專利名稱:銀合金蝕刻液的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種蝕刻液，尤指一種適用于銀合金的蝕刻液。
背景技術：
目前的平面顯示裝置，尤其是有機電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導線的材料。但是因為鉻金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導線的材料。以往曾經有提議以銀作為平面顯示裝置的導線材料，但是因為無適當穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有廣泛的運用。
近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專注于如何降低導線材料的電阻值。銀合金目前被視為適當的導線材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當的蝕刻液，所以并沒有廣泛應用于晶片或面板的黃光制程。
發(fā)明人爰因于此，本于積極發(fā)明的精神，亟思一種可以解決上述問題的“銀合金蝕刻液”，幾經研究實驗終至完成此項嘉惠世人的發(fā)明。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的是在提供一種銀合金蝕刻液，以便能有效用以蝕刻含銀量超過80％以上的銀合金以形成圖樣。
為達成上述的目的，本發(fā)明一種銀合金蝕刻液，其特征在于，包含(A)1至60重量份的過氧化氫；(B)1至60重量份的硫酸、硝酸、或有機酸；以及(C)5至90重量份的水。
其中還包含1至20重量份的銨化物。
其中該銨化物為硫酸銨、醋酸銨、硝酸銨、或氫氧化銨。
其中該有機酸為氨基酸。
其中包含(A)1至20重量份的過氧化氫；(B)1至20重量份的銨化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及(D)5至90重量份的水。
其中該氨基酸為氨基乙酸。
本發(fā)明一種銀合金蝕刻液，其特征在于，包含(A)1至60重量份的銨化物；(B)1至60重量份的過氧化氫；以及(C)0至96重量份的水。
其中該銨化物為硫酸銨、醋酸銨、硝酸銨、或氫氧化銨。
其還包含1至10重量份的硫酸、硝酸、或有機酸。
其中該有機酸為苯酚磺酸或醋酸。
本發(fā)明一種形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，包含以下的步驟(A)提供一具銀合金的基板(B)在該基板上形成至少一光阻并由曝光形成有圖樣的光阻層；以及(C)將一銀合金蝕刻液涂覆于該基板的銀合金表面或將該具銀合金的基板浸漬于該銀合金蝕刻液；其中該銀合金蝕刻液包含1至60重量份的過氧化氫；1至60重量份的硫酸、硝酸、或有機酸；以及5至90重量份的水。
其中該銀合金蝕刻液還包含1至20重量份的銨化物。
其中該銨化物為硫酸銨、醋酸銨、硝酸銨、或氫氧化銨。
其中該有機酸為氨基酸。
其中該銀合金蝕刻液包含(A)1至20重量份的過氧化氫；(B)1至20重量份的銨化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及
(D)5至90重量份的水。
其中該氨基酸為氨基乙酸。
本發(fā)明一種形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，包含以下的步驟(A)提供一具銀合金的基板；(B)在該基板上形成至少一光阻并藉由曝光形成有圖樣的光阻層；以及(C)將一銀合金蝕刻液涂覆于該基板的銀合金表面或將該具銀合金的基板浸漬于該銀合金蝕刻液；其中該銀合金蝕刻液包含1至60重量份的銨化物；1至60重量份的過氧化氫；以及0至96重量份的水。
其中該銨化物為硫酸銨、醋酸銨、硝酸銨、或氫氧化銨。
其中該銀合金蝕刻液還包含1至10重量份的硫酸、硝酸、或有機酸。
其中該有機酸為苯酚磺酸或醋酸。
由于本發(fā)明組成新穎，能提供產業(yè)上利用，且確有增進功效，故依法申請發(fā)明專利。
具體實施方式
為能讓審查員能更了解本發(fā)明的技術內容，特舉銀合金用蝕刻液較佳實施例1-8將過氧化氫與硝酸依照下表1的比例調配溶液，并加入水至100克配置成下列濃度的蝕刻液。一具有銀合金薄膜的硅基板由旋轉涂布，將一光阻層涂布于其上；其中該銀合金薄膜依濺鍍的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的銀，0.9％的鈀及1.0％以上的銅。隨后將硅基板曝光形成有圖樣的光阻層；再將該硅基板涂覆或浸漬于依據表1所配置的蝕刻液中，并進行蝕刻速率測量，結果如下表1所示。
表1


在蝕刻完成后，檢查硅基板發(fā)現硅基板與圖樣的光阻并無被破壞。故該蝕刻液只選擇性地對銀合金做蝕刻。
實施例9-23將過氧化氫與硫酸依照下表2的比例調配溶液，并加入水至100克配置成下列濃度的蝕刻液。一具有銀合金薄膜的硅基板藉由旋轉涂布，將一光阻層涂布于其上；其中該銀合金薄膜依濺鍍的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的銀，0.9％的鈀及1.0％以上的銅。隨后將硅基板曝光形成有圖樣的光阻層；再將該硅基板涂覆或浸漬于依據表2所配置的蝕刻液中，并進行蝕刻速率測量，結果如下表2所示。
表2




在蝕刻完成后，檢查硅基板發(fā)現硅基板與圖樣的光阻并無被破壞。故該蝕刻液只選擇性地對銀合金做蝕刻。
實施例24-32將過氧化氫、硫酸、與醋酸銨依照下表3的比例調配溶液，并加入水至100克配置成下列濃度的蝕刻液。一具有銀合金薄膜的硅基板由旋轉涂布，將一光阻層涂布于其；其中該銀合金薄膜依濺鍍的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的銀，0.9％的鈀及1.0％以上的銅。隨后將硅基板曝光形成有圖樣的光阻層；再將該硅基板涂覆或浸漬于依據表3所配置的蝕刻液中，并進行蝕刻速率測量，結果如下表3所示。
表3




