專利名稱：大回路閉合濺射軌跡柱狀磁控靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種磁控濺射鍍膜所用的大回路閉合濺射軌跡的柱狀磁控靶，屬氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域。
現(xiàn)在使用的柱狀磁控靶，其中有一種的結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示。其中的磁路系統(tǒng)由環(huán)型永磁體3(磁體如同厚墊圈)與極片8相間疊裝組成，濺射軌跡為垂直靶軸分布的獨立圓環(huán)，靶管越長，濺射環(huán)越多，好象“糖葫蘆”串。由于磁性材料的不均勻性，各獨立的圓環(huán)濺射區(qū)的磁場強度以及相應(yīng)的等離子環(huán)的強度也是不一致的。由此帶來的主要問題是(1)各環(huán)磁場不同，于是軸向濺射速率不一致，鍍膜均勻性差。
(2)較強的等離子環(huán)集中了較大的電流，該環(huán)的靶材刻蝕速度相應(yīng)較快，于是靶管壁厚率先變薄，造成表面磁感應(yīng)強度更強，形成愈演愈烈的惡性循環(huán)(正反饋效應(yīng))，使靶材壽命縮短，其利用率只有20～30％。
本實用新型的目的是設(shè)計一種新型的柱狀磁控靶，對已有的柱狀靶從結(jié)構(gòu)上作出改進。本實用新型是采用平行于圓管狀靶材(靶管)軸向分布的磁路系統(tǒng)，形成大回路閉合濺射軌跡新型的柱狀磁控靶，從而濺射區(qū)與靶管軸向平行，消除了現(xiàn)有柱狀靶存在的缺點。
本實用新型設(shè)計的大回路閉合濺射軌跡柱狀磁控靶的一種結(jié)構(gòu)見圖3和圖4，它包括靶材、永磁體、水冷通道、N極板、N極靴、N極片和S極板、S極靴、S極片。靶材為空心圓柱形，N極板和S極板分別置于靶材的上下二端。S極片、永磁體和N極片依次相互間隔疊放成一圓柱體后置于靶管內(nèi)腔的中央。N極靴有二塊，其一端與N極板相接，并緊貼靶管內(nèi)壁向下延伸與各個N極片接觸，但不接觸位于靶管下端的S極板。S極靴有二塊，其一端與S極板相接，并向上延伸與各個S極片接觸但不與N極板接觸。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的柱狀磁控靶的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1的A-A向剖視圖。
圖3是本實用新型設(shè)計的一種柱狀磁控靶的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是圖3的B-B向剖視圖。
圖1～圖4中，1是水冷通道，2是靶材，3是永磁體、4是N極板，5是N極靴，6是S極靴，7是S極板，8是N極片，9是S極片，10是磁芯，11是上蓋板，12是下蓋板。
本實用新型設(shè)計的柱狀磁控靶，在工作過程中能構(gòu)產(chǎn)生平行靶材的軸向磁路系統(tǒng)，使濺射區(qū)與靶管軸向平行，而且形成大回路閉合濺射管道，使濺射區(qū)沿靶管軸向均勻刻蝕。因而提高靶材利用率和鍍膜均勻性。
權(quán)利要求1.一種大回路閉合濺射軌跡柱狀磁控靶，包括靶材、永磁體、水冷通道，其特征在于還包括N極板、N極靴、N極片和S極板、S極靴、S極片；所述的靶材為空心圓柱形靴管，N極板和S極板分別置于靶管的二端；靶管內(nèi)部的空腔為水冷通道，S極片、永磁體和N極片依次相互間隔疊放成一圓柱體置于靶管的中央；N極靴有二塊，極靴的一端與N極板相接并緊貼靶管內(nèi)壁延伸，與各個N極片相接；S極靴有二塊，極靴的一端與S極板相接并緊貼靶管內(nèi)壁延伸，與各個S極片相接。
專利摘要本實用新型涉及一種磁控濺射鍍膜機所用的大回路閉合濺射軌跡的柱狀磁控靶。該柱狀靶的靶材為圓管，靶材兩端置有N極板和S極板，靶管內(nèi)部的空腔為水冷通道，中間置有N極靴、N極片、S極靴、S極片和永磁體。本實用新型設(shè)計的柱狀磁控靶采用平行靶材的軸向的磁路系統(tǒng)，使濺射區(qū)與靶管軸向平行且形成大回路閉合濺射軌道，使濺射區(qū)沿靶管軸向均勻刻蝕，提高靶材利用率和鍍膜均勻性。
文檔編號C23C14/35GK2239437SQ95219498
公開日1996年11月6日 申請日期1995年8月21日 優(yōu)先權(quán)日1995年8月21日
發(fā)明者鄭世民, 范毓殿, 李云松 申請人:鄭世民