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      真空鍍膜中水動旋轉(zhuǎn)磁場式濺射靶及多弧源的制作方法

      文檔序號:3393031閱讀:445來源:國知局
      專利名稱:真空鍍膜中水動旋轉(zhuǎn)磁場式濺射靶及多弧源的制作方法
      技術(shù)領域
      本實用新型屬真空鍍膜技術(shù)領域,是一種新型濺射靶及多弧源。
      尚未見到在真空鍍膜設備中,采用本實用新型所述的水動式旋轉(zhuǎn)磁場濺射靶及多弧源。
      在常見的真空鍍膜設備中,所使用的濺射靶或多弧源均采用固定磁場加速濺射靶或多弧源的離化。這種方法對于濺射離化靶材雖是行之有效的,但靶材或離化源表面常被濺蝕離化成葫蘆狀、馬鞍形,嚴重影響靶源材料的使用壽命和濺射離化品質(zhì)。為改善上述缺欠,本實用新型提出用冷卻水帶動的復合磁鐵在濺射靶或多弧源中形成旋轉(zhuǎn)磁場,達到提高濺射離化品質(zhì),增加靶材弧源使用壽命的目的。
      本實用新型的目的是給出濺射靶或多弧源的一種由冷卻水帶動的復合磁鋼組成的旋轉(zhuǎn)磁場的實施方案,來提高濺射離化品質(zhì)使用鍍材離化表面平滑光順,既利于提高鍍材的使用率,又提高了鍍膜質(zhì)量。
      目前在真空鍍膜設備中,無論是濺射靶還是多弧源多采用直接水冷法降低鍍材的表面溫度,以提高鍍膜質(zhì)量。也常采用永久磁鐵形成的固定磁場來加速濺射靶或多弧源的離化提高離化品質(zhì)。本實用新型采用增設固定裝上永久磁鋼組成的可旋轉(zhuǎn)的磁鋼架,通過冷卻水沖動轉(zhuǎn)架旋轉(zhuǎn),在鍍材表面形成一旋轉(zhuǎn)磁場,用以改善濺射靶或多弧源的離化質(zhì)量。
      以下結(jié)合附圖進一步說明。


      圖1示出了濺射靶的水動磁場結(jié)構(gòu)示意圖,圖2示出多弧源的水動磁場結(jié)構(gòu)示意圖,在
      圖1和圖2中,1是入水管、2是轉(zhuǎn)動軸承、3是磁鋼架、4是葉氣組、5是磁鋼組、6是鍍材、7是出水管、8是泄水孔。另外,在
      圖1中9是轉(zhuǎn)動支撐。其工作原理如下在
      圖1中,將常見的磁控濺射靶其砂鋼組5,固定在增設的磁鋼架3的外壁上,在磁鋼架3的內(nèi)壁上裝有葉片組4。磁鋼3是經(jīng)過轉(zhuǎn)動軸承2與入水管1實現(xiàn)轉(zhuǎn)動和密封連接的。顯然,當冷卻水從入水管1進入后,先沖動葉片組4經(jīng)泄水孔8,然后再通過鍍材6與磁鋼架3之間的通道至出水管7回流??梢姡鋮s水對葉氣組4的沖擊,由于葉片組4與磁鋼架3的安裝有一旋轉(zhuǎn)角,故能使磁鋼架3與入水管1經(jīng)轉(zhuǎn)動軸承2產(chǎn)生旋轉(zhuǎn),從而帶動磁鋼組5與鍍材6相對旋轉(zhuǎn),這樣可有效地避免常見的磁控濺射靶濺蝕后鍍材6表面呈凹凸不平狀(即糖葫蘆狀)。需說明,濺射靶的長度通常較長,在
      圖1的結(jié)構(gòu)示意中,為使旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定,通常在另一端沒有轉(zhuǎn)動支撐9,以利轉(zhuǎn)動。在圖2中示出的多弧源的水動磁場結(jié)構(gòu)中,與
      圖1結(jié)構(gòu)原理相同,但多弧源一般軸向長度很短僅幾厘米,故可省略轉(zhuǎn)動支撐9。另外,復合磁場在
      圖1中,磁鋼組5可由多塊長條形磁鋼排列成軸向首尾相接,徑向呈多組角向極化式。圖2中磁鋼組5可由多塊磁鋼排列成徑向復合不等場強磁場,有效地避免鍍材6被燒蝕成馬鞍形。
      本實用新型實際上提出了一種新的可慢速轉(zhuǎn)動的磁場,來對現(xiàn)有技術(shù)中固定永久磁場的改進,經(jīng)在我公司產(chǎn)品上應用,與現(xiàn)有技術(shù)相比,大大提高了鍍材的離化品質(zhì),使鍍膜工藝更上一層樓,有很好的應用前景。
      權(quán)利要求1.一種真空鍍膜中水動旋轉(zhuǎn)磁場式濺射靶及多弧源,其特征在于a、它的水動旋轉(zhuǎn)磁場是由冷卻水沖動磁鋼架[3]上的葉片組[4]來帶動磁鋼組[5]經(jīng)轉(zhuǎn)動軸承[2]形成磁鋼組[5]與鍍材[6]旋轉(zhuǎn)的,b、它的復合磁場的磁鋼組[5]在濺射靶中可由多塊磁鋼排列成軸向首尾相接,徑向呈多組角向極化式;在多弧源中可由多塊磁鋼排列成徑向復合不等場強磁場。
      專利摘要真空鍍膜中水動旋轉(zhuǎn)磁場式濺射靶及多弧源屬真空鍍膜技術(shù)領域,是一種具有旋轉(zhuǎn)磁場的新型濺射靶或多弧源。它利用冷卻水作動力,成功地將角向極化式磁場和復合不等場強磁場應用在濺射靶和多弧源上,形成水動式旋轉(zhuǎn)磁場的濺射靶和多弧源,大大提高了鍍材的離化品質(zhì),有很好的應用前景。
      文檔編號C23C14/34GK2206298SQ9421466
      公開日1995年8月30日 申請日期1994年6月20日 優(yōu)先權(quán)日1994年6月20日
      發(fā)明者于書吉, 王永光, 粟達人, 張厚先 申請人:北京科智達技術(shù)發(fā)展公司
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