沉積均勻性的裝置，涉及太陽(yáng)能電池片制造技術(shù)領(lǐng)域，包括爐管以及設(shè)置在爐管內(nèi)部的石英舟組，石英舟組上放置有硅片，爐管還設(shè)有進(jìn)氣裝置和尾氣排放裝置，進(jìn)氣裝置包括第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管，第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管設(shè)置在石英舟組與爐管管壁之間，且呈雙螺旋結(jié)構(gòu)，第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管朝向石英舟組所在一側(cè)均布有補(bǔ)氣孔，反應(yīng)氣體進(jìn)入第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管并通過(guò)補(bǔ)氣孔排至爐管內(nèi)部；尾氣排放裝置設(shè)置在爐管的爐尾處。本技術(shù)中的兩個(gè)進(jìn)氣管組成的雙螺旋結(jié)構(gòu)可以更好地將氣體均勻輸送到石英舟組四周，使其得到更充分的混合，進(jìn)而得到均勻的膜層，提升了LPCVD工序中電池片的品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：方濤,許元飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：淮安捷泰新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240422
技術(shù)公布日：2024/12/23