在蝕刻完成后，檢查硅基板發(fā)現硅基板與圖樣的光阻并無被破壞。故該蝕刻液只選擇性地對銀合金做蝕刻。
實施例33-38將過氧化氫、氨基乙酸、與硫酸銨依照下表4的比例調配溶液，并加入水至100克配置成下列濃度的蝕刻液。一具有銀合金薄膜的硅基板由旋轉涂布，將一光阻層涂布于其上；其中該銀合金薄膜依濺鍍的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的銀，0.9％的鈀及1.0％以上的銅。隨后將硅基板曝光形成有圖樣的光阻層；再將該硅基板涂覆或浸漬于依據表4所配置的蝕刻液中，并進行蝕刻速率測量，結果如下表4所示。
表4




在蝕刻完成后，檢查硅基板發(fā)現硅基板與圖樣的光阻并無被破壞。故該蝕刻液只選擇性地對銀合金做蝕刻。
實施例39-46將過氧化氫與氫氧化銨依照下表5的比例調配溶液，并加入水至100克配置成下列濃度的蝕刻液。一具有銀合金薄膜的硅基板由旋轉涂布，將一光阻層涂布于其上；其中該銀合金薄膜依濺鍍的方法形成于硅基板上，并包含，98％以上的銀，0.9％的鈀及1.0％以上的銅。隨后將硅基板曝光形成有圖樣的光阻層；再將該硅基板涂覆或浸漬于依據表5所配置的蝕刻液中，并進行蝕刻速率測量，結果如下表5所示。
表5


實施例47-61
將過氧化氫、氫氧化銨、與苯酚磺酸依照下表6的比例調配溶液，并加入水至100克配置成下列濃度的蝕刻液。一具有銀合金薄膜的硅基板由旋轉涂布，將一光阻層涂布于其上；其中該銀合金薄膜依濺鍍的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的銀，0.9％的鈀及1.0％以上的銅。隨后將硅基板曝光形成有圖樣的光阻層；再將該硅基板涂覆或浸漬于依據表6所配置的蝕刻液中，并進行蝕刻速率測量，結果如下表6所示。
表6


由上的數據可知，本發(fā)明的蝕刻液可以有效地對銀合金進行蝕刻，并且對于基板不產生破壞。同時可由時間的調整與濃度的選擇，控制對銀合金蝕刻的程度與速率。此外，其可以結合黃光制程應用于微機電、晶片或面板基板的制造，容易的形成具圖樣的銀合金。
綜上所述，本發(fā)明無論就目的、手段及功效，均不同于現有技術的特征，為“銀合金蝕刻液”，的一大突破。惟應注意的是，上述諸多實施例僅是為了便于說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以申請專利范圍所述為準，而非僅限于上述實施例。
權利要求
1.一種銀合金蝕刻液，其特征在于，包含(A)1至60重量份的過氧化氫；(B)1至60重量份的硫酸、硝酸、或有機酸；以及(C)5至90重量份的水。
2.如權利要求
1所述的銀合金蝕刻液，其特征在于，其中還包含1至20重量份的銨化物。
3.如權利要求
2所述的銀合金蝕刻液，其特征在于，其中該銨化物為硫酸銨、醋酸銨、硝酸銨、或氫氧化銨。
4.如權利要求
1所述的銀合金蝕刻液，其特征在于，其中該有機酸為氨基酸。
5.如權利要求
2所述的銀合金蝕刻液，其特征在于，包含(A)1至20重量份的過氧化氫；(B)1至20重量份的銨化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及(D)5至90重量份的水。
6.如權利要求
5所述的銀合金蝕刻液，其特征在于，其中該氨基酸為氨基乙酸。
7.一種形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，包含以下的步驟(A)提供一具銀合金的基板(B)在該基板上形成至少一光阻并由曝光形成有圖樣的光阻層；以及(C)將一銀合金蝕刻液涂覆于該基板的銀合金表面或將該具銀合金的基板浸漬于該銀合金蝕刻液；其中該銀合金蝕刻液包含1至60重量份的過氧化氫；1至60重量份的硫酸、硝酸、或有機酸；以及5至90重量份的水。
8.如權利要求
7所述的形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，其中該銀合金蝕刻液還包含1至20重量份的銨化物。
9.如權利要求
8所述的形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，其中該銨化物為硫酸銨、醋酸銨、硝酸銨、或氫氧化銨。
10.如權利要求
7所述的形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，其中該有機酸為氨基酸。
11.如權利要求
8所述的形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，其中該銀合金蝕刻液包含(A)1至20重量份的過氧化氫；(B)1至20重量份的銨化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及(D)5至90重量份的水。
12.如權利要求
11所述的形成具圖樣的銀合金的方法，其特征在于，其中該氨基酸為氨基乙酸。
專利摘要
一種銀合金用蝕刻液，包含1至60重量份的過氧化氫；1至60重量份的硫酸、硝酸、或有機酸；以及5至90重量份的水。另一種銀合金用蝕刻液，包含1至60重量份的銨化物；1至60重量份的過氧化氫；以及0至96重量份的水。本發(fā)明的銀合金用蝕刻液，由控制蝕刻速率，能有效地蝕刻含銀量超過80%以上的銀合金以形成圖樣。此外以上述銀合金蝕刻液形成有圖樣的銀合金的方法亦包含于此。
文檔編號C23F1/30GKCN1237207SQ03147828
公開日2006年1月18日 申請日期2003年6月25日
發(fā)明者李旭峰, 姚信字, 鄒忠哲, 施明忠, 葉添升, 吳朝欽 申請人:錸寶科技股份有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan