国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      帶網(wǎng)狀電極的真空鍍膜裝置的制作方法

      文檔序號:3391980閱讀:528來源:國知局
      專利名稱:帶網(wǎng)狀電極的真空鍍膜裝置的制作方法
      技術(shù)領域
      本實用新型是一種真空鍍膜裝置(國際專利分類號C23C14/00)。具體涉及到對同軸磁控濺射鍍膜設備的改進。
      磁控濺射鍍膜技術(shù)是近年發(fā)展起來的一種新型鍍膜技術(shù),應用范圍廣,操作方便。但是,在工業(yè)化的實際應用中存在兩個問題一是從陰極靶上被濺射出來的粒子的平均能量較低,其中僅占很小比例的正離子,由于受靶電場的反向加速也不能在工件上沉積。這種主要靠原子沉積形成的膜層與工件表面的結(jié)合能力在很大程度上取決于工件表面的狀況及性質(zhì)。對于多數(shù)非金屬表面,包括金屬基體上的非金屬涂層表面,膜層的結(jié)合能力較好。而對于金屬表面而言,如果加熱溫度不夠高(例如&lt;300℃),膜層的結(jié)合能力很差,幾乎沒有實用價值。這就使得現(xiàn)有的同軸磁控濺射鍍膜裝置的應用范圍受到很大限制。另一個問題是工件與靶之間需要保持適當?shù)木嚯x,才能既防止兩者之間相互影響或打火,又可獲得應有的膜層質(zhì)量,這就給設備大型化帶來矛盾。到目前為止,還沒有比較完善的技術(shù)方案。
      本實用新型的目的是提供一種可提高粒子的離化率并對正離子起加速作用,加熱溫度低,鍍膜性能優(yōu)良的鍍膜裝置。
      本實用新型的內(nèi)容是,由蒸發(fā)源(1),真空室(5)組成,在蒸發(fā)源(1)和基板(4)之間設有網(wǎng)狀電極(2),網(wǎng)狀電極可懸浮連接,也可與真空室連接。在網(wǎng)狀電極(2)上設有一個可調(diào)直流電源。在網(wǎng)狀電極附近設有加熱燈絲(3)。網(wǎng)狀電極的形狀結(jié)構(gòu)可分別為,網(wǎng)格狀的或螺旋狀的同軸網(wǎng)、平面網(wǎng)、球冠面網(wǎng)、四面或多面柱網(wǎng)。
      以下結(jié)合附圖及附圖所示的二個實施例,對本實用新型的內(nèi)容作詳細的描述,但本實用新型的內(nèi)容不限于附圖所示。


      圖1為本實用新型網(wǎng)狀電極懸浮連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2為本實用新型網(wǎng)狀電極與真空室連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
      蒸發(fā)源-即同軸磁控陰極靶(1),同軸網(wǎng)狀電極(2),加熱燈絲(3),基板(4),真空室(5)。
      加熱燈絲(3)主要作為真空室的加熱源,由于燈絲的熱電子發(fā)射及燈絲電流磁場的作用,還有助于提高載能粒子的離化率和細化粒子中的原子團。在不需要加溫鍍膜的場合可以不用燈絲。
      在網(wǎng)狀電極上加上直流電壓,在鍍膜時,它可以提高粒子的離化率,并對正離子起加速作用,獲得良好的鍍膜性能,本實用新型提出的網(wǎng)狀電極可以在多種類型的鍍膜裝置中應用。

      圖1所示的結(jié)構(gòu)中,同軸網(wǎng)電極在電氣上是懸浮連接,網(wǎng)狀電極上設有0-600伏的可調(diào)直流電壓,這種結(jié)構(gòu)適合對現(xiàn)有設備的技術(shù)改造。
      在圖2所示的結(jié)構(gòu)中,網(wǎng)狀電極與真空室連接,則同軸網(wǎng)電極使靶電場和加速電場相互隔開,處于靶電場之外的基體(工件)的形狀、位置及轉(zhuǎn)動對靶工作穩(wěn)定性的影響更小,工件與靶之間的相對位置要求降低,這將有利于實現(xiàn)同軸磁控濺射鍍膜設備的大型化,而且便于工件鍍膜前的離子濺射清洗。
      由于同軸網(wǎng)電極上的加速電壓可以提高載能粒子的離化率,并使正離子加速而獲得足夠高的沉積能量,因此在工件表面上形成了部分離子化沉積,使鍍層具有“偽擴散”型過渡膜層的性質(zhì),膜層的附著能力及表面狀況都非常良好。更重要的是不需要較高的溫度就可以在金屬膜表面上直接鍍制金屬膜,合金膜及反應膜,使同軸磁控濺射鍍膜有了更加廣闊的應用領域。同軸網(wǎng)電極可使同軸磁控濺射產(chǎn)生的粒子,獲得20%以上的離化率。
      本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,鍍膜質(zhì)量精良,具有很好的推廣運用前景。
      權(quán)利要求1.一種真空鍍膜裝置,由蒸發(fā)源(1),真空室(5)組成,其特征是,在蒸發(fā)源(1)和基板(4)之間設有網(wǎng)狀電極(2),在網(wǎng)狀電極(2)上設有一個可調(diào)直流電源。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空鍍膜裝置,其特征是在網(wǎng)狀電極附近設有加熱燈絲(3)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種真空鍍膜裝置,其特征是網(wǎng)狀電極的形狀結(jié)構(gòu)可分別為,網(wǎng)格狀的或螺旋狀的同軸網(wǎng)、平面網(wǎng)、球冠面網(wǎng)、四面或多面柱網(wǎng)。
      專利摘要帶網(wǎng)狀電極的真空鍍膜裝置。由蒸發(fā)源(1),真空室(5)組成,其特征是,在蒸發(fā)源(1)和基板(4)之間設有網(wǎng)狀電極(2),在網(wǎng)狀電極(2)上設有一個可調(diào)直流電源。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,鍍膜質(zhì)量精良,具有很好的推廣運用前景。
      文檔編號C23C14/24GK2206791SQ9320077
      公開日1995年9月6日 申請日期1993年1月8日 優(yōu)先權(quán)日1993年1月8日
      發(fā)明者趙晉云, 易湘萍 申請人:昆明亞日鈦金電子研究所
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